一种硅酸盐长余辉发光材料及制备方法

文档序号:3806485阅读:251来源:国知局

专利名称::一种硅酸盐长余辉发光材料及制备方法
技术领域
:本发明涉及一种发光材料,特别是硅酸盐长余辉发光材料。技术背景长余辉材料是一种新型环保节能材料,它能在吸收太阳光或灯光的能量后,将部分能量储存起来,然后慢慢地把储存的能量以可见光的形式释放出来,在光源撤出后仍然可以长时间发出可见光。长余辉发光材料由于在显示器的背光灯、标志照明和夜光涂料等方面均有广泛的商业用途,因而从20世纪初以来在材料组成的研究,制备工艺的研究等方面都得到了迅速的发展。现有技术中的长余辉发光材料是用ZnS:Cu等硫化物作为主要母体经过高温烧结而制成的。由于硫化物荧光体存在发光时间短,亮度不佳和化学稳定性差的缺点。为了改变这些不足,有人曾在硫化物中添加放射性物质来补偿其缺点,但是添加放射性物质操作时不仅对人体有害,而且会对环境造成污染。20世纪90年代以来投入了大量的人力和物力,发明了铝酸盐为基质的长余辉材料,这类材料具有余辉亮度高、时间长、光稳定性好的优点,但其耐水性差,发光色单一,在较大的程度上限制了其应用。1998年中国发明专利98105078.6公开了一种硅酸盐长余辉发光材料及其制造方法,该专利公开的硅酸盐长余辉发光材料的化学组成为aMObM,0.cSi02dR:Eux,Lny,其中M是Sr、Ca、Ba和Zn中的一种或多种元素;M'是Mg、Cd和Be中的一种或多种元素;R是B203,P20s种的一种或二种成分;其包含的主要化合物为M2MgSi207或M3MgSi208(其中M为Sr,Mg或Ba)。该材料克服了铝酸盐体系耐水性差,发光颜色单一的缺点。但M2MgSi207、M3MgSi208化合物的熔点较高,在制备中煅烧温度都在1200°C以上,生产能耗较高。而且现有技术中这类发光粉存在烧结温度高,生产能耗较高的不足。
发明内容本发明针对现有技术的上述不足,提供了一种硅酸盐型的,在制备时烧结温度较低的,可发出蓝色余辉的发光材料。本发明的发光材料的化学组成为SiVx.yOMgO1.7SiCV0.1B2O3:Eu2+X,Dy3+y其中0.001^^0.01,0.002^^0.02。由其组成可见这种发光粉为非整比的硅酸盐的长余辉蓝光材料,是一种新的发光材料。本发明的硅酸盐长余辉发光材料的制备方法,采用高温固相法制备,即按化学组成称取锶的盐或氧化物、镁的盐或氧化物,硼酸、硅酸、铕的氧化物,以及镝的氧化物为原料,用无水乙醇为分散剂,将各原料研磨至微米级,再在还原条件下锻烧后自然冷却至室温,再进行粉碎、研磨。本发明制备方法的一个最佳实施例是采用锶的碳酸盐、镁的硝酸盐、硼酸、硅酸和铕的氧化物,以及镝的氧化物为原料,用无水乙醇为分散剂,将各原料研磨至微米级,在还原条件下锻烧后自然冷却至室温,再进行粉碎、研磨。本发明的长余辉材料的熔点较现有技术低,其烧结温度一般在1150°C,因此在制备中所需的能耗低于现有技术。这种材料可降低生产成本,并具有硅酸盐材料的耐水性好,余辉亮度高、余辉时间长等优点,是一种具有较大应用前景的长余辉发光材料。附图1为样品SrQ.970'MgO'1.7SiCV0.1B2O3:Eu2;,Dy3+o.o2的X射线衍射图。图中纵坐标为衍射强度,横坐标为20。由XRD图谱可知,样品与Sr2MgSi207具有相同的XRD衍射图谱,表明其具有与Sr2MgSi207相同的晶体结构。附图2为样品Sr,O.MgO'1.7SiO2.0.1B2O3:Eu^xh,Dy3+o.Q2的发射光谱图。图中纵坐标为发光强度,横坐标为波长。在365nm紫外光激发下,样品呈现420nm-580nm的宽带发射光谱,峰值位于466nm处。附图3为样品Sr0.97O'MgO'1.7SiO2'0.1B2O3:Eu2+0.01,Dy3+0.02的双对数余辉衰减曲线。图中纵坐标为相对亮度,横坐标为余辉时间。其测试条件为室下,用1000&±5%光源激发样品10min,等待时间为ls。具体实施方式实施例1Sr,OMgO'1.7Si02'0.1B203:Euo.Q1长余辉发光材料原料配比如表一所示。表一Sro.99OMgO'1.7Si02'0.1B203:Eu謹长余辉发光粉的配比原料重量SrC030.5535克Mg(N03)2,6H200.9707克H2Si030.4912克H3B030.0468克Eu2030.0066克准确称取上述原料,以无水乙醇作为分散剂,在玛瑙研钵中仔细研磨后,装入小氧化铝坩埚。用碳粉作为还原剂,将它铺在大氧化铝(瓷)坩埚的底部,将上述的小坩埚放入密闭的大坩埚中,在1150。C下煅烧4.5小时,自然冷却至室温后,取出,将生成物进行粉碎、研磨,制得实例材料。该实例材料外观呈浅黄绿色。用XRD测试,发现其具有与Sr2MgSi207相同的衍射图谱,表明其具有与Sr2MgSi207有相同的晶体结构。经太阳光或紫外线照射后,在暗处呈现出蓝色余辉发光,该材料在人眼能够分辨的发光亮度(0.32mcd/m2)以上还能够发光5分钟以上。对实例材料进行光谱测试,它的发射波长位于466nm处。实施例2Sr0.97O'MgO'1.7SiO2'0.1B2O3:Euo.o,,Dy。.o2长余辉发光材料原料配比如表二所示。表二Sr,OMgO1.7SiO2.0.1B203:Eu001,Dy0.02长余辉发光粉的配比5原料髓SrC030.5423克Mg(N03)2.6H200.9707克H2Si030.4912克H3B030.0468克E112O30.0066克Dy2030.0141克按表二准确称取上述原料,具体实施方式与实施例1相同。该实例材料外观呈浅黄绿色。用XRD测试,发现其具有与Sr2MgSi207相同的衍射图谱(附图l),表明其与Sr2MgSi207有相同的晶体结构。经太阳光或紫外线照射后,在暗处呈现出蓝色余辉发光,该材料在人眼能够分辨的发光亮度(0.32mcd/m2)以上还能够发光9小时以上(附图3)。对实例材料进行光谱测试,它的发射波长位于466nm处(附图2)。实施例3Sr0.985O'MgO1.7SiO2'0.1B2O3:Eu,5,Dy0.01长余辉发光材料原料配比如三所示。表三Sro.985O.MgO'1.7Si02'0.1B203:Eu,5,Dy,长余辉发光粉的配比原料重量SrC030.5423克Mg(N03)2'6H200.9707克H2Si030.5915克H3B030.0468克Eu2030細3克Dy2030.0071克按表三准确称取上述原料,具体实施方式与实施例l相同。该实例材料外观呈浅黄绿色。用XRD测试,发现其具有与Sr2MgSi207相同的衍射图谱,表明其具有与S&MgSi207有相同的晶体结构。经太阳光或紫外线照射后,在暗处呈现出蓝色余辉发光,该材料在人眼能够分辨的发光亮度(0.32mcd/m2)以上还能够发光7小时以上。对实例材料进行光谱测试,它的发射波长位于466nm处。实施例4Sro.9970'Mg01.7Si02'0.1B203:Euo細,Dy,2长余辉发光材料原料配比如表四所示。表四Sr,70'Mg01.7Si02'0,lB203:Euo細,Dy,2长余辉发光长余辉发光粉的配比<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>按表四准确称取上述原料,具体实施方式与实施例1相同。该实例材料外观呈浅黄绿色。用XRD测试,发现其具有与Sr2MgSi207相同的衍射图谱,表明其具有与Sr2MgSi207有相同的晶体结构。经太阳光或紫外线照射后,在暗处呈现出蓝色余辉发光,该材料在人眼能够分辨的发光亮度(0.32mcd/m2)以上还能够发光2小时以上。对实例材料进行光谱测试,它的发射波长位于466nm处。用X-ray粉末衍射仪(XRD;ModelD/max-2400,RigakuCo.Ltd.Japan)测定样品物相;用FLS920T型荧光光谱仪测量样品发射光谱;用PR-305长余辉荧权利要求1.一种硅酸盐长余辉发光材料,其特征是这种发光材料是一种非整比化合物,其化学组成是Sr1-x-yO·MgO·1.7SiO2:Eu2+x,Dy3+y,其中0.001≤x≤0.01,0.002≤y≤0.02。2.权利要求1所述的硅酸盐长余辉发光材料的制备方法,采用高温固相法制备,其特征是按上述化学组成称取锶的盐或氧化物、镁的盐或氧化物,硼酸、硅酸、铕的氧化物,以及镝的氧化物为原料,用无水乙醇为分散剂,将各原料研磨至微米级,再在还原条件下锻烧后自然冷却至室温,再进行粉碎、研磨。3.根据权利要求2所述的硅酸盐长余辉发光材料的制备方法,其特征是采用锶的碳酸盐、镁的硝酸盐、硼酸、硅酸和铕的氧化物,以及镝的氧化物为原料,用无水乙醇为分散剂,将各原料研磨至微米级,在还原条件下锻烧反应后自然冷却至室温,再进行粉碎、研磨。全文摘要本发明涉及的一种硅酸盐长余辉发光材料及其制备方法。本发明的发光材料的其化学组成为Sr<sub>1-x-y</sub>O·MgO·1.7SiO<sub>2</sub>·0.1B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>2+</sup><sub>x</sub>,Dy<sup>3+</sup><sub>y</sub>,其中0.001≤x≤0.01,0.002≤y≤0.02。本发明的硅酸盐长余辉发光材料的制备方法采用高温固相法,即按化学组成称取锶和镁的盐或氧化物,硼酸、硅酸、铕和镝的氧化物为原料,用无水乙醇为分散剂,将各原料研磨至微米级,在还原条件下锻烧反应后冷却至室温,再进行粉碎、研磨。本发明的材料制备中所需的能耗低于现有技术,可降低生产成本。文档编号C09K11/77GK101255339SQ20081009086公开日2008年9月3日申请日期2008年4月1日优先权日2008年4月1日发明者李艳琴,王育华申请人:兰州大学
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