磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基底的制作方法

文档序号:9568246阅读:533来源:国知局
磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基底的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基底。
【背景技术】
[0002] 作为计算机等的记录介质而使用的磁盘是在非磁性的基板上形成磁性膜而成 的。一般来说,对于该基板要求轻量且具有高刚性,并要求有平滑的表面,因此使用JIS Η 4000 :2006所规定的5086合金(Al-Mg系合金)。
[0003] 对于该基板而言,使用所述合金制造为板材后,例如,对于该板材的表面按顺序进 行镜面加工、脱脂处理、酸蚀刻处理、剥黑膜处理、第一次锌酸盐处理、硝酸剥离处理、第二 次锌酸盐处理、无电解镀Ni-P处理。然后,在无电解镀Ni-P膜之上形成磁性膜等,制造磁 盘。
[0004] 用于磁盘的铝(A1)合金基板例如如专利文献1、2所述。具体来说,在专利文献1 中记述有一种磁盘用铝合金,其特征在于,含有Cu :0. 01至0. 1质量%、Mg :3. 0至6. 0质 量%、0 :0· 02 至 0· 1 质量%、Zn :0· 04 至 0· 7 质量%、Ni :0· 001 至 0· 02 质量%,余量由 A1 和杂质构成,该杂质之中,将Fe和Si限制为Fe :0. 02质量%以下、Si :0. 02质量%以下, 其他的不可避免的杂质分别限制在0. 01质量%以下,并且使Fe+Ni为0. 03质量%以下, Al-Fe系金属间化合物的最大尺寸为6 μπι以下,Mg-Si系金属间化合物的最大尺寸为3 μπι 以下。
[0005] 另外,在专利文献2中记述有一种磁盘用铝合金基板,其含有Mg :3. 5质量%以上 且4. 5质量%以下、Si :0. 001质量%以上且0. 06质量%以下和Fe :0. 001质量%以上且 0. 06质量%以下,含有Cu :0. 01质量%以上且0. 2质量%以下和Zn :0. 001质量%以上且 0. 4质量%以下之中至少一种,此外作为必须成分,含有Cr :高于0. 10质量%且0. 3质量% 以下和Μη :高于0. 10质量%且0. 3质量%以下之中至少一种,余量由A1和不可避免的杂 质构成,最大长度高于5 μπι的金属间化合物为1个/mm2以下,并且平均晶粒直径为20 μπι 以下。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[0008] 专利文献1 :日本国专利第3794930号公报
[0009] 专利文献2 :日本国专利第5199714号公报
[0010] 发明要解决的课题
[0011] 专利文献1所述的磁盘用铝合金基板,能够一边确保与现有的磁盘用铝合金基板 同程度的机械性质,一边获得期望的平滑度,再循环性优异。另外,专利文献2所述的磁盘 用铝合金基板,镀层凹坑等表面缺陷少,并且具有微细的晶粒组织,因此能够减少镀Ni-P 表面的微小起伏。
[0012] 但是,近年来,磁盘的高记录密度化进一步推进,要求平滑性更高的镀覆面。为了 顺应该要求,有减弱镀前处理时的酸蚀刻处理的条件,抑制基板表面的蚀刻损伤这样的意 向。
[0013] 若反映这样的意向,对于专利文献1、2所述的磁盘用铝合金基板以弱条件进行酸 蚀刻处理,则可以提高形成镀膜的板表面的平滑性。但是另一方面,一直以来想要以酸蚀刻 处理进行溶解的Al-Fe系金属间化合物的一部分未被溶解而残留。而且,以此为原因,结节 和气体凹坑等的微小镀覆缺陷发生。
[0014] 在此,图1(a)~(h)是说明如下内容的说明图,即,说明对于将磁盘用铝合金基板 进行镜面加工而制造的基底(在图1中记述为"基底"。该基底也被称为研磨基底(GR基 底)。)以弱条件进行酸蚀刻处理后,进行锌酸盐处理和镀Ni-P处理时发生的结节和气体 凹坑等微小镀覆缺陷及其发生机理的说明图。
[0015] 图1 (a)表不对磁盘用错合金基板进彳丁镜面加工而制造的基底。若对该基底的 表面进行脱脂处理,接着以弱条件的酸蚀刻处理,则如所述,Al-Fe系金属间化合物的一部 分无法被溶解而残留(图1(b))。这一现象被认为是由于减弱了酸蚀刻处理的条件,因此 Al-Fe系金属间化合物在电化学上成为高电位而发生的。
[0016] 随后,若对于图1(b)所示的状态的基底进行锌酸盐处理,则如图1(c)所示,在未 溶解掉的Al-Fe系金属间化合物(具体来说是Al-Fe-Mn系金属间化合物和Al-Fe-Ni系金 属间化合物)上有锌异常析出。若在此状态下进行无电解镀Ni-P处理,则如图1(d)所示, 在锌异常析出的部分Ni-P镀膜异常析出,形成穹状的突起(所谓结节)。结节能够在镀覆 后通过磨光除去,但阻碍平滑性,使磨光时间增加。因此,生产率变差。
[0017] 另外,图1(c)所示,对于锌异常析出的基底,在镀覆处理之前进行的清洗工序中, 所述未溶解的Al-Fe系金属间化合物与锌一起脱落,在A1面露出(图1(e))。若在此状态 下进行无电解镀Ni-P处理,则如图1(f)所示,不仅在A1面露出的部分无法成膜Ni-P镀膜, 而且镀液中所含的次磷酸与A1反应,成为H2气发生的起点,因此形成气体凹坑。
[0018] 另一方面,若对于图1(b)所示的状态的基底进行锌酸盐处理,有锌不均匀析出的 情况或锌不析出的情况(图1(g))。若在此状态下进行无电解镀Ni-P处理,则如图1(h)所 示,未溶解的Al-Fe系金属间化合物成为阴极,使H2气继续发生。因此,在这部分无法成膜 Ni-P镀膜,而形成气体凹坑。

【发明内容】

[0019] 本发明鉴于所述问题而形成,其课题在于,提供一种即使以弱条件进行镀前处理 的酸蚀刻处理时,也难以发生微小镀覆缺陷的磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体和磁盘 用铝合金基底。
[0020] 用于解决课题的手段
[0021] 解决所述课题的本发明的磁盘用铝合金板,其构成为,含有Mg :3. 5~5. 5质量%, Fe :限制在0. 025质量%以下,Si :限制在0. 020质量%以下,含有Cr :0. 010~0. 20质 量%,含有Cu :0. 010~0. 1质量%和Zn :0. 05~0. 4质量%之中的至少一种,此外,Μη :限 制在0. 005质量%以下,以及Ni :限制在0. 001质量%以下,余量由Α1和不可避免的杂质 构成,Al-Fe-Mn系金属间化合物中的元素构成比以Mn/Fe比计为0. 50以下,以及Al-Fe-Ni 系金属间化合物中的元素构成比以Ni/Fe比计为0. 20以下,Al-Fe系金属间化合物的绝对 最大长度为10 μ m以下。
[0022] 这样一来,本发明的磁盘用铝合金板因为特定化学组成,控制Al-Fe-Mn系金属间 化合物中的元素构成比、Al-Fe-Ni系金属间化合物中的元素构成比、和Al-Fe系金属间化 合物的绝对最大长度,所以金属间化合物相对于蚀刻溶液在电化学上难以成为高电位。因 此,本发明的磁盘用铝合金板即使以弱条件进行镀前处理的酸蚀刻处理,也能够难以发生 微小镀覆缺陷。另外,本发明的磁盘用铝合金板因为分别含有既定量的Fe、Si、Cr,所以能 够使屈服强度等的机械特性提高。
[0023] 本发明的磁盘用铝合金坯体,采用将所述磁盘用铝合金板冲裁成圆盘状这样的构 成。
[0024] 本发明的磁盘用铝合金坯体,因为将所述磁盘用铝合金板冲裁成圆盘状,所以难 以发生微小镀覆缺陷。
[0025] 此外,本发明的磁盘用铝合金基底采用的构成是,使用所述磁盘用铝合金坯体。
[0026] 本发明的磁盘用铝合金基底因为使用所述磁盘用铝合金坯体,所以难以发生微小 镀覆缺陷。
[0027] 发明效果
[0028] 本发明的磁盘用铝合金板因为特定化学组成,控制Al-Fe-Mn系金属间化合物中 的元素构成比、Al-Fe-Ni系金属间化合物中的元素构成比、和Al-Fe系金属间化合物的绝 对最大长度,所以即使以弱条件进行镀前处理的酸蚀刻处理时,也能够难以发生微小镀覆 缺陷。另外,磁盘用铝合金板因为特定化学组成,所以屈服强度优异。
[0029] 本发明的磁盘用铝合金坯体因为将所述磁盘用铝合金板冲裁成圆盘状,所以即使 以弱条件进行镀前处理的酸蚀刻处理时,也难以发生微小镀覆缺陷。
[0030] 本发明的磁盘用铝合金基底因为使用所述磁盘用铝合金坯体,所以即使以弱条件 进行镀前处理的酸蚀刻处理时,也难以发生微小镀覆缺陷。
【附图说明】
[0031] 图1 (a)~(h)是说明对于基底以弱条件进行酸蚀刻处理后,进行锌酸盐处理和镀 Ni-P处理时发生的结节和气体凹坑等的微小镀覆缺陷及其发生机理的说明图。
【具体实施方式】
[0032] 以下,对于本发明的磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基底 (以下,分别仅称为"A1合金板"、"坯体"和"基底"。)的一个实施方式详细地加以说明。
[0033] 在此,在说明书中,以质量为基准的百分率(质量% )与以重量为基准的百分率 (重量% )相同。
[0034] [A1 合金板]
[0035] 本实施方式的A1合金板用于磁盘。本实施方式的A1合金板含有Mg :3. 5~5. 5质 量%^6 :限制在0.025质量%以下,Si :限制在0.020质量%以下,含有Cr :0.010~0.20 质量%,含有Cu :0. 010~0. 1质量%和Zn :0. 05~0. 4质量%之中的至少一种,此外,Μη : 限制在0. 005质量%以下,以及Ni :限制在0. 001质量%以下,余量由Α1和不可避免的杂 质构成。在由这样的化学组成构成的本实施方式的A1合金板中,Al-Fe-Mn系金属间化合 物中的元素构成比以Mn/Fe比计为0. 50以下,以及Al-Fe-Ni系金属间化合物中的元素构 成比以Ni/Fe比计为0. 20以下,使Al-Fe系金属间化合物的绝对最大长度为10 μ m以下。
[0036] 还有,所谓绝对最大长度,例如,是指以扫描型电子显微镜(Scann
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