专利名称：以二(8-羟基喹啉)合铂作为掺杂材料制备的oled器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及有机电致发光技术领域，尤其是涉及一种掺杂二(8-羟基喹啉) 合钼的OLED器件。
背景技术：
有机电致发光技术(OLEDs)作为国际上公认的新一代平板显示技术之一，与目前市场上主要的平板显示器产品如液晶显示器相比具有主动发光；制作工艺简单、成本低； 低耗电；视角大；重量轻、体积小；响应速度快等优点。与荧光发光材料相比，磷光材料能有效利用单重态和三重态的激子，能获得较大的外量子产率。而有机磷光材料由于电致发光效率高，正在被应用于电致发光器件中。目前，世界上对近红外磷光材料及器件进行系统研究还很少，已经报道过的效率较好的近红外磷光体系有卟啉一钼(II)配合物和C~N~N—钼(II)激基缔合物配合物，但前者合成步骤较为繁杂，不易引入其它高功能基团进行分子修饰，而后者发光来自激基缔合物，引入任何高功能基团都会带来一定的位阻效应，可能使其激基缔合物效应降低，从而导致其发光以单体的发光(黄光)为主。所以，开发新型的具有优异功能的近红外电致磷光材料对有机电致发光技术的成熟和进一步市场化有很大的实用意义。
实用新型内容针对现有技术存在的上述问题，针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种以二(8-羟基喹啉)合钼作为掺杂材料制备的OLED器件。本实用新型的Ptq2作为磷光材料掺杂在主体材料中制作的0LED，最大电致发光波长在近红外区域(70(T850nm)，具有优良的导电性和稳定性。本实用新型的技术方案如下以二(8-羟基喹啉)合钼作为掺杂材料制备的OLED器件，以氧化铟锡(ITO)作为透明导电膜玻璃(阳极);N，N，_ 二(1-萘基)-N，N，_ 二苯基-1，1，-联苯-4，4，-=K(NPB) 作为空穴传输材料；4，4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)掺杂二(8-羟基喹啉)合钼(Ptq2)作为主体材料；2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲啰啉(BCP)作为空穴阻挡材料；8-羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输材料；铝/氟化锂作为阴极。其结构依次为Al/LiF、Alq3、BCP, CBP Ptq2、NPB、ΙΤ0。所述二(8-羟基喹啉)合钼(Ptq2)的分子结构式为
权利要求1.以二(8-羟基喹啉)合钼作为掺杂材料制备的OLED器件，其特征在于以氧化铟锡作为透明导电膜玻璃；N，N’ - 二(1-萘基)-N, N’ - 二苯基-1，1’ -联苯-4，4’ - 二胺作为空穴传输材料；4，4’-二(9-咔唑)联苯掺杂二(8-羟基喹啉)合钼作为主体材料；2，9-二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲啰啉作为空穴阻挡材料；8-羟基喹啉铝作为电子传输材料；铝/ 氟化锂作为阴极。
2.根据权利要求1所述的以二(8-羟基喹啉)合钼作为掺杂材料制备的OLED器件， 其特征在于其结构依次为Al/LiF、8-羟基喹啉铝、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲啰啉、4，4’-二(9-咔唑)联苯二(8-羟基喹啉)合钼、N，N’ - 二(1-萘基)-N，N’ -二苯基-1，1，-联苯-4，4，- 二胺、氧化铟锡。
专利摘要以二(8-羟基喹啉)合铂作为掺杂材料制备的OLED器件，以氧化铟锡(ITO)作为透明导电膜玻璃(阳极)；N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)作为空穴传输材料；4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)掺杂二(8-羟基喹啉)合铂(Ptq2)作为主体材料；2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)作为空穴阻挡材料；8-羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输材料；铝/氟化锂作为阴极。本实用新型的Ptq2作为磷光材料掺杂在主体材料中制作的OLED，最大电致发光波长在近红外区域(700~850nm)，具有优良的导电性和稳定性。
文档编号C09K11/06GK202308075SQ20112044314
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月10日 优先权日2011年11月10日
发明者向海峰 申请人:无锡信怡微电子有限公司