专利名称：2,3,2',3'-四氟二苯乙烷类负性液晶材料及其制备方法
技术领域：
本发明 涉及ー种2，3，2’，3’ -四氟ニ苯こ烷类负性液晶材料及其制备方法。
背景技术：
TFT-IXD是近十几年迅速发展起来的一种无环境污染、无辐射的新型液晶显示器技术，它以其低功耗、高精细画质、高对比度、高亮度、高分辩率、宽视角、大容量、轻薄便携和全彩色的视频显示而成为信息显示领域的主导技木，已发展到第八代产品。其应用范围从直视的超小型头盔显示(Head Mount)IXD到108英寸的高清液晶电视。液晶电视用面板，其对显示视角要求通常比较高，目前解决液晶宽视角的技术主要三种了奸 丨1111、1 5、￥4(包括層4、？￥4等)。TN+Film技术，一般用在20时以内的液晶屏(最大用到部分26时液晶屏上)，通常在5代及5代以下的TFT面板生产线上用的较多；而IPS、VA两种显示技术，主要用在液晶电视用面板上，当前6代及以上液晶面板生产线主要采用这两种显示技木，VA-TFT模式由于具有超宽的可视角、快的响应速度及极高的正面对比度等优点，成为现在极具前景的液晶显示技术，尤其在大屏幕液晶电视中应用显得尤为突出。现在技术在大屏市场上占有近70%的市场份额。单纯从技术角度而言，VA模式是最有技术优势的。与传统液晶材料相比，VA-FT用液晶材料除了要求具备良好的物化稳定性、宽的エ作温度范围与传统液晶材料相比，VA-T FT用液晶材料除了要求具备良好的物化稳定性、宽的工作温度范围之外，还须具备以下特性(I)负的介电各向异性由于VA-TFT采用垂直取向技术，所以要求液晶材料具有负的介电各向异性，(2)高的电压保持率(VHR):由于需要与TFT驱动相适应，所以高的VH R值成为必要条件，这需要液晶材料具有较高的电阻率，一般要求> 1012Ω. Cm 1(3)低的旋转黏度为了满足快速响应的需要，20度时粘度应为IOOmPa *s左右。(4)与液晶盒相匹配的光学各向异性目前，VA-FT用液晶材料在负的介电各向异性、高的电压保持率(VHR)和低的旋转黏度等方面还不能满足市场的需要。有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供ー种2，3，2’，3’ -四氟ニ苯こ烷类负性液晶材料。本发明的另一目的在于提供ー种2，3，2’，3’ -四氟ニ苯こ烷类负性液晶材料的制备方法。这种方法原料易得，合成路线简单，产品易于提纯，收率高，并且适合规模化工业发展。为实现本发明的第一目的，提供了ー种2，3，2’，3’ -四氟ニ苯こ烷类负性液晶材料，其通式为
权利要求
1.ー种2，3，2’，3’ -四氟ニ苯こ烷类负性液晶材料，其通式为
2.根据权利要求I所述的2，3，2’，3’-四氟ニ苯こ烷类负性液晶材料，其特征在于，所述通式中 R为C1 C3的烷基、C1 C3的烷氧基、-F、-OCF3或者-OCF2H ； R’为C1 C3的烷基、C1 C3的烷氧基、-F、-OCF3或者-OCF2H ； η为O或者I ; m为O或者I。
3.根据权利要求2所述的2，3，2’，3’_四氟ニ苯こ烷类负性液晶材料，其特征在于，所述通式中 R为丙基； R’为こ氧基； η为O或者I ; m为O。
4.一种权利要求1-3任一项所述的2，3，2’，3’-四氟ニ苯こ烷类负性液晶材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤 (I)制备中间体
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(I)中，所述路线I为
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(I)中，所述路线II为
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，以甲苯为溶齐IJ、以三苯基膦、碘化亚铜和四三苯基膦钯为催化剂，以三こ胺为碱，在无氧条件下，
9.根据权利要求7或8所述的制备方法,其特征在于，Sonogashira反应结束之后,反应液处理方法为反应液经洗涤、干燥后，过60-100目的硅胶层析柱，用甲苯冲柱子，蒸干溶剤。
全文摘要
本发明涉及一种2，3，2’，3’-四氟二苯乙烷类负性液晶材料及其制备方法。所述2，3，2’，3’-四氟二苯乙烷类负性液晶材料的通式为其中R为C1～C15的烷基、C2～C15的烯基、C1～C15的烷氧基、C1～C15的氟代烷基、C2～C15的氟代链烯基、-F、-OCF3或者-OCF2H；R’为C1～C15的烷基、C2～C15的烯基、C1～C15的烷氧基、C1～C15的氟代烷基、C2～C15的氟代链烯基、-F、-OCF3或者-OCF2H；n为0、1或者2；m为0、1或者2。
文档编号C09K19/14GK102851033SQ20111018412
公开日2013年1月2日 申请日期2011年7月1日 优先权日2011年7月1日
发明者仲锡军, 申强, 连艳姣 申请人:河北迈尔斯通电子材料有限公司