一种抗静电有机硅合成革及制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种抗静电有机硅合成革的制备工艺，属于有机硅合成革技术领域。
【背景技术】
[0002] 由于PVC和PU皮革在环保、耐水解、耐老化、防污等方面的缺点，逐渐会被有机硅合 成革所取代。然而由于硅胶本身的绝缘性，导致现在有机硅合成革表面极易沾灰。市场上的 一些导电硅胶取代皮革表面的硅胶后可以达到抗静电防尘的效果，但所制得皮革的颜色受 导电硅胶本身颜色的制约，颜色种类有限。
【发明内容】
[0003] 本发明针对上述问题的不足，提出一种具有抗静电防尘的效果的抗静电有机硅合 成革及制备方法。
[0004] 本发明为解决上述技术问题提出的技术方案是：
[0005] -种抗静电有机硅合成革，包括由上到下依次聚合连接的抗静电面胶层、底胶层 与基材。
[0006] 优选的：所述抗静电面胶层的厚度为0.05~0.10mm，底胶层的厚度为0.01~ 0.50mm〇
[0007] 优选的：所述抗静电面胶层由加入抗静电剂的抗静电有机硅面胶原料制成，所述 抗静电有机硅面胶原料的各组分按重量配比如下：
[0008] 第一乙烯基聚二甲基硅氧烷10~30份
[0009] 第一填料1〇~30份
[0010] 第一铂金催化剂以pt计0.001~2份
[0011] 第一抑制剂0.0001~0.1份
[0012] 第一含氢硅油1~10份 [0013] 第一色膏〇~10份
[0014] 有机溶剂30~80份
[0015] ΑΤ0粉末 0.5~3份。
[0016] 其中：所述第一乙烯基聚二甲基硅氧烷为至少含有两个乙烯基在链端或链侧与硅 原子直接相连的聚二甲基硅氧烷。
[0017] 所述第一填料为白炭黑、有机硅树脂、硅微粉、碳酸钙、氧化铝、氧化镁、石墨烯中 的一种或两种以上的混合物。
[0018] 所述第一铂金催化剂为氯铂酸异丙醇溶液、氯铂酸四氢呋喃溶液、氯铂酸_1，3,5， 7-四乙烯基-1，3,5,7-四甲基-环四硅氧烷、氯铂酸-二乙烯基四甲基二硅氧烷中的一种，铂 金催化剂中Pt原子的含量为100~500000ppm
[0019] 所述第一抑制剂为甲基丁炔醇、乙炔基环己醇、含炔基的马来酸或其衍生物、多乙 烯基聚硅氧烷中的一种或两种以上的混合物。
[0020] 所述第一含氢硅油为至少三个氢原子直接与硅相连接的聚二甲基硅氧烷，氢原子 含量为0.1~1.6%。
[0021] 所述第一色膏是以乙烯基聚二甲基硅氧烷为分散介质的颜料。
[0022] 所述有机溶剂为具有挥发性的烷烃或具有挥发性的硅氧烷。
[0023] 优选的:所述ΑΤ0粉末的粒径在50nm以下。
[0024] 优选的：所述ΑΤ0粉末加入抗静电有机硅面胶原料时需通过加入硅烷偶联剂帮助 分散。
[0025] 优选的：所述底胶层由有机硅底胶原料制成，所述有机硅底胶原料的各组分按重 量配比如下：
[0026] 第二乙烯基聚二甲基硅氧烷40~70份
[0027] 第二填料20~60份
[0028] 第二铂金催化剂以Pt计0.001~2份
[0029] 第二抑制剂0.0001~0.1份
[0030] 第二含氢硅油1~10
[0031] 第二色膏0~10份
[0032]其中：所述第二乙烯基聚二甲基硅氧烷为至少含有两个乙烯基在链端或链侧与硅 原子直接相连的聚二甲基硅氧烷。
[0033] 所述第二填料为白炭黑、有机硅树脂、硅微粉、碳酸钙、氧化铝、氧化镁、石墨烯中 的一种或两种以上的混合物。
[0034] 所述第二铂金催化剂为氯铂酸异丙醇溶液、氯铂酸四氢呋喃溶液、氯铂酸_1，3,5， 7-四乙烯基-1，3,5,7-四甲基-环四硅氧烷、氯铂酸-二乙烯基四甲基二硅氧烷中的一种，铂 金催化剂中Pt原子的含量为100~500000ppm
[0035] 所述第二抑制剂为甲基丁炔醇、乙炔基环己醇、含炔基的马来酸或其衍生物、多乙 烯基聚硅氧烷中的一种或两种以上的混合物。
[0036]所述第二含氢硅油为至少三个氢原子直接与硅相连接的聚二甲基硅氧烷，氢原子 含量为〇. 1~1.6%。
[0037]所述第二色膏是以乙烯基聚二甲基硅氧烷为分散介质的颜料。
[0038] -种抗静电有机硅合成革的制备方法，包括以下步骤：
[0039] 步骤1，将抗静电有机硅面胶原料的各组分按重量配比配好，将配好抗静电有机硅 面胶原料涂覆于离型纸或离型膜上，涂覆好的离型纸或离型膜在80~150度的温度下硫化2 ~10分钟，形成抗静电面胶层。
[0040] 步骤2,将有机硅底胶原料的各组分按重量配比配好，将配好有机硅底胶原料涂覆 于步骤1已硫化的抗静电面胶层上，将涂覆好的抗静电面胶层在80~150度的温度下硫化2 ~10分钟，形成底胶层。
[0041] 步骤3,再次将配好有机硅底胶原料涂覆于步骤2已硫化的底胶层上，然后贴合基 材，将贴合好基材的底胶层在80~150度的温度下硫化2~20分钟，剥去离型纸或离型膜，即 可制得抗静电有机硅合成革。
[0042] 优选的:抗静电有机硅面胶原料涂覆于离型纸或离型膜上的每次涂覆厚度控制在 0.01~0.05mm。有机硅底胶原料涂覆于抗静电面胶层上的每次涂覆厚度控制在0.05~ 0.20mm。有机硅底胶原料涂覆于底胶层上的每次涂覆厚度控制在0.05~0.20mm。
[0043] 本发明的抗静电有机硅合成革及制备方法，相比现有技术，具有以下有益效果：
[0044] 本发明向面层硅胶中加入高导电率、高透明的纳米级ΑΤΟ粉末，从而制备出的抗静 电有机硅合成革，因此其具有抗静电防尘的效果。另外纳米级ΑΤΟ粉末同时不影响硅胶颜 色，从而制备各种颜色的抗静电有机硅合成革。
【附图说明】
[0045]图1为本发明的结构不意图；
[0046] 其中，1为抗静电面胶层，2为底胶层，3为基材。
【具体实施方式】
[0047] 以下将结合实施例详细地说明本发明的技术方案。
[0048] 实施例1
[0049] -种抗静电有机硅合成革，如图1所示，包括由上到下依次聚合连接的抗静电面胶 层、底胶层与基材。所述抗静电面胶层的厚度为0.01~0 . l〇mm。底胶层的厚度为0.01~ 0.50mm〇
[0050] 所述抗静电面胶层由加入抗静电剂的抗静电有机硅面胶原料制成，所述抗静电有 机硅面胶原料的各组分按重量配比如下： 乙烯基聚二甲基硅氧烷（lOOOOrapa. S端乙烯基硅油）27:. 4g 填料1 (白炭HA2(K3) 15g 填料2(球形硅树脂） 5g 销金催化剂（3000ppin} lg
[0051] 抑制剂（甲基丁炔醇） 0, lg 含氢硅油（含氢量0* 75%) lg 有机溶剂（4帕电油） SQg ΑΤΟ 粉末 0, Sg:。
[0052] 所述底胶层由有机硅底胶原料制成，所述有机硅底胶原料的各组分按重量配比如 下： 乙烯基聚二甲基硅氧烷（lOOOOmpa. s端乙烯基硅油） 68. 4g 填料（白炭黑A200) 25g 销金催化剂（3000ppm) 0. 5g
[0053] 抑制剂（甲基丁炔醇） a ig 含氢硅油（含氢量75%) lg 色膏（白色） Sg
[0054] 所述ΑΤ0粉末的粒径在50nm以下，所述ΑΤ0粉末是纳米超微粒子粉体的简称，是一 种抗静电剂。所述ΑΤΟ粉末加入抗静电有机硅面胶原料时需通过加入硅烷偶联剂帮助分散。 [0055] 一种抗静电有机硅合成革的制备方法，包括以下步骤：
[0056] 步骤1，将抗静电有机硅面胶原料的各组分按重量配比配好，将配好抗静电有机硅 面胶原料涂覆0.05mm于离型纸上，在本发明的另一实施例中，涂覆厚度控制在0.01mm。在本 发明的又另一实施例中，涂覆厚度控制在〇.〇2mm。涂覆好的离型纸或离型膜在80~150度的 温度下硫化2~10分钟，形成抗静电面胶层。
[0057] 步骤2,将有机硅底胶原料的各组分按重量配比配好，将配好有机硅底胶原料涂覆 0.1mm于步骤1已硫化的抗静电面胶层上，在本发明的另一实施例中，涂覆厚度控制在 0.05mm。在本发明的又另一实施例中，涂覆厚度控制在0.20mm。将涂覆好的抗静电面胶层在 80~150度的温度下硫化2~10分钟，形成底胶层；
[0058]步骤3,再次将配好有机硅底胶原料涂覆0.15于步骤2已硫化的底胶层上，然后贴 合0.6mm的超纤，在本发明的另一实施例中，涂覆厚度控制在0.05mm。在本发明的又另一实 施例中，涂覆厚度控制在〇.20mm。将贴合好基材的底胶层在80~150度的温度下硫化2~20 分钟。剥去离型纸，即可制得抗静电有机硅合成革。
[0059] 实施例2
[0060] 本实施例与对实施例1的区别之处在于:所述抗静电有机硅面胶原料的各组分按 重量配比如下： 乙細基聚-*甲基娃氧.焼.（1.0.00Qinpa>. .s端乙齡基桂油）26...:9:g 填料1 (白炭黑A20Q) 15:g 填料2 (球形娃树脂） 5g 钼金催化剂（3000ppm)_ lg
[0061] 抑制剂(甲基丁块醇: