个芳基或杂芳基基团还 可以由非芳族单元例如C、N或0原子连接。因此，例如，和其中两个或更多个芳基基团被例 如短的烷基基团连接的体系一样，诸如芴、9, 9' -螺二芴、9, 9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基 醚、芪等的体系也旨在被认为是指在本发明意义上的芳族环系。
[0027] 对于本发明的目的，可含有1至40个C原子并且其中单独的H原子或CH2基团还 可被上述基团取代的脂族烃基团或者烷基基团或者烯基或炔基基团优选被认为是指如下 基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、 仲戊基、新戊基、环戊基、正己基、新己基、环己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基 己基、三氟甲基、五氟乙基、2, 2, 2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己 烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己 炔基、庚炔基或辛炔基。具有1至40个C原子的烷氧基基团优选被认为是指甲氧基、三氟 甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、 仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、环庚氧基、正辛氧基、环辛氧基、 2-乙基己氧基、五氟乙氧基或2, 2, 2-三氟乙氧基。具有1至40个C原子的硫代烷基基团 被认为特别是指甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁 硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、环庚硫基、正辛硫基、环辛硫基、 2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2, 2, 2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫 基、戊烯硫基、环戊烯硫基、己烯硫基、环己烯硫基、庚烯硫基、环庚烯硫基、辛烯硫基、环辛 稀硫基、乙块硫基、丙块硫基、丁块硫基、戊块硫基、己块硫基、庚块硫基或辛块硫基。一般来 说，根据本发明的烷基、烷氧基或硫代烷基基团可为直链、支链或环状的，其中一个或多个 非相邻的CH2基团可被上述基团代替；此外，一个或多个H原子还可被D、F、Cl、Br、I、CN或 NO2，优选地F、Cl或CN，进一步优选地F或CN，特别优选地CN代替。
[0028] 分别具有5-30个或5-60个芳族环原子，在每种情况下还可被上述基团R、R1或R2 取代的芳族或杂芳族环系，被认为特别是指衍生自如下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、 芘、麓、茈、荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、偶苯、三联苯、三聚苯、芴、螺二芴、二氢菲、 二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、顺式或反式茚并咔唑、顺式或反式吲哚并咔唑、三聚 茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并 噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、叮啶、菲啶、 苯并-5, 6-喹啉、苯并-6, 7-喹啉、苯并-7, 8-喹啉、吩噻嗪、吩囉嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并 咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、糨唑、苯并廳唑、萘并 曝唑、蒽并囌唑、菲并嘯唑、异Ig唑、1，2-噻唑、1，3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、六氮杂苯并菲、 苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1，5-二氮杂蒽、2, 7-二氮杂芘、2, 3-二氮杂芘、1，6-二 氮杂芘、1，8-二氮杂芘、4, 5-二氮杂芘、4, 5, 9, 10-四氮杂茈、吡嗪、吩嗪、吩f雛嗪、吩噻嗪、 荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1，2, 3-三唑、1，2, 4-三唑、苯并三唑、1，2, 3-I恶 二唑、1，2, 4- _ 二唑、1，2, 5- _ 二唑、1，3, 4-纖二唑、1，2, 3-噻二唑、1，2, 4-噻二唑、 1，2, 5-噻二唑、1，3, 4-噻二唑、1，3, 5-三嗪、1，2, 4-三嗪、1，2, 3-三嗪、四唑、1，2, 4, 5-四 嗪、1，2, 3, 4-四嗪、1，2, 3, 5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑或者衍生自这些体系的 组合的基团。
[0029] 下文更详细地描述最低三重态T1与第一激发单重态Si之间的间隔< 0. 15eV的发 光有机化合物。这是显示TADF(热激活延迟荧光）的化合物。在以下说明书中，这种化合 物被缩写为"TADF化合物"。
[0030] 在本发明意义上的有机化合物是不含金属的含碳化合物。特别是，所述有机化合 物是由元素C、H、D、B、Si、N、P、0、S、F、Cl、Br和I构成。
[0031] 在本发明意义上的发光化合物被认为是指在如在有机电致发光器件中存在的在 环境中光学激发时能够在室温下发光的化合物。所述化合物优选具有至少40%、特别优选 至少50 %、非常特别优选至少60 %并且尤其优选至少70 %的发光量子效率。此处在层中在 与基质材料的混合物中测定发光量子效率，如被用于有机电致发光器件中的混合物。在实 施例部分中以一般术语详细地描述出于本发明的目的进行发光量子产率测定的方式。
[0032] 此外优选的是，TADF化合物具有短的衰减时间。所述衰减时间优选< 50ys。在 实施例部分中以一般术语详细描述了出于本发明的目的测定衰减时间的方式。
[0033] 通过量子化学计算测定最低激发单重态（S1)和最低三重态（T1)的能量。在实施 例部分中概括地详细地描述了在本发明的意义上进行这种测定的方式。
[0034] 如上所述，31与Ti之间的间隔可最大为0. 15eV以使得所述化合物是在本发明意 义上的TADF化合物。51与Ti之间的间隔优选彡0. 10eV，特别优选彡0. 08eV，非常特别优 选< 0?05eV〇
[0035] 所述TADF化合物优选是具有供体以及受体取代基两者的芳族化合物，其中所述 化合物的LUMO和HOMO仅在空间上弱重叠。供体或受体取代基所指的意思在原则上是本领 域普通技术人员已知的。合适的供体取代基特别是二芳基氨基和二杂芳基氨基基团和咔唑 基团或咔唑衍生物，所述基团中的每个优选经由N键合至芳族化合物。这些基团也可进一 步被取代。合适的受体取代基特别是氰基基团，以及例如缺电子杂芳基基团，其也可进一步 被取代。
[0036]为了防止发光层中形成激基复合物（exciplex)，以下优选适用于LUMO(TADF)即 TADF化合物的LUMO和HOMO(基质）即所述式⑴化合物的HOMO:
[0037]LUMO(TADF) -H0M0 (基质）W1 (TADF) - 0? 4eV;
[0038] 特别优选地：
[0039]LUMO(TADF) -H0M0 (基质）W1 (TADF) - 0? 3eV;
[0040] 并且非常特别优选地：
[0041]LUMO(TADF) -H0M0 (基质）W1 (TADF) - 0? 2eV。
[0042] 此处的S1 (TADF)是所述TADF化合物的第一激发单重态Sp
[0043] 合适的TADF化合物的实例是下表中所示的结构。
[0044]
[0046] 在本发明的一个优选实施方式中，所述式（1)的化合物是所述TADF化合物的基质 材料。混合物中的TADF化合物是发光化合物，即观察到从发光层发光的化合物，而充当基 质材料的所述式（1)的化合物无助于或不显著有助于混合物的发光。
[0047] 在本发明的一个优选实施方式中，所述发光层仅由所述式（1)的化合物和TADF化 合物构成。
[0048] 为了使显示TADF的化合物是发光层的混合物中的发光化合物，所述式（1)化合物 的最低三重态能量优选比所述TADF化合物的三重态能量低最多0.leV。特别优选地，T1 (基 质）彡T1(TADF)。以下特别优选地适用=T1 (基质^T1(TADF)彡0.leV，非常特别优选地 T1 (基质PT1(TADF)彡0. 2eV。此处的T1 (基质）代表所述式（1)的化合物的最低三重态 能量，并且T1 (TADF)代表所述TADF化合物的最低三重态能量。此处通过如下文实施例部 分中关于显示TADF的化合物以一般术语描述的量子化学计算来测定所述基质的三重态能 量。
[0049] 下文描述所述式（1)的化合物的优选实施方式。
[0050] 如上所述，所述式（1)化合物中的至少一个基团X-X代表式（2)的基团并且每个 环最多一个基团X-X代表式（2)的基团。所述基团X-X在此处由单键表示。然而，由于所 述式（1)的化合物中的基团X-X键合在芳族基团中，因此显然这旨在是指芳族键，即两个原 子X之间的键的键级介于1与2之间。所述式（2)的基团此处键合在任何所需的位置，并 且基团Y1和Y2可能彼此呈顺式构型或呈反式构型。不代表式（2)基团的基团X在每次出 现时相同或不同地代表CR或N。
[0051] 在本发明的一个优选实施方式中，E在每次出现时相同或不同地选自单键、CR2、 NR、0和S。E特别优选地代表单键。
[0052] 优选的式⑴的化合物是下式（3)至（9)的化合物，
[0053]
[0054] 其中W、Y1、Y2、R、R1和R2具有上述含义，并且此外：
[0055]X在每次出现时相同或不同地是CR或N。
[0056] 在上述式⑴和⑶至（9)的优选基团中，每个环最多两个符号X代表N，特别优 选地每个环最多一个符号X代表N。非常特别优选地，符号X在每次出现时相同或不同地代 表CR0
[0057] 在上述式（2)至（9)的优选基团中，每个环最多两个符号W代表N，特别优选地每 个环最多一个符号W代表N。非常特别优选地，符号W在每次出现时相同或不同地代表CR。
[0058] 特别优选地，式（3)至（9)中的所有符号X和所有符号W相同或不同地代表CR。 [00