一种防止积垢堵塞的气化炉的制作方法

文档序号:10009039阅读:484来源:国知局
一种防止积垢堵塞的气化炉的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及气化炉领域,具体是一种防止积垢堵塞的气化炉。
【背景技术】
[0002]自“十二五”以来,我国煤气化技术有了较大的发展。目前常见的煤气化炉类型有气流床、流化床和固定床。针对煤种、粒度、含硫、含灰的较大差别,气流床在实现工业化具有较为广泛的应运。尤其是以干煤粉为原料的航天炉(又名HT-L煤粉加压气化炉)技术具有长期运行稳定,经济上合理,环境友好型等优势,而被广泛的应用于煤制合成氨、煤制甲醇、煤制烯烃、煤制乙二醇、煤制天然气、煤制油、煤制氢等领域。
[0003]高温混合气(H2O: O2=0.05-0.1)与煤粉在气化炉烧嘴出口进行充分的混合、雾化反应,产生大量的&和CO以及极少量的C02/H2S的高温粗合成气。带有一部分熔融态灰渣的粗合成气(1400-1700°C ) 一起向下,经过均匀分布激冷水,大部分的熔渣经冷却固化后,落入激冷室底部,粗合成气从下降管和上升管的环隙上升出冷凝室。但在系统运行中,由于原气化炉结构的不合理,导致合成气无法顺畅流通。

【发明内容】

[0004]本实用新型为了解决合成气无法顺畅流通的问题,提供了一种防止积垢堵塞的气化炉。
[0005]本实用新型是通过以下技术方案实现:一种防止积垢堵塞的气化炉,包括燃烧室,位于燃烧室下方的激冷室,设于激冷室上的粗合成气出口,还包括位于激冷室内且与燃烧室下方渣口法兰连接的激冷环,同轴的焊接于激冷环下方的下降管,通过支撑于激冷室内壁的加强支撑板环套于下降管外且与下降管呈间隙配合的上升管,
[0006]位于下降管和上升管之间间隙上方的燃烧室渣口处安装有截面呈弯折结构的环形折流挡板,所述环形折流挡板的下端朝内弯折且环形折流挡板的下端高度低于上升管的上端面高度。
[0007]具体使用时,经过激冷环的粗合成气由下降管通过下降管和上升管之间的间隙上升至环形折流挡板,后又通过激冷室进入粗合成气出口。
[0008]本实用新型所述的防止积垢堵塞的气化炉,结构新颖、构思巧妙,该结构的设置使得气流带的灰渣不容易吸附在下降管形成灰垢堵塞下降管与上升管之间的间隙,解决了因大片积垢阻碍合成气通畅的问题,并且具有可实施性,降低了生产成本,确保生产连续稳定的进行,具有重要的经济效益。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型所述一种防止积垢堵塞的气化炉的结构示意图。
[0010]图中:1-燃烧室,2-激冷环,3-下降管,4-激冷室,5-粗合成气出口,6-加强支撑板,7-上升管,8-环形折流挡板。
【具体实施方式】
[0011]—种防止积垢堵塞的气化炉,包括燃烧室1,位于燃烧室I下方的激冷室4,设于激冷室4上的粗合成气出口 5,还包括位于激冷室4内且与燃烧室I下方渣口法兰连接的激冷环2,同轴的焊接于激冷环2下方的下降管3,通过支撑于激冷室4内壁的加强支撑板6环套于下降管3外且与下降管3呈间隙配合的上升管7,
[0012]位于下降管3和上升管7之间间隙上方的燃烧室I渣口处安装有截面呈弯折结构的环形折流挡板8,所述环形折流挡板8的下端朝内弯折且环形折流挡板8的下端高度低于上升管7的上端面高度。
【主权项】
1.一种防止积垢堵塞的气化炉,包括燃烧室(I ),位于燃烧室(I)下方的激冷室(4),设于激冷室(4 )上的粗合成气出口( 5 ),其特征在于,还包括位于激冷室(4 )内且与燃烧室(I)下方渣口法兰连接的激冷环(2),同轴的焊接于激冷环(2)下方的下降管(3),通过支撑于激冷室(4)内壁的加强支撑板(6)环套于下降管(3)外且与下降管(3)呈间隙配合的上升管(7), 位于下降管(3)和上升管(7)之间间隙上方的燃烧室(I)渣口处安装有截面呈弯折结构的环形折流挡板(8),所述环形折流挡板(8)的下端朝内弯折且环形折流挡板(8)的下端高度低于上升管(7)的上端面高度。
【专利摘要】本实用新型涉及气化炉领域,具体是一种防止积垢堵塞的气化炉,包括燃烧室,位于燃烧室下方的激冷室,设于激冷室上的粗合成气出口,还包括位于激冷室内且与燃烧室下方渣口法兰连接的激冷环,同轴的焊接于激冷环下方的下降管,通过支撑于激冷室内壁的加强支撑板环套于下降管外且与下降管呈间隙配合的上升管。本实用新型所述的防止积垢堵塞的气化炉,结构新颖、构思巧妙,该结构的设置使得气流带的灰渣不容易吸附在下降管形成灰垢堵塞下降管与上升管之间的间隙,解决了因大片积垢阻碍合成气通畅的问题,并且具有可实施性,降低了生产成本,确保生产连续稳定的进行,具有重要的经济效益。
【IPC分类】C10J3/84, C10J3/00
【公开号】CN204918491
【申请号】CN201520520766
【发明人】韩喜民, 杨晓
【申请人】阳煤集团太原化工新材料有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年7月18日
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