一种高效硅晶片研磨液的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及精细化工的技术领域，具体地说是一种高效硅晶片研磨液。
【背景技术】
[0002]研磨是在硅晶体切片后，对硅晶片表面的第一次机械加工。研磨硅晶片的目的是去除硅晶片表面的切片刀痕和凹凸不平，使表面加工损伤平整均匀，在化学腐蚀过程中，其表面腐蚀速率即可均匀一致。目前用于硅晶片的研磨液，大多采用美国生产的多氨19-C磨削液。多氨19-C磨削液是一种白色微有刺激性气味的悬浮状液体，呈弱碱性，其优点是:有非常高的稀释能力、很强的悬浮特性且具有生物降解能力；其缺点是:粘度大、表面吸附比严重、不容易清洗，常导致磨片清洗后表面出现花斑，不仅对下道工序加工带来困难，而且会直接影响磨片的成品率；此外多氨19-C磨削液价格昂贵，使加工成本大大提高。因此，如何既要提高研磨液性能，又能减少硅粉、磨料等粒子和金属离子在晶片表面的吸附使其易于清洗，是当前研磨中急需解决的问题之一。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是在于提供一种易于清洗、性能优异的高效硅晶片研磨液。
[0004]本发明采用的技术方案是，一种高效硅晶片研磨液，所述各材料按以下重量组份:分子量200-10000聚乙二醇40-70份、碳化硼10-15份、氢氧化钠5_10份、EDTA 二钠1_3份、甘油1-3份、磷酸脂3-5份、烷基醇酰胺0.5-2份、余量为去离子水。
[0005]本发明的优点是具有良好的研磨性能、研磨后又易于清洗。
【具体实施方式】
[0006]本发明结合以下实施例作进一步描述。
[0007]实施例1，一种高效硅晶片研磨液，所述各材料按以下重量组份:分子量200-10000聚乙二醇70份、碳化硼15份、氢氧化钠10份、EDTA 二钠3份、甘油3份、磷酸脂5份、烷基醇酰胺2份、余量为去离子水。
[0008]实施例2，一种高效硅晶片研磨液，所述各材料按以下重量组份:分子量200-10000聚乙二醇40份、碳化硼10份、氢氧化钠5份、EDTA 二钠I份、甘油I份、磷酸脂3份、烷基醇酰胺0.5份、余量为去离子水。
[0009]实施例3，一种高效硅晶片研磨液，所述各材料按以下重量组份:分子量200-10000聚乙二醇55份、碳化硼13份、氢氧化钠7份、EDTA 二钠2份、甘油2份、磷酸脂4份、烷基醇酰胺1.3份、余量为去离子水。
[0010]应理解，该实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外，应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高效硅晶片研磨液，其特征在于，所述各材料按以下重量组份:分子量200-10000聚乙二醇40-70份、碳化硼10-15份、氢氧化钠5-10份、EDTA 二钠1-3份、甘油1-3份、磷酸脂3-5份、烧基醇酰胺0.5-2份、余量为去尚子水。
【专利摘要】本发明涉及精细化工的技术领域，具体地说是一种高效硅晶片研磨液。该研磨液所述各材料按以下重量组份：分子量200-10000聚乙二醇40-70份、碳化硼10-15份、氢氧化钠5-10份、EDTA二钠1-3份、甘油1-3份、磷酸脂3-5份、烷基醇酰胺0.5-2份、余量为去离子水。本发明的目的是在于提供一种易于清洗、性能优异的高效硅晶片研磨液。
【IPC分类】C09K3/14
【公开号】CN104927768
【申请号】CN201410102575
【发明人】徐迪青
【申请人】徐迪青
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2014年3月19日