技术总结
本发明公开了一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法，特点是通过压印方法从沉积的纳米线样品取出并分散少量纳米线，经过光学显微镜选取纳米线并定位，在波导器件上通过曝光‑显影工艺在光刻胶上开一个待转移纳米线尺寸大小的窗口，利用热效应和范德华力作用使得纳米线吸附在波导器件上，采用退火处理增加纳米线和波导之间的黏附力，再采用去胶工艺得到基于单根纳米线的光子器件，优点是实现纳米线的分散，并精确定位单根纳米线转移至波导器件的方法，且转移后，其它未选取的纳米线不会污染波导器件本方法与传统方法相比，更加简单、经济，适用范围更广。
技术研发人员：吕业刚;沈祥;徐培鹏;张巍;王国祥;戴世勋
受保护的技术使用者：宁波大学
文档号码：201611046605
技术研发日：2016.11.23
技术公布日：2017.05.31