嵌段金属线阵列的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种嵌段金属线阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：根据专利ZL200710134575.2的方法获得松香填充石英纤维空隙的复合结构；将上述结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微管结构阵列的松香微结构；在中空微管结构阵列中通过化学镀、电镀或其组合交替沉积金、银、铜、镍等金属；去除松香，获得嵌段金属线阵列。本发明方法新颖，获得的微结构可在电学等领域获得应用。
【专利说明】嵌段金属线阵列的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种亚微米和微米微结构材料的制备方法，特别是一种嵌段金属线阵列结构的制备技术。
【背景技术】
[0002]嵌段金属线阵列是指金属线分段构成，每相邻分段材料由不同的金属组成。嵌段金属线阵列结构具有重要的应用背景。例如，不同金属间的接触构成了金属的结，从而产生结的效应，这可调控金属的电学行为。嵌段金属线阵列的制备目前采用模板法或交替生长法。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种制备成本低的嵌段金属线阵列的制备方法。
[0004]为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下:
[0005]嵌段金属线阵列的制备方法，包括以下步骤:
[0006](I)根据专利ZL200710134575.2的方法获得松香填充石英纤维空隙的复合结构；
[0007](2)将上述结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微管结构阵列的松香微结构；
[0008](3)在上述中空微管结构阵列中通过化学镀、电镀或其组合交替沉积金、银、铜、镍
等金属；
[0009](4)去除松香，获得嵌段金属线阵列。
[0010]本发明与现有技术相比，其显著优点是成本低廉，无需大型仪器，工艺简单可靠。本发明方法新颖，获得的微结构可在电学等领域获得应用。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是嵌段金属线阵列的制备方法的示意图。步骤A为将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维；步骤B为在中空微管结构阵列中交替沉积金属；步骤C为去除松香，获得嵌段金属线阵列。
【具体实施方式】
[0012]下面对本发明作进一步详细的描述。
[0013]实施例中松香填充石英纤维空隙的复合结构根据专利ZL200710134575.2的方法获得。
[0014]实施例1:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微管结构阵列的松香微结构；在上述中空微管结构阵列中通过化学镀交替沉积金、银；去除松香，获得金银嵌段金属线阵列。
[0015]实施例2:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微管结构阵列的松香微结构；在上述中空微管结构阵列中通过电镀交替沉积铜、镍；去除松香，获得铜镍嵌段金属线阵列。
[0016]实施例3:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微管结构阵列的松香微结构；在上述中空微管结构阵列中通过化学镀和电镀交替沉积银、铜；去除松香，获得银铜嵌段金属线阵列。
[0017]实施例4:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微管结构阵列的松香微结构；在上述中空微管结构阵列中通过化学镀和电镀交替沉积金、银、铜、镍；去除松香，获得金银铜镍嵌段金属线阵列。
【权利要求】
1.嵌段金属线阵列的制备方法，其特征是，所述方法包括以下步骤:(1)根据专利ZL200710134575.2的方法获得松香填充石英纤维空隙的复合结构； (2)将上述结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微管结构阵列的松香微结构； (3)在上述中空微管结构阵列中交替沉积金属； (4)去除松香，获得嵌段金属线阵列。
2.根据权利要求1所述的嵌段金属线阵列的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述沉积金属的方法为化学镀、电镀或两者组合。
3.根据权利要求1或2所述的嵌段金属线阵列的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述金属为金、银、铜或镍。
【文档编号】B81C99/00GK103569960SQ201310563144
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年11月12日 优先权日:2013年11月12日
【发明者】卢明辉 申请人:无锡英普林纳米科技有限公司