专利名称：：用于形成钨图案的浆料组合物以及使用其制造半导体器件的方法用于形成钨图案的浆料组合物以及使用其制造半导体器件的方法相关申请的交叉引用本申请要求分别于2006年9月27日和2007年9月20日提交的韩国专利申请No.10-2006-0094347和10-2007-0096133的优先权，其全文以引用的方式并入本文。
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：本发明涉及用于形成钨图案的桨料组合物，以及使用该浆料组合物制造半导体器件的方法。随着半导体器件越来越微型化以及金属线的数量越来越大，每一层的不规则性都会被转移到下一层，因此从衬底数起的最高一层最不规则。这种不规则性会影响下面的步骤，从而使得难以获得所需的形状。为了提高半导体器件的产量，必须在不规则的表面上实施平坦化工艺，以便将半导体制造过程中的线路电阻偏差降到最小程度。平坦化工艺包括沉积具有高沉积均匀性的旋涂玻璃(SOG)材料的工艺；沉积硼-磷硅酸盐玻璃(BPSG)膜、并实施回流工艺的工艺；或者在形成膜后进行回蚀或化学机械抛光(CMP)的工艺。CMP法已被广泛地应用，这是因为CMP法会提供全局性的平坦化工艺，而回流或回蚀工艺则难以进行大面积的平坦化。CMP法是用施加到抛光垫与衬底直接接触处的抛光浆料实施的。换言之，衬底的表面是通过涂有浆料的抛光垫进行机械和化学平坦化的。浆料的组成随诸如抛光速度、抛光表面的缺陷、凹陷和侵蚀等抛光特性的不同而有差别。CMP方法已被用于使诸如氧化硅膜和氮化硅膜等介电材料以及诸如鸨(W)、铝(Al)、铜(Cu)等金属膜平坦化。作为用于抛光金属膜(其包括钨)的组合物，韩国专利申请No.2002-7009918(WO2001/57150)公开这样一种选择性鸨抛光浆料，该选择性钨抛光浆料含有造成组合物扩散程度低的氧化铝磨料。为了避免这种低扩散程度，人们提供一种含有甲硅烷醇的抛光组合物。韩国专利申请No.2004-7011428(WO2003/62337)公开这样一种鸨抛光浆料，该钨抛光桨料含有第一氧化剂，其包含过氧化氢、氰亚铁酸盐和重铬酸盐；和第二氧化剂，其包含溴酸盐、氯酸盐和碘酸盐，以便减小静态蚀刻速度。当使用碘酸盐时，需要用氧化铝(磨料)颗粒来去除造成划痕的氧化钨。韩国专利申请No.1998-0702220(WO1998/04646)公开这样一种化学机械抛光浆料，该化学机械抛光浆料含有占100重量份浆料的0.5重量份~20重量份的选择性氧化和还原的化合物，以便在去除金属和介电材料时产生区别。然而，用于抛光钨的浆料在钨图案分布密集的区域会造成侵蚀。换言之，诸如氮化物膜3和氧化物膜5等绝缘膜被沉积在半导体衬底的底层1上。用于形成金属线的图案(图中未示出)形成在绝缘膜上。依次形成Ti扩散阻隔膜和钨膜7。当用对钨具有高抛光速度的浆料对半导体衬底进行抛光时，由于浆料对钨膜和绝缘膜的抛光速度的差别而在衬底上产生凹陷9和侵蚀(参见图1)。凹陷表示图案的内部被过度抛光而造成其内陷(即，凹入)的现象。侵蚀表示金属线图案区域和不具有金属线图案的绝缘膜之间产生阶梯差异。发明概述本发明的多个实施方案涉及用于形成钨图案的浆料组合物以及包括使用该浆料组合物的两步抛光工艺的半导体器件制造方法，其中，所述浆料组合物用以防止在形成钨图案的镶嵌工艺中对绝缘膜上的钨膜进行抛光时产生凹陷和侵蚀。本发明的多个实施方案还涉及用于形成钨图案的浆料组合物，该浆料组合物在绝缘膜和钨膜之间具有高抛光选择性比率，并具有优异的扩散性能，从而减少划痕并防止产生凹陷和侵蚀。根据本发明的实施方案，浆料组合物包含二氧化硅磨料；以及选自氨基酸型络合剂和醇类有机化合物中的至少一种，作为添加齐U。浆料的抛光选择性比率为绝缘膜:钩=3~500:1。本发明的多个实施方案涉及提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括第一抛光步骤，该抛光步骤使用对鸽膜具有高抛光速度的浆料；和第二抛光步骤，该抛光步骤使用对绝缘膜的抛光速度高的、具有相反选择性的浆料。根据本发明的实施方案，半导体器件的制造方法包括在形成于衬底上的绝缘膜中形成沟槽；将钨膜沉积在具有沟槽的绝缘膜上；首先，使用用于抛光金属的第一抛光浆料对钨膜进行抛光，以使绝缘膜暴露，所述第一浆料对钨/绝缘膜的抛光选择性比率为30到100;其次，使用第二浆料对暴露的绝缘膜和钨膜进行抛光，以使其平坦化，所述第二浆料对绝缘膜/钨的抛光选择性比率为3到500。钨图案包含钨插塞和钨配线。由于使用对绝缘膜具有低抛光速度而对钨膜具有高抛光速度的浆料进行第一道抛光工艺，因此，当绝缘膜暴露时可以立即停止该道抛光工艺。然而，在钨图案上会产生凹陷和侵蚀。随后使用对绝缘膜的抛光速度高的、具有相反选择性的浆料进行第二道抛光工艺，以去除第一道抛光工艺中产生的凹陷和侵蚀，从而使衬底平坦化。附图简要说明图1为示出使用常规方法形成的钨图案的横截面图。图2a到2c为示出根据本发明实施方案的两步抛光法的图。图3为根据本发明的实施方案的钨图案的透射电子显微镜(TEM)照片。图4为示出在根据本发明实施方案的两步抛光法中凹陷减少的图。图5a为示出钨图案顶部的侵蚀随两步抛光的时间而减少的图。图5b为示出钩插塞图案顶部的侵蚀随两步抛光的时间而减少的图。附图中的各部分的符号1、21:底层3:氮化物膜5:氧化物膜7、27:钨膜9:凹陷23:第一绝缘膜25:第二绝缘膜具体实施方案详述参照附图对本发明进行详细描述。本发明提供一种在用于形成钨图案的工艺中使用的浆料组合物，该浆料组合物包含二氧化硅磨料，以及替代氧化剂或催化剂的氨基酸型络合剂和醇类有机化合物中的至少一种添加剂。所述浆料还可以包含残余的蒸馏水或超纯水。二氧化硅磨料包括蒸气沉积二氧化硅和胶态二氧化硅。蒸气沉积二氧化硅的比表面积为50mV克到400mV克(如，70mV克到200m2/克)。浆料中的蒸气沉积二氧化硅的平均二次粒径为70nm到250nm(例如，100nm到170nm)。当二氧化硅的粒径超过250nm时可以产生划痕，而当二氧化硅的粒径小于70nm时则抛光速度下降。胶态二氧化硅的一次粒径为1Onm至(j200nm(如，30nm到120nm)。当二氧化硅的粒径超过200nm时可产生划痕，而当二氧化硅的粒径小于10nm时则抛光速度下降。蒸气沉积二氧化硅磨料的含量占100重量份浆料的1重量份到20重量份(如，2重量份到12重量份)。胶态二氧化硅磨料的含量占IOO重量份浆料的1重量份到20重量份(如，5重量份到15重量份)。当磨料的含量低于1重量份时，抛光速度降低，而当磨料的含量大于20重量份时，可以产生划痕。络合剂稳定WOx(氧化钨)型阴离子，以防止其再附着到衬底上。氨基酸型络合剂选自甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、天门冬氨酸、谷氨酸以及它们的组合。络合剂的含量占100重量份浆料的0.001重量份到1.0重量份(如，0.005重量份到0.2重量份)。当络合剂的含量低于0.001重量份时，难以防止WOx型阴离子再附着，而当络合剂的含量大于1.0重量份时，则浆料的分散性降低。醇类有机化合物抑制抛光颗粒附着在抛光表面上以及产生划痕，并有利于蒸气沉积二氧化硅润湿而提高浆料的分散性。作为醇类有机化合物，可以使用在碳直链或碳支链中具有一个或多个羟基(OH)的化合物。醇类有机化合物选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、丙三醇、苏糖醇、木糖醇、山梨糖醇以及它们的组合。醇类有机化合物的含量占100重量份浆料的0.005重量份到3.0重量份(如，0.01重量份到0.5重量份)。当醇类有机化合物的含量低于0.005重量份时，难以控制由浆料产生的划痕，而当醇类有机化合物的含量大于3.0重量份时，浆料的分散性降低。控制浆料的pH值以获得取决于磨料的分散稳定性以及适当的抛光速度。在浆料包含蒸气沉积二氧化硅磨料的情况下，浆料具有为8到12(如，9到12)的碱性pH值。在浆料包含胶态二氧化硅磨料的情况下，桨料可以是pH值为1到12(例如，1至U4或9到12)的碱性浆料或酸性浆料。可以使用诸如无机酸或有机酸、金属氢氧化物和胺类碱等pH控制剂(例如，HN03或K0H)来控制浆料的pH值。浆料对绝缘膜与钨的抛光选择性比率为3~500:1(如，3~100:1或370:1或320:1)。浆料在绝缘膜上的抛光速度为100A/分钟至5,000A/分钟(如，300A/分钟至3,000A/分钟)。当浆料对绝缘膜的抛光选择性比率小于3时，则难以去除衬底上形成的侵蚀并且难以获得经均匀抛光的衬底，这是因为取决于图案密度的抛光速度差别增大。然而，当浆料对绝缘膜的抛光选择性比率大于500时，则难以控制抛光时间。虽然满足抛光速度条件，但在桨料对绝缘膜的抛光速度小于100A/分钟时，工艺时间会无效地延长，从而增加成本，而在浆料对绝缘膜的抛光速度大于5000A/分钟时，则难以选择适当的抛光终点，以至于绝缘膜被过度抛光。由于浆料具有优异的分散性来减少在抛光工艺中划痕的产生，因此其含有少量的大颗粒，从而提高产率。根据本发明的实施方案，半导体器件的制造方法包括在形成于衬底上的绝缘膜上形成用于形成金属线的沟槽；将钨膜沉积于具有沟槽的绝缘膜上；用其对钨/绝缘膜的抛光选择性比率大于30的第一浆料对钨膜进行抛光，以使绝缘膜暴露；并且使用用于形成钨图案的本发明公开的浆料对暴露的绝缘膜和钨膜进行抛光，其中，所述本发明公开的浆料对绝缘膜/钨的抛光选择性比率大于3。鸨图案包括钨插塞和钨配线。图2a到2c示出根据本发明实施方案的包括两步抛光工艺的半导体器件的制造方法。参照图2a，将第一绝缘膜23和第二绝缘膜25依次沉积在衬底(图中未示出)的底层21上。对第一绝缘膜、第二绝缘膜和底层进行蚀刻，从而形成用以形成钨图案的沟槽(图中未示出)。将钨膜27沉积在具有上述沟槽的氧化物膜上。作为例子，第一绝缘膜包括氮化物膜，第二绝缘膜包括氧化硅膜。氧化硅膜是通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法和高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)法形成的。在沉积钩膜27之前，还可以在第二绝缘膜25上形成扩散阻隔膜(图中未示出)，该扩散阻隔膜包括Ti膜或Ti/TiN膜。图2b示出通过首先对钨膜27进行抛光直到使第二绝缘膜25暴露为止所得的结构。在第一道抛光工艺中使用的第一浆料已被广泛使用。常规的第一浆料对钨与绝缘膜的抛光选择性比率为30~100:1。第一浆料对钨的抛光速度为2,000A/分钟到10，000A/分钟。只有当第一浆料对钨与绝缘膜的抛光选择性比率大于30时，才能停止使绝缘膜暴露的第一道抛光工艺。当浆料对钨的抛光速度小于2,000A/分钟时，工艺时间会无效地延长，从而增加制造时间和制造成本。当桨料对钨的抛光速度大于10,000A/分钟时，在衬底上通常发生侵蚀，并且难以进行稳定的抛光工艺。可以通过终点检测(EPD)系统(其包括电动机电流EPD系统)来检测第一抛光步骤的终点。由于第一浆料具有高的钨抛光速度，因此pH值为2的酸性浆料(由Cabot公司制造，型号No.SSW-2000)包含蒸气沉积二氧化硅磨料、过氧化氢氧化剂以及硝酸铁催化剂。该浆料对钨的抛光速度约为4,000A/分钟，并且其对钨与绝缘膜的抛光选择性比率为70:1。图2c示出通过使用本发明公开的浆料对暴露的第二绝缘膜25和鸨膜27进行抛光(第二抛光步骤)来除去第一抛光步骤中产生的凹陷和侵蚀而获得的结构。本发明公开的浆料是对钨具有相反选择性的浆料，其对绝缘膜与钨的抛光选择性比率为3~500:1。将本发明公开的浆料用作第二浆料。本发明公开的浆料的pH值为9.5到11.5，并且其包含212重量份的粒径为100nm到170nm的蒸气沉积二氧化硅磨料、0.01重量份~0.5重量份的醇类有机化合物以及0.005重量份~0.2重量份的络合剂。另外，本发明公开的浆料的pH值为1到4或者9到12，并且其包含5重量份~15重量份的粒径为30nm到120nm的胶态二氧化硅磨料、0.01重量份0.5重量份的醇类有机化合物以及0.005重量份~0.2重量份的络合剂。结果，可以形成具有极平坦表面的钨图案(参见图3)。使用对钨具有高抛光速度、而对绝缘膜具有低抛光速度的浆料进行第一道抛光工艺。结果，在绝缘膜被暴露时就停止第一道抛光工艺。通过使用用以形成钨图案的本发明公开的浆料的第二道抛光工艺可以有效地去除局部的阶差(如在钨图案表面和暴露的绝缘膜上产生的凹陷(或侵蚀))，从而提高衬底的均匀性(参见图4)。换言之，为使衬底平坦化，用本实施方案的浆料实施的第二次抛光法会去除凹陷和侵蚀，而并不产生划痕。而且，第二次抛光法会减小钨图案的厚度差别，从而减小钨图案之间的电阻差别。结果，提供给后续工艺的余地增加，从而提高半导体器件的生产率。用于观测本实施方案的抛光特性的晶片是由海力士半导体有限公司制造的无图案晶片(blanketwafer)，其包括化学气相沉积钨膜、等离子体-增强化学气相沉积氧化硅膜(PETEOS)和高密度等离子体(HDP)氧化硅膜。用于观测凹陷和侵蚀改善的晶片是由海力士半导体有限公司制造的5-4图案晶片，在该晶片中，通过在PETEOS膜上进行蚀刻工艺形成布线图案，然后以3000A的厚度沉积上Ti扩散阻隔膜和钨膜。使用得自KLA-Tencor公司的Alpha-stepEquipment测定凹陷和侵蚀程度。将得自DOOSANDND公司的Unipla211和得自G&PTechnology公司的Poli500CE用作抛光设备。当使用DOOSANDND设备时，将得自Rohm&Haas公司的IC1000垫用作抛光垫。在以下的条件下进行用以使晶片平坦化的抛光工艺浆料供给速度为200mL/分钟，衬底压力为3psi，固定环压力为6psi，轴转数为60rpm。当使用G&PTechnology设备时，将得自Rohm&Haas公司的IC1400垫用作抛光垫。而且，在以下的条件下进行图案晶片的抛光工艺浆料供给速度为200ml/分钟，抛光压力为200g/平方厘米，台/头速度为80/80rpm。通过ChangminTech.公司制造的具有四点探针的表面电阻测量装置将表面电阻换算成厚度而得到钨膜的厚度。使用得自Kmac公司的SpectraThick4000测定PETEOS和HDP膜的厚度。将得自Cabot公司的浆料(SSW-2000)用作第一道抛光工艺中的第一浆料，该浆料包含蒸气沉积二氧化硅磨料、过氧化氢和硝酸铁催化剂，并且其对钨与绝缘膜的抛光选择性比率为70:1，对钨的抛光速度为4000A/分钟。本发明公开的浆料选择性地包含胶态二氧化硅或蒸气沉积二氧化硅磨料、丙三醇和甘氨酸。通过将ACEHITECH公司的产品(初级粒径45nm和80nm)进行稀释的方式来使用胶态二氧化硅，并且通过将DEGUSA公司的产品(初级粒径20nm)进行分散的方式来使用蒸气沉积二氧化硅。实施例1.准备浆料组合物根据表1，将蒸气沉积二氧化硅磨料(初级粒径20nm)加入到超纯水中并搅拌，然后改变浆料的pH值而获得本实施方案的浆料。浆料中的蒸气沉积二氧化硅的平均二次粒径为140nm。用该浆料对平坦化晶片(由海力士半导体有限公司制造)进行抛光，从而得到如表1所示的绝缘膜(PETEOS)与钨的抛光选择性比率。抛光选择性比率是用得自DOOSANDND公司生产的Unipla211评估的。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>二氧化硅含量是基于ioo重量份的浆料给出的。参照表1，抛光选择性比率(PETEOS/W)显示大于3，并且蒸气沉积二氧化硅在碱性浆料中比在酸性浆料中具有更高的抛光选择性差别。因此，可将包含蒸气沉积二氧化硅的碱性浆料用作形成钨图案的本发明公开的浆料。在使用pH值为10.9、且蒸气沉积二氧化硅含量为5.7重量份的浆料对平坦化晶片进行抛光后，不存在可在TEM分析结果(参见图3)中观察到的诸如凹陷和侵蚀等缺陷。实施例2.制备浆料组合物及其抛光选择性比率根据表2的比例，将胶态二氧化硅磨料和作为醇类有机化合物的甲醇(占100重量份浆料的0.05重量份)加到超纯水中并搅拌，然后改变浆料的pH值而获得本实施方案的浆料。用该浆料对平坦化晶片(由海力士半导体有限公司制造)进行抛光，从而得到如表2所示的绝缘膜(PETEOS)与钨的抛光选择性比率。抛光选择性比率是使用由G&PTechnology公司生产的Poli500CE评估的。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>二氧化硅含量是基于ioo重量份的浆料给出的。表2表明，包含胶态二氧化硅的浆料在酸性和碱性条件下都表现出大于3的抛光选择性比率。实施例3.制备浆料组合物及其抛光选择性比率根据表3的比例，将蒸气沉积二氧化硅磨料(初级粒径20nm)和作为络合剂的甘氨酸(占100重量份浆料的0.04重量份)加到超纯水中并搅拌，然后改变浆料的pH值而获得本实施方案的浆料。所得浆料中的蒸气沉积二氧化硅的平均二次粒径为140nm。用该浆料对平坦化晶片(由海力士半导体有限公司制造)进行抛光，从而得到如表3所示的绝缘膜(PETEOS)与钨的抛光选择性比率。抛光选择性比率是使用由DOOSANDND公司制造的Unipla211评估的。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>二氧化硅含量是基于100重量份的浆料给出的。实施例4.制备浆料组合物及其抛光选择性比率根据表4的比例，将蒸气沉积二氧化硅磨料(初级粒径20nm)、作为络合剂的甘氨酸和醇类化合物加入超纯水中并搅拌，从而得到本实施方案的浆料。所得浆料中的蒸气沉积二氧化硅的平均二次粒径为140nm。用该浆料对平坦化晶片(由海力士半导体有限公司制造)进行抛光，从而获得如表4所示的绝缘膜(PETEOS)与钨的抛光选择性比率。抛光选择性比率是使用G&PTechnology公司制造的Poli500CE评估的。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>实施例5.制备浆料组合物及其抛光选择性比率根据表5的比例，将初级粒径为20nm的蒸气沉积二氧化硅磨料和作为络合剂的甘氨酸(占100重量份浆料的0.02重量份)加入超纯水中并搅拌，从而获得pH值为10.9的本实施方案的浆料。所得浆料中的蒸气沉积二氧化硅的平均二次粒径为140nm。用该浆料对平坦化晶片(由海力士半导体有限公司制造)进行抛光，从而得到如表5所示的绝缘膜(PETEOS)与鸨的抛光选择性比率。[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>*NU:不均匀度[(抛光速度的标准偏差)/(平均抛光速度)x100]二氧化硅磨料含量是基于ioo重量份的浆料给出的。表5表明可以通过改变浆料中蒸气沉积二氧化硅的含量来控制对氧化硅膜的抛光速度和抛光选择性比率。对氧化硅膜的抛光速度为400A/分钟到1600A/分钟。实施例6.本发明公开的浆料用于改善凹陷和侵蚀的试验首先使用对钨具有高抛光速度的第一浆料(Cabot公司制造，型号No.SSW-2000)对5-4图案晶片(由海力士半导体有限公司制造)进行抛光，并且过度抛光30%。然后使用包含5.0重量份的蒸气沉积二氧化硅+0.06重量份的丙三醇+0.02重量份的甘氨酸的实施例4的浆料对所得结构进行抛光(第二抛光步骤)。使用G&PTechnology公司生产的Poli500CE对在鸨图案上产生的凹陷和侵蚀与抛光工艺时间的相关性进行测试，并且测试结果如图5a和5b所示。图5a示出钨图案的测试结果。钨和氧化物膜的图案宽度是200nm、220nm、250nm和300nm。抛光时间"0"是指在第一道抛光工序结束后第二道抛光工序开始之前的时刻。结果，显示侵蚀值随着第二次抛光的时间的增加而降低。在约70秒时，侵蚀显示出最低值。图5b示出插塞图案的测试结果。鸨和氧化物膜的图案宽度为250nm、300nm、350nm和500nm。抛光时间"0"是指在第一道抛光工序结束后第二道抛光工序开始之前的时刻。结果显示侵蚀值随着第二次抛光的时间的增加而降低。在约70秒时，侵蚀显示出最低值。在以上两种图案中，显示出侵蚀随着第二次抛光的时间增加而减少。由于浆料对氧化硅膜的抛光速度比对钨膜要快，因此，会迅速除去氧化物膜并减少侵蚀。结果，如果选择适当的抛光时间，就可以将第一道抛光工艺中产生的侵蚀减少到最低程度。在本测试中，适当的抛光时间为约70秒，但是该抛光时间随图案的种类的不同而有差别。如上所述，根据本发明的实施方案，用以形成钨图案的浆料由于具有优异的分散性而在抛光过程中减少划痕的产生。两步抛光法会防止产生凹陷和侵蚀，从而以优异的平坦化效果有利于CMP工艺。两步抛光法降低钨图案的厚度差别和电阻差别以增加提供给其它工艺的余地，从而提高半导体器件的产率。本发明的上述实施方案是示例性的而非限制性的。本发明可以具有各种各样的替换形式或等同形式。本发明并不限于本文所描述的平版印刷术步骤。本发明也不限于半导体器件的任何特定类型。例如，可以在动态随机存取存储(DRAM)器或非易失存储器中实施本发明。另外，根据本发明公开进行其它添加、删减和修改都是显而易见的，并且这些也应涵盖在所附权利要求的范围内。权利要求1.一种浆料组合物，其用于利用化学机械抛光工艺在衬底上形成钨图案，所述组合物包含二氧化硅磨料；和选自络合剂和醇类有机化合物中的至少一种，作为添加剂。2.根据权利要求1所述的浆料组合物，其中所述的二氧化硅磨料包含蒸气沉积二氧化硅磨料或胶态二氧化硅磨料。3.根据权利要求2所述的浆料组合物，其中所述蒸气沉积二氧化硅磨料的平均二次粒径为70nm到250nm。4.根据权利要求2所述的浆料组合物，其中所述的胶态二氧化硅磨料的一次粒径为10nm到200nm。5.根据权利要求1所述的浆料组合物，其中所述磨料的含量占100重量份所述浆料组合物的1重量份到20重量份。6.根据权利要求1所述的浆料组合物，其中所述络合剂选自甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、天门冬氨酸、谷氨酸以及它们的组合，其中所述络合剂用于稳定氧化钨型阴离子，以防止被所述化学机械抛光工艺去除的鸨再附着。7.根据权利要求1所述的浆料组合物，其中所述络合剂的含量占100重量份所述浆料组合物的0.001重量份到至多1重量份。8.根据权利要求1所述的浆料组合物，其中所述醇类有机化合物选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、丙三醇、苏糖醇、木糖醇、山梨糖醇以及它们的组合，其中所述醇类有机化合物的含量足以控制由所述浆料在所述钨图案上产生的划痕，且该含量不超过防止所述浆料组合物的分散性降低的给定量。9.根据权利要求1所述的浆料组合物，其中所述的醇类有机化合物的含量占100重量份所述浆料组合物的0.005重量份到至多3重10.根据权利要求2所述的浆料组合物，其中包含所述的蒸气沉积二氧化硅磨料的所述浆料的pH值为8到12。11.根据权利要求2所述的浆料组合物，其中包含所述胶态二氧化硅磨料的所述浆料的pH值为1到12。12.根据权利要求11所述的浆料组合物，其中所述浆料的pH值为1到4或9到12。13.根据权利要求1所述的浆料组合物，其中所述浆料还包含pH控制剂。14.根据权利要求13所述的浆料组合物，其中所述pH控制剂包括无机化合物、有机化合物、金属氢氧化物以及胺类碱。15.根据权利要求13所述的浆料组合物，其中所述pH值控制剂包括HN03和KOH。16.根据权利要求l所述的浆料组合物，其中所述浆料对绝缘膜:钨的抛光选择性比率=3~500:1。17.根据权利要求16所述的浆料组合物，其中所述浆料对绝缘膜:钨的抛光选择性比率=3100:1。18.根据权利要求17所述的桨料组合物，其中所述浆料对绝缘膜:钨的抛光选择性比率=3~70:1。19.根据权利要求18所述的浆料组合物，其中所述浆料对绝缘膜:钨的抛光选择性比率=320:1。20.根据权利要求16所述的浆料组合物，其中所述浆料对所述绝缘膜的抛光速度为300A/分钟到3000A/分钟。21.—种半导体器件的制造方法，该方法包括在形成于衬底上的绝缘膜中形成用于形成钨图案的沟槽；将鸨膜沉积在具有所述沟槽的所述绝缘膜上，所述沟槽被所述钨膜填充；使用用于抛光金属的浆料对钨膜进行抛光，以使所述绝缘膜暴露，所述用于抛光金属的浆料对钨/绝缘膜的抛光选择性比率为30到100;并且使用权利要求1的浆料对所述暴露的绝缘膜和所述钨膜进行抛光以使其平坦化。22.根据权利要求21所述的方法，该方法还包括在沉积钨膜之前在所述绝缘膜上形成扩散阻隔膜。23.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一浆料对钨的抛光速度为2,000A/分钟到10,000A/分钟。24.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一浆料包含蒸气沉积二氧化硅磨料、过氧化氢以及硝酸铁催化剂。25.—种半导体器件的制造方法，该方法包括在形成于衬底上的绝缘膜中形成沟槽；将钨膜沉积在具有所述沟槽的所述绝缘膜上，所述钨膜填充所述沟槽；使用第一浆料对所述钨膜进行抛光，以使所述绝缘膜暴露，所述第一浆料对钨/绝缘膜的抛光选择性比率为30到100;并且使用第二浆料对所述暴露的绝缘膜和所述钨膜进行抛光以使其平坦化，所述第二浆料对绝缘膜/钨的抛光选择性比率为3到500。全文摘要一种使用用于形成钨图案的浆料组合物制造半导体器件的方法。该方法包括在形成于衬底上的绝缘膜中形成沟槽；将钨膜沉积在具有所述沟槽的绝缘膜上；首先，使用用于抛光金属的第一浆料对钨膜进行抛光，以使所述绝缘膜暴露，所述第一浆料对钨/绝缘膜的抛光选择性比率为30到100；其次，使用第二浆料对所述绝缘膜和所述钨膜进行抛光，所述第二浆料对绝缘膜/钨的抛光选择性比率为3到500。该方法会降低钨图案的厚度差别，从而提高半导体器件的产率。文档编号C09G1/00GK101161748SQ20071015254公开日2008年4月16日申请日期2007年9月27日优先权日2006年9月27日发明者晋圭安,朴烋范,梁基洪,金锡主申请人:海力士半导体有限公司;技术半化学有限公司