专利名称：半导体专用切削液的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于硅晶片和其它化合物半导体材料晶块切削的碱性半导体硅材料水基切削液，具体的说是，涉及一种半导体专用切割液。
背景技术：
目前国内提出关于半导体切削液的发明文献，例如，河北工业大学发明一种用于硅晶片和其它化合物半导体材料晶块切削的碱性半导体硅材料水基切削液，主要有聚乙二醇、PH值调节剂、螯合剂组成，能使切片中单一的机械作用转变为均勻稳定的化学机械作用，解决了切片工艺中的应力问题而降低损伤，减少了硅片表面微裂与破碎。辽宁奥克化学股份有限公司发明一种用于硬脆性材料加工的水溶性切削液，由聚完氧基化合物、抗极压螯合防沉剂、溶解促进剂组成，该切削液可在单晶硅、多晶硅、氮化铟镓或宝石的加工方面的应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型专用切削液，能有效降低表面张力、减少摩擦力， 切割片薄，成品率明显优于其它切割润滑产品。本发明涉及一种用于硅晶片和其它化合物半导体材料晶块切削的碱性半导体硅材料水基切削液，主要由聚乙二醇、PH值调节剂、螯合剂组成，其组分及生产浓度质量份数为分子量200-1000聚乙二醇30-90，pH值调节剂9-30，螯合剂1_10，去离子水余量。本发明将现有中性切削液改进为具有化学劈裂作用和与硅发生化学反应的碱性切削液，使切片中单一的机械作用转变为均勻稳定的化学机械作用，有效地解决了切片工艺中的应力问题而降低损伤，减少了硅片表面微裂与破碎。使后续加工去除量少，既提高了切片效率与成品率，有效地解决了切屑和切粒粉末的再沉积的问题，避免了硅片表面的化学键合吸附现象。上述半导体专用切割液，优选于以聚乙二醉与环氧乙烷为原料，由螯合剂pH值调节剂组成。上述半导体专用切割液，优选于电导率小于0. 4。上述半导体专用切割液，优选于有机醇、环氧乙烷、催化剂加入反应器聚合反应 (密闭)，经中和产生产品(醇醚)。反应温度为130-140度。相对于现有技术而言，克服了以往切割液使用范围大、针对性不强的缺点，专为太阳能硅片的切割使用，且对不同的多线切割机适应性较强。本新型专用切削液具有如下优势1、减少反应物质和反应程序。2、研制新型催化剂，提高反应效率，降低产品电导率。3、分子量大小均勻，表面张力小，带砂能力强。4、清洗能力强，分散剂是渗透剂，清洗能力强。5、不吸附硅片，达到了硅片碱质溶和酸质溶的要求。
图1为本发明专利工艺流程图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明。参照图1，图1为本发明专用切削液实施例的工艺流程图，步骤为预先将环氧乙烷用氮气压入车间计量罐，按工艺要求将聚乙二醇、氢氧化钠(催化剂)投入反应釜，搅拌均勻，然后缓慢压入环氧乙烷(氮气压送)，加热(蒸气)升温，在130-140°C反应，反应式
如下
;Η/ : 3υ. 4υΓ
H:C χ CH； + ROH -H—fHCH-CH:-rOH
Y 'ritij 1 n反应结束后，将反应物料用真空抽入中合釜，投入定量改性剂，在40°C搅拌一定时间，则为本产品新型切削液。以上对本发明所提供的一种半导体专用切削液进行详细介绍，本文中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
权利要求
1.一种半导体专用切削液，其特征在于，主要由聚乙二醇、PH值调节剂、螯合剂组成， 其组分及生产浓度质量份数为分子量200-1000聚乙二醇30-90，pH值调节剂9_30，螯合剂1-10，去离子水余量。
2.根据权利要求1所述的半导体专用切削液，其特征在于，以聚乙二醉与环氧乙烷为原料，由螯合剂P H值调节剂组成。
3.根据权利要求1所述的半导体专用切削液，其特征在于，新型切削液电导率小于0. 4。
4.根据权利要求1所述的半导体专用切削液，其特征在于，由机醇、环氧乙烷、催化剂加入反应器聚合反应(密闭)，经中和产生产品(醇醚)。
全文摘要
本发明公开了一种半导体专用切割液，采用专用科技配方合成，本品无毒无异味、不挥发、不易燃、化学性能稳定，主要用于太阳能硅片的多线切割，具有悬浮、分散、冷却功能、溶于水。是替代进口，降低成本的理想绿色环保产品。本产品具有优良的润滑性，防锈性同时也有着高速切削时所需要的润湿性和冷却性，用于各类半导体材料切割，也可用于一般有色金属切割。
文档编号C10M173/02GK102453595SQ20101051346
公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月21日 优先权日2010年10月21日
发明者周珉 申请人:河北伟业电子材料有限公司