专利名称：上置式氯化汞触媒反应釜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及化工设备，具体地说是涉及一种氯化汞触媒反应釜。
背景技术：
现有技术中，氯化汞触媒反应釜都是将釜体安装在地下的，这样的反应釜具有占用空间少的优点，但是它有在渗漏损坏的情况下人们不易察觉的缺点，以至于渗漏时容易造成污染，还会造成损失。
发明内容本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供一种容易发现损泄露或损坏，进而减 少污染、减少损失的氯化汞触媒反应爸——上置式氯化汞触媒反应釜。本实用新型的技术方案是这样实现的上置式氯化汞触媒反应釜，包括反应釜体，其特征是所述的反应釜本体下面有一个架子，架子放置在地面上。较佳的,在架子上有一个承接盘,承接盘在反应釜体外围的下方,承接盘是一个具有环形的凹槽。本实用新型的有益效果是这样的氯化汞触媒反应釜具有容易发现损坏或泄漏，进而减少污染、减少损失的优点。
图I为本实用新型反应釜釜的结构示意图。其中I、反应釜体 2、架子 3、承接盘。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明。如图I所示，上置式氯化汞触媒反应釜，包括反应釜体1，其特征是所述的反应釜本体I下面有一个架子2，架子2放置在地面上。较佳的，在架子2上有一个承接盘3，承接盘3在反应釜体I外围的下方，承接盘3是一个环形的凹槽。设置凹槽可以在加料时承接着，减少浪费。
权利要求1.上置式氯化汞触媒反应釜，包括反应釜体，其特征是所述的反应釜本体下面有一个架子，架子放置在地面上。
2.根据权利要求I所述的反应釜，其特征是在架子上有一个承接盘，承接盘在反应釜体外围的下方，承接盘是一个具有环形的凹槽。
专利摘要本实用新型涉及化工设备，具体地说，涉及上置式氯化汞触媒反应釜，包括反应釜体，所述的反应釜本体下面有一个架子，架子放置在地面上，在架子上有一个承接盘，承接盘在反应釜体外围的下方，承接盘是一个具有环形的凹槽，这样的氯化汞触媒反应釜具有容易发现损坏或泄漏，进而减少污染、减少损失的优点。
文档编号B01J27/138GK202638408SQ20122021342
公开日2013年1月2日 申请日期2012年5月3日 优先权日2012年5月3日
发明者盛占峰 申请人:长葛市九州化工有限公司