运 工具、宇宙飞船、陆地运输工具、装备或易受环境降解的任何装置的一部分。
[0230] D5.如条款D1~D4中任一款所述的经涂布的基底，其中，所述经涂布的基底具有 耐磨性、耐化学性、杀菌性和/或防结冰性。
[0231]D6.如条款D1~D5中任一款所述的经涂布的基底，其中，所述经涂布的基底的化 学反应性低于所述基底。
[023引 D7.如条款D1~D6中任一款所述的经涂布的基底，其中，所述腐蚀抑制涂料形成 层、涂层、共形涂层、膜、膜片和生物膜中的至少一种的至少一部分。
[0233] D8.如条款D1~D7中任一款所述的经涂布的基底，其中，所述腐蚀抑制涂料在所 述基底上固化和/或结合于所述基底。
[0234] D9.如条款D1~D8中任一款所述的经涂布的基底，其中，所述基底具有腐蚀电 势幅度，并且所述不稳定连接被选择为在低于所述腐蚀电势幅度的约100%、约90%、约 80%、约70%、约50%、约40%、约30%、约20%或约10%的幅度下解离。
[0235] E1. -种制造经涂布的基底的方法，所述方法包括：
[0236] 选择条款B1~B21中任一款所述的腐蚀抑制涂料，
[0237] 选择基底讯
[023引将所述腐蚀抑制涂料施涂于所述基底。
[0239] E2.如条款E1所述的方法，其中，所述施涂步骤包括对所述基底进行涂漆、喷雾、 电喷雾、电泳涂装、粉末涂布、烙融粘合和浸溃中的至少一种。
[0240] E3.如条款E1~E2中任一款所述的方法，其中，所述腐蚀抑制涂料的至少一部分 由微生物产生。
[0241] E4.如条款E1~E3中任一款所述的方法，其中，所述施涂步骤包括施涂产生所述 腐蚀抑制涂料的至少一部分的微生物。
[024引E5.如条款E1~E4中任一款所述的方法，其中，所述经涂布的基底是条款D1~D9中任一款所述的经涂布的基底。
[0243] 如本文所用，术语"选择性的"和"选择性地"在修饰装置的一种或多种部件或特 征的作用、移动、构造或其他活性时，是指该特定作用、移动、构造或其他活性是所述装置的 一个方面或一个或多个部件的使用者操作的直接或间接结果。
[0244] 如本文所用，术语"适合于"和"配置为"是指元件、部件或其他主题被设计成和/ 或计划成执行给定功能。因此，对术语"适合于"和"配置为"的使用不应解读为意味着给定 的元件、部件或其他主题简单地"能够"执行给定功能，而是应解读为所述元件、部件和/或 其他主题是针对执行所述功能的目的而特定地选择、制造、实施、利用、编程和/或设计的。 还在本公开范围内的是，记载为适合于执行特定功能的元件、部件或其他主题，可W另外地 或替代性地被描述为被配置为执行所述功能，反之亦然。类似地，记载为被配置为执行特定 功能的主题，可W另外地或替代性地被描述为能够工作而执行所述功能。
[0245] 本文中公开的各种公开的装置元件和方法步骤并非对本公开所述的所有装置和 方法都是必需的，且本公开包括本文所公开的各种元件和步骤的所有新颖的、非显而易见 的组合和次级组合。此外，本文所公开的各种元件和步骤中的一种或多种可W界定独立的 发明性主题，其在已公开的装置或方法的整体之外且与之分离。因此，运种发明性主题不必 与本文中明确公开的具体装置和方法相关，并且运种发明性主题可W用于未在本文中明确 公开的装置和/或方法中。
[0246] 条款1. 一种制造腐蚀抑制涂料的方法，所述方法包括：选择适合于涂布基底的载 体，选择大环多硫化物，和将所述大环多硫化物与所述载体混合W形成所述腐蚀抑制涂料。
[0247] 条款2.如条款1所述的方法，所述方法还包括：选择所述载体W使其与硫醇基具 有反应性并且与所述大环多硫化物不具有反应性。
[024引条款3. -种制造腐蚀抑制涂料的方法，所述方法包括：选择腐蚀抑制化合物，所 述腐蚀抑制化合物包含至少两个抑制剂基团，其中，所述抑制剂基团通过不稳定连接而连 接至所述腐蚀抑制化合物，其中，所述不稳定连接被选择为响应于腐蚀刺激而解离W产生 解离的抑制剂基团；选择适合于涂布基底的载体；和将所述腐蚀抑制化合物与所述载体混 合。
[0249] 条款4.如条款3所述的方法，其中，选择腐蚀抑制化合物的步骤包括选择作为聚 合物的腐蚀抑制化合物。
[0250] 条款5.如条款3或4所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化合物W 使得所述不稳定连接包括硫键、二硫键和多硫键中的一种。
[0巧1] 条款6.如条款3或4所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化合物W 使得所述不稳定连接包括金属-硫键。
[0巧2] 条款7.如条款3~6中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述载体W包 括热固性聚合物、环氧材料、树脂和聚氨醋中的至少一种。
[0巧引条款8.如条款3~7中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制 化合物W使得所述不稳定连接将在幅度低于约600mV的腐蚀电势下解离。
[0254] 条款9.如条款3~8中任一项所述的方法，所述方法还包括选择所述载体W涂布 基本上金属的基底，并且所述方法还包括选择所述腐蚀抑制化合物W使得所述解离的抑制 剂基团在比所述金属基底的腐蚀电势更低幅度的电势下在所述金属基底处被还原。
[0巧5] 条款10.如条款3~9中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制 化合物W使得所述解离的抑制剂基团包括硫醇和硫酬中的至少一种。
[0巧6] 条款11.如条款3~10中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑 制化合物W使得所述解离的抑制剂基团包括胺和酷胺中的至少一种。
[0巧7] 条款12.如条款3~11中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑 制化合物W对于所述基底具有特异性亲和力。
[0巧引条款13.如条款3~12中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑 制化合物W使得所述解离的抑制剂基团包括至少一个部分，各个部分独立地选自由挫、= 挫、嚷挫、二嚷挫和嚷二挫组成的组。
[0巧9] 条款14.如条款3~13中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑 制化合物W使得所述解离的抑制剂基团包括硫醇基取代的含N芳香环。
[0260] 条款15.如条款3~14中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑 制化合物并选择所述载体W使得所述腐蚀抑制涂料包含低于lOppm的六价铭。
[0261] 条款16.如条款3所述的方法，其中，混合步骤包括混合W使得所述腐蚀抑制涂料 具有少于约1%的腐蚀抑制化合物重量百分比。
[0262] 条款17.如条款3所述的方法，其中，选择腐蚀抑制化合物的步骤包括选择从植物 和微生物中的至少一种中提取出的腐蚀抑制化合物。
[0263] 条款18. -种经涂布的基底，其包括：包含大环多硫化物的固化的腐蚀抑制涂料， 所述大环多硫化物包含至少两个抑制剂基团，其中，所述抑制剂基团通过不稳定连接而连 接至所述大环多硫化物，并且所述不稳定连接被选择为响应于腐蚀刺激而解离W产生解离 的抑制剂基团；和基底，其中，所述固化的腐蚀抑制涂料贴附于所述基底。
[0264] 条款19.如条款18所述的经涂布的基底，其中，所述基底基本上由侣合金构成。
[0265] 条款20.如条款18或19所述的经涂布的基底，其中，所述大环多硫化物被选择为 贴附于所述基底。
[0266] 条款21.如条款18或19所述的经涂布的基底，其中，所述解离的抑制剂基团是电 活性的。
[0267] 条款22.如条款18所述的经涂布的基底，其中，所述基底具有腐蚀电势，并且所述 不稳定连接被选择为在比所述基底的腐蚀电势更低幅度的电势下解离。
[026引条款23.如条款18所述的经涂布的基底，其中，所述基底具有腐蚀电势，并且所述 解离的抑制剂基团被选择为在比所述基底的腐蚀电势更低幅度的电势下发生还原。
【主权项】
1. 一种制造腐蚀抑制涂料的方法，所述方法包括： 选择适合于涂布基底的载体， 选择大环多硫化物；和 将所述大环多硫化物与所述载体混合以形成所述腐蚀抑制涂料。2. 如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：选择所述载体以使其与硫醇基具有反 应性并且与所述大环多硫化物不具有反应性。3. -种制造腐蚀抑制涂料的方法，所述方法包括： 选择腐蚀抑制化合物，所述腐蚀抑制化合物包含至少两个抑制剂基团，其中，所述抑制 剂基团通过不稳定连接而连接至所述腐蚀抑制化合物，其中，所述不稳定连接被选择为响 应于腐蚀刺激而解离以产生解离的抑制剂基团； 选择适合于涂布基底的载体；和 将所述腐蚀抑制化合物与所述载体混合。4. 如权利要求3所述的方法，其中，选择腐蚀抑制化合物的步骤包括选择作为聚合物 的腐蚀抑制化合物。5. 如权利要求3或4所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化合物以使得 所述不稳定连接包括硫键、^硫键和多硫键中的一种。6. 如权利要求3或4所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化合物以使得 所述不稳定连接包括金属-硫键。7. 如权利要求3~6中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述载体以包含热 固性聚合物、环氧材料、树脂和聚氨酯中的至少一种。8. 如权利要求3所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化合物以使得所述 不稳定连接将在幅度低于约600mV的腐蚀电势下解离。9. 如权利要求3所述的方法，所述方法还包括选择所述载体以涂布基本上金属的基 底，并且所述方法还包括选择所述腐蚀抑制化合物以使得所述解离的抑制剂基团将在比金 属基底的腐蚀电势更低幅度的电势下在所述金属基底处被还原。10. 如权利要求3~9中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化合 物以使得所述解离的抑制剂基团包括硫醇和硫酮中的至少一种。11. 如权利要求3所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化合物以使得所述 解离的抑制剂基团包括胺和酰胺中的至少一种。12. 如权利要求3所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化合物以对于所述 基底具有特异性亲和力。13. 如权利要求3~12中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化 合物以使得所述解离的抑制剂基团包括至少一个部分，各个部分独立地选自由唑、三唑、噻 唑、二噻唑和噻二唑组成的组。14. 如权利要求3~13中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化 合物以使得所述解离的抑制剂基团包括硫醇基取代的含N芳香环。15. 如权利要求3~14中任一项所述的方法，所述方法还包括：选择所述腐蚀抑制化 合物并选择所述载体以使得所述腐蚀抑制涂料包含低于IOppm的六价络。16. 如权利要求3所述的方法，其中，混合步骤包括混合以使得所述腐蚀抑制涂料具有 少于约I%的腐蚀抑制化合物重量百分比。17. 如权利要求3所述的方法，其中，选择腐蚀抑制化合物的步骤包括选择从植物和微 生物中的至少一种中提取出的腐蚀抑制化合物。18. -种经涂布的基底，所述经涂布的基底包含： 包含大环多硫化物的固化的腐蚀抑制涂料，所述大环多硫化物包含至少两个抑制剂基 团，其中，所述抑制剂基团通过不稳定连接而连接至所述大环多硫化物，而且所述不稳定连 接被选择为响应于腐蚀刺激而解离以产生解离的抑制剂基团；和 基底，其中，所述固化的腐蚀抑制涂料贴附于所述基底。19. 如权利要求18所述的经涂布的基底，其中，所述基底基本上由铝合金构成。20. 如权利要求18或19所述的经涂布的基底，其中，所述大环多硫化物被选择为贴附 于所述基底。21. 如权利要求18所述的经涂布的基底，其中，所述解离的抑制剂基团是电活性的。22. 如权利要求18所述的经涂布的基底，其中，所述基底具有腐蚀电势，并且所述不稳 定连接被选择为在比所述基底的腐蚀电势更低幅度的电势下解离。23. 如权利要求18所述的经涂布的基底，其中，所述基底具有腐蚀电势，并且所述解离 的抑制剂基团被选择为在比所述基底的腐蚀电势更低幅度的电势下发生还原。
【专利摘要】公开了腐蚀抑制体系，包括经涂布的基底、涂料和腐蚀抑制化合物，及其制造方法。这些体系和方法包括腐蚀抑制化合物，所述化合物可响应于表面腐蚀而在出现腐蚀刺激时释放出活性抑制剂基团。所述活性抑制剂基团被选择为通过抑制氧化反应、抑制还原反应和/或通过形成钝化层来阻断表面腐蚀。
【IPC分类】C09D5/00
【公开号】CN105189663
【申请号】CN201480016496
【发明人】P·J·金林, E·D·萨珀
【申请人】波音公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2014年2月19日
【公告号】CA2904222A1, EP2986678A1, US20140315004, WO2014172004A1