1.一种增强聚酰亚胺基底和导电金属层之间的粘附力的方法，其特征在于，所述方法是在聚酰亚胺薄膜表面沉积金属之前将所述聚酰亚胺薄膜表面制成绒毛状的聚酰亚胺纳米结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)在硅片上生成聚酰亚胺薄膜；
(2)将所述步骤(1)中聚酰亚胺薄膜的表面制成绒毛状的聚酰亚胺纳米结构；
(3)在所述步骤(2)中得到的聚酰亚胺薄膜表面沉积金属。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中在硅片上生成聚酰亚胺薄膜的方法是在硅片上悬涂聚酰亚胺酸并高温烘烤致聚酰亚胺酸环化生成聚酰亚胺薄膜。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中是通过以下方法将聚酰亚胺薄膜的表面制成绒毛状的聚酰亚胺纳米结构的：
(21)在聚酰亚胺薄膜上组装一层密排的聚苯乙烯小球；
(22)刻蚀所述聚苯乙烯小球致所述聚苯乙烯小球直径减小；
(23)以刻蚀后的聚苯乙烯小球阵列为掩膜，刻蚀聚酰亚胺薄膜；
(24)去除聚酰亚胺薄膜表面的聚苯乙烯小球，在聚酰亚胺薄膜表面留下绒毛状的聚酰亚胺纳米结构。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤(22)中刻蚀方式为反应离子刻蚀。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤(22)中刻蚀参数是气体流量为40sccm的氧气，在腔体压强14Pa、刻蚀功率150W的条件下，刻蚀10分钟。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤(23)中刻蚀方式为反应离子刻蚀。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤(23)中刻蚀参数是气体流量为20sccm的氩气，在腔体压强10Pa、刻蚀功率150W的条件下，刻蚀5分钟。
9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤(24)中去除聚酰亚胺薄膜表面的聚苯乙烯小球的方法是采用四氢呋喃浸泡。
10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中金属为Ti/Pt金属。