1.ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法，其特征在于，首先通过溶胶凝胶法制备ZnO种子层溶液；采用浸渍-提拉法在ITO玻璃基底上涂覆ZnO种子层，经过热处理后，将长有ZnO种子层的导电玻璃放置在ZnO生长溶液中热水浴处理，得到ZnO纳米棒；将已经生长ZnO纳米阵列的试样放入硫代乙酰胺溶液中，经过水浴后制得ZnO/ZnS纳米阵列；采用离子交换法将CdS、CuS纳米粒子沉积到ZnO纳米层上，得到ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料。
2.如权利要求1所述的ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法，其特征在于，所述ZnO种子层溶液配制的工艺参数为：将醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和乙二醇甲醚(CH3OCH2CH2OH)混合并逐滴加入单乙醇胺(H2NCH2CH2OH)，配制0.2～0.5mol/L的ZnO种子层溶胶。
3.如权利要求1所述的ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法，其特征在于，制备所述ZnO镀膜的工艺参数为：采用浸渍-提拉法在ITO导电玻璃上完成ZnO镀膜，在80℃下烘干后，重复上述步骤对ITO导电玻璃进行第二次拉膜，两次拉膜结束后将ITO导电玻璃放置烘箱中干燥1～4h。
4.如权利要求1所述的ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法，其特征在于，制备所述ZnO纳米棒的工艺参数为：将样品进行退火处理后放入0.02～0.05mol/L硝酸锌和六次甲基四胺的混合生长溶液中，90℃下热水浴反应5～12h，60℃条件下干燥，得到ZnO纳米棒。
5.如权利要求1所述的ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法，其特征在于，制备所述ZnO/ZnS纳米阵列的工艺参数为：配制0.3～0.6mol/L硫代乙酰胺溶液(TAA)，将ZnO纳米棒试样放入TAA溶液中，烧杯密封后放入90℃的水浴锅中5～12h，得到在ZnO纳米阵列上生长ZnS纳米薄膜的ZnO/ZnS纳米阵列。
6.如权利要求1所述的ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法，其特征在于，制备所述ZnO/CdS纳米阵列复合材料的工艺参数为：采用离子交换法将CdS纳米粒子沉积到ZnO纳米层上；配制0.005～0.01mol/L的硝酸镉(Cd(NO3)2)水溶液并转移至水热釜中，然后将处理后的导电玻璃置于水热釜中，在140℃条件下置于烘箱中加热2h，取出后用去离子水洗净烘干得到ZnO/CdS纳米阵列复合材料。
7.如权利要求1所述的ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法，其特征在于，制备所述ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的工艺参数：选用三乙二醇作为溶剂，配制0.005～0.01mol/L的硝酸铜(Cu(NO3)2)，加热搅拌直至全溶并冷却至室温，将已经制备好的ZnO/CdS置于上述溶液，室温下反应1～4h后，洗净烘干得到ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料。