树脂组合物、基底、制造电子装置的方法和电子装置的制造方法

树脂组合物、基底、制造电子装置的方法和电子装置的制造方法
【专利摘要】提供了能够用于制造具有优良光提取效率的电子装置的树脂组合物和基底。所述树脂组合物含有聚合物和溶解所述聚合物的溶剂。所述树脂组合物用于形成层，当所述层沿着其两个垂直的面内方向的折射率分别被定义为“Nx”和“Ny”且所述层沿着其厚度方向的折射率被定义为“Nz”时，Nx、Ny和Nz满足关系“(Nx+Ny)/2?Nz”＞0.01。另外，还提供了通过使用这样的基底制造电子装置的方法和电子装置。
【专利说明】
树脂组合物、基底、制造电子装置的方法和电子装置
技术领域
[0001] 本发明涉及树脂组合物、基底、制造电子装置的方法和电子装置。
【背景技术】
[0002] 在照明装置（电子装置)如有机EL(电致发光）照明装置和发光二极管照明装置中， 要求其中使用的基底应具有透明性。因此，作为这样的用于照明装置的基底，已知使用由透 明树脂材料(如聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚碳酸酯)形成的基底(例如，专利文献1)。
[0003] 在这样的照明装置中，当光从设置在照明装置中的发光元件发射时，所发射的光 通过透明基底，然后在照明装置外被提取。亦即，从发光元件发射的光传输出来至所述装 置，通过透明基底，然后到达目标物体。以这种方式，目标物体被光照明。因此，要求所发射 的光应以高效率通过透明基底。亦即，要求照明装置应具有高的光提取效率。
[0004] 然而，在以上照明装置中，相对于基底具有大入射角的发射光被全反射。照明装置 中光的这种全反射导致了照明装置的光提取效率趋于变低的问题。
[0005] 引用列表
[0006] 专利文献
[0007] 专利 1:JP-A 2009-289460

【发明内容】

[0008] 本发明的一个目的是提供能够用于制造具有优良光提取效率的电子装置的树脂 组合物和基底。本发明的另一个目的是提供使用这样的基底制造电子装置的方法和所述电 子装置。
[0009] 为了实现上述目的，本发明包括以下特征（1)至(26)。
[0010] (1) 一种树脂组合物，包含：
[0011] 聚合物;和
[0012] 溶解所述聚合物的溶剂，
[0013] 其中所述树脂组合物用于形成层，并且当所述层沿着其两个垂直的面内方向的折 射率分别被定义为"Nx"和"Ny"且所述层沿着其厚度方向的折射率被定义为"Nz"时，Nx、Ny 和Nz满足关系 "(Nx+Ny) /2-Nz" > 0 ? 01。
[0014] (2)根据以上（1)所述的树脂组合物，其中所述聚合物为芳香族聚酰胺。
[0015] (3)根据以上(2)所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酰胺包含羧基。
[0016] (4)根据以上（2)所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酰胺包含60mol%或更高 的量的刚性结构。
[0017] (5)根据以上(4)所述的树脂组合物，其中所述刚性结构为由以下通式表示的重复 单元：
[0019] 其中n代表1至4的整数，An由以下通式(A)或(B)表示：
[0021 ](其中p = 4 ;Ri、R4和R5各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合;并且 Gi选自共价键、CH 2基团、C(CH3)2基团、C(CF3)2基团、C(CX 3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基）），Ar 2由以下通式(C)或(D)表示：
[0023](其中p = 4 ;R6、R7和Rs各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合;并且 G2选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基）），并且Ar 3由以下通式(E)或(F)表示：
[0025](其中t= 1至3 ;Rg、Rio和Rn各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和 鹏原子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基 如卤代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基及其组合;并 且G 3选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF 3)2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）、⑶基 团、氧原子、硫原子、S〇2基团、Si(CH 3)2基团、9,9-芴基、经取代的9,9-芴基和020基团（2表示 芳基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9-双苯基芴基和经取代的9，9-双 苯基芴基））。
[0026] (6)根据以上(5)所述的树脂组合物，其中所述刚性结构包含衍生自4,4'_二氨基_ 2，2 ' -双三氟甲基联苯胺(PFMB)的结构、衍生自对苯二甲酰二氯(TPC)的结构、衍生自4，4 ' -二氨基联苯甲酸(DADP)和衍生自3,5_二氨基苯甲酸的结构中的至少一种。
[0027] (7)根据以上(2)所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酰胺为全芳香族聚酰胺。
[0028] (8)根据以上(2)所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酰胺包含可以与环氧基反 应的一个或更多个官能团，并且
[0029] 其中所述树脂组合物还包含多官能环氧化物。
[0030] (9)根据以上(8)所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酰胺的至少一个末端为可 以与所述环氧基反应的官能团。
[0031] (10)根据以上(8)所述的树脂组合物，其中所述多官能环氧化物为包含两个或更 多个缩水甘油环氧基的环氧化物，或者包含两个或更多个脂环基的环氧化物。
[0032] (11)根据以上(8)所述的树脂组合物，其中所述多官能环氧化物选自通式结构(a) 和⑶：
[0034](其中1表示缩水甘油基的数量，并且R选自包括以下的组：

[0037] 其中m=l至4,并且n和s为单元的平均数量且独立地为0至30;
[0038] 其中R12各自相同或不同，并且选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘 原子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如 卤代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基及其组合;并且 G4选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）；C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基，Rl3为氢或甲基，并且R 14为二价有机基团）。）
[0040](其中所述环状结构选自包括以下的组：

[0043]其中R15为碳数为2至18的烷基链，所述烷基链可以为直链、支化链或具有环状骨架 的链，并且
[0044] 其中m和n各自独立地为1至30的整数，并且a、b、c、d、e和f各自独立地为0至30的整 数)。
[0045] (12)根据以上(8)所述的树脂组合物，其中所述多官能环氧化物选自包括以下的 组：
[0047](其中R16为碳数为2至18的烷基链，所述烷基链可以为直链、支化链或具有环状骨 架的链，并且
[0048] 其中t和u各自独立地为1至30的整数）。
[0049] (13)根据以上（2)所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酰胺的至少一端是封端 的。
[0050] (14)根据以上（1)所述的树脂组合物，其中所述层在钠线(D线）中的总透光率为 60%或更高。
[0051] (15)根据以上（1)所述的树脂组合物，其中所述树脂组合物还包含无机填料。
[0052] (16) -种用于在其上形成电子元件的基底，包括：
[0053] 板状基体构件，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;以及
[0054] 电子元件形成层，其设置在所述基体构件的所述第一表面的一侧，包含聚合物并 且构造成能够在所述电子元件形成层上形成电子元件，
[0055] 其中当所述电子元件形成层沿着其两个垂直的面内方向的折射率分别被定义为 "Nx"和"Ny"且所述电子元件形成层沿着其厚度方向的折射率被定义为"Nz"时，Nx、Ny和Nz 满足关系 "(Nx+Ny) /2-Nz" > 0 ? 01。
[0056] (17)根据以上（16)所述的基底，其中所述电子元件形成层的热膨胀系数(CTE)为 100ppm/K或更小。
[0057] (18)根据以上（16)所述的基底，其中所述电子元件形成层的平均厚度为1微米至 50微米。
[0058] (19)根据以上（16)所述的基底，其中所述电子元件为有机EL元件。
[0059] (20) -种制造电子装置的方法，包括：
[0060]制备基底，所述基底包括：
[0061]板状基体构件，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，和
[0062] 电子元件形成层，其设置在所述基体构件的所述第一表面的一侧并包含聚合物，
[0063] 其中当所述电子元件形成层沿着其两个垂直的面内方向的折射率分别被定义为 "Nx"和"Ny"且所述电子元件形成层沿着其厚度方向的折射率被定义为"Nz"时，Nx、Ny和Nz 满足关系 "(Nx+Ny) /2-Nz" > 0 ? 01;
[0064] 在与所述基体构件相对的所述电子元件形成层的表面上形成所述电子元件；
[0065] 形成覆盖层以覆盖所述电子元件；
[0066] 用光照射所述电子元件形成层，由此在所述基体构件与所述电子元件形成层之间 的界面处使所述电子元件形成层从所述基体构件上剥离；以及
[0067] 使包括所述电子元件、所述覆盖层和所述电子元件形成层的电子装置与所述基体 构件分离。
[0068] (21)根据以上（20)所述的方法，其中所述电子元件形成层的热膨胀系数(CTE)为 100ppm/K或更小。
[0069] (22)根据以上(20)所述的方法，其中所述电子元件形成层的平均厚度为1微米至 50微米。
[0070] (23)根据以上(20)所述的方法，其中所述聚合物为芳香族聚酰胺。
[0071] (24)根据以上(23)所述的方法，其中所述芳香族聚酰胺包含羧基。
[0072] (25)根据以上（23)所述的方法，其中所述芳香族聚酰胺包含60mol%或更高的量 的刚性结构。
[0073] (26)-种通过使用以上(20)限定的方法制造的电子装置。
[0074] 根据本发明，通过使用包含聚合物和溶解所述聚合物的溶剂的树脂组合物可形成 层，其中当所述层沿着其两个垂直的面内方向的折射率分别被定义为"Nx"和"Ny"且所述层 沿着其厚度方向的折射率被定义为"Nz"时，Nx、Ny和Nz满足关系"(Nx+Ny)/2-Nz" >0.01。将 通过使用树脂组合物形成的该层用作设置在电子装置中的电子元件形成层(基底）。在电子 装置中，从发光元件发射的光通过电子元件形成层，然后在电子装置外被提取。通过使用所 述层作为设置在电子装置中的电子元件形成层，可提高从发光元件发射并在装置外被提取 的光的光提取效率。
【附图说明】
[0075] 图1是示出通过应用本发明的制造电子装置的方法制造的有机电致发光照明装置 的一个实施方案的平面图。
[0076] 图2是图1所示的有机电致发光照明装置沿着图1的A-A线的剖面图。
[0077] 图3是示出通过应用本发明的制造电子装置的方法制造的传感器元件的一个实施 方案的剖面图。
[0078] 图4是说明制造图1和2所示的有机电致发光照明装置或者图3所示的传感器元件 的方法(本发明的制造电子装置的方法)的垂直剖面图。
【具体实施方式】
[0079] 下文中，基于附图中所示的优选实施方案，将对根据本发明的树脂组合物、基底、 制造电子装置的方法和电子装置进行详细的描述。
[0080] 首先，在描述根据本发明的树脂组合物、基底和制造电子装置的方法之前，将对通 过使用本发明的制造电子装置的方法所制造的有机电致发光照明装置(有机EL照明装置） 和传感器元件进行描述。即，首先对有机电致发光照明装置和传感器元件作为本发明电子 装置的实例进行描述。
[0081 ]〈有机EL发光装置〉
[0082] 首先，将对通过应用本发明的制造电子装置的方法所制造的有机电致发光照明装 置进行描述。图1是示出通过应用本发明的制造电子装置的方法所制造的有机电致发光照 明装置的一个实施方案的平面图。图2是图1所示的有机电致发光照明装置沿着图1的A-A线 的剖面图。在以下描述中，将图1中纸的正面称为"上"，将图1中纸的背面称为"下"，并且将 图2中的上侧称为"上"，将图2中的下侧称为"下"。
[0083] 图1和2所示的有机EL照明装置1包括由本发明的树脂组合物形成的树脂膜（电子 元件形成层)A、多个发光元件C、和密封部B。
[0084] 在该有机EL照明装置1中，其中形成封闭空间的壳体由树脂膜A和密封部B构造，并 且发光元件C设置在壳体的封闭空间内。通过在壳体的封闭空间中设置发光元件C，可确保 对于发光元件C的气密性，从而能够阻止氧或水分渗透至发光元件C。
[0085] 在该实施方案中，在壳体的封闭空间中存在九个发光元件(有机EL元件)C。发光元 件C各自在其平面视图中具有方形形状。封闭空间中的九个发光元件设置在树脂膜A上，以 便以网状图案(3X3的矩阵图案）以均匀的间隔布置。
[0086] 如图2所示，具有这样的构造的有机EL照明装置1可以认为是具有这样的结构的发 光装置:所述结构用于从树脂膜A的一侧(通过树脂膜A)提取从发光元件C发射的光。
[0087] 如上所述，多个发光元件C设置在树脂膜(电子元件形成层)A上以形成网状图案。 [0088]在该实施方案中，发光元件C各自包括阳极302、阴极306、空穴传输层303、发射层 304和电子传输层305。阳极302和阴极306设置成面对彼此。此外，空穴传输层303、发射层 304和电子传输层305以这种顺序从阳极302起在阳极302与阴极306之间层合。
[0089] 在具有这样的构造的有机EL照明装置中，从发光元件C发射的光通过树脂膜A，然 后在有机EL照明装置1外被提取。亦即，从发光元件C发射的光传输出来至有机EL照明装置， 通过树脂膜A，然后到达目标物体。以这种方式，目标物体被光照明。通过对各个发光元件C 的发射层304中包含的发光材料等的种类进行适当组合，可获得能够发出预定颜色的有机 EL照明装置1。
[0090] 〈传感器元件〉
[0091] 然后，将描述通过应用本发明的制造电子装置的方法所制造的传感器元件。图3是 示出通过应用本发明的制造电子装置方法所制造的传感器元件的一个实施方案的截面图。 在以下描述中，将图3中的上侧称为"上"，将图3中的下侧称为"下"。
[0092] 本发明的传感器元件是，例如，可以用于输入装置的传感器元件。在本公开内容的 一个或多个实施方案中，本发明的传感器元件是包括由本发明的树脂组合物形成的树脂膜 (电子元件形成层)A的传感器元件。在本公开内容的一个或多个实施方案中，本发明的传感 器元件是在基体构件500上的树脂膜A上形成的传感器元件。在本公开内容的一个或多个实 施方案中，本发明的传感器元件是可以从基体构件500上剥离的传感器元件。
[0093] 本发明的传感器元件的实例包括：用于捕获图像的光学传感器元件、用于传感电 磁波的电磁传感器元件、用于传感辐射如X-射线的辐射传感器元件、用于传感磁场的磁传 感器元件、用于传感电容电荷变化的电容传感器元件、用于传感压力变化的压力传感器元 件、触摸传感器元件和压电传感器元件。
[0094] 使用本发明的传感器元件的输入装置的实例包括:使用辐射(X-射线)传感器元件 的辐射(X-射线）成像装置、使用光学传感器元件的可见光成像装置、使用磁传感器元件的 磁传感装置、使用触摸传感器元件或压力传感器元件的触摸面板、使用光学传感器元件的 指纹验证装置、以及使用压电传感器的发光装置。使用本发明的传感器元件的输入装置还 可具有输出装置的功能如显不功能等。
[0095] 下文中，将描述包括光电二极管的光学传感器元件作为本发明的传感器元件的一 个实例。
[0096] 图3中所示的传感器元件10包括由本发明的树脂组合物形成的树脂膜（电子元件 形成层)A和设置在树脂膜A上的多个像素电路11。
[0097] 在该传感器元件10中，每个像素电路11包括光电二极管(光电转换元件）11A和充 当光电二极管11A的驱动元件的薄膜晶体管(TFT) 11B。通过用每个光电二极管11A传感穿过 树脂膜A的光，传感器元件10可以充当光学传感器元件。
[0098] 在树脂膜A上设置有栅绝缘膜21。栅绝缘膜21由以下构成：包括二氧化硅（Si02) 膜、氮氧化硅(SiON)膜和氮化硅(SiN)膜中的任一种的单层膜;或者包含这些膜中的两个或 更多个的层合膜。在栅绝缘膜21上设置有第一间层绝缘膜12A。第一间层绝缘膜12A由二氧 化硅膜、氮化硅膜等构成。该第一间层绝缘膜12A还可以充当保护膜(钝化膜）以覆盖下述薄 膜晶体管11B的顶部。
[0099]光电二极管11A通过栅绝缘膜21和第一间层绝缘膜12A形成在树脂膜A的选择性区 域上。光电二极管11A包括:在第一间层绝缘膜12A上形成的下电极24、n-型半导体层25N、i-型半导体层25I、p-型半导体层25P、上电极26和布线层27。下电极24、n-型半导体层25N、i-型半导体层25I、p-型半导体层25P、上电极26和布线层27从第一间层绝缘膜12A侧起以这种 顺序层合。
[0100] 上电极26充当用于在光电转换期间向光电转换层供应，例如，参考电势(偏电势） 的电极。光电转换层由n-型半导体层25N、i-型半导体层251和p-型半导体层25P构成。上电 极26与充当用于供应参考电势的电源供应布线的布线层27连接。该上电极26由IT0(铟锡氧 化物)等的透明导电膜构成。
[0101] 薄膜晶体管11B由例如场效应晶体管(FET)构成。薄膜晶体管11B包括栅电极20、栅 绝缘膜21、半导体膜22、源电极23S和漏电极23D。
[0102]栅电极20由钛(!^))11〇、钨(1)、铬(0)等形成并在树脂膜4上形成。栅绝缘膜21 在栅电极20上形成。半导体层22具有沟道区并且在栅绝缘膜21上形成。源电极23S和漏电极 23D在半导体膜22上形成。在该实施方案中，漏电极23D与光电二极管的下电极24连接并且 源电极23S与传感器元件10的中继电极28连接。
[0103] 此外，在该实施方案的传感器元件10中，第二间层绝缘膜12B、第一扁平膜13A、保 护膜14和第二扁平膜13B以这种顺序层合在光电二极管11A和薄膜晶体管11B上。此外，在第 一扁平膜13A上形成开口 3以对应于光电二极管11A在其上形成的选择性区域的附近。
[0104] 在具有这种构造的传感器元件10中，从外部透射至传感器元件10中的光穿过树脂 膜A并到达光电二极管11A。因此，可以传感从外部透射至传感器元件10中的光。
[0105] (制造有机EL照明装置1或传感器元件10的方法）
[0106] 具有上述构造的有机EL照明装置1或具有上述构造的传感器元件10通过，例如，使 用本发明的树脂组合物如下制造。即，有机EL照明装置1或传感器元件10可通过使用本发明 的制造电子装置的方法来制造。
[0107] 图4是说明制造图1和2所示的有机电致发光照明装置或图3所示的传感器元件的 方法(本发明的制造电子装置的方法）的垂直截面图。在以下描述中，将图4中的上侧称为 "上"，将图4中的下侧称为"下"。
[0108] 首先，将对制造图1和2所示的有机电致发光照明装置1的方法进行描述。
[0109] [1]首先，制备基底(本发明的基底）。所述基底(本发明的基底)包括:板状基体构 件500,其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;和树脂膜(电子元件形成层)A。将树 脂膜A设置在基体构件500的第一表面的一侧。
[0110] [1-A]首先，制备具有第一表面和第二表面并且具有透光性的基体构件500。
[0111] 例如，将玻璃、金属、硅酮、树脂等用作用于基体构件500的构成材料。这些材料可 单独使用或者适当时以两种或更多种的组合使用。
[0112] [ 1-B]然后，在基体构件500的第一表面(一个表面)上形成树脂膜A。因此，获得包 括基体构件500和树脂膜A的基底(图4中的层合复合材料）。
[0113] 使用本发明的树脂组合物以形成树脂膜A。本发明的树脂组合物包含聚合物和溶 解所述聚合物的溶剂。通过使用这样的树脂组合物，形成了包含所述聚合物的树脂膜(电子 元件形成层)A，其中当树脂膜A沿着其两个垂直的面内方向的折射率(波长:589.3nm)分别 被定义为"Nx"和"Ny"且树脂膜A沿着其厚度方向的折射率(波长:589.3nm)被定义为"Nz" 时，Nx、Ny和Nz满足关系 "(Nx+Ny)/2-Nz" >0 ? 01。
[0114] 形成树脂膜A的方法的实例包括这样的方法:其中通过使用图4(A)所示的模涂法 将树脂组合物(清漆)供应在基体构件500的第一表面上，然后将树脂组合物干燥并加热(参 照图4(B))。
[0115] 在这一方面，应注意将树脂组合物供应在基体构件500的第一表面上的方法不限 于模涂法。多种液相成膜法如喷墨法、旋涂法、棒涂法、辊涂法、线棒式涂覆法和浸涂法均可 以用作这种方法。
[0116] 此外，如上所述，本发明的树脂组合物包含聚合物和溶解所述聚合物的溶剂。通过 使用这样的树脂组合物，可获得包含聚合物并满足关系"(Nx+Ny)/2-Nz">0.01的树脂膜A。 本发明的这种树脂组合物将稍后描述。
[0117] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，就抑制弯曲变形和/或提高尺寸稳定性 而言，在约+40°C的溶剂沸点至约+100°C的溶剂沸点，更优选约+60°C的溶剂沸点至约+80°C 的溶剂沸点，甚至更优选约+70°C的溶剂沸点的温度下，对树脂膜A进行热处理。在本公开内 容的一个或多个实施方案中，就抑制弯曲变形和/或提高尺寸稳定性而言，该步骤[1-B]中 的热处理的温度在约200°C至250°C的范围内。在本公开内容的一个或多个实施方案中，就 抑制弯曲变形和/或提高尺寸稳定性而言，该步骤[1-B]中的加热时间（持续时间)在大于约 1分钟但小于约30分钟的范围内。
[0118] 此外，其中树脂膜A形成在基体构件500上的该步骤[1-B]可包括在干燥和加热树 脂组合物之后使树脂膜A固化的步骤。使树脂膜A固化的温度取决于加热设备的性能，但是 优选地在220 °C至420 °C的范围内，更优选地在280 °C至400 °C的范围内，还更优选地在330 °C 至370°C的范围内，并且甚至更优选地在340°C至370°C的范围内。使树脂膜A固化的时间（持 续时间）在5分钟至300分钟或者30分钟至240分钟的范围内。
[0119] [2]然后，在设置在所得基底中的树脂膜A上形成九个(多个)发光元件（电子元件） C，以形成网状图案。
[0120] [2-A]首先，在树脂膜A上以网状图案形成阳极(独立电极)302。
[0121] [2-B]然后，空穴传输层303各自形成在对应的阳极302上以覆盖阳极302。
[0122] [2-C]然后，发射层304各自形成在对应的空穴传输层303上以覆盖空穴传输层 303〇
[0123] [2-D]然后，电子传输层305各自形成在对应的发射层304上以覆盖发射层304。
[0124] [2-E]然后，阴极306各自形成在对应的电子传输层305上以覆盖电子传输层305。
[0125] 在这一方面，步骤[2-A]至[2-E]中所形成的每个层可通过使用以下方法形成：气 相成膜法，例如溅射法、真空沉积法和CVD法;或者液相成膜法，例如喷墨法、旋涂法和铸造 法。
[0126] [3]然后，制备密封部B。然后，在树脂膜A上设置密封部B以覆盖各个发光元件C。以 这种方式，通过树脂膜A和密封部B形成壳体的封闭空间。在封闭空间中，发光元件C被树脂 模A和密封部B密封。
[0127] 在这一方面，上述用树脂膜A和密封部B密封可通过将粘合剂置于树脂膜A与密封 部B之间，然后干燥所述粘合剂来进行。
[0128] 通过进行上述步骤[1]至[3]，在基体构件500上形成了包括树脂膜A、发光元件C和 密封部B的有机EL照明装置1(参照图4(C))。
[0129] [5]然后，用来自基体构件500-侧的光照射树脂膜(电子元件形成层)A。
[0130]如此在基体构件500与树脂膜A之间的界面处使树脂膜A从基体构件500的第一表 面上剥离。
[0131] 因此，使有机EL照明装置(电子装置)1与基体构件500分离(参照图4(D))。
[0132] 待照射至树脂膜A的光不特别限于特定种类，只要通过用该光照射树脂膜A可以在 基体构件500与树脂膜A之间的界面处使树脂膜A从基体构件500的第一表面上剥离即可。所 述光优选为激光。通过使用激光，可以可靠地在基体构件500与树脂膜A之间的界面处使树 脂膜A从基体构件500上剥离。
[0133] 此外，激光的实例包括脉冲振荡型或连续发射型的准分子激光、二氧化碳激光、 YAG激光和YV〇4激光。
[0134] 通过进行上述步骤[1]至[5]，可获得从基体构件500上剥离的有机EL照明装置1。
[0135] 然后，将描述制造图3所示的传感器元件的方法。
[0136] [1]首先，以与制造图1和2所示的有机电致发光照明装置1的方法相同的方式，制 备包括基体构件500和在基体构件500上形成的树脂膜（电子元件形成层)A的基底(本发明 的基底）。由于用于在基体构件500上形成树脂膜A的步骤与上述制造有机电致发光照明装 置1的方法相同，所以在此省略对于在基体构件500上形成树脂膜A的步骤的描述(参照图4 (A)和图 4(B))。
[0137] [2]然后，在设置在所获得的基底中的树脂膜A上形成上述传感器元件10。用于在 树脂膜A上形成传感器元件10的方法不特别限于特定方法。在树脂膜A上形成传感器元件10 可以用为制造期望的传感器元件而适当选择或修改的已知合适的方法进行。
[0138] 通过进行上述步骤[1]至[2]，在基体构件500上形成包括树脂膜A、像素电路11的 传感器元件1〇(参照图4(C))。
[0139] [3]然后，用来自基体构件500侧的光照射树脂膜（电子元件形成层)A以将传感器 元件（电子装置）1〇从基体构件500上剥离（参照图4(D))。由于用于将传感器元件10从基体 构件500上剥离的步骤与上述用于将有机EL照明装置1从基体构件500上剥离的步骤相同， 在此省略对于将传感器元件10从基体构件500上剥离的步骤的描述。
[0140] 通过进行上述步骤[1]至[3]，可以获得从基体构件500上剥离的传感器元件10。
[0141] 在具有上述构造的有机EL照明装置中，要求从发光元件C发射的光应以高效率通 过树脂膜A。然而，相对于树脂膜A具有大入射角的发射光被全反射。有机EL照明装置1中光 的这种全反射导致了有机EL照明装置1的光提取效率趋于变低的问题。
[0142] 在具有上述构造的传感器元件10中，要求从外部传输到传感器元件10中的光应以 高效率通过树脂膜A。然而，相对于树脂膜A具有大入射角的发射光被全反射。传感器元件10 中光的这种全反射导致了传感器元件10的光引入效率趋于变低的问题。
[0143] 此处，当树脂膜A沿着其两个垂直的面内方向的折射率分别被定义为"Nx"和"Ny"， 树脂膜A沿着其厚度方向的折射率被定义为"Nz"，并且树脂膜A的厚度被定义为"d"时，树脂 膜A沿着其厚度方向的相位差"Rth"（厚度方向相位差）由以下表达式(1)表示。
[0144] Rth= {(Nx+Ny)/2~Nz} Xd( 1)
[0145] 本发明人关注了 Rth(厚度方向相位差）的值并且认真地研究了 Rth(厚度方向相位 差)的值与入射到树脂膜A上的光的全反射之间的关系。因此，本发明人发现，通过将以上表 达式⑴中包含的"(Nx+Ny)/2-Nz"的值（即，平面外双折射(dn外)）设定为大于0.01，即，通过 满足关系"(啦+咐)/2-啦">0.01，可解决以上问题。具体地，本发明《发现，即使从发光元件 C发射的光相对于树脂膜A具有大的入射角，也可通过设定"(Nx+Ny)/2-Nz"的值以满足以上 关系来适当地抑制或防止光被全反射，并因此提高上述有机EL照明装置1的光提取效率和 传感器元件10的光引入效率。基于这样的发现，本发明人完成了本发明。
[0146] 如上所述，具有上述构造的树脂膜A可通过使用包含聚合物和溶解所述聚合物的 溶剂的本发明的树脂组合物形成。下文中，将对包含在本发明的树脂组合物中的构成材料 进行详细描述。
[0147] 〈聚合物〉
[0148] 使用聚合物作为由树脂组合物构成的树脂膜（电子元件形成层)A的主要材料。聚 合物包含在树脂组合物中以形成树脂膜A以便满足关系"(Nx+Ny)/2-Nz" >0.01。
[0149] 如上所述，所述聚合物不特别限于具体种类，只要树脂膜A可满足关系"(Nx+Ny)/ 2-Nz" >0.01即可。聚合物的实例包括芳香族聚酰胺和脂环族聚酰胺。这些聚合物可单独或 者以两种或更多种的组合使用。其中，优选将芳香族聚酰胺用作聚合物。通过使用芳香族聚 酰胺作为聚合物，可容易地形成树脂膜A以便满足关系"(Nx+Ny)/2-Nz" >0.01。此外，还可 通过用光照射树脂膜A在基体构件500与树脂膜A之间的界面处对树脂膜A有效地进行剥离。 [0150]优选的是，芳香族聚酰胺为包含可以与环氧基反应的一个或更多个官能团的芳香 族聚酰胺。此外，优选的是，包含可以与环氧基反应的一个或更多个官能团的芳香族聚酰胺 为具有羧基的芳香族聚酰胺。由于芳香族聚酰胺包含羧基，所以可以改善所形成的树脂膜A 的耐溶剂性。通过改善树脂膜A的耐溶剂性，当在树脂膜A上形成发光装置C时，可以扩大所 使用的液体材料的选择范围。
[0151]此外，优选的是，芳香族聚酰胺为全芳香族聚酰胺。通过使用全芳香族聚酰胺作为 用于树脂膜A的聚合物，可以可靠地将所形成的树脂膜A的"(Nx+Ny)/2-Nz"的值设定为落在 上述范围内。在这一方面，应注意全芳香族聚酰胺是指包含在芳香族聚酰胺主链中的所有 酰胺键通过芳香族基团（芳香环)彼此键合而不通过链状或环状脂肪族基团彼此键合。
[0152]鉴于前述内容，优选的是芳香族聚酰胺具有由以下通式(I)表示的重复单元：
[0154]其中x表示1或更大的整数，An由以下通式(II)或(III)表示：
[0156](其中p = 4 ;Ri、R4和R5各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合;并且 Gi选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基）），并且Ar 2由以下通式(IV)或(V)表示：
[0158] (其中p = 4 ;R6、R7和Rs各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合;并且 G2选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基））。
[0159] 此外，关于包含羧基的芳香族聚酰胺，优选的是，包含羧基的芳香族聚酰胺具有由 以下通式(VI)表示的第一重复单元和由以下通式(VII)表示的第二重复单元：
[0161 ] 其中x表示第一重复单元的mol %，y表示第二重复单元的mol %，n表示1至4的整 数，An由以下通式(VIII)或(VIII'）表示：
[0163](其中p = 4 ;Ri、R4和R5各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合;并且 Gi选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基）），Ar 2由以下通式(IX)或(X)表示：
[0165](其中p = 4 ;R6、R7和Rs各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合;并且 G2选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基）），并且Ar 3由以下通式(XI)或(XII)表示：
[0167](其中t= 1至3 ;Rg、Rio和Rn各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和 鹏原子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基 如卤代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合； 并且G 3选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF 3)2基团、C(CX3)2基团(X表示卤素原子）、C0基 团、氧原子、硫原子、S〇2基团、Si(CH 3)2基团、9,9-芴基、经取代的9,9-芴基和020基团（2表示 芳基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9-双苯基芴基和经取代的9，9-双 苯基芴基））。
[0168] 关于包含羧基的芳香族聚酰胺，在本公开内容的一个或多个实施方案中，选择通 式(VI)和(VII)使得芳香族聚酰胺可溶于极性溶剂或者包含一种或更多种极性溶剂的混合 溶剂。在本公开内容的一个或多个实施方案中，通式(VI)中的x在90 . Omol %至99.99mol % 的范围内变化，且通式(VII)中的y在lO.Omol%至O.Olmol%的范围内变化。在本公开内容 的一个或多个实施方案中，通式(VI)中的x在90. lmol%至99.9mol %的范围内变化，且通式 (VII)中的y在9.9mol%至O.lmol%的范围内变化。在本公开内容的一个或多个实施方案 中，通式（VI)中的x在90.0 mol %至99. Omol %的范围内变化，且通式（VII)中的y在 10.0 mol %至l.Omol %的范围内变化。在本公开内容的一个或多个实施方案中，通式(VI)中 的x在92.0mo 1 %至98.0mo 1 %的范围内变化，且通式(VII)中的y在8.0mo 1 %至2.0mo 1 %的 范围内变化。在本公开内容的一个或多个实施方案中，芳香族聚酰胺包含由通式(VI)和 (VII)表示的多个重复单元，其中Ari、Ar2和Ar3可彼此相同或不同。
[0169] 此外，芳香族聚酰胺优选包含60mol%或更多，并且更优选95mol%或更多的量的 刚性结构（刚性组分）。通过将芳香族聚酰胺中刚性结构的量设定为落在上述范围内，可进 一步提高芳香族聚酰胺的结晶度。这使得可以更可靠地形成树脂膜A以便满足关系"(Nx+ Ny)/2-Nz">0.01。
[0170] 在本说明书中，刚性结构是指构成芳香族聚酰胺的单体组分(重复单元)在其主结 构(骨架）中具有线性。具体地，刚性结构为由通式(I)、通式(VI)或通式(VII)表示的重复单 元。此外，由通式（I)、通式(VI)或通式(VII)表示的重复单元中的An由以下通式(A)或(B) 表不：
[0172](其中p = 4，Ri、R4和R5各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合;并且 Gi选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基）），并且由通式（I)或通式(VI)表示的重复单元中的Ar 2由以下通式(C)或(D)表示：
[0174](其中p = 4，R6、R7和Rs各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合;并且 G2选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基）））），并且由通式(VII)表示的重复单元中的Ar 3由以下通式(E)或(F)表示：
[0176](其中t= 1至3 ;Rg、Rio和Rn各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和 鹏原子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基 如卤代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合， 并且G 3选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF 3)2基团、C(CX3)2基团(X表示卤素原子）、C0基 团、氧原子、硫原子、S〇2基团、Si(CH 3)2基团、9,9-芴基、经取代的9,9-芴基和020基团（2表示 芳基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9-双苯基芴基和经取代的9，9-双 苯基芴基））。
[0177] 具体实例包括衍生自对苯二甲酰氯(TPC)的结构，Ar2的具体实例包括衍生自 4，4 ' -二氨基-2，2 ' -双三氟甲基联苯胺(PFMB)的结构，并且Ar3的具体实例包括衍生自4， 4 ' _二氨基联苯甲酸(DADP)的结构和衍生自3，5-二氨基苯甲酸(DAB)的结构。
[0178] 此外，芳香族聚酰胺的数均分子量(Mn)优选为6.0 X104或更大，更优选6.5 X104或 更大，更优选7.0 X 104或更大，还更优选7.5 X 104或更大，并且甚至更优选8.0 X 104或更大。 此外，芳香族聚酰胺的数均分子量优选为1. 〇 X 106或更小，更优选8.0 X 105或更小，还更优 选6.0 X 105或更小，并且甚至更优选4.0 X 105或更小。通过使用满足上述条件的芳香族聚酰 胺，可以使树脂膜A可靠地提供作为有机EL照明装置1或传感器元件10中的基础层的功能。 此外，可以可靠地将树脂膜A的"(Nx+Ny)/2-Nz"的值设定为落在上述范围内。
[0179] 在本说明书中，芳香族聚酰胺的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)用凝胶渗透色 谱来测量。具体地，其通过使用以下实施例中的方法来测量。
[0180] 此外，芳香族聚酰胺的分子量分布（=Mw/Mn)优选为5.0或更小，更优选4.0或更 小，更优选3.0或更小，还更优选2.8或更小，还更优选2.6或更小，并且甚至更优选2.4或更 小。此外，芳香族聚酰胺的分子量分布优选为2.0或更大。通过使用满足上述条件的芳香族 聚酰胺，可以使树脂膜A可靠地提供作为有机EL照明装置1或传感器元件10中的基础层的功 能。此外，可以可靠地将树脂膜A的"(Nx+Ny)/2-Nz"的值设定为落在上述范围内。
[0181]此外，优选的是，芳香族聚酰胺通过在芳香族聚酰胺被合成之后使其再沉淀的步 骤获得。通过使用通过再沉淀的步骤获得的芳香族聚酰胺，可以使树脂膜A可靠地提供作为 有机EL照明装置1或传感器元件10中的基础层的功能。此外，可以可靠地将树脂膜A的"(Nx+ Ny)/2-Nz"的值设定为落在上述范围内。
[0182] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，对聚合物的末端-C00H基和末端_NH2基 之一或两者进行封端。从提高膜(即，树脂膜A)的耐热性角度来看，末端封端是优选的。聚合 物的末端可通过与苯甲酰氯反应(在其各个末端是-NH 2的情况下)或者通过与苯胺反应(在 其各个末端是-C00H的情况下)进行封端。然而，封端的方法不限于该方法。
[0183] 〈无机填料〉
[0184] 除聚合物之外，树脂组合物可包含一定量的无机填料，使得当在上述制造有机EL 照明装置1或传感器元件10的方法中从基体构件500上剥离树脂膜A时不会破坏树脂膜A。通 过使用包含无机填料的树脂组合物，可以减小树脂膜A的热膨胀系数。
[0185] 该无机填料不特别限于特定种类，但是优选地形成颗粒形状或者优选地由纤维构 成。
[0186] 此外，用于无机填料的构成材料不特别限于特定材料，只要其是无机材料即可。这 种用于无机填料的构成材料的实例包括:金属氧化物，例如二氧化硅、氧化铝和氧化钛;矿 物质，例如云母;玻璃;及其混合物。这些材料可以单独使用或者以两种或更多种的组合使 用。在这一方面，玻璃种类的实例包括:E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、 低介电常数玻璃和高介电常数玻璃。
[0187] 在无机填料由纤维构成的情况下，纤维的平均纤维直径优选地在lnm至lOOOnm的 范围内。通过使用包含具有上述平均纤维直径的无机填料的树脂组合物，可以使树脂膜A可 靠地提供作为有机EL照明装置1或传感器元件10中的基础层的功能。此外，可以可靠地将树 脂膜A的"(Nx+Ny)/2-Nz"的值设定为落在上述范围内。
[0188] 此处，纤维可由单纤维形成。包含在其中的单纤维彼此不平行地布置并且彼此充 分隔开，以使基体树脂的液体前体进入单纤维之间。在这种情况下，平均纤维直径对应于单 纤维的平均直径。此外，纤维可构成其中多个单纤维成束的一条线状物。在这种情况下，平 均纤维直径被定义为该条线状物的直径的平均值。具体地，通过实施例中的方法测量平均 纤维直径。此外，从改善膜透明度的视角来看，纤维的平均纤维直径优选是较小的。此外，树 脂组合物(聚合物溶液）中所包含的聚合物的折射率和无机填料的折射率优选彼此接近。例 如，在待用作纤维的材料与聚合物在589nm波长下的折射率差异为0.01或更小的情况下，无 论纤维直径如何，都可以形成具有高透明度的膜。此外，测量平均纤维直径的方法的实例包 括用电子显微镜观察纤维的方法。
[0189] 此外，在无机填料形成颗粒形状的情况下，颗粒的平均粒径优选在lnm至lOOOnm的 范围内。通过使用包含呈具有上述平均粒径的颗粒形式的无机填料的树脂组合物，可以使 树脂膜A可靠地提供作为有机EL照明装置1或传感器元件10中的基础层的功能。此外可以可 靠地将树脂膜A的"(Nx+Ny)/2-Nz"的值设定为落在上述范围内。
[0190]此处，颗粒的平均粒径是指对应于平均投影圆的直径。具体地，颗粒的平均粒径通 过实施例中的方法测量。
[0191] 每个颗粒的形状不特别限于特定形状。这样的形状的实例包括球形、完美球形、棒 形、板形、及其组合的形状。通过使用具有这种形状的无机填料，可以可靠地将树脂膜A的 "(Nx+Ny)/2-Nz"的值设定为落在上述范围内。
[0192] 此外，颗粒的平均粒径优选是较小的。此外，树脂组合物(聚合物溶液）中所包含的 聚合物的折射率与无机填料的折射率优选彼此接近。这使得可进一步改善树脂膜A的透明 度。例如，在待用作颗粒的材料与聚合物在589nm波长下的折射率差异为0.01或更小的情况 下，无论粒径如何，都可形成具有高透明度的树脂膜A。此外，测量平均粒径的方法的实例包 括用粒径分析仪测量平均粒径的方法。
[0193] 树脂组合物(聚合物溶液）中所包含的固体物质中无机填料的比率不特别限于特 定值，但是优选在1体积％至50体积％的范围内，更优选在2体积％至40体积％的范围内，并 且甚至更优选在3体积％至30体积％的范围内。另一方面，树脂组合物(聚合物溶液）中所包 含的固体物质中聚合物的比率不特别限于特定值，但是优选在50体积％至99体积％的范围 内，更优选在60体积％至98体积％的范围内，并且甚至更优选在70体积％至97体积％的范 围内。
[0194] 在这一方面，应注意"固体物质"在本说明书中是指树脂组合物中所包含的除溶剂 以外的组分。固体物质的体积换算、无机填料的体积换算和/或聚合物的体积换算可由制备 聚合物溶液时各组分的使用量来计算。或者，其还可以通过从聚合物溶液中去除溶剂来计 算。
[0195] 〈环氧试剂〉
[0196] 此外，如果需要的话，除了用于在上述制造有机EL照明装置1或传感器元件10的方 法中促进树脂组合物固化的聚合物之外，树脂组合物可包含环氧试剂。优选的是，添加到树 脂组合物中的环氧试剂为多官能环氧化物。
[0197] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，多官能环氧化物为包含两个或更多个缩 水甘油环氧基的环氧化物，或者包含两个或更多个脂环基的环氧化物。
[0198] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，多官能环氧化物选自通式结构（a)和
[0200](其中1表示缩水甘油基的数量，并且R选自包括以下的组：

[0203] 其中m=l至4,并且n和s为单元的平均数量且独立地为0至30;
[0204] 其中R12各自相同或不同，并且选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘 原子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如 卤代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基及其组合;并且 G4选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）；C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基，Rl3为氢或甲基，并且R 14为二价有机基团）。）
[0206](其中所述环状结构选自包括以下的组：

[0209]其中R15为碳数为2至18的烷基链，所述烷基链可以为直链、支化链或具有环状骨架 的链，并且
[0210] 其中m和n各自独立地为1至30的整数，并且3、13、〇、(1、6和€各自独立地为0至30的整 数)。
[0211] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，多官能环氧化物选自包括以下的组：
[0213] (其中R16为碳数为2至18的烷基链，所述烷基链可以为直链、支化链或具有环状骨 架的链，并且
[0214] 其中t和u各自独立地为1至30的整数）。
[0215] 〈其他组分〉
[0216] 此外，如果需要的话，树脂组合物可包含抗氧化剂、紫外线吸收剂、染料、颜料、填 料(如另外的无机填料)等，至有机EL照明装置1或传感器元件10中的基础层的功能不受损 并且树脂膜A能够满足关系"(Nx+Ny )/2-Nz" >0.01的程度。
[0217]〈固体物质的量〉
[0218] 树脂组合物中所包含的固体物质的比率优选为1体积％或更大，更优选地2体积％ 或更大，并且甚至更优选3体积％或更大。此外，树脂组合物中所包含的固体物质的比率优 选为40体积％或更小，更优选30体积％或更小，并且甚至更优选20体积％或更小。通过将树 脂组合物中所包含的固体物质的比率设定为落在上述范围内，可以使树脂膜A可靠地提供 作为有机EL照明装置1或传感器元件10中的基础层的功能。此外，可以可靠地形成树脂膜A 以便满足关系 "(Nx+Ny) /2-Nz" > 0 ? 01。
[0219] 〈溶剂〉
[0220] 能够溶解聚合物的溶剂被用作用于制备包含树脂组合物的清漆(液体材料）的溶 剂。
[0221] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，就提高聚合物在溶剂中的溶解度而言， 溶剂优选为极性溶剂或包含一种或更多种极性溶剂的混合溶剂。在本公开内容的一个或多 个实施方案中，就提高聚合物在溶剂中的溶解度以及提高树脂膜A与基体构件500之间的粘 合性而言，溶剂优选为：甲酚;N，N-二甲基乙酰胺(DMAc);N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP);二甲基 亚砜(DMS0); 1，3-二甲基-咪唑啉酮(DMI); N，N-二甲基甲酰胺(DMF); 丁基溶纤剂(BCS); y -丁内酯(GBL);或者包含甲酚、N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基 亚砜(DMS0)、1，3-二甲基-咪唑啉酮（DMI)、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、丁基溶纤剂(BCS)和 T _丁内酯(GBL)中至少一种的混合溶剂；其组合;或者包含其极性溶剂中至少一种的混合 溶剂。
[0222] 〈制造树脂组合物的方法〉
[0223] 可通过例如使用包括以下步骤(a)至(e)的制造方法制造上述树脂组合物。
[0224] 下文中，将对包含可以与环氧基反应的至少一个官能团的芳香族聚酰胺用作聚合 物并且树脂组合物包含无机填料的情况进行描述。
[0225] 然而，本发明的树脂组合物不限于通过使用以下制造方法所制造的树脂组合物。
[0226] 进行步骤(a)以通过在溶剂中溶解至少一种芳香族二胺来获得混合物。进行步骤 (b)以通过使至少一种芳香族二胺与至少一种芳香族二羧酸二氯在所述混合物中反应来获 得游离盐酸和聚酰胺溶液。进行步骤(c)以通过与捕获试剂反应除去所述混合物中的游离 盐酸。进行步骤(d)以向混合物中添加无机填料。步骤(e)是任选的步骤并且进行步骤(e)以 向混合物中添加环氧化物。
[0227] 在本公开内容的用于制造聚酰胺溶液的方法的一个或更多个实施方案中，芳香族 二羧酸二氯的实例包括由以下通式(XIII)和(XIV)表示的化合物：
[0229]其中p = 4，Ri、R4和R5各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如齒 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合，并且 Gi选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3) 2基团、C(CX3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S〇2基团、Si (CH3)2基团、9，9-芴基、经取代的9，9-芴基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9_双苯基芴基和经取代的9，9_双苯 基芴基）。
[0230] 特别地，如上所述的芳香族二羧酸二氯的实例包括以下化合物。
[0231] 对苯二甲酰二氯(TPC)
[0233] 间苯二甲酰二氯（IPC)
[0235] 4,4，_联苯二羰基二氯(BPDC)
[0237]在本公开内容的用于制造聚酰胺溶液的方法的一个或更多个实施方案中，芳香族 二胺的实例包括由以下通式(XV)和(XVIII)表示的化合物：
[0239] 其中p = 4，m=l或2,并且t = l至3,并且其中1?6、1?7、1?8、1?9、1?1()和1?11各自选自氢原子、 卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原子）、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氰基、 硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如卤代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯 基、经取代的烷基酯基、及其组合，每个R 6相同或不同，每个R?相同或不同，每个R8相同或不 同，每个Rg相同或不同，每个Rio相同或不同，每个Rn相同或不同，并且G2和G3各自选自共价 键、CH 2基团、C(CH3)2基团、C(CF3)2基团、C(CX 3)2基团（X表示卤素原子）、C0基团、0原子、S原 子、S02基团、Si(CH 3)2基团、9,9-芴基、经取代的9,9-芴基和020基团（2表示芳基或经取代的 芳基，例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9，9-双苯基芴基和经取代的9，9-双苯基芴基）。
[0240] 特别地，如上所述的芳香族二胺的实例包括以下化合物。
[0241] 4，4 ' -二氨基-2，2 ' -双三氟甲基联苯胺(PFMB)
[0243] 9，9_ 双(4-氨基苯基)芴(FDA)
[0245] 9，9_ 双（3-氟-4 氨基苯基）芴(FFDA)
[0247] 4,4'_二氨基联苯甲酸(DADP)
[0249] 3,5-二氨基苯甲酸(DAB)
[0251] 4，4 ' -二氨基-2，2 ' -双三氟甲氧基联苯胺(PFMOB)
[0253] 4，4 ' -二氨基-2，2 ' -双三氟甲基二苯醚(6F0DA)
[0255] 双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6F0QDA)
[0257] 双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)联苯(6F0BDA)
[0259] 4,4，_二氨基二苯基砜(DDS)
[0261 ]关于二氨基二苯基砜(DDS)，二氨基二苯基砜可为由上式表示的4，4 二氨基二苯 基讽、3，3 二氛基二苯基讽或2，2 二氛基二苯基讽。
[0262]在本公开内容的用于制造聚酰胺溶液的方法的一个或更多个实施方案中，可以与 环氧基反应的官能团多于总二胺混合物的约lmol%且少于总二胺混合物的约lOmol%。在 本公开内容的用于制造聚酰胺溶液的方法的一个或更多个实施方案中，包含可以与环氧基 反应的官能团的芳香族二胺的官能团是羧基。在本公开内容的用于制造聚酰胺溶液的方法 的一个或更多个实施方案中，所述二胺之一为4,4'_二氨基联苯甲酸或3,5_二氨基苯甲酸。 在本公开内容的用于制造聚酰胺溶液的方法的一个或更多个实施方案中，包含可以与环氧 基反应的官能团的芳香族二胺的官能团是羟基。
[0263] 在本公开内容的用于制造聚酰胺溶液的方法的一个或更多个实施方案中，通过在 溶剂中的缩聚来制备芳香族聚酰胺，其中所述反应中生成的盐酸通过捕获试剂如环氧丙烷 (PrO)来捕获。
[0264] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，盐酸和捕获试剂的反应产生挥发性产 物。
[0265] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，就聚酰胺溶液在所述方法中的使用而 言，捕获试剂是环氧丙烷。在本公开内容的一个或多个实施方案中，在步骤(c)之前或期间 向混合物中添加捕获试剂。通过在步骤(c)之前或期间添加捕获试剂，可以降低在步骤(c) 之后混合物中粘度的程度和缩合的产生，从而改善聚酰胺溶液的生产率。当捕获试剂是有 机试剂如环氧丙烷时，这些效果变得尤其显著。
[0266] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，就提高树脂膜A的耐热性而言，所述方法 还包括对芳香族聚酰胺的末端-C00H基和末端-NH 2基之一或两者进行封端的步骤。可通过 与苯甲酰氯反应(在其各个末端是-NH2的情况下）或者通过与苯胺反应(在其各个末端是-C00H的情况下)对芳香族聚酰胺的末端进行封端。然而，封端的方法不限于该方法。
[0267] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，多官能环氧化物选自酚类环氧化物和环 状脂肪族环氧化物。在本公开内容的一个或多个实施方案中，多官能环氧化物选自包括以 下的组：1，2_环己烷二羧酸二缩水甘油酯、异氰脲酸三缩水甘油酯、四缩水甘油基4,4'_二 氨基苯基甲烷、2,2_双(4-缩水甘油基氧基苯基)丙烷及其高分子量同系物、酚醛环氧化物、 7化[1，2-13 :5,6-13']双环氧乙烯八氢和3,4-环氧环己基羧酸环氧环己基甲酯。在本公开内 容的一个或多个实施方案中，多官能环氧化物的量为聚酰胺重量的约2%至10%。
[0268] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，就聚酰胺溶液在所述方法中的使用而 言，在添加无机填料之前首先使芳香族聚酰胺通过沉淀和溶剂中的再溶解从聚酰胺溶液中 分呙。
[0269] 再沉淀可通过已知方法进行。在本公开内容的一个或多个实施方案中，再沉淀可 通过以下步骤进行:通过将芳香族聚酰胺添加至例如甲醇、乙醇、异丙醇等使芳香族聚酰胺 沉淀;洗涤芳香族聚酰胺；以及将芳香族聚酰胺再溶解至所述溶剂中。
[0270] 上述溶剂可用作用于生产聚合物溶液的溶剂。
[0271] 在本公开内容的一个或多个实施方案中，就聚酰胺溶液在所述方法中的使用而 言，产生聚酰胺溶液使得所述溶液不包含无机盐。
[0272 ] 通过进行上述步骤，可以制造树脂组合物。
[0273] 此外，通过使用通过上述步骤获得的树脂组合物形成的树脂膜A包含聚合物。因 此，可形成树脂膜A以满足关系"(他+办)/2-啦">0.01。特别地，树脂膜八优选地满足关系 "(Nx+Ny )/2-Nz" >0.02，更优选地满足关系"(Nx+Ny)/2-Nz" >0.03，甚至更优选地满足关 系"(Nx+Ny)/2-Nz" >0.05。通过形成满足以上条件的树脂膜A，可进一步提高通过树脂膜A 的光的光提取效率。
[0274] 此外，通过使用树脂组合物形成的树脂膜A在钠线(D线）中的总透光率优选地设定 为60 %或更高，更优选地为65 %或更高，还更优选地为70 %或更高，并且甚至更优选地为 80%或更高。通过将树脂膜A的总透光率设定为落在上述范围内，树脂膜A可具有优良的光 提取效率。根据本发明，由于树脂膜A包含聚合物，可以容易地获得总透光率落在这样的以 上范围内的树脂膜A。
[0275] 树脂膜A的热膨胀系数(CTE)优选为100.0ppm/K或更小，更优选80ppm/K或更小，还 更优选60ppm/K或更小并且甚至更优选40ppm/K或更小。在这一方面，应注意，树脂膜A的CTE 能够用热机械分析仪(TMA)获得。通过将CTE设定为落在上述范围内，可以可靠地抑制或防 止包括基体构件500和树脂膜A的基底的翘曲。因此，可以改善通过使用这种基底所获得的 有机EL照明装置1或传感器元件10的屈服比。
[0276] 在树脂膜A包含无机填料的情况下，相对于树脂膜A的体积，树脂膜A中所包含的无 机填料的量优选在1体积％至50体积％的范围内，更优选2体积％至40体积％的范围内，并 且甚至更优选3体积％至30体积％的范围内。通过向树脂膜A中以上述量添加无机填料，可 以容易地将"(Nx+Ny)/2-Nz"的值和CTE设定为落在上述范围内。在这一方面，树脂膜A的体 积换算和/或无机填料的体积换算可以分别由制备树脂组合物时的组分使用量来计算，或 者其还可以通过测量树脂膜A的体积来获得。
[0277] 此外，树脂膜A的平均厚度不特别限于特定值，但是优选为50微米或更小，更优选 30微米或更小，并且甚至更优选20微米或更小。此外，平均厚度优选为1微米或更大，更优选 2微米或更大，并且甚至更优选3微米或更大。通过使用具有上述平均厚度的树脂膜A，可以 使树脂膜A可靠地提供作为有机EL照明装置1或传感器元件10中的基础层的功能。此外，可 以可靠地抑制或防止树脂膜A中裂缝的产生。
[0278] 在该实施方案中，发光元件C(发光区域)在其平面图中的形状为方形，但不限于 此。其可为任意形状，例如多边形(例如，三角形、六边形)和圆形(例如，精确圆形、椭圆形）。
[0279] 虽然已基于实施方案对本发明的树脂组合物、基底、制造电子装置的方法和电子 装置进行了描述，但是本发明不限于此。
[0280] 例如，在本发明的树脂组合物和基底中，每个组分均可以被能够提供相同功能的 任意组分代替。或者可向其中添加任意组分。
[0281] 此外，在本发明的制造电子装置的方法中，还可出于任意目的添加一个或更多个 步骤。
[0282] 此外，在上述实施方案中，使用本发明的制造电子装置的方法来制造包括有机EL 元件作为发光元件的有机EL照明装置和包括光电二极管的传感器元件。然而，本发明的制 造电子装置的方法不限于此。例如，本发明的制造电子装置的方法不仅可用于制造其他照 明装置例如包括发光二极管作为发光元件的发光二极管照明装置，还可用于制造多种电子 装置，例如包括传感器元件作为电子元件的输入装置、包括显示元件作为电子元件的显示 装置、包括光学元件作为电子元件的光学装置以及包括光电转换元件作为电子元件的太阳 能电池。
[0283] 实施例
[0284] 下文中，将基于具体实施例详细描述本发明。
[0285] 1.树脂组合物的制备和树脂膜的形成
[0286] 〈实施例1>
[0287] 〈树脂组合物的制备〉
[0288] 〈 1 >将PFMB (3.2024g，0.0 lmo 1)和DMAc (30ml)添加到配备有机械搅拌器、氮气入口 和出口的250ml三颈圆底烧瓶中，以获得溶液。
[0289] 〈2>在PFMB完全溶解之后，向溶液中添加 Pr0(l.4g，0.024mol)。然后，将溶液冷却 至(TC。
[0290] 〈3>在搅拌下，向溶液中添加 TPC( 1.485g，0.00700mol)和IPC(0.636g， 0 ? 0030mo 1)，然后用DMAc (1 ? 5ml)洗涤烧瓶壁。
[0291 ] 〈4>在两小时之后，向溶液中添加苯甲酰氯(0.032g，0.23mmol)并且再搅拌两小 时。
[0292]〈树脂膜(聚酰胺膜)的形成〉
[0293] 通过使用所制备的树脂组合物在玻璃基底上形成树脂膜。
[0294] 即，首先用旋涂法将树脂组合物施加到平面玻璃基底（10cmX 10cm，由Corning Inc.，U.S.A.生产的"EAGLE XG"）上。
[0295] 然后，将树脂组合物在60°C的温度下干燥30分钟或更久以获得膜。之后，使温度从 60°C升高至350°C。通过在真空气氛或惰性气氛下保持350°C的温度30分钟使所述膜经受固 化处理。如此，在玻璃基底上形成了树脂膜。
[0296] 在这一方面，树脂膜的厚度为23微米。
[0297] 〈实施例2>
[0298] 以与实施1相同的方式制备实施例2的树脂组合物，不同之处在于，将TPC和IPC的 组合变为 TPC(0.955g，0.00450mol)和 IPC( 1.166g，0.00550mol)的组合作为步骤〈3>中使用 的二氯化物组分。此后，以与实施例1中相同的方式通过使用树脂组合物在玻璃基底上形成 实施例2的树脂膜。
[0299] 在这一方面，所获得的树脂膜的厚度为25微米。
[0300]〈实施例3>
[0301] 以与实施例1相同的方式制备实施例3的树脂组合物，不同之处在于在步骤〈1>中 将PFMB和DMAc的组合变为PFMB(3 ? 042g，0 ? 0095mol)、DAB(0 ? 0761g，0 ? 0005mol)和DMAc (30ml)的组合。此后，以与实施例1中相同的方式通过使用树脂组合物在玻璃基底上形成实 施例3的树脂膜。
[0302] 在这一方面，所获得的树脂膜的厚度为22微米。
[0303]〈实施例4>
[0304]以与实施例3相同的方式制备实施例4的树脂组合物，不同之处在于将TPC变为TPC (0.9558,0.00450111〇1)和1?(：(1.1668,0.00550111〇1)的组合作为步骤〈3>中使用的的二氯化 物组分。此后，以与实施例1中相同的方式通过使用树脂组合物在玻璃基底上形成实施例4 的树脂膜。
[0305]在这一方面，所获得的树脂膜的厚度为21微米。
[0306] 〈实施例5>
[0307] 以与实施例3相同的方式制备实施例5的树脂组合物，不同之处在于在步骤〈4>之 后还进行以下步骤〈5>。
[0308] 〈5>添加相对于树脂组合物（聚酰胺）为7重量％的了6(异氰脲酸三缩水甘油酯）并 且再搅拌两小时。
[0309]此后，以与实施例3中相同的方式在玻璃基底上形成实施例5的树脂膜，不同之处 在于将固化温度变为280 °C。
[0310]在这一方面，所获得的树脂膜的厚度为10微米。
[0311]〈比较例1>
[0312] 以与实施例1相同的方式制备比较例1的树脂组合物，不同之处在于将TPC和IPC的 组合变为 了?以0.00(^，0.00000111〇1)和1?(：(2.1218,0.01000111〇1)的组合作为步骤〈3>中使用 的二氯化物组分。此后，以与实施例1中相同的方式通过使用树脂组合物在玻璃基底上形成 比较例1的树脂膜。
[0313] 在这一方面，所获得的树脂膜的厚度为22微米。
[0314]〈比较例2>
[0315] 以与实施3相同的方式制备比较例2的树脂组合物，不同之处在于，将TPC和IPC的 组合变为 了?以0.00(^，0.00000111〇1)和1?(：(2.1218,0.01000111〇1)的组合作为步骤〈3>中使用 的二氯化物组分。此后，以与实施例1中相同的方式通过使用树脂组合物在玻璃基底上形成 比较例2的树脂膜。
[0316] 在这一方面，所获得的树脂膜的厚度为19微米。
[0317] 2 ?评估
[0318]根据以下方法评估由实施例和比较例各自的树脂组合物获得的树脂膜。
[0319]〈总透光率〉
[0320]通过使用雾度计（由NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO.，LTD.生产的 "NDH-2000"） 测量树脂膜在D线(钠线）中的总透光率。
[0321 ]〈双折射〉
[0322]如下获得树脂膜的"(Nx+Ny)/2-Nz"的值。首先，通过使用相位差测量设备（由Oji Scientific Instruments生产的"K0BRA-21ADH"）以波长色散测量模式（其中使用波长为 479 ? 2nm的光、波长为545 ? 4nm的光、波长为630 ? 3nm的光和波长为748 ? 9nm的光）测量树脂膜 在〇度与40度之间的相位差。接下来，通过使用塞尔迈耶尔（Sellmeier)表达式计算树脂膜 在550nm波长下在0度与40度之间的相位差。基于树脂膜的相位差值和折射率获得在550nm 波长下的"(Nx+Ny )/2-Nz"的值。
[0323] 由如上所述的实施例和比较例中各自获得的树脂组合物形成的树脂膜的总透光 率和"(Nx+Ny)/2-Nz"值作为结果示于下表1中。然后评估结果。
[0324] 表 1
[0326]如表1所示，在实施例中获得的各个树脂膜中，树脂膜的"(Nx+Ny)/2-Nz"的值大于 0.01。相比之下，比较例中获得的各个树脂膜不能满足这样的关系。
[0327]此外，实施例中获得的树脂膜各自具有高的总透光率。
【主权项】
1. 一种树脂组合物，包含： 聚合物;和 溶解所述聚合物的溶剂， 其中所述树脂组合物用于形成层，并且当所述层沿着其两个垂直的面内方向的折射率 分别被定义为"Nx"和"Ny"且所述层沿着其厚度方向的折射率被定义为"化"时，Nx、Ny和化 满足关系"(化+Ny) /2-Nz" > 0.01。2. 根据权利要求1所述的树脂组合物，其中所述聚合物为芳香族聚酷胺。3. 根据权利要求2所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酷胺包含簇基。4. 根据权利要求2所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酷胺包含60mol%或更高的量 的刚性结构。5. 根据权利要求4所述的树脂组合物，其中所述刚性结构为由W下通式表示的重复单 元：其中η为1至4的整数，Ari由W下通式(A)或(B)表示：(其中P = 4;Ri、R4和Rs各自选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和舰原子）、 烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如面代烧 氧基、芳基、经取代的芳基如面代芳基、烷基醋基、经取代的烷基醋基、及其组合;并且Gi选 自共价键、C出基团、C(C出)盛团、C(CF3)2基团、C(CX3)2基团（X表示面素原子）、co基团、氧原 子、硫原子、S化基团、Si(C出)2基团、9,9-巧基、经取代的9,9-巧基和0Z0基团（Z表示芳基或 经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氣联苯基、9，9-双苯基巧基和经取代的9，9-双苯基巧 基）），Αη由W下通式(C)或(D)表示：(其中P = 4，R6、R7和R8各自选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和舰原子）、 烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氯基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如面代烧 氧基、芳基、经取代的芳基如面代芳基、烷基醋基、经取代的烷基醋基、及其组合;并且G2选 自共价键、C出基团、C(C出)盛团、C(CF3)2基团、C(CX3)2基团（X表示面素原子）、C0基团、氧原 子、硫原子、S化基团、Si(C出)2基团、9,9-巧基、经取代的9,9-巧基和0Z0基团（Z表示芳基或 经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氣联苯基、9,9-双苯基巧基和经取代的9,9-双苯基巧 基）），并且An由W下通式巧)或(F)表示：(其中t = l至3，R9、Rio和Rii各自选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和舰原 子）、烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氯基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如面 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如面代芳基、烷基醋基、经取代的烷基醋基、及其组合;并且 G3选自共价键、C此基团、C(C出)2基团、C(C的)2基团、C(CX3)2基团（X表示面素原子）、C0基团、 氧原子、硫原子、S化基团、Si (C曲)2基团、9，9-巧基、经取代的9，9-巧基和0Z0基团（Z表示芳 基或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氣联苯基、9,9-双苯基巧基和经取代的9,9-双苯 基巧基））。6. 根据权利要求5所述的树脂组合物，其中所述刚性结构包含衍生自4,4'-二氨基-2， 2'-双Ξ氣甲基联苯胺(PFMB)的结构、衍生自对苯二甲酯氯(TPC)的结构、衍生自4,4'-二氨 基联苯甲酸(DADP)的结构、和衍生自3,5-二氨基苯甲酸的结构中的至少一种。7. 根据权利要求2所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酷胺为全芳香族聚酷胺。8. 根据权利要求2所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酷胺包含能够与环氧基反应 的一个或更多个官能团，并且 其中所述树脂组合物还包含多官能环氧化物。9. 根据权利要求8所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酷胺的至少一个末端为能够 与所述环氧基反应的所述官能团。10. 根据权利要求8所述的树脂组合物，其中所述多官能环氧化物为包含两个或更多个 缩水甘油环氧基的环氧化物，或者包含两个或更多个脂环基的环氧化物。11.根据权利要求8所述的树脂组合物，其中所述多官能环氧化物选自通式结构(α)和 (0):(其中1表示缩水甘油基的数量，并且R选自包括W下的组：其中m= 1至4，并且η和s为单元的平均数量且独立地为ο至30; 其中Ri2各自相同或不同，并且选自氨原子、面素原子(氣原子、氯原子、漠原子和舰原 子）、烷基、经取代的烷基如面代烷基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如面 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如面代芳基、烷基醋基、经取代的烷基醋基及其组合;并且G4 选自共价键、C此基团、C(C出)2基团、C(C的)2基团、C(CX3)2基团(X表示面素原子）、C0基团、氧 原子、硫原子、S化基团、Si (C出)2基团、9,9-巧基、经取代的9,9-巧基和0Z0基团（Z表示芳基 或经取代的芳基，例如苯基、联苯基、全氣联苯基、9，9-双苯基巧基和经取代的9，9-双苯基 巧基，Ri3为氨或甲基，并且化4为二价有机基团））；(其中所述环状结构选自包括W下的组：其中Ri5为碳数为2至18的烷基链，所述烷基链可W为直链、支化链或具有环状骨架的 链，并且 其中m和η各自独立地为1至30的整数，并且a、b、C、d、e和f各自独立地为0至30的整数）。12.根据权利要求8所述的树脂组合物，其中所述多官能环氧化物选自包括W下的组：(其中Ri6为碳数为2至18的烷基链，所述烷基链可W为直链、支化链或具有环状骨架的 链，并且 其中t和U各自独立地为1至30的整数）。13. 根据权利要求2所述的树脂组合物，其中所述芳香族聚酷胺的至少一端是被封端 的。14. 根据权利要求1所述的树脂组合物，其中所述层在钢线(D线）中的总透光率为60% 或更高。15. 根据权利要求1所述的树脂组合物，其中所述树脂组合物还包含无机填料。16. -种用于在其上形成电子元件的基底，包括： 板状基体构件，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；W及 电子元件形成层，其设置在所述基体构件的所述第一表面的一侧，包含聚合物并且构 造成能够在所述电子元件形成层上形成所述电子元件， 其中当所述电子元件形成层沿着其两个垂直的面内方向的折射率分别被定义为"Nx" 和"Ny"且所述电子元件形成层沿着其厚度方向的折射率被定义为"化"时，Nx、Ny和化满足 关系''(化+Ny) /2-Nz" > 0.01。17. 根据权利要求16所述的基底，其中所述电子元件形成层的热膨胀系数（CTE)为 lOOppm/K或更小。18. 根据权利要求16所述的基底，其中所述电子元件形成层的平均厚度为1微米至50微 米。19. 根据权利要求16所述的基底，其中所述电子元件为有机化元件。20. -种制造电子装置的方法，包括： 制备基底，所述基底包括： 板状基体构件，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，和 电子元件形成层，其设置在所述基体构件的所述第一表面的一侧并包含聚合物， 其中当所述电子元件形成层沿着其两个垂直的面内方向的折射率分别被定义为"Nx" 和"Ny"且所述电子元件形成层沿着其厚度方向的折射率被定义为"化"时，Nx、Ny和化满足 关系''(化+Ny) /2-Nz" > 0.01; 在与所述基体构件相对的所述电子元件形成层的表面上形成所述电子元件； 形成覆盖层w覆盖所述电子元件； 用光照射所述电子元件形成层，由此在所述基体构件与所述电子元件形成层之间的界 面处从所述基体构件上剥离所述电子元件形成层；W及 将包括所述电子元件、所述覆盖层和所述电子元件形成层的电子装置与所述基体构件 分离。21. 根据权利要求20所述的方法，其中所述电子元件形成层的热膨胀系数（CTE)为 lOOppm/K或更小。22. 根据权利要求20所述的方法，其中所述电子元件形成层的平均厚度为1微米至50微 米。23. 根据权利要求20所述的方法，其中所述聚合物为芳香族聚酷胺。24. 根据权利要求23所述的方法，其中所述芳香族聚酷胺包含簇基。25. 根据权利要求23所述的方法，其中所述芳香族聚酷胺包含60mol%或更高的量的刚 性结构。26. -种通过使用权利要求20限定的方法制造的电子装置。
【文档编号】C08K5/1515GK105849198SQ201480057962
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2014年10月23日
【发明人】孙立民, 景蛟凯, 张东, 法兰克·W·哈里斯, 楳田英雄, 川崎律也, 片山敏彦, 井上雄介, 冈田润, 井上美津穗, 内藤学
【申请人】亚克朗聚合物系统公司, 住友电木株式会社