技术特征：
技术总结
本发明提供了一种传感器的制造方法，包括器件形成步骤；所述器件形成步骤包括气敏器件形成步骤；所述气敏器件形成步骤包括加热电阻形成步骤、气敏电阻形成步骤以及第一空腔形成步骤；所述气敏电阻形成步骤包括气敏电阻电极形成步骤、气敏层形成步骤。本发明还提供了一种传感器。本发明提供的传感器的制造方法所制成的气体传感器具有1)使用氧化硅作为牺牲层，可以在硅表面很浅的范围内形成空腔，使得在空腔上面的微型加热电阻得到很好的热绝缘；2)使用CMP(Chemical Mechanical polishing，化学机械抛光)工艺把牺牲层与硅表面磨平，使得加热电阻结构平整化，把由加热造成的热应力减低，结构更加可靠等特点。
技术研发人员：赖建文
受保护的技术使用者：上海申矽凌微电子科技有限公司
技术研发日：2017.09.20
技术公布日：2018.03.23