高能离子除雾脱水处理装置的制作方法

文档序号:14197644阅读:257来源:国知局
高能离子除雾脱水处理装置的制作方法

本实用新型涉及空气净化设备技术领域,具体涉及一种高能离子除雾脱水处理装置。



背景技术:

当今所有的工厂、电厂、化工厂排放的白色气体都是脱硫、脱硝、湿法除尘后的产物—水蒸气体,其在空气中飘浮。当水气蒸发后,其中的污染物有硫、硝形成的气溶胶飘浮在空中无法散去形成雾霾,锁住100米以下的低空,给人类生活、甚至生命带来严重影响。



技术实现要素:

本实用新型要解决的问题是提供一种高能离子除雾脱水处理装置,采用一种高能离子去除水气和其中的污染物,利用高能量、高频率、高速度产生的离子流,快速将水气撞击到接收极板(筒体内壁)上,形成水珠流下来,包括其中的污染物质。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种高能离子除雾脱水处理装置,包括具有气体处理通道的处理箱体,其特征在于:在处理箱体的气体处理通道内均匀设有1-20组除雾脱水组件,所述除雾脱水组件包括沿气体移动方向设置的筒体以及定位在筒体内的圆形刺片板。

进一步的,在所述处理箱体的底部固定有挡板,在挡板上设有与筒体的底部相配合的定位锥孔。

进一步的,每组除雾脱水组件中包括至少2个筒体,相邻筒体间借助连接板相连。

进一步的,所述除雾脱水组件中还包括与筒体相连的安装板,所述除雾脱水组件借助安装板与处理箱体相连。

进一步的,所述处理箱体包括框架以及固定在框架上形成气体处理通道的围板。

进一步的,所述圆形刺片板沿筒体的轴向在筒体内均匀设置有多个,所述多个圆形刺片板定位在同一个绝缘杆上。

进一步的,在绝缘杆的底部设有十字形的定位杆。

进一步的,所述绝缘杆与连接杆相连并借助连接杆与处理箱体相连。

进一步的,所述圆形刺片板的刺尖与筒体内壁距离为0.4-10mm。

本实用新型的有益技术效果是:本装置采用高能离子技术,经过多个工厂(化工厂、电厂、锅炉等)测试,除雾脱水效果明显,通过本装置的水蒸气体,肉眼已经看不到一丝气体,综合净化率达99.94%。

下面结合附图对本实用新型进行详细说明。

附图说明

图1是本实用新型高能离子除雾脱水处理装置结构示意图;

图2是本实用新型高能离子除雾脱水处理装置底部的结构示意图

图3是本实用新型高能离子除雾脱水处理装置中筒体与挡板连接的结构示意图;

图4是本实用新型高能离子除雾脱水处理装置中除雾脱水组件的结构示意图;

图5是本实用新型高能离子除雾脱水处理装置中圆形刺片板与绝缘杆的连接示意图。

在附图中:1是处理箱体,1-1是框架,1-2是围板,2是筒体,3是圆形刺片板,4是连接板,5是安装板,6是绝缘杆,7是定位杆,8是连接杆,9是挡板,9-1是定位锥孔。

具体实施方式

参见附图1-5,本实用新型提供了一种高能离子除雾脱水处理装置,包括具有气体处理通道的处理箱体1,关键在于:在处理箱体1的气体处理通道内均匀设有1-20组除雾脱水组件,上述的除雾脱水组件包括沿气体移动方向设置的筒体2以及定位在筒体2内的圆形刺片板3。圆形刺片板3与正电极相连形成发射极,筒体2与负电极相连形成接收极,在配套的控制电路下在正负极施加高压,在圆形刺片板3与筒体2内壁形成正负离子束,快速将经过气体处理通道的水气及其中的污染物质撞击到接收极板(筒体内壁)上,形成水珠流下来。

上述的除雾脱水组件在处理箱体1的气体处理通道内优选设有至少2组,在本实施例中均匀设有12组。

上述的处理箱体1包括框架1-1以及固定在框架1-1上形成气体处理通道的围板1-2。

参见附图2和3,上述的连接板4的长度小于筒体2的长度,在处理箱体1的底部固定有挡板9。挡板9起到使气体仅能通过筒体2的作用。为便于筒体2的定位,在挡板9上设有与筒体2的底部相配合的定位锥孔9-1,当筒体2的底部处于定位锥孔9-1内后通过焊接或者其他方式进行密封。

参见附图3-5,每组除雾脱水组件中包括至少2个筒体2,相邻筒体2间借助连接板4相连。上述的除雾脱水组件中还包括与筒体2相连的安装板5,上述的除雾脱水组件借助安装板5与处理箱体1相连。

在本实施例中筒体2在每组除雾脱水组件中设置了11个。

上述的圆形刺片板3沿筒体2的轴向在筒体2内均匀设置有多个(在本实施例中在每个筒体2内设置了10个),上述的多个圆形刺片板3定位在同一个绝缘杆6上。在绝缘杆6的底部设有十字形的定位杆7,以使得圆形刺片板3的刺尖与筒体2内壁距离为0.4-10mm。

上述的绝缘杆6与连接杆8相连并借助连接杆8与处理箱体1相连。

最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制;尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换;而不脱离本发明技术方案的精神,其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。

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