低折射层涂敷用组合物及包含该组合物的透明导电性膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种低折射层涂敷用组合物及包含该组合物的透明导电性膜。
【背景技术】
[0002] 触控面板根据位置检测方法，分为光学方式、超声波方式、静电容量方式及电阻膜 方式等。电阻膜方式的触控面板的结构是，透明导电性膜和附着有透明导电体层的玻璃隔 着间隔部相向配置，使电流在透明导电性膜流动，并测定附着有透明导电体层的玻璃中的 电压的结构。另一方面，静电容量方式的触控面板的基本结构是，在基材上形成透明导电 层，特征在于没有可动部分，并且，由于具有高耐久性、高透过率，因此，也适用于车载用途 等。
[0003] 适用于上述触控面板的静电容量方式的透明导电性膜包含导电层，并且，上述导 电层经过图案化工序。在通常情况下，主要采用将感光剂涂敷于透明导电层的上部，并经过 显像工序来蚀刻导电层来实现图案化的方式，目前，正在不断进行与如何在图案化工序中 确保生产速度及生产效率等的透明导电性膜相关的研宄。
【发明内容】
[0004] 本发_要解决的抟术问题
[0005] 本发明的一实例提供包含硅氧烷化合物及光产酸剂的低折射用涂敷用组合物。
[0006] 抟术方案
[0007] 在本发明的一实例中，提供包含硅氧烷化合物及光产酸剂的低折射层涂敷用组合 物。
[0008] 上述硅氧烷化合物可包含由化学式1形成的硅氧烷聚合物，
[0009] 化学式1
[0010] (R1)n-Si-(O-R2) 4Y
[0011] 上述R1是碳数1至18的烷基、乙烯基、烯丙基、环氧基或丙烯酸基，上述R 2是具有 碳数1至6的烷基或乙酰氧基，上述η是0 < η < 4的整数。
[0012] 上述硅氧烷聚合物的分子量可以是约500至约50000。
[0013] 相对于总100重量％，可包含约5重量％至约100重量％的上述硅氧烷化合物。
[0014] 上述硅氧烷化合物可通过溶胶-凝胶反应形成。
[0015] 上述光产酸剂可对约300nm至约400nm波长的紫外（UV)光照射具有活性。
[0016] 上述光产酸剂可以是选自离子性光产酸剂、非离子性光产酸剂及高分子类光产酸 剂中的某一种。
[0017] 相对于总100重量％，可包含约1重量％至约30重量％的上述光产酸剂。
[0018] 在本发明的另一实例中，提供包含利用上述低折射层涂敷用组合物而形成的低折 射层的透明导电性膜。
[0019] 上述透明导电性膜可以是透明基材、上述高折射层、低折射层及导电层的层压结 构。
[0020] 上述低折射层的折射率可以是约I. 4至约I. 5。
[0021] 上述低折射层的厚度可以为约5nm至约100nm。
[0022] 上述高折射层的厚度可以是约20nm至约150nm。
[0023] 上述透明基材可以是包含选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二 醇酯（PEN)、聚醚砜（PES)、聚碳酸酯（PC)、聚丙烯（PP)、聚氯乙烯（PVC)、聚乙烯（PE)、聚甲 基丙烯酸甲酯（PMMA)、乙烯-醋酸乙烯酯（EVA)、聚乙烯醇（PVA)及它们的组合构成的组中 的某一种的单一膜或层压膜。
[0024] 上述导电层可包含氧化铟锡（Indium Tin Oxide，IT0)或氟掺杂氧化锡 (Fluorine-doped Tin Oxide，FT0)〇
[0025] 上述透明基材的单面或双面还可包含硬涂层。
[0026] 有益效果
[0027] 使用上述低折射层涂敷用组合物，能够有效改善作为静电容量方式的透明导电性 膜所需工序的透明导电层图案化工序。
[0028] 通过改善的透明导电层的图案化工序，能够在短时间内简单且更加有效地制备透 明导电性膜。
【附图说明】
[0029] 图1简要表示本发明一实施例的透明导电性膜的截面。
[0030] 图2简要表示本发明另一实施例的透明导电性膜的截面。
【具体实施方式】
[0031] 以下，详细说明本发明的实例。但是，这仅仅作为例示来提示，不会因这些实例而 限制本发明，本发明只根据发明要求保护范围所要保护的范畴来定义。
[0032] 为了准确说明本发明，省略与说明无关的部分，在说明书全文中，对相同或类似的 结构要素附加相同的附图文字。
[0033] 附图中，为了明确表示多个层及区域，厚度有所放大。并且，在附图中，为了便于说 明，将一部分层及区域的厚度放大表示。
[0034] 以下，在基材的"上部（或下部）"或基材的"上（或下）"形成任意结构，不仅表 示任意结构以接触方式形成在上述基材的上表面（或下表面），还表示并不局限于在上述 基材和基材上（或下）形成的任意结构之间不包括其他结构。
[0035] 低析射层涂敷用组合物
[0036] 在本发明的一实施例中，提供包含硅氧烷化合物及光产酸剂的低折射层涂敷用组 合物。
[0037] 在将静电容量方式的透明导电性膜适用于触控面板时，导电层经过图案化工序。 通常情况下，在上述透明导电层的图案化工序中，主要采用将感光剂涂敷于透明导电层的 上部，并经过显像工序蚀刻透明导电层来实现图案化的方式，这样，由于工序量较多，而较 多的工序量会降低生产速度，因此，在有效地制备图案化的透明导电层方面存在困难。
[0038] 为此，使用包含硅氧烷化合物及光产酸剂的低折射层涂敷用组合物来制备透明导 电性膜所包含的低折射层，在向光产酸剂照射UV时，产生酸，而产生的酸会对蒸镀于上述 低折射层的上部的导电层产生影响，从而在蚀刻上述导电层时，能够有效地改善导电层的 图案化工序。并且，通过改善后的导电层的图案化工序，在较短的时间内能够以更加经济性 的方式制备透明导电性膜。
[0039] 上述硅氧烷化合物可包含由化学式1形成的硅氧烷聚合物。上述化学式1为（R1) n-Si-(〇-R2)4_n，且上述1^是碳数1至18的烷基、乙烯基、烯丙基、环氧基或丙烯酸基，上述R 2 是具有碳数1至6的烷基或乙酰氧基，上述η是0 < η < 4的整数。
[0040] 上述硅氧烷聚合物的分子量可以是约500至约50000。上述分子量为重均分子量， 是指将具有分子量分布的高分子化学物的分子量用重量分数平均而得的平均分子量。上述 硅氧烷聚合物由化学式1形成，上述硅氧烷聚合物维持上述分子量的范围，从而在涂敷低 折射层涂敷用组合物时，具有优秀的涂敷性，并在进行固化时，能够容易地实现上述组合物 的固化密度的增大的效果。
[0041] 上述硅氧烷化合物是指由化学式1形成的硅氧烷聚合物，上述化学式1可以 是选自由四乙氧基硅烷（Si(OC 2H5)4)、四甲氧基硅烷（Si(OCH3)4)、三乙氧基（乙基）硅 烷）（C 2H5Si (OC2H5) 3)、三甲氧基（甲基）硅烷（CH3Si (OCH3) 3)、三乙酰氧基（甲基）硅烷 (CH3CO2)3SiCH 3)、三乙酰氧基（乙烯基）硅烷（CH3CO2)3SiCH = CH2)、三（2-甲氧基乙氧基） (乙烯基）硅烷（CH3OCH2CH 2O)3SiCH = CH2)、三甲氧基（辛基）硅烷（CH3(CH2)7Si (OC2H5)3)、 三甲氧基[2-(7-氧杂二环[4. 1.0]]庚-3-基）乙基]硅烷（CnH2204Si)、三甲氧基（丙 基）硅烷（CH 3CH2CH2Si (OCH3) 3)、三甲氧基（氧基）硅烷（CH3 (CH2) 7Si (OCH3) 3)、三甲氧基 (十八烷基）硅烷（CH3 (CH2)17Si (OCH3) 3)、异丁基（三甲氧基）硅烷（CH3)2CHCH2Si (OCH3) 3、 三乙氧基（异丁基）硅烷（(CH3)2CHCH 2Si (OC2H5)3)、三甲氧基（7-辛烯-1-基）硅烷（H2C =CH(CH2) 6Si(0CH3) 3)、三甲氧基（2-苯乙基）硅烷（C6H5CH2CH 2Si (OCH3) 3)、二甲氧基-甲基 (3, 3, 3-三氟丙基）硅烷（C6H13F3O2Si)、二甲氧基（二甲基）硅烷（C 2H6Si(OC2H6)2)'三乙氧 基（1-苯基乙烯基）硅烷（(C 2H5O)3SiC(CH2)C6H 5)、三乙氧基[4-(三氟甲基）苯基]硅烷 (CF3C6H4Si (OC2H5)2)、三乙氧基（4_甲氧苯基）硅烷（(C 2H50)3SiC6H40CH 3)、3_(三甲氧基甲硅 烷基）丙基甲基丙烯酸酯（H2C = C(CH3)C02(CH2)3Si(0CH 3)3)、（3-环氧丙氧基）甲基二乙氧 基硅烷（C11H24O 4Si)、3-(三乙氧基）丙基异氰酸酯（C2H5O)3Si(CH 2)3NCOh异丁基三乙氧基硅 烷（CH3)2CHCH 2Si(OC2H5)3)及它们的组合构成的组的任意一种。
[0042] 具体地，上述硅氧烷化合物作为包含由上述化学式1形成的硅氧烷聚合物的化合 物，上述硅氧烷聚合物的大致化学式以-Si-O-Si-的硅氧烷键作为骨架，因此，可由以下化 学式2表不。
[0043] 化学式2
[0044]
【主权项】
1. 一种低折射层涂敷用组合物，其特征在于，包含硅氧烷化合物及光产酸剂。
2. 根据权利要求1所述的低折射层涂敷用组合物，其特征在于， 所述硅氧烷化合物包含由化学式1形成的硅氧烷聚合物， 化学式1 (R1)n-Si-(O-R2)w 所述R1是碳数1至18的烷基、乙烯基、烯丙基、环氧基或丙烯酸基，所述R2是具有碳数 1至6的烷基或乙酰氧基，所述n是0 < n < 4的整数。
3. 根据权利要求2所述的低折射层涂敷用组合物，其特征在于， 所述硅氧烷聚合物的分子量为500至50000。
4. 根据权利要求1所述的低折射层涂敷用组合物，其特征在于，相对于总100重量％， 包含5重量％至100重量％的所述硅氧烷化合物。
5. 根据权利要求1所述的低折射层涂敷用组合物，其特征在于， 所述硅氧烷化合物通过溶胶-凝胶反应形成。
6. 根据权利要求1所述的低折射层涂敷用组合物，其特征在于， 所述光产酸剂对300nm至400nm波长的紫外光照射具有活性。
7. 根据权利要求1所述的低折射层涂敷用组合物，其特征在于， 所述光产酸剂是选自离子性光产酸剂、非离子性光产酸剂及高分子类光产酸剂中的任 意一种。
8. 根据权利要求1所述的低折射层涂敷用组合物，其特征在于， 相对于总100重量％，包含1重量％至30重量％的所述光产酸剂。
9. 一种透明导电性膜，其特征在于，包含利用权利要求1所述的低折射层涂敷用组合 物形成的低折射层。
10. 根据权利要求9所述的透明导电性膜，其特征在于，所述透明导电性膜是透明基 材、所述高折射层、低折射层及导电层的层压结构。
11. 根据权利要求9所述的透明导电性膜，其特征在于， 所述低折射层的折射率为1. 4至1. 5。
12. 根据权利要求9所述的透明导电性膜，其特征在于， 所述低折射层的厚度为5nm至100nm。
13. 根据权利要求10所述的透明导电性膜，其特征在于， 所述高折射层的厚度为20nm至150nm〇
14. 根据权利要求10所述的透明导电性膜，其特征在于， 所述透明基材是含有选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚 碳酸酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-醋酸乙烯酯、聚乙烯醇及它 们的组合构成的组中的任意一种的单一膜或层压膜。
15. 根据权利要求10所述的透明导电性膜，其特征在于， 所述导电层包含氧化铟锡或氟掺杂氧化锡。
16. 根据权利要求10所述的透明导电性膜，其特征在于， 所述透明基材的单面或双面进一步包含硬涂层。
【专利摘要】本发明涉及包含硅氧烷化合物及光产酸剂的低折射层涂敷用组合物。并且，本发明涉及包含利用上述低折射层涂敷用组合物而形成的低折射层的透明导电性膜。
【IPC分类】B32B27-08, C09D7-12, C09D183-02
【公开号】CN104812855
【申请号】CN201380058361
【发明人】洪琎基, 金源国
【申请人】乐金华奥斯有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2013年9月30日
【公告号】WO2014073788A1