一种芬顿深度处理印染废水的方法

文档序号:9483049阅读:409来源:国知局
一种芬顿深度处理印染废水的方法
【技术领域】
[0002] 本发明设及一种芬顿深度处理印染废水的方法。
[0003]
【背景技术】
[0004] 印染,又称之为染整。是一种加工方式,也是前处理,染色,印花,后整理,洗水等 的总称。印染废水是加工棉、麻、化学纤维及其混纺产品为主的印染厂排出的废水。印染废 水水量较大,每印染加工1吨纺织品耗水100~200吨,其中80~90%成为废水。纺织印 染废水具有水量大、有机污染物含量高、碱性大、水质变化大等特点,属难处理的工业废水 之一,废水中含有染料、浆料、助剂、油剂、酸碱、纤维杂质、砂类物质、无机盐等。
[0005] 用于印染废水处理的主要方法有物化法、生化法、化学法W及几种工艺结合的处 理方法,而废水处理中的预处理主要是为了改善废水水质,去除悬浮物及可直接沉降的杂 质,调节废水水质及水量、降低废水溫度等,提高废水处理的整体效果,确保整个处理系统 的稳定性,因此预处理在印染废水处理中具有极其重要的地位。
[0006] 印染行业是工业废水排放大户,据不完全统计,全国印染废水每天排放量为 3X106~4X106m3。印染废水具有水量大、有机污染物含量高、色度深、碱性大、水质变化 大等特点,属难处理的工业废水。
[0007] 近来发现,印染中对于芳绝高溫高压载体染色等产生的废水,通过常规的物化、水 解酸化、活性污泥法处理,化学需氧量(CODcr)无法处理到国家规定的太湖流域一级排放标 准,为最大限度减少对环境的污染,节约国家资源,实现可持续发展,需寻找有效的化学需 氧量(CODcr)的深度处理方法变得尤为重要。
[0008]

【发明内容】

[0009] 鉴于W上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种芬顿深度处理印染废 水的方法,能高效率减少化学需氧量(CODcr)对环境的污染,实现印染行业的可持续发展。
[0010] 为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种芬顿深度处理印染废水的方 法,其步骤为: 第一步,进行预处理后的废水流入芬顿加药池,向芬顿加药池内依次投入硫酸亚铁、双 氧水、硫酸; 第二步,废水经过过芬顿加药池的=格,进入芬顿反应池,在芬顿反应池内进行充分揽 拌,使其进行芬顿反应,芬顿反应后的废水进行曝气处理,然后进入絮凝池; 第S步,在絮凝池中加入碱,调整PH值到6. 5-7,加入高分子絮凝剂进行絮凝反应; 第四步,在絮凝池的废水经过絮凝反应后进入沉淀池进行泥水分离,沉淀时间为 2. 5-3.Oho
[0011] 优选地,第一步中芬顿加药池分为=格,向第一格中投加硫酸亚铁,加药量为10% 硫酸亚铁投加2%。,在第二格中投加双氧水,加药量为30%双氧水投加0. 5%。-1%。,在第=格 中投加硫酸,调节其废水的PH值到3. 5-5。
[0012] 优选地,第二步中采用分段曝气,其分段曝气反应时间为3. 0-3.化。
[0013] 优选地,第S步中加入的高分子絮凝剂为聚丙締酷胺,反应时间为20-30min。
[0014] 优选地,所述芬顿加药池采用PH控制器及rcL进行智能控制加药。
[0015] 如上所述,本发明的一种芬顿深度处理印染废水的方法,具有W下有益效果:相比 常规的分顿处理方法,本方法的PH值相对较高,节约成本。能对生化不能去除的化学需氧 量(CODcr)进一步去除,满足出水指标要求。工艺流程简单,易于实现废水处理设施的自动 化运行。操作管理简便,通过PH控制器化及PLC等控制方法投加药剂,降低运行成本。化 学需氧量(CODcr)的去除率高,处理后的废水中化学需氧量(CODcr)浓度远远低于国家排 放标准。具有实用性、高效性、可靠性、稳定性和自动化程度高等特点,其处理成本低、运行 操作简便、去除率高且稳定。
[0016]
【附图说明】
[0017] 图1为一种芬顿深度处理印染废水的方法的流程图。
[0018]
【具体实施方式】
[0019] W下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,熟悉此技术的人±可由本说明 书所掲露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
[0020] 请参阅图1。须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用W配合 说明书所掲示的内容,W供熟悉此技术的人±了解与阅读,并非用W限定本发明可实施的 限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在 不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所掲示的技术内容 得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如"上"、"下"、"左"、"右"、"中间"及"一"等 的用语,亦仅为便于叙述的明了,而非用W限定本发明可实施的范围,其相对关系的改变或 调整,在无实质变更技术内容下,当亦视为本发明可实施的范畴。
[0021] 如图1,本发明提供一种芬顿深度处理印染废水的方法,其步骤为: 第一步,进行预处理后的废水流入芬顿加药池,向芬顿加药池内依次投入硫酸亚铁、双 氧水、硫酸; 第二步,废水经过过芬顿加药池的=格,进入芬顿反应池,在芬顿反应池内进行充分揽 拌,使其进行芬顿反应,芬顿反应后的废水进行曝气处理,然后进入絮凝池; 第S步,在絮凝池中加入碱,调整PH值到6. 5-7,加入高分子絮凝剂进行絮凝反应; 第四步,在絮凝池的废水经过絮凝反应后进入沉淀池进行泥水分离,沉淀时间为 2. 5-3.Oho
[0022] 在本实施例中,第一步中芬顿加药池分为兰格,向第一格中投加硫酸亚铁,加药量 为10%硫酸亚铁投加2%。,在第二格中投加双氧水,加药量为30%双氧水投加0. 5%。-1%。,在 第S格中投加硫酸,调节其废水的PH值到3. 5-5。
[0023] 在本实施例中,第二步中采用分段曝气,其分段曝气反应时间为3. 0-3.化。
[0024] 在本实施例中,第S步中加入的高分子絮凝剂为聚丙締酷胺,反应时间为 20-30min〇
[0025] 在本实施例中,所述芬顿加药池采用PH控制器及rcL进行智能控制加药。
[0026] 车间产生的印染废水经过物化预处理、水解酸化、活性污泥、二沉池等常规处理。 化学需氧量(CODcr)在150左右。随后依次进入芬顿加药池、芬顿反应池、絮凝池、=沉池。
[0027] 下表为本发明实施例印染废水深度处理后的去除效果。
如上所述,本发明提供的一种芬顿深度处理印染废水的方法,相比常规的分顿处理方 法,本方法的PH值相对较高,节约成本。能对生化不能去除的化学需氧量(CODcr)进一步去 除,满足出水指标要求。工艺流程简单,易于实现废水处理设施的自动化运行。操作管理 简便,通过PH控制器W及PLC等控制方法投加药剂,降低运行成本。化学需氧量(CODcr)的 去除率高,处理后的废水中化学需氧量(CODcr)浓度远远低于国家排放标准。具有实用性、 高效性、可靠性、稳定性和自动化程度高等特点,其处理成本低、运行操作简便、去除率高且 稳定。所W,本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0029] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟 悉此技术的人±皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因 此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所掲示的精神与技术思想下所完 成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【主权项】
1. 一种芬顿深度处理印染废水的方法,其特征在于:其步骤为: 第一步,进行预处理后的废水流入芬顿加药池,向芬顿加药池内依次投入硫酸亚铁、双 氧水、硫酸; 第二步,废水经过过芬顿加药池的三格,进入芬顿反应池,在芬顿反应池内进行充分搅 拌,使其进行芬顿反应,芬顿反应后的废水进行曝气处理,然后进入絮凝池; 第三步,在絮凝池中加入碱,调整PH值到6. 5-7,加入高分子絮凝剂进行絮凝反应; 第四步,在絮凝池的废水经过絮凝反应后进入沉淀池进行泥水分离,沉淀时间为 2. 5~3. Oh〇2. 根据权利要求1所述的一种芬顿深度处理印染废水的方法,其特征在于:在第一步 中,芬顿加药池分为三格,向第一格中投加硫酸亚铁,加药量为10%硫酸亚铁投加2%。,在第 二格中投加双氧水,加药量为30%双氧水投加0. 5%。-1%。,在第三格中投加硫酸,调节其废 水的PH值到3. 5-5。3. 根据权利要求2所述的一种芬顿深度处理印染废水的方法,其特征在于:第二步中 采用分段曝气,其分段曝气反应时间为3. 0-3. 5h。4. 根据权利要求3所述的一种芬顿深度处理印染废水的方法,其特征在于:第三步中 加入的高分子絮凝剂为聚丙烯酰胺,反应时间为20-30min。5. 根据权利要求1至4任意一权利要求所述的一种芬顿深度处理印染废水的方法,其 特征在于:所述芬顿加药池采用PH控制器及PCL进行智能控制加药。
【专利摘要】本发明提供一种芬顿深度处理印染废水的方法,第一步,进行预处理后的废水流入芬顿加药池,向芬顿加药池内依次投入硫酸亚铁、双氧水、硫酸;第二步,废水经过过芬顿加药池的三格,进入芬顿反应池,在芬顿反应池内进行充分搅拌,使其进行芬顿反应,芬顿反应后的废水进行曝气处理,然后进入絮凝池;第三步,在絮凝池中加入碱,调整PH值到6.5-7,加入高分子絮凝剂进行絮凝反应;第四步,在絮凝池的废水经过絮凝反应后进入沉淀池进行泥水分离,沉淀时间为2.5-3.0h。具有实用性、高效性、可靠性、稳定性和自动化程度高等特点,其处理成本低、运行操作简便、去除率高且稳定。
【IPC分类】C02F9/04, C02F103/30
【公开号】CN105236625
【申请号】CN201510762498
【发明人】王卫东, 董亮, 卜志威
【申请人】苏州市环境保护有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年11月11日
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