的官能团的直接键； n为等于1或更大的数值； Q为选自高极性官能团、含羟基基团的基团、可水解基团或它们的金属盐衍生物的官能 团；且 R2至R4各自独立地为取代或未取代的单价烃基、氢原子、卤素原子、羟基基团、烷氧基 基团或二价官能团，所述官能团键合至由R^SiO^I^SiO^RiSiO^和Si04/2表示的硅氧烷 单元中的任何一个中的氧原子（-〇-)或所述相同硅氧烷单元中的硅原子（Si)的结合位点， R2至R4中的至少一个为由R ^SiO^R^SiO^RiSiC^jp Si0 4/2表示的硅氧烷单元中的任何 一个中的氧原子（-〇_)的结合位点；并且R1与以上所述同义）。
3. 根据权利要求1或2所述的光学材料的表面处理剂，其中所述有机硅化合物为由以 下平均结构式表示的有机硅化合物： (RM3Si01/2) a (RD2Si02/2) b (RTSi03/2) c (Si04/2) d (其中RM、RD和RT各自独立地为 单价烃基、氢原子、羟基基团、烷氧基基团、具有直接或通过由上述-Z_(?n表示的化 合价为（n+l)的官能团或者键合至其他硅氧烷单元的Si原子的二价官能团键合至硅原子 的官能团⑷）的基团，所述官能团⑷）选自高极性官能团、含羟基基团的基团、含硅原子的 可水解基团或它们的金属盐衍生物； RM、RD和R T部分中的全部的至少50摩尔％为单价烃基； 所述基团在分子中包含由-Z_(?n表示的至少一个基团；并且n为等于1或更大的数 值，a至d分别为0或正数，并且a+b+c+d为2至1，000范围内的数值）。
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的光学材料的表面处理剂，其中所述有机硅化合 物为由以下平均结构式表示的有机硅化合物： (RM13Si01/2) al (RD12Si02/2) bl (RT1Si03/2) cl (Si04/2) dl (其中RM1、RD1和Rn各自独立地选自： 单价烃基、氢原子、羟基基团、烷氧基基团、具有通过由-Zi-Q表示的二价官能团（Z1)键 合至硅原子的官能团的基团，所述官能团选自高极性官能团、含羟基基团的基团、 含硅原子的可水解基团或它们的金属盐衍生物； 由-A-O^'SiOLR'Si-ZLQ表示的基团（其中A为二价烃基，R112为烷基基团或苯基基 团，el为1至50范围内的数值，并且Z1和Q与以上所述的那些同义）； 由-A-(RD22SiO) JiR'表示的基团（其中A、RD2、Z1和Q与以上所述的那些同义，R K为 烷基基团或苯基基团，并且el为与以上所述相同的数值）；或者 由-0-Si OOfX1表示的基团（其中RD3为具有1至6个碳原子的烷基基团或苯基基 团，并且X1为当i = 1时由以下通式（2)表示的甲硅烷基烷基基团）：
(其中R6为氢原子或者具有1至6个碳原子的烷基基团或苯基基团，并且R7或R 8为氢 原子或者具有1至6个碳原子的烷基基团或苯基基团；B为由（；11&表示的直链或支链亚烷 基基团；r为2至20的整数； i表示由义表示的甲硅烷基烷基基团的分层结构，其在分层结构数为c时为1至c的 整数；所述分层结构数c为1至10的整数；^在i等于1时为0至2的整数并且在i等于 2或更大时为小于3的数值； Xi+1在i小于c时为甲硅烷基烷基基团并且在i = c时为甲基基团（_CH3)); 其中俨、俨和1?11部分中的全部的至少50%为单价烃基； 所述基团在分子中包含由-Z- (Q)n表不的至少一个基团或由-A- (RD22SiO) elRD22Si-Z-(Q)n 表示的基团； al至dl分别为0或正数，并且al+bl+cl+dl为2至500范围内的数值；并且在分子中 的硅原子数在2至1，000的范围内）。
5. 根据权利要求1至4中任一项所述的光学材料的表面处理剂，其中在所述有机硅化 合物中直接或通过化合价为（n+1)(其中n为等于1或更大的数值）的官能团键合至硅原 子的官能团⑷）为羧基基团、醛基团、磷酸基团、硫醇基团、磺基基团、醇羟基基团、酚羟基 基团、氨基基团、酯基基团、酰胺基基团、聚氧化亚烷基基团、由-SiR 5fX3_f表示的含硅原子的 可水解基团（其中R5为烷基基团或芳基基团，X为选自烷氧基基团、芳氧基基团、烯氧基基 团、酰氧基基团、酮肟基基团和卤素原子的可水解基团，并且f?为0至2的数值），或它们的 金属盐衍生物。
6. 根据权利要求1至5中任一项所述的光学材料的表面处理剂，其中在所述有机硅化 合物中通过化合价为（n+1)(其中n为等于1或更大的数值）的官能团键合至硅原子的官 能团为选自幾基基团、醇轻基基团、聚氧化亚烧基基团以及由 _SiR5fX3_f表不的含娃原子的 可水解基团的基团（其中R 5为烷基基团或芳基基团，X为选自烷氧基基团、烯氧基基团、芳 氧基基团、酰氧基基团、酮肟基基团和卤素原子的可水解基团，并且f?为0至2的数值）。
7. 根据权利要求1至6中任一项所述的光学材料的表面处理剂，其中在所述有机硅化 合物中通过化合价为（n+1)(其中n为等于1或更大的数值）的官能团键合至硅原子的官 能团为羧基基团或通过二价烃基键合至硅原子的由_SiR 5fX3_f表示的含硅原子的可水解基 团（其中R5为烷基基团或芳基基团，X为选自烷氧基基团、芳氧基基团、酰氧基基团、酮肟基 基团和卤素原子的可水解基团，并且f为0至2的数值）。
8. 根据权利要求1至7中任一项所述的光学材料的表面处理剂，其中所述有机硅化合 物中的硅原子数在2至500的范围内，并且化合价为（n+1)的所述官能团或所述二价官能 团为具有2至20个碳原子的直链或支链亚烷基基团。
9. 根据权利要求1至8中任一项所述的光学材料的表面处理剂，以用于选自荧光微颗 粒、金属氧化物微颗粒、金属微颗粒、纳米晶体结构和量子点的一个或多个光学精细构件上 或其中这些构件的部分或整个表面由二氧化硅层覆盖的构件上。
10. -种光学材料，其包含由权利要求1至9中的任一项中所述的光学材料的表面处理 剂所表面处理的构件。
11. 根据权利要求10所述的光学材料，其中所述构件为微粒构件。
12. -种其中构件为微粒构件的光学材料的制备方法，其中在权利要求1至9中的任一 项中所述的光学材料的表面处理剂用于选自液相方法、固相方法和后处理方法的至少一个 制备步骤中。
13. 根据权利要求10或11所述的光学构件，其包括：(A)选自荧光微颗粒、金属氧化物 微颗粒、金属微颗粒、纳米晶体结构和量子点的至少一个光学精细构件，或者其中这些构件 中的部分或整个表面由二氧化硅层覆盖的构件； (B) 在权利要求1至9中的任一项中所述的光学材料的表面处理剂；且 (C) 可固化树脂组合物；其中 组分（A)微颗粒在通过光学材料的组分（B)表面处理剂进行表面处理之后分散于组分 (C)可固化树脂组合物中。
14. 根据权利要求13所述的光学材料，其中所述可固化树脂组合物（C)为硅氢加成反 应可固化有机硅组合物。
15. 根据权利要求13所述的光学材料，其中所述可固化树脂组合物（C)为缩合反应可 固化有机硅组合物。
16. 根据权利要求13至15中任一项所述的光学材料，还包含（D)荧光物质。
17. 根据权利要求10、11或13至16中任一项所述的光学材料，所述光学材料为光学半 导体的光学材料。
【专利摘要】本发明提供了一种包含有机硅化合物的光学材料的表面处理剂，所述化合物具有直接或通过化合价为(n+1)(n为等于1或更大的数值)的官能团键合至硅原子的官能团，所述官能团选自高极性官能团、含羟基基团的基团、含硅原子的可水解基团或它们的金属盐衍生物；并且在分子中具有至少一个结构，其中所述硅原子键合至由R13SiO1/2、R12SiO2/2、R1SiO3/2和SiO4/2表示的任何硅氧烷单元。
【IPC分类】C08K9-06, C08G77-50, C09D183-14, H01L23-29
【公开号】CN104619796
【申请号】CN201380046723
【发明人】大川直, 儿岛和彦, 饭村智浩, 古川晴彦
【申请人】道康宁东丽株式会社
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2013年9月20日
【公告号】EP2898031A1, US20150243858, WO2014046307A1