59]式（3)至（9)的优选实施方式是下式（3a)至（9a)的化合物，
[0060]
[0061] 其中所用的符号具有上述含义。
[0062] 在本发明的另一个优选实施方式中，Y1和Y2在每次出现时相同或不同地选自CR2、 NR、0 和S。
[0063] 在式（1)和⑶至（9)和（3a)至（9a)的基团中，所有组合都适合于基团Y1和Y2。 优选地，至少一个基团Y1和/或Y2代表杂原子，即基团Y1和/或Y2中的至少一个优选不同 于CR2。
[0064]Y1和Y2的优选组合是下表中所示的组合。
[0065]
[0066]优选如下式（1)和⑶至（9)和（3a)至(9a)的化合物，其中基团Y1和Y2中的一 个代表〇?2并且基团Y1和Y2中的另一个代表NR或其中基团Y1和Y2均代表NR或其中基团 Y1和Y2均代表0。
[0067] 如果Y1或Y2代表NR，则键合至这个氮原子的取代基R优选代表具有5至24个芳 族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系还可被一个或多个基团R1取代。在一个特别优选 的实施方式中，这个取代基R在每次出现时相同或不同地代表具有6至24个芳族环原子的 芳族或杂芳族环系，所述环系不具有如下的稠合芳基基团并且所述环系不具有如下的稠合 杂芳基基团，其中两个或更多个芳族或杂芳族6元环基团直接稠合在彼此上，并且所述环 系在每种情况下还可被一个或多个基团R1取代。此处的芳族或杂芳族环系优选不含其中多 于两个的芳族六元环彼此直接稠合的稠合芳基或杂芳基基团。它们特别优选绝对不含其中 芳族六元环彼此直接稠合的稠合芳基或杂芳基基团。因此，R优选不具有例如萘基基团或 更高级稠合芳基基团并且同样不具有喹啉基团、叮啶基团等。相比之下，R可具有例如咔唑 基团、二苯并呋喃基团等，因为在这些结构中没有6元芳族或杂芳族环基团彼此直接稠合。 优选的取代基R选自苯，邻位联苯、间位联苯或对位联苯，邻位三联苯、间位三联苯、对位三 联苯或支链三联苯，邻位四联苯、间位四联苯、对位四联苯或支链四联苯，1-芴基、2-芴基、 3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，1-萘基或2-萘 基，吡咯，呋喃，噻吩，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，1-咔唑、2-咔唑或3-咔唑，1-二苯并呋喃、 2-二苯并呋喃或3-二苯并呋喃，1-二苯并噻吩、2-二苯并噻吩或3-二苯并噻吩，茚并咔 唑，吲哚并咔唑，2-吡啶、3-吡啶或4-吡啶，2-嘧啶、4-嘧啶或5-嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪， 菲或这些基团中的两种或三种的组合，所述基团中的每个可被一个或多个基团R1取代。
[0068] 如果Y1或Y2代表CR2，则R优选在每次出现时相同或不同地代表具有1至10个C 原子的直链烷基基团或代表具有3至10个C原子的支链或环状的烷基基团或代表具有5 至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述基团或环系还可被一个或多个基团R1取代。 此处的基团R还可彼此形成环系并且因此形成螺环系。R非常特别优选代表甲基基团或代 表苯基基团。此处螺环系还可通过苯基基团的成环产生。
[0069] 在本发明的一个优选实施方式中，基团Y1和Y2中的至少一个代表NR，并且相应的 基团R代表如上所述的芳族或杂芳族环系。在这种情况下，键合至所述式（1)的化合物或 优选实施方式的骨架的所有取代基R还可优选代表H。
[0070] 在所述式（1)的化合物或上述优选实施方式的另一个优选实施方式中，键合至所 述式（1)的化合物骨架的至少一个取代基R代表除H或D之外的基团。特别是，式（3a)至 (9a)中明确绘制的基团R中的至少一个不是H或D。
[0071] 不等于H或D的这个取代基R优选代表具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳 族环系，所述环系还可被一个或多个基团R1取代。在一个特别优选的实施方式中，这个取代 基R在每次出现时相同或不同地代表具有6至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述 环系不具有如下的稠合芳基基团并且所述环系不具有如下的稠合杂芳基基团，其中两个或 更多个芳族或杂芳族6元环基团直接稠合在彼此上，并且所述环系在每种情况下还可被一 个或多个基团R1取代。它们特别优选地绝对不含其中芳族六元环彼此直接稠合的稠合芳基 或杂芳基基团。因此，R优选不具有例如萘基基团或更高级稠合芳基基团并且同样不具有 喹啉基团、叮啶基团等。相比之下，R可具有例如咔唑基团、二苯并呋喃基团、芴基团等，因 为在这些结构中没有6元芳族或杂芳族环基团彼此直接稠合。优选的取代基R选自苯，邻 位联苯、间位联苯或对位联苯，邻位三联苯、间位三联苯、对位三联苯或支链三联苯，邻位四 联苯、间位四联苯、对位四联苯或支链四联苯，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二 芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，1-萘基或2-萘基，吡咯，呋喃，噻吩，吲哚， 苯并呋喃，苯并噻吩，1-咔唑、2-咔唑或3-咔唑，1-二苯并呋喃、2-二苯并呋喃或3-二苯 并呋喃，1-二苯并噻吩、2-二苯并噻吩或3-二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，2-吡啶、 3-吡啶或4-吡啶，2-嘧啶、4-嘧啶或5-嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，菲或这些基团中的两种或 三种的组合，所述基团中的每个可被一个或多个基团R1取代。
[0072] 在本发明的一个优选实施方式中，上述优选情形同时出现。因此优选如下式（3a) 至（9a)的化合物，其中Y1和Y2在每次出现时相同或不同地选自CR2、NR、0和S，特别是呈 上述组合，并且其中上述优选情形适用于R。
[0073] 优选的式（1)的化合物的实例是下表中所示的化合物。
[0074]
[0081] 下文更详细地描述有机电致发光器件。
[0082] 所述有机电致发光器件包含阴极、阳极和发光层。除了这些层之外，其还可包含另 外的层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、 电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层和/或电荷产生层。然而，应当指出，这些层中的每个 并非必须都存在。
[0083]在根据本发明的有机电致发光器件的其它层中，特别是在空穴注入和空穴传输层 中以及在电子注入和电子传输层中，可以使用通常根据现有技术使用的所有材料。此处的 空穴传输层还可被P掺杂并且所述电子传输层还可被n掺杂。此处的p掺杂层被认为是指 其中已产生自由空穴并且从而其电导率已经增加的层。OLED中的掺杂传输层的综合讨论可 见于Chem.Rev.(化学评论）2007, 107, 1233中。p掺杂剂特别优选能够氧化空穴传输层中 的空穴传输材料，即具有足够高的氧化还原电势，特别是比空穴传输材料更高的氧化还原 电势。合适的掺杂剂原则上是作为电子受体化合物并且能够通过主体氧化而增加有机层的 电导率的所有化合物。本领域技术人员将能够基于其一般专业知识在不作出重大努力的情 况下识别合适的化合物。特别合适的掺杂剂是WO2011/073149、EP1968131、EP2276085、EP2213662、EP1722602、EP2045848、DE102007031220、US8044390、US8057712、WO 2009/003455、TO2010/094378、TO2011/120709 和US2010/0096600 中公开的化合物。
[0084]因此，本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下组合使用关于有机电 致发光器件已知的所有材料与根据本发明的发光层。
[0085] 所述阴极优选包含具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，所述多层结构包 含不同金属例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素（例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等）。此外合适的是碱金属或碱土金属与银的合金，例如镁和银的合金。在多层结构情 况下，除所述金属之外，也可使用具有相对高逸出功的其它金属例如Ag，在这种情况下，通 常使用金属的组合，例如Ca/Ag或Ba/Ag。也可以优选在金属阴极和有机半导体之间引入 具有高介电常数的材料的薄中间层。适合于这个目的的例如是碱金属氟化物或碱土金属氟 化物，但也可以是相应的氧化物或碳酸盐（例如LiF、Li20、BaF2、MgO、NaF、CsF、082〇)3等）。 这个层的层厚度优选为〇? 5nm至5nm〇
[0086] 所述阳极优选包含具有高逸出功的材料。所述阳极优选具有相对于真空大于 4. 5eV的逸出功。一方面，适于这个目的的是具有高氧化还原电势的金属，例如Ag、Pt或Au。另一方面，也可以优选金属/金属氧化物电极（例如Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)。此处的电 极中的至少一个必须是透明的或部分透明的，以利于光的耦合输出。优选的结构使用透明 阳极。此处优选的阳极材料是导电性混合金属氧化物。特别优选氧化铟锡（ITO)或氧化铟 锌（IZO)。此外优选导电性掺杂有机材料，特别是导电性掺杂聚合物。
[0087] 所述器件被相应地（取决于应用）结构化、设置以接触并且最后被紧密地密封，因 为这种类型的器件的寿命在水和/或空气存在下急剧缩短。
[0088] 此外优选如下的有机电致发光器件，其特征在于，借助于升华方法施加一个或多 个层，其中在真空升华单元中，在小于10 5毫巴、优选小于10 6毫巴的初始压力下气相沉积 所述材料。然而，所述压力也可能甚至更低，例如小于10 7毫巴。
[0089] 同样优选如下的有机电致发光器件，其特征在于通过OVPD(有机气相沉积）方法 或借助于载气升华来施加一个或多个层，其中在10 5毫巴至1巴的压力下施加所述材料。这 种方法的特别例子是OVJP(有机蒸气喷印）方法，其中所述材料通过喷嘴直接施加并且因 此是结构化的（例如M.S.Arnold等，Appl.Phys.Lett.(应用物理快报）2008, 92, 053301)。