单晶衬底和微机械结构的加工方法与流程

本发明涉及一种用于加工单晶衬底和微机械结构的方法。

背景技术：

通常，微电子机械系统(mems)或微机械系统(mms)被集成到将电气和机械部件彼此组合的小型设备或系统中。例如，术语“微机械”是指微机械部件，可用于描述具有一个或多个微机械元件以及可能但不必须具有电气部件和/或电子部件的小型集成装置或系统。

通常，微机电系统可用于提供例如机电换能器，例如，致动器或传感器。mms可以具有可偏转结构，例如膜或悬臂。作为驱动器，微机电系统(mems)可以具有一个或多个mms，其可偏转结构可以被电偏转。作为传感器(例如，麦克风)，mems可以响应mms的可偏转结构的偏转(也称为冲程)提供电信号。

诸如例如微换能器(例如麦克风或微型扬声器)中的膜或原子力显微镜(afm)中的悬臂的微结构可以具备高要求，特别是取决于相应的应用的在共振条件下的弯曲性能和/或偏转特性和动态特性。

基于膜的传感器(例如，麦克风)的电气和机械要求随着每次更新换代和/或随着时间的推移而增加。例如，需要更小的传感器，其可以容忍更高的声强或与之相关联的声压，具有更大的鲁棒性并提供更大的信噪比(snr)。

snr值以及声学过载(也称为acousticoverload-aol)作为评估传感器质量和/或商业能力的标准是重要的。较大的信噪比允许有用的信号从背景噪声中清楚地显现出来。同时，传感器应能够清楚低记录高升压(英文：高声压水平soundpressurelevel)(例如在音乐会期间)，而不会使声音失真(也称为thd或失真因子)。电性能可以与微机械结构的机械性能密切相关。

例如，对设备(例如在智能手机，智能手表，平板电脑，笔记本电脑，头戴式设备或日常使用的其他日常物品)中使用的传感器的机械鲁棒性的要求较高，其一方面受到机械应力(震动，跌落)并且另一方面受到外部环境影响(灰尘，水等)。端子质量越高，在所谓的设备的跌落或撞击期间，麦克风的机械负载(显然是压力波动)越高。为了增加基于膜的传感器的鲁棒性，通常实施了不同的构想，然而由于可用的材料系统，这些构想不能同时满足所有要求。

在传统的构想中，依赖于终端质量的要求(强烈)的实现由膜厚控制。膜片越厚，在动态压力波动下的鲁棒性就越强。然而，这带来强迫的妥协，因为诸如复位性能和灵敏度之类的机械特性也随着膜片厚度的增加而改变。为了在保持灵敏度(英文：灵敏度sensitivity)的同时满足复位电压范围的要求，使用由多晶硅(也称为聚硅)构成的软膜，通过使其被更强韧地植入，该软膜被额外地变得更柔软。隔膜的直径越小，植入的限制越小，导致多晶硅的退化，导致额外的电压感应，使得隔膜是弯曲的(也称作在植入极限处的压缩膜屈曲)。传感器变得不可用，从而通过植入极限来限定小膜片直径(例如，小于800微米)的最大植入。

由于器件越来越小的趋势正在不断加剧，所以由于端子的壳体尺寸的相应减小，有必要减小mems并因此减小膜片的直径。为了获得mems的功能，需要在植入期间保持距植入极限的足够的距离。这可以仅通过减小膜片厚度而以预定的复位电压范围来补偿，然而这又导致较低的鲁棒性。

因此，在膜片直径小的情况下，通常需要接受的是，传感器的寿命小或灵敏度低。

在替代的构想中，通常对影响机械特性的mems做出几何修改。例如，将所谓的通风折板(ventilationsklappen)安装在膜中，其减弱了压力波动，并因此补偿了膜的较低的鲁棒性。然而，通风折板需要精确调整所谓的拐点频率(转角频率或截止频率)。可替换地，将所谓的波纹环安装在膜上，膜是波纹状的。波纹环和/或通风折板的实现增加了制造成本，在膜中产生额外的应力点，并且增加了将膜“粘附”(也称作附着)到其它部件的风险，例如，在双电极配置(也称为双背面电极布置)中。

技术实现要素：

根据各种实施例，已经认识到，基于膜的传感器中的电压去耦的重要性大大增加，特别是由于通常使用的材料系统的机械性能的变化已经达到其技术限制。因此，mems的应力只能通过改变几何形状和/或设计来减少。为了开创可以以低成本和低技术水平可靠地再生产的更多空间，需要其未经修改的性能已经满足或至少几乎满足要求的其他材料。

根据各种实施方式，提供微机械结构及其制造方法，为机械特性的变化和调整提供了进一步的空间。示例性地提供一种鲁棒的膜(例如，用于麦克风和/或压力传感器)，也就是说，该膜具有较长的使用寿命，其满足在敏感度方面较高的要求。

显然，已经认识到单晶材料(例如，单晶sic)为改变和调整提供了更大的空间。根据各种实施方案，可以使用碳化硅(sic)作为膜材料。碳化硅可以提供较大的机械硬度，耐化学性(惰性)和耐热性，材料属性使其更容易满足至少一些要求而无需额外的修改，从而保持调整空间。

用于形成sic的常规过程适用于低温的使用，例如小于700℃，和/或产生多晶微结构。由单晶材料传统地制造的薄的可偏转膜导致材料的低结晶均匀性和单晶材料薄化的低均匀度的厚度。这种低均匀性可能导致机械性能的严重波动，从而缺失了所需的要求。因此，当要满足对同质性的高要求时，通常使用多晶材料。

根据各种实施例，可以提供微机械结构及其制造方法，该微机械结构使用在功率电子设备中。

根据各种实施例，加工单晶衬底的方法可以包括：沿着主处理侧将衬底分割成至少两个(即，几个，例如，正好两个或多于两个)单晶衬底子块；以及形成具有所述至少两个衬底子块中的至少一个(即，恰好一个或多于一个)单晶衬底子块的微机械结构。衬底可以可选地固定到不一定是单晶的载体上。所述至少一个衬底子块不一定是指分离的衬底的完整部分，但可以是衬底的一部分。

根据各种实施例，分割可以通过智能分割工艺来执行。

根据各种实施例，衬底和/或两个衬底子块中每个衬底子块可以包括或由单晶半导体材料形成，例如，单晶碳化硅(sic)，单晶氮化镓(gan)或单晶硅(si)。

根据各种实施例，至少一个单晶衬底子块(也称为第一衬底子块)可以具有单晶层或由其形成(或至少部分地)形成。可选的或附加的，另一个单晶衬底子块(也称为第二衬底子块)可以具有剩余单晶衬底或由其形成(或至少其一部分)。另一个衬底子块不一定是指分离的衬底的完整的剩余衬底，但可以是其一部分。

根据各种实施例，至少一个单晶衬底子块可以具有比另一个单晶衬底子块更小(例如，垂直)的延伸。

根据各种实施例，衬底还可以包括目标分离层，借助于该目标分离层，两个衬底子块彼此连接；其中通过消除目标分离层的结合来进行分割。例如，衬底可以在目标分离层中分裂或热不稳定。可选的或附加的，可以将机械力(例如张力)传递到超过目标分离层的断裂力的目标分离层。

根据各种实施方案，该方法还可以包括通过改变两个衬底子块之间的化学组成(衬底)来形成目标分离层。

根据各种实施例，衬底在两个衬底子块之间相对于分割的耐抗性可以通过上述变化被减少。

根据各种实施方案，可以通过氢化进行改性。

根据各种实施方案，可以通过离子注入形成目标分离层。

根据各种实施例，可以通过离子注入(也称为第一离子注入)来实现将第一杂质引入衬底中。

根据各种实施例，离子注入可以通过注入至少一个单晶衬底子块来实施。

根据各种实施例，所述方法还包括：在分割之前将所述至少一个单晶衬底子块固定到附加衬底。

单晶衬底子块可以具有微机械结构的自由悬挂部段和锚定部段(也称为固定部段)，其中自由悬挂部段借助于锚定部段与附加衬底耦合(例如，固定到附加衬底)。例如，锚定部段可以具有单晶衬底子块的至少一部分或者可以由其形成，并且自由悬挂部段可以包括或由单晶衬底子块的另一部分形成。自由悬挂部段(示例性地，突起)可以暴露在相对的两侧，和/或从附加衬底(也称为突起)伸出。

根据各种实施例，固定可以包括将衬底和附加衬底键合，例如，通过亲水键合，阳极键合或热键合。

第一衬底子块和/或第二衬底子块可以具有比附加衬底更大的机械硬度和/或更大的弹性模量。

根据各种实施例，可以通过置于至少一个单晶衬底子块和附加衬底之间的(例如，陶瓷和/或亲水)粘附层进行附着。

根据各种实施方案，可以通过加热粘附层(例如，在从110℃的温度范围内到约800℃的温度范围内或更高)进行粘合。

根据各种实施例，衬底可以具有粘附层。例如，单晶衬底子块可以布置在粘附层和目标分离层之间。

根据各种实施方案，固定可以通过使粘附层与附加衬衬底理接触来实现。

根据各种实施方案，粘附层可以通过化学改变(例如，氧化)衬底的第一主处理侧来形成。

根据各种实施方案，化学改变可能具有氧化作用。例如，粘附层可以由衬底的天然氧化物层构成或由其形成。换句话说，粘附层可以由衬底的半导体材料的氧化物构成或由其形成。

根据各种实施例，附加衬底可以具有电极(微机械结构)，或者电极(微机械结构)可以或可以通过至少一个单晶衬底子块形成。例如，形成的微机械结构可以具有电极。可选地，电极可以具有多个通孔。

第一衬底子块和/或第二衬底子块可以具有比电极更大的机械硬度和/或更大的弹性模量，例如，当该电极由附加衬底提供时。

根据各种实施例，形成微机械结构还可以包括：在附加衬底上形成电极，电极设置在单晶衬底子块和附加衬底之间；或者其中电极具有单晶衬底子块或由其形成。

根据各种实施例，形成微机械结构可以包括在电极和至少一个单晶衬底子块之间形成空腔。

根据各种实施例，形成微机械结构可以包括形成附加电极，其中至少一个单晶衬底子块被布置在该附加电极和附加衬底之间，或者其中附加电极具有单晶衬底子块或者至少借助于其来形成。

根据各种实施例，第一衬底子块和/或第二衬底子块可以具有比附加电极更大的机械硬度和/或更大的弹性模量，例如，当该附加电极在第一衬底子块之上形成时。

根据各种实施例，形成电极和/或附加电极包括，在电极或附加电极中形成多个通孔。

根据各种实施例，形成微机械结构可以包括形成具有单晶衬底子块的传感器(例如，压力传感器或麦克风)或致动器(例如，声音发射器)。

根据各种实施例，形成微机械结构可以包括形成具有至少一个单晶衬底子块的膜或悬臂，或者至少借助于其来形成。

根据各种实施例，形成微机械结构可以包括将至少一个单晶衬底子块暴露在相对侧上。

根据各种实施例，形成微机械结构可以包括电接触至少一个单晶衬底子块。

根据各种实施例，该方法还可以包括：通过离子注入来改变至少一个单晶衬底子块的机械特性和/或电特性。

根据各种实施例，通过离子注入(也称为第二离子注入)可以实现将第二杂质引入到单晶衬底子块中。第二杂质可以不同于第一杂质。

根据各种实施例，可以在分割之前或分割之后改变至少一个单晶衬底子块的机械特性和/或电特性。

根据各种实施例，该方法还可以包括：形成包括两个衬底子块的另一个单晶衬底子块或其至少一部分的附加微机械结构。

根据各种实施例，所述至少两个衬底子块可以具有三个衬底子块(例如，在这三个衬底子块中，一个附加的衬底子块具有附加的单晶层)；其中所述微机械结构包括所述三个衬底子块中的两个衬底子块和/或其中所述方法还包括：形成包括所述三个衬底子块中的另一个衬底子块的附加微机械结构。

根据各种实施例，衬底子块可以具有以下至少一种：(例如，单晶)碳化硅，(例如，单晶)氮化镓，比以下中的至少一种更大的弹性模量：多晶硅，衬底和/或200gpa(例如，在约200的范围内gpa至约600gpa)，比以下中的至少一种更大的机械硬度：多晶硅，衬底和/或20gpa(例如，在约20gpa至约50gpa的范围内)和/或大于衬底的(例如横向延伸的)单晶区域。

根据各种实施例，微机械结构可以包括：衬底；设置在所述衬底上的功能结构；所述功能结构具有功能区域(也称为可偏转区域)，该功能区域响应于作用在其上的力而相对于衬底可偏转；并且其中所述功能区域包括单晶半导体材料或由其形成。单晶碳化硅(sic)，单晶氮化镓(gan)或单晶硅(si)。

根据各种实施例，微机电结构可以具有根据各种实施例的微机械结构，并且电极可以设置在所述衬底上，其中功能区域响应于作用在其上的力而相对于电极可偏转。

根据各种实施例，微机电结构可以包括：衬底；功能结构和设置在衬底上的电极；所述功能结构具有响应于作用在其上的力而相对于所述电极可偏转的功能区域；并且其中所述电极包括单晶半导体材料或由其形成，例如。单晶碳化硅(sic)，单晶氮化镓(gan)或单晶硅(si)。

根据各种实施例，功能区域可以与衬底耦合，例如，直接物理接触和/或借助于固定部段。

根据各种实施例，微机械结构可以包括：具有空腔的衬底；具有第一部段(也称为固定部段)和第二部段(例如与其邻接)的单晶半导体层(例如，单晶衬底子块)(也称为自由悬挂部段)；其中所述第二部段邻接所述空腔，并且通过所述第一部段与衬底耦合。

根据各种实施例，第一部段可以与空腔间隔开。

根据各种实施例，衬底和/或第二部段的至少一个区域可以布置在第一部段和空腔之间。

根据各种实施例，微机械结构还可以包括：功能结构，其具有响应于作用在其上的力而相对于衬底(例如，进入空腔)可偏转的功能区域；其中第二部段具有功能区域或由其形成。

根据各种实施例，微机械结构还可以包括：设置在衬底处的电极；功能结构，其具有响应于作用在其上的力而相对于电极(例如，进入空腔)可偏转的功能区域；并且其中所述电极具有所述第二部段。

根据各种实施例，空腔可以布置在电极和功能区域之间和/或邻接于电极和功能区域之间。

根据各种实施例，第二部段可以具有以下中的至少一种：碳化硅和/或氮化镓，比衬底更大的弹性模量；和/或比衬底更大的机械硬度。

根据各种实施例，第二部段可以具有以下中的至少一个：(例如，单晶)碳化硅，(例如，单晶)氮化镓，比以下之一更大的弹性模量：多晶硅，衬底和/或200gpa(例如，在约200gpa至约600gpa)，比以下之一更大的机械硬度：多晶硅，衬底和/或20gpa(例如，在约20gpa至约50gpa的范围内)和/或大于衬底的(例如横向延伸)单晶区域。

根据各种实施例，微机械结构还可以包括：与单晶半导体层的弹性模量和/或其机械硬度不同的附加(例如，多晶)半导体层(例如具有或由其形成的硅)；其中所述空腔布置在所述单晶半导体层和所述附加半导体层之间和/或邻接所述单晶半导体层。

根据各种实施例，机电换能器可以包括：衬底；双电极结构中的微机电结构(例如，电容传感器结构)；(例如单晶的)碳化硅，(例如，单晶的)氮化镓，比以下之一更大的弹性模量：多晶硅，衬底和/或200gpa的(例如，在范围为约2001gpa至约600gpa)，比以下之一更大的机械硬度：多晶硅，衬底和/或20gpa的(例如，在范围为约20gpa至约50gpa)和/或比衬底更大(例如，横向延伸)的单晶区域。

可以根据双电极构造形成自由悬挂部段，例如作为电极的一部分和/或作为膜的一部分和/或作为悬臂的一部分。例如，双电极构造可以提供两个空腔，其中至少一个(例如两个)空腔与自由悬挂部段相邻。可选的或附加的，双电极构造可以提供自由悬挂部段和两个附加的自由悬挂部段，其中至少一个第一自由悬挂部段是第一电极的一部分，至少一个第二自由悬挂部段是第二电极的一部分和至少一个第三自由悬挂部段是功能区域的一部分和/或布置在第一电极和第二电极之间。自由悬挂部段可以例如与衬底的空腔相邻。

根据各种实施例，机电换能器可以进一步包括固定部段，该固定部段与自由悬挂部段整体连接，通过该固定部段将至少一个自由悬挂部段与衬底耦合(例如，固定)。

根据各种实施例，至少一个自由悬挂部段可以包括衬底子块(例如，该层)或由衬底子块形成。

根据各种实施例，机电换能器可以包括：衬底；双电极结构中的微机电结构(例如，电容传感器结构)；其中所述微机电结构包括至少一个衬底子块(例如，层)，其中所述衬底子块(例如，单晶的)碳化硅和/或(例如，单晶的)氮化镓可由其形成或形成。

根据各种实施例，机电换能器可以具有两个电极，其中至少一个电极具有至少一个自由悬挂部段，例如衬底子块(例如，层)或由其形成。

根据各种实施例，机电换能器(例如，电容传感器)可以至少具有响应于作用在其上的力而相对于衬底可偏转的功能区域；其中所述至少一个自由悬挂部段，例如衬底子块(例如，层)具有功能区域。可选地，至少一个衬底子块(例如，层)可以具有锚定部段，通过该部分将功能区域与衬底耦合(例如，固定)。

根据各种实施例，功能区域可以例如，以直接地物理接触的方式和/或借助于衬底子块(例如，层)的锚定部段(也称为固定部段)与衬底耦合。

根据各种实施例，至少一个自由悬挂部段，例如，至少一个衬底子块(例如，层)可以具有单晶碳化硅或由其形成。

根据各种实施例，方法可以包括以下步骤：在单晶衬底中形成目标分离层；沿着目标分离层(例如，在目标分离层中)分割衬底，以将单晶层与衬底分离；以及形成包括所述单晶层的微机械结构。

根据各种实施例，方法可以包括：在单晶衬底中形成目标分离层；将衬底固定到附加衬底上；其中衬底的衬底子块被布置在目标分离层和附加衬底之间；分割目标分离层中的衬底；以及形成至少包括所述衬底子块(以及可选地所述附加衬底和/或可选地所述衬底的附加衬底子块)的微机械结构。

根据各种实施例，用于加工衬底(具有单晶区域或由其形成)的方法可以包括：将单晶区域分割成至少两个子区域(其中至少一个第一子区域具有单晶层)；以及形成具有两个子区域中的至少一个子区域(也称为第一子区域)的微机械结构。

根据各种实施例，可以设置用于加工衬底的方法，所述衬底包括：彼此相对的第一主处理侧和第二主处理侧；第一主处理侧的单晶区域(例如，与两个主处理侧相邻)。该方法可以包括：穿过单晶区域并沿着第一主处理侧将衬底分离(例如，分割)成至少两个衬底子块，其中至少一个衬底子块(也称为第一衬底子块)具有单晶区域的单晶层，以及形成包括所述单晶层的微机械结构。

根据各种实施例，第一衬底子块，例如单晶层可以结构化。

根据各种实施例，微机械结构可以具有加强结构，其中加强结构包括衬底子块。可选地，加强结构的衬底子块可以被结构化。

根据各种实施例，微机械结构的衬底子块可以具有微机械结构的悬挂点，也就是与附加衬底的固定接触点。

根据各种实施例，用于形成微机械结构的方法可以包括：将至少一个衬底子块(例如，单晶层)从第一衬底转移到第二衬底；以及形成包括至少一个衬底子块(例如，单晶层)的微机械结构。

根据各种实施方案，第一衬底和第二衬底的化学组成和/或其结晶类型(即多晶或单晶)方面不同。例如，第一衬底可以是单晶的，和/或第二衬底可以是多晶的。

单晶衬底子块(例如单晶层)可以具有sic，gan或si中的至少一种或由其形成。

单晶衬底子块(例如，单晶层)的转移可以通过智能分割工艺根据各种实施例进行。

在转移单晶衬底子块(例如，单晶层)之前或之后，可以实施单晶衬底子块(例如，单晶层)的改变，例如，化学和/或结构上的变化。该变化可以例如改变单晶衬底子块(例如，单晶层)的机械特性(例如，其偏置和/或偏置电压)和/或可以改变单晶衬底子块的电性能(例如，其导电性)。

根据各种实施例，微机械结构可以以双电极配置或单电极配置提供，例如，上侧单电极配置或下侧单电极配置。

根据各种实施方案，亲水键合可以利用亲水表面(例如衬底)上的水分子形成羟基(例如硅烷醇)。如果包含化学吸附的水分子的两个表面彼此物理接触，则羟基的聚合(例如，随着水的释放)例如，已经在室温下已经开始。可选的退火工艺(例如，在约110℃至约800℃的温度范围内)可以增强该反应，从而增强两个表面的粘合力。亲水表面可以例如通过氧化物层，例如，借助于氧化硅层。

根据各种实施例，从自由悬挂部段的横向延伸到自由悬挂部段的垂直延伸的比率(也称为纵横比)可以大于约1·10³，例如大于约2·10³，例如大于约4·10³，例如大于约6·10³。

自由悬挂部段的横向延伸可以例如对应于自由悬挂部段邻接的衬底的空腔或开口的横向延伸(例如，直径)。自由悬挂部段的垂直延伸可以例如对应于两个空腔之间的间隔，其间设有自由悬挂部段。

例如，横向延伸可以在约400μm至约1000μm的范围内，例如，在约600μm至约850μm的范围内。可选的或附加的，垂直延伸可以在约100nm至约1000nm的范围内，例如，在约150nm至约350nm的范围内。在其他实施例中，垂直延伸也可大于1μm。

例如，膜(例如麦克风)可以具有约540μm的膜直径和约330nm的膜厚度，给出约1.6·10³的纵横比。

根据各种实施例，自由悬挂部段可以提供可偏转部分。自由悬挂部段可以具有比第一电极和/或第二电极更低的刚度和/或抗弯强度。刚度可以描述每个攻击力的弹性变形(例如，偏转)。抗弯强度可以描述每次攻击弯矩的挠度。

根据各种实施例，微机械结构可以具有至少两个自由悬挂部段，其中使用衬底子块形成第一自由悬挂部段，并且其具有比两个自由悬挂部段的第二自由悬挂部段更大的弹性模量和/或更大的机械硬度。第一自由悬挂部段可以例如具有(单晶)sic其形成或由其形成，和/或具有(单晶)氮化镓或由其形成。可选的或附加的，第一自由悬挂部段可以具有比第二自由悬挂部段和/或衬底更大(例如，横向延伸的)单晶区域。

附图说明

本发明的实施例在附图中示出，并在下面更详细地解释。

在附图中：

图1a至图1c分别示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图2a至2c各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图3a至3c各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图4a至图4c各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图5a至5d各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图6a至6c各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图7a和7b各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图8a和8b各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图9a和9b各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图10示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图11a和11b各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图12a和12b各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图13a和13b各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图14示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图15a和15b各自示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；

图16示出了根据各种实施例的方法中的微机械结构；以及

图17示出了根据各种实施例的方法。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考形成本文的一部分的附图，并且通过图示的方式示出了可以实践本发明的具体实施例。在这方面，参考所述图的取向使用诸如“上方”，“下方”，“在...之前”，“在...之后”，“前部的”，“后部的”等方向性术语。由于实施例的组件可以以多个不同的取向定位，所以方向性术语是说明性的，而不是以任何方式限制。应当理解，可以使用其他实施例，并且可以在不脱离本发明的范围的情况下进行结构或逻辑改变。应当理解，除非另有具体说明，本文所述的各种示例性实施例的特征可以彼此组合。因此，以下详细描述不被认为是限制性的，并且本发明的范围由所附权利要求限定。

术语“示例性”在本文中用于表示“作为实例，示例或示出的”。本文描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被理解为关于其他实施例或设计是优选的或有利的。

根据各种实施方案，术语“之上”针对在侧面或表面“之上”的沉积材料的术语可以理解为，该沉积的材料是“直接地在...上”的，例如直接(例如物理接触或邻接)与所述侧面或表面接触地形成的。根据不同的实施方案，术语“之上”针对在侧面或表面“之上”的沉积材料的术语可以理解为，该沉积的材料是“间接地”在侧面或表面上形成的。其中在所述侧面或表面与沉积材料之间布置几个附加层。材料的沉积可以例如通过化学气相沉积(cvd)或物理气相沉积(pvd)来实现。

根据各种实施例，相对于结构(或衬底，晶片或载体)的“侧向”或“横向”延伸或“侧向”或“横向”的相邻的术语“横向”或“侧向”可以用于指定沿着衬底，晶片或载体的表面的延伸或位置关系。也就是说，衬底的表面(例如，载体的表面或晶片的表面)可以用作通常被称为衬底(或载体或晶片的主处理面)的主处理面的基准。此外，关于结构(或结构元件)的“宽度”使用的术语“宽度”在本文中可以用于指结构的侧向(或横向)延伸。

此外，关于结构(或结构构件)的高度使用的术语“高度”可以用于沿着垂直于衬底的表面的方向(例如，垂直于衬底的主处理面)结构的延伸，即垂直延伸。关于层的“厚度”使用的术语“厚度”可以用于表示垂直于沉积该层的载体(材料)的表面的层的空间延伸，即垂直延伸。如果载体的表面平行于衬底的表面(例如平行于主处理面)，则施加到载体的层的厚度可以等于该层的高度。此外，“垂直”结构可以表示沿垂直于横向的方向(例如，垂直于衬底的主处理面)延伸的结构，并且“垂直”程度可以是沿着垂直于横向的方向的延伸例如垂直于衬底的主处理面的延伸)。

在本说明书的范围内，术语“连接”，“联接”和“耦合”用于描述直接和间接连接(例如欧姆和/或导电，例如导电连接)，直接或间接联接以及直接或间接耦合。在图中，相同或相似的元件设置有相同的参考符号，只要是合乎目的的。耦合可以理解为机械耦合。

术语“由其形成”，例如关于第一结构(例如，主体，层，部分)由第二结构(例如，主体，层，部分)形成，可以被理解为第二结构被使用以用于形成第一结构，即所述第一结构具有所述第二结构的至少一部分。为了形成第一结构，可以可选地加工(例如，化学，电学和/或结构上改变的)第二结构，例如，其材料可以被去除和/或添加，重塑或纯化。可替换地，第二结构可以不变地转换成第一结构。

此外，在本说明书的范围内，金属(也称为金属材料)可以包括至少一种金属元素(即，一种或多种金属元素)或由至少一种金属元素(即，一种或多种金属元素)形成。例如，该至少一种元素选自下列元素的组：铜(cu)，铁(fe)，钛(ti)，镍(ni)，银(ag)，铬(cr)，铂(pt)，镁(mg)，铝(al)，锆(zr)，钽(ta)，钼(mo)，钨(w)，钒(v)，钡(ba)，铟(in)，铪(hf)，钐(sm)，银(ag)和/或锂(li)。此外，金属可以包括金属化合物(例如，金属间化合物或合金)，或由金属化合物(例如金属间化合物或合金)形成。例如，至少两种金属元素(例如，来自元素组)的化合物，例如，青铜或黄铜，或例如至少一种金属元素(例如，来自元素组)和至少一种非金属元素(例如碳)的化合物，例如，钢。可选地，金属可以具有合金元素(其质量分数例如小于10％，例如单独或总计)，例如，铬，硅，钼，镍，钒，碳，锰，磷，硫，锡，锌。

通常，芯片技术中实现的麦克风和/或微型扬声器是以硅技术制造的。微机械加工的硅麦克风是电容换能器，具有在声场中移动的柔性膜以及具有称为背板电极或电极的静电穿孔电极。根据超压的构想，膜的压力差可达10巴。在这种情况下，传统的膜会因膜超过其抗断强度和最大机械负载(例如力或应力)而被破坏。

根据各种实施例，微机械系统或微机电系统可用于提供例如致动器或传感器。

根据各种实施例，提供了具有单晶衬底子块的机电(例如，传感器的或致动器的)换能器(例如，声音换能器)。与传感器换能器互补的致动器换能器可以例如具有微型扬声器，该微型扬声器必须被致动以实现产生空气偏移并因此产生声压的冲程。

微机械结构(例如膜)的功能结构可能被挤压，即可以固定到锚固(即，夹紧，嵌入和/或固定)部段(也称为固定部段)，并且可以在自由部段中振动或偏转。可偏转区域可以是自由部段的一部分(也称为自由悬挂部段)。例如，锚定部段和自由部段(例如，整体和/或连续的)可以是单晶的和/或通过加工单晶衬底子块形成的。

通常可以使用微机械系统(mms)或微机电系统(具有电气部件的mms)作为致动器或传感器。例如，该系统可以被布置成在电能和机械能之间转换。

根据各种实施例，已经认识到，将sic集成到微机电系统(例如麦克风)中提供了各种可能性。与多晶硅相比，sic具有较高的机械硬度和较高的弹性模量(也称为弹性模量或杨氏模量)。聚硅可以具有例如约12.5千兆帕(gpa)的机械硬度和约180gpa的弹性模量。另一方面，sic的机械硬度可以在约20gpa至约50gpa的范围内，弹性模量在约200gpa至约600gpa的范围内。可选地，根据各种实施方案，通过将外来原子引入到sic中，弹性模量可以降低到例如500gap或更低(和/或大于200gpa)。

sic的更大的硬度性质可以帮助保护微机械结构(例如，其膜)免受损坏，例如，防止外部造成的膜损坏。除了机械硬度之外，sic层的弹性模量以及可选择的偏压(例如可以人为引起的内部应力)可以影响微机械结构的机械性能。在膜的小偏转的情况下，层应力(层应力)可以主导偏转性能，并且弹性模量的影响随着膜的偏转增加而增加。

通常，根据各种实施例，可以使sic膜比多晶硅薄膜薄，而不会损失任何坚固性。更薄的膜可以允许更大的偏转，使得可以检测到具有良好信号电平的较小的压力差。换句话说，更薄的膜可以有利于更高的灵敏度和/或更高的snr。

sic的机械性能(例如，振动特性和/或偏压)和电学特性(例如，电导率)可选地随后被修改，例如。通过注入氮气(n²)。

惰性，化学性质，例如疏水性(低粘附倾向)，sic材料可能具有颗粒污染的倾向和/或降低粘附膜的风险。

可选地，单晶材料(例如，半导体材料)，例如，单晶sic不能仅用作膜材料，还能用作多晶硅膜下的稳定剂。这使得可以将常规的多晶硅层的改性方法与单晶材料(例如sic)的机械性能相组合。根据各种实施方案，可以提供sic作为膜材料或作为多硅膜的稳定剂。与传统的膜不同，sic可能更薄，或者可能和/或可能经历较大的偏转而不被损坏。

根据各种实施方案，“单晶型”或“单晶”可以理解为指其结构单元(即原子，离子或分子)的结晶类型，材料或物体(例如，衬底，其衬底子块或层)形成基本上连续同一的，均匀的(宏观上)晶格。换句话说，单晶晶格可以具有均匀的取向(也称为主取向)，即晶体部分的空间平均取向可以是基本上相同的。

这将单晶结晶型与多晶结晶型，孪晶结晶型或非晶态材料(非结晶性材料)区分开来。非晶材料可以具有任意取向和/或构造块的排列。多晶结晶型和/或孪晶结晶型可以具有由晶界分离的多个(微观上)晶粒(微晶)或可由其形成。

通常，结晶类型方面的区别可以理解为在晶体结构的主要取向上和/或与晶体结构的主要取向的平均偏差的差异中区分开来。与晶体结晶类型或孪晶结晶类型相比，单晶结晶类型可能具有比主要取向更小的平均偏离小和/或晶界和/或微晶下的较低的空间密度。

根据各种实施例，可以加工衬底(例如，具有单晶子区域)以提供一个或多个功能结构，例如，彼此分离或彼此连接。例如，多个互连的功能结构可以形成电子电路，例如，传感器阵列。通常，微机械结构或多个微机械结构可以在衬底中形成和/或集成(也称为芯片或半导体芯片)。

每个或单个微机械结构可以具有功能结构。功能结构可以或可以被布置在衬底的一部分中并且可以包括至少一个功能区(正好一个功能区或几个功能区)，例如至少一个膜或至少一个悬臂。所述至少一个功能区域可被布置用于偏转，例如。响应于机械信号或电信号，例如，在功率电子设备中(例如，使用功率器件)。

根据各种实施例，通过从衬底的切口(也称为切口，英文：kerf)去除(也称作衬底的切断或切割)材料，可以从衬底(或从半导体晶片)中分离出微机械结构(也称为集成微机械结构或微机械芯片)。例如，从衬底的切口进行的材料的去除可以通过切开和断裂，分离，刮刀切割(分离/分开)，等离子体缺切割(分离/分离)，激光切割或机械锯切(例如通过使用分割锯)来进行。在分离微机械芯片之后，其可以电接触并随后被封装(例如，封闭或半开放)，例如，通过模制材料和/或适用于电子设备的芯片载体(也称为芯片外壳)。例如，微机电芯片可以通过芯片载体内的导线连接和/或芯片载体可以焊接在电路板和/或导体框架上。

术语半导体材料可以理解为具有半导体衬底或由其形成和/或在未掺杂状态下半导电的化学组合物，即，电导率范围为约10^-6西门子/米至约10⁶西门子/米。在半导体材料的加工(处理)期间，半导体衬底可以例如被逐部段地掺杂，这增加了其在掺杂部位的电导率(例如超过10⁶西门子/米)。例如，半导体材料或半导体衬底材料可以由元素半导体(例如硅或锗)或化合物半导体(例如，碳化硅或sige)形成或形成。

根据各种实施例，衬底(例如，其衬底子块)或半导体区域(例如，单晶区域)可以具有一种类型或不同类型的半导体材料(例如，半导体基体材料)，包括iv族半导体(例如，硅或锗)，化合物半导体，例如iii-v族化合物半导体(例如砷化镓)，iii族半导体，v族半导体或半导体聚合物。在几个实施例中，衬底和/或半导体区域(例如，其电路区域)可以由硅(掺杂或未掺杂)形成。在几个替代实施例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)晶片(例如，第二衬底)。可替换地，可以在衬底和/或半导体区域中使用任何其它合适的半导体材料，例如，化合物半导体(半导电化合物)，如磷化镓(gap)，磷化铟(inp)，碳化硅(sic)或氮化镓(gan)，但也各合适的三元半导体化合物或四元半导体化合物，例如砷化铟镓(ingaas)。

说明性地，在微机械结构中由各种实施方案提供的方法使得单晶层在化学上是更纯粹的，具有更少的孪晶间界和更大的厚度，例如。超过10纳米(通过常规碳化可能的最高限度)。此外，所提供的单晶层可以是应变中性的，即没有预张力，这增加了后续调整的空间。

图1a，1b和1c各自以示意性侧视图或横截面图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

该方法可以包括在100a：提供包括单结晶区域104(也被称为单晶区域104)或由其形成的衬底102，例如提供单晶衬底102。衬底102可以具有彼此相对的两个主处理侧102o，102u。例如，衬底102和/或单晶区域104可以包括或由单晶半导体材料形成，例如，单晶gan，单晶sic和/或单晶si。单晶sic可以是例如六方晶体结构(例如4h构型)。六边形晶体结构在孪晶间界方面可能特别弱。换句话说，衬底102和/或单晶区域104可以具有单晶六方形sic或由其形成。4h构型可以包含纯六方晶体部分和纯立方晶体部分的混合物或由其构成。

该方法可以进一步包括在100b中：将衬底102沿一个(例如，第一)主处理侧102o(例如，与其平行)分割成至少两个衬底子块102a，102b，其中的每一个都具有单晶区104的单晶子区域104a，104b中或由其形成，例如在至少两个单晶衬底子块102a，102b中。例如，分割可以包括：将单晶区域104分割成两个单晶子区域104a，104b。

该方法可在100c下进一步包括：形成微机械结构106，其包括至少两个衬底子块102a，102b的衬底子块102a(也称为第一衬底部102a)或两个单晶子区域104a，104b的至少一个单晶子区域104a(也分别称为第一子区域104a)

例如，用于形成微机械结构106的第一衬底子块102a可以包括单晶层104a，或者可以由其形成(或其至少一部分)。可选的或附加的，两个衬底子块102a，102b可以在其垂直延伸102d，112d上区分开，例如，垂直延伸102d，112d的比例可以大于约10，例如大于约100，例如大于约1000。第一衬底子块102a可以具有比另一个衬底子块102b(也称为第二衬底子块102b)小的垂直延伸102d(即横向于主处理侧102o的延伸)。小于第二衬底子块102b的垂直延伸112d的约10％。例如小于第二衬底子块102b的垂直延伸112d的约1％。例如小于第二衬底子块102b的垂直延伸112d的约0.1％。例如，另一个衬底子块102b可以具有剩余衬底或由其形成(或至少从其一部分形成)。

例如，第一衬底子块102a的垂直延伸102d可以大于约10nm(纳米)，例如大于约50nm，例如大于约100nm，例如大于约150nm，例如大于约200nm。可选的或附加的，第一衬底子块102a的垂直延伸102d可以小于约1微米，例如小于约660nm。例如第一衬底子块102a的垂直延伸102d可以大于约100nm(例如小于约1微米)，例如在约150nm至约660nm的范围内，例如在约280nm至约660nm的范围内，例如小于330nm，例如小于200nm。

该层可以是具有小于约10μm的垂直延伸102d的片状结构，例如小于约1μm，例如小于约0.1μm，例如小于约0.01μm。例如，每个衬底子块102a，102b(与衬底102分隔开)可以是分层的，即具有小于约10μm的垂直延伸102d，例如小于约1μm，例如小于约0.1μm，例如小于约0.01μm。

剩余衬底可以是具有大于约10μm的垂直延伸102d的片状结构，例如，大于约100μm，例如大于约250μm，例如超过约500μm。可选地，通过分割另外的衬底部分可以与剩余衬底分离。

可选地，图100c的方法可以包括：形成包括第二衬底子块102b或至少其第二部段104b的附加微机械结构。第二衬底子块102b可以预先从剩余衬底中分离通过其来分割。示例性地，衬底102可以具有多于两个可以与衬底102连续分离的衬底子块。分离的衬底102的每个衬底子块可以以微机械结构来实现。可选地，两个衬底子块102a，102b可以以相同的微机械结构来实现。例如，第一衬底子块102a可以提供微机械结构106的功能区域，和/或第二衬底子块102b可以提供微机械结构106的电极。

在100c中，形成微机械结构可选地包括加工(例如，结构化，变薄，掺杂)第一衬底子块102a。换句话说，由第一衬底子块102a形成的微机械结构106的结构可以具有经加工的第一衬底子块102a。

图2a，2b和2c各自以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

衬底可以在200a中具有目标分离层202，借助于该目标分离层202，两个衬底子块102a，102b彼此连接。例如，目标分离层202可以延伸穿过单晶区域104。目标分离层202可以包括衬底102的半导体材料和比第一衬底子块102a和/或第二衬底子块102b杂质浓度更大的杂质。可选的或附加的，目标分离层202可以具有多种缺陷(例如，晶格缺陷，孔或毛细管)。然后，目标分离层202可以具有比第一和/或第二衬底子块102a，102b更大的杂质密度。例如，目标分离层202可以具有比第一和/或第二衬底子块102a，102b更大的孔隙率。

例如，图200a中的衬底102的设置100a可以包括：通过改变两个衬底子块102a，102b之间的第一衬底102的化学成分来形成目标分离层202。

此外，图200b中的方法可以包括：分割衬底102，通过取消目标分离层202的结合来实现分割。目标分离层202的结合力可以通过(例如，化学，热或机械)加工衬底102来消除。例如，两个衬底子块102a，102b的每个衬底子块相对于加工而言可以比目标分离层202更稳定(例如更耐温度)。换句话说，目标分离层202相对于加工而言可以具有比两个衬底子块102a，102b的每个衬底子块更大的耐抗性。

更高的耐抗性导致变化较慢，例如没有变化。例如，结构(例如，区域或层)和/或材料可以从更小的和/或更慢的寿命中改变其耐抗性。耐抗性可能与特定类型的加工有关，和/或对于各种类型的加工可能不同。

机械上较不稳定的结构(例如面积或层)和/或机械上较小的材料可以例如具有比机械上更稳定的结构(例如面积或层)更小的断裂强度，断裂强度，拉伸强度和/或机械硬度和/机械更稳定的材料。与化学更稳定的结构(例如，面积或层)和/或机械上更稳定的材料相比，化学上较不稳定的结构(例如，区域或层)和/或化学上较不稳定的材料例如可以具有比化学处理剂更大的化学反应性。

例如，通过增加或增加表面积可以降低耐抗性。因此，例如，化学反应性蚀刻剂可以具有腐蚀剂可以在其上侵蚀的较大表面。可选的或附加的，可以通过增加机械硬度和/或断裂力和/或降低与腐蚀剂的化学反应性(也称为钝化)来增加或增加耐抗性。化学反应性可以描述材料经历化学反应的能力，例如发生化学反应的速率或引发反应所需的能量阈值(也称为活化能)。例如，化学反应会导致孔隙的形成。

根据各种实施方案，温度相关的温度稳定可以理解为结构或材料至少可以加载的温度，在该温度下不失去其功能和/或形状。例如，结构或材料至少在直到该温度下不会发生或几乎不与其环境发生化学反应和/或保持化学耐抗性。例如，结构或材料至少在直到该温度下可以保持其聚集状态和/或其化学组成。例如，结构或材料至少在直到该温度下可以至少保持其形状和/或其体积(也就是不改变结构)。例如，结构或材料温度稳定的温度可以是结构或材料的聚集状态改变的温度，例如，熔化温度，或者可以是转变温度，例如。玻璃转变温度。

根据各种实施例，分割可以包括做减法化加工，例如切割，移除或切削。

移除作为(热和/或化学)加工过程的组可以理解为属于用于分割的主要组。与切割或切削相比，这组加工工艺可以非机械地分离单独的工件层或部件。移除可以包括例如热移除(例如，激光束处理，等离子体蚀刻)，化学移除(例如蚀刻)，电化学移除(例如电侵蚀)。分割可以例如通过移除目标分离层202来实现。通过热移除(例如，激光束处理，等离子体蚀刻)，化学移除(例如蚀刻)，水射流分割和/或电化学移除(例如电侵蚀)。分割可以例如通过借助于蚀刻剂至少部分移除目标分离层202来实现。因此，可以释放两个衬底子块102a，102b的连接。

切割可以包括将衬底102分成多个部分，例如，没有切削形成，例如。通过撕裂，通过切断和/或通过分割。分割可以例如通过将衬底102分开，例如，因为衬底102在目标分离层中被撕裂或破裂。例如，机械力(例如张力)可以传递到超过目标分离层的断裂力的目标分离层。

例如，图200a中的目标分离层202的形成可以包括：改变两个衬底子块102a，102b之间的化学组成。换句话说，可以在两个衬底子块102a，102b之间化学地改变边界层202(也称为边界表面202)。例如，可以减少两个衬底子块102a，102b之间的改变的边界层202中的衬底102的相对于分割的耐抗性通过所述改变被减小。

例如，图200c中的目标分离层202的形成可以包括：通过离子注入204(也称为边界层202的掺杂)来改变两个衬底子块102a，102b之间的化学组成。可选地，图200c中的方法可以包括：通过离子注入204(也称为第一衬底子块102a的掺杂)来改变第一衬底子块102a的化学成分。换句话说，通过第一离子注入204，可以在两个衬底子块102a，102b之间形成目标分离层202，并且借助于可选的第二离子注入204，可以发生第一衬底子块102a的修改。可选地，第一离子注入204和第二离子注入204可以不同，例如，至少植入材料和/或植入能量的注入深度。

通过离子注入204，可以将杂质离子形式的杂质(例如化学元素)引入衬底102和/或第一衬底子块102a中。例如，可以增加改变的部段中的杂质的浓度(也称为杂质浓度)，例如。在边界层202和/或第一衬底子块102a中。可选地，杂质与边界层202的半导体材料的反应可以被激发，例如，通过热处理。

例如，通过离子注入204，杂质浓度(即，一定数量的杂质的原子)在边界层202中或在第一衬底子块102a被形成(例如被增加)，例如，比在第二衬底子块102b的杂质浓度更大和/或大于约10¹⁵个原子/立方厘米(原子/cm³)，例如大于约10¹⁶个原子/cm³，例如大于约10¹⁷原子/cm³，例如大于约10¹⁸个原子/cm³，例如高达约10¹⁹个原子/cm³。离子注入204可以以与预定的尽可能小的偏差提供目标分离层202的位置和/或厚度。

改变第一衬底子块102a和第二衬底子块102b之间的边界层202的化学成分可以具有边界层202的机械特性。以降低其机械断裂强度和/或增加其孔隙率。例如，可以通过第一离子注入204将至少一个氢引入边界层202中。换句话说，引入边界层(也称为第二杂质)的杂质至少可以具有氢或由其形成。换句话说，第二杂质可以是或可以是氢。可选地，可以进行氢化，向构成边界层202的化学元素或其化合物添加氢。

可选的或附加的，可以在边界层202中形成缺陷(例如，晶格缺陷，孔或毛细管)，例如。通过边界层202的结构变化，在修改之后，边界层202可以具有比第一和/或第二衬底子块102a，102b更大的杂质密度。例如，目标分离层202可以具有比第一和/或第二衬底子块102a，102b更大的孔隙率。杂质浓度可以表示每体积的杂质数(例如，孔)，即空间密度。可以人为地产生杂质以调节耐抗性。这些杂质可以降低对分割的机械阻力。

改变第一衬底子块102a的化学成分可以改变第一衬底子块102a的机械特性(例如，机械硬度，弹性模量和/或机械刚度)和/或电特性(例如导电性或耐抗性)。降低。因此，例如，稍后形成的功能结构的机械性能或由其形成的后续电极的电性能可以适应于预定的要求。例如，通过可选的第二离子注入204，至少可以将氮和/或磷引入到第一衬底子块102a中。换句话说，引入第一衬底子块102a(也称为第二杂质)的杂质可以具有至少氮和/或磷或由其形成。

第一离子注入204可以通过第一单晶衬底子块102a。可选的或附加的，第二离子注入204可以制成第一单晶衬底子块102a。

图3a，3b和3c分别以示意性侧视图或横截面图示出了根据各种实施例的方法。

该方法可以包括在300a中：在分割之前利用第一主处理侧102o将衬底102(也称为第一衬底102)固定在附加衬底302(也称为第二衬底302)上。例如，第一衬底子块102a可以固定到第二衬底302。

第二衬底302可以在至少一种化学组成和/或至少一种结晶类型中与第一衬底102不同。例如，第一衬底可以具有比第二衬底302更高的熔化温度和/或高于900℃。可选的或附加的，第二衬底302可以包括半导体材料(例如si)，绝缘体(即诸如sio2的电绝缘材料)，陶瓷，金属(例如钨或钼)形成。

例如，300a中的固定可以包括将第一衬底102和第二衬底302连接在一起。例如借助于粘合剂，例如借助键合(例如通过亲水键合，阳极结合和/或热粘合)和/或通过激光束焊接的方式。键合和/或激光束焊接形成不可拆卸的连接。焊接可以通过局部加热来进行，例如，至第一衬底102和/或第二衬底的局部熔化，并且可以可选地具有施加到其上的额外的力(压力)，其将第一衬底102和第二衬底302彼此挤压。键合可以通过第一衬底102和/或第二衬底302的彼此的化学反应来实现，其在低于其熔化温度的温度下开始。可选地，第一衬底102和/或第二衬底302可以被加热，例如，达到约100℃至约700℃范围内的温度。

例如，固定可以通过材料连接在300a中进行。材料配合的连接可以理解为其中连接伙伴通过原子或分子力保持在一起的化合物。材料配合的连接可以是不溶性化合物(也称为不可逆化合物)，即这只能通过破坏连接伙伴来消除。材料结合可以包括：键合，焊接和/或胶合。例如，可以通过化学吸附形成不溶性化合物。根据各种实施例，不可拆卸的材料配合的连接可以具有原子材料配合的连接或由其形成，即，通过原子力(例如，通过连接伙伴之间的化学键)，例如，通过强的原子力(例如在化学吸附的情况下)。

例如，将第一衬底102和第二衬底302彼此接合可以通过(例如，亲水的)粘附层304来实现，如参照图300b详细描述的那样。粘附层304可以设置在第一衬底102和第二衬底302之间。

例如，用于将第一衬底102和第二衬底302彼此固定，例如彼此结合，的力大于目标分离层202的断裂力。例如，两个衬底102，302之间的结合(例如，粘附层304)可以在它们之间提供大于它们的断裂力或大于目标分离层202的断裂力的断裂力。关于连接的面，断裂力可以对应于抗拉强度(每表面单位的力)。示例性地，可以提供不可拆卸的连接，其给出大于其在两个衬底102，302之间的断裂力的力。断裂力可以理解为切断或撕裂部件所需的力。

换句话说，第一衬底102和第二衬底302之间的连接可能比目标分离层202具有更大的耐抗性。

第一衬底102与第二衬底302的固定以及随后的第一衬底102的分割也可以称为转移第一衬底子块102a。

此外，图300a中的方法可以包括分割衬底102，第一衬底子块102a固定到或保持在第二衬底302上。

在图300b中，衬底102可以具有粘附层304。例如，图300b中的衬底102的设置可以包括：在第一主处理侧102o上形成粘附层304。粘附层304例如可以例如在第一衬底子块102a之上形成(例如，物理接触)，这例如通过(例如，亲水性)材料(也称为粘合剂材料)实现，由该材料形成年复层304，粘附层304上布置第一衬底子块102a。(例如，电介质的)粘合材料的布置可以通过涂覆方法，例如，通过化学气相沉积(cvd)或物理气相沉积(pvd)实现。粘合材料可以包括氧化物和/或电介质或由它们形成。例如，半导体氧化物，例如氧化硅。

可替换地，为了形成粘附层304，衬底102的一部分可以在第一主处理侧102o上进行化学改变，例如转变(例如，氧化)。粘附层304由衬底102的经化学改变的材料(例如，氧化物)形成。

例如，粘附层304可以包括或由氧化物(例如，衬底102的半导体材料)形成，例如，诸如氧化硅(sio2-x，2>x≥0)的半导体氧化物。

例如，300a中的固定可以通过粘附层304，例如通过加热粘附层。为此，粘附层304可以与附加衬底物理接触。例如，粘附层304可以与第一衬底子块102a物理接触。

可选地，图300b中的方法可以包括：通过第二离子注入204(也称为掺杂第一衬底子块102a)改变固定到第二衬底302的第一衬底子块102a的化学成分。第二离子注入204可以被配置为如图1所示。

图4a，4b和4c各自以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

微机械结构106的形成可以包括在400a中：暴露(例如，机械暴露)第一衬底子块102a的至少一部分404(也称为自由悬挂部段404)，其中第二衬底302的一部分被去除和/或通过去除粘附层304的剩余部分，例如，分别在相对的两侧。暴露可以包括形成孔302o，例如，在第二衬底302中的通孔302o(即，延伸穿过衬底的开口302o)。开口302o可以例如具有第二衬底302的空腔或由其形成。

例如，微机械结构106可以包括具有衬底子块102a的电极，如将在下面更详细描述的那样。可选的或附加的，微机械结构106可以具有包括衬底子块102a的膜，如将在下面更详细描述的。

微机械结构106，例如其第一衬底子块102a可以包括第一部段402(也称为自由悬挂部段402或固定部段402)和(例如与其相邻的)第二部段404(也称为自由悬挂部段404)。自由悬挂部段404可以借助于固定部段402(例如，悬挂)固定到第二衬底302。

自由悬挂部段404可以例如暴露在相对的两侧(例如，在面向第二衬底302的一侧和远离它的一侧)。

自由悬挂部分404可以包括第一衬底子块102a的一部分(例如，其单晶子区域104a)。可选的或附加的，固定部段402可以包括第一衬底子块102a的一部分(例如，其单晶子区域104a)。例如，第一衬底子块102a(例如，其单晶子区域104a)可以从微机械结构106的悬置延伸到微机械结构106的自由悬挂部分。

例如，自由悬挂部段404和固定部段402(例如，单晶体)可以是整体互连的。

例如，自由悬挂部段404(例如，在膜408的情况下)可以具有小于约1μm的厚度404d，例如，小于约660nm，和/或大于10nm(例如，大于约50nm，例如大于约100nm，例如大于约150nm，例如大于约200nm)，例如在约150nm至约660nm的范围内。

例如，自由悬挂部段404(例如，在悬臂410的情况下)可以具有小于约5μm的厚度404d(例如，小于约3μm，例如小于约1μm，例如小于约0.5μm)，和/或大于约10nm(例如，大于约50nm，例如大于约100nm，例如大于约150nm，例如大于约200nm)，例如在约2μm至约4μm的范围内，例如约3μm。

在400a中微机械结构106的形成可以可选地包括：使第一衬底子块102a或至少第一子区域104a变薄和/或平坦化。

在400b中微机械结构106的形成可以包括：形成膜408，其包括第一衬底子块102a或至少所述第一子区域104a或由它们形成。该膜408的自由悬挂部段404(也被称为功能区域)被设置为在中心区域被偏转，其例如与第二衬底302间隔开地布置，例如在开口302o之上。在偏转期间，膜408的自由悬挂部段404(位于或接近所述第二衬底302)的外周区域可以通过固定部分402(例如，静止地)保持(也称为支撑或张紧)。

所述膜408可以理解为片状结构元件，例如板，其通过(例如外围布置和/或围绕所述中央区域)的固定部分402锚定在一个或多个外围区域锚402。当将膜408用于机械负载，其将负载转加到固定部段402，在固定部段上其相对于剪切力被固定。膜408可以由第二衬底302支撑。

微机械结构106的形成可以包括在400c中：形成悬臂410(例如，一个悬臂梁)，其中，所述第一衬底子块102a，或至少所述第一子区域104a或由其形成。悬臂410被设置为在自由悬挂部段404的第一端部410e(也被称为功能区域)(与第二衬底302隔开的)被偏转，而自由悬挂部段404(在第二衬底302处或附近)的第二(相对于第一端部的)端部420e借助固定部段402(例如，不可移动地)保持。自由悬挂部段404的端部的410e可通过间隙(与周边部分相对)与第二衬底302分开，例如被偏转。

悬臂410可以理解为细长的结构元件，例如细长的板或梁，其通过固定部段402锚固到第二端部区域420e(例如，与第一端部区域相对)。换句话说，悬臂410可以具有支撑在一侧的突出的第一端部410e。当悬臂410受到机械负载时，悬臂410将负载转移到固定部段402，在该位置相对剪切应力被固定。悬臂410可以通过第二衬底302来支撑。

在400a，400b和/或400c中微机械结构106的形成可以包括：在第一衬底子块102a之上(例如在第一部段402之上和/或第二部段404之上)形成附加层412(也称为基层412)，例如通过pvd或cvd。基层412和第一衬底子块102a可以彼此不同，例如，在其半导体材料和/或其结晶类型方面。例如，基层412可以是多晶的，和/或可以由si形成或由si形成。

例如，可以在衬底102切割之后，可选的在第一衬底子块102a(例如，具有sic层或由其形成的)的平面化和结构化悬臂410之后进行poly-si(多晶硅)沉积，并且。例如，第一衬底子块102a(具有sic层或由其形成的)可以提供支撑/稳定结构(也称为加强结构)以增强多晶硅膜的坚固性。可选地，第一衬底子块102a可以被结构化。

通常，微机械结构106可以包括功能结构544，例如，膜408和/或悬臂410。功能结构544可以包括锚定部段402和自由悬挂部段404，其可以是(例如，整体的)单晶的和/或可以通过加工单晶衬底子块102a来形成的。

图5a，5b，5c和5d各自以示意性侧视图或横截面图(例如，沿着主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

在500a中微机械结构106的形成可以包括：提供具有电极502的第二衬底302。电极502(也称为第一电极502)可以在第一衬底102和第二衬底302彼此固定之前形成(也称为预加工第二衬底302)。

第一电极502可以例如具有小于约2μm的厚度(垂直延伸)，例如。小于约1μm，例如大于或等于约600nm，例如当第一电极502包括或由多晶材料(例如多晶硅或氮化物)形成时。

当第一电极502由衬底子块(如下所述)制成时，例如，由单晶材料(例如，sic)，第一电极502可以被制成更薄，例如。具有小于约600nm的厚度(垂直延伸)，例如。小于约300nm，例如小于或等于约150nm，例如大于或等于约100nm。

在500b中微机电结构106的形成可以包括：形成具有或由第一衬底子块102a或至少第一子区域104a形成的附加电极512(也称为第二电极512)。例如，第二电极512可以具有比第一电极502更小的厚度(垂直延伸)(例如，当第二电极512具有比第一电极502更多的单晶材料时)。

通常，微机械结构106可以包括电子部件502，512(也称为微机电结构106)。第一电极502和/或第二电极512。类似于功能结构544，电子(有源)结构元件502，512可以具有锚定部段402和自由悬挂部段404，其可以(例如整体是)单晶的和/或可以通过加工单晶衬底子块102a来形成。电子结构元件502，512可以具有比功能结构544更大的刚度。刚度可以被理解为结构抵抗由力或扭矩(弯曲力矩或扭转力矩，取决于应力)的弹性变形的阻力。电子(有源)结构元件502，512可以在微机械结构106的操作期间传输电信号。

第二电极512的形成可以包括在衬底子块102a和第一电极502之间形成空腔302h(也称为第一空腔302h)，这可以通过在衬底子块102a和第一电极502之间移除材料(例如牺牲材料)来实现。

空腔302h可以例如在第一衬底子块102a被布置和/或第一电极502已经形成之后形成。例如，牺牲层可以设置在第一电极502和第一衬底子块102a之间，其可以被去除以形成空腔302h，例如，通过游离/蚀刻牺牲层。可选的或附加的，牺牲层可以用于精确调节膜和电极之间的垂直距离。

可替换地，空腔302h可以在第一衬底子块102a放置在第一电极502上方之前形成，也就是说，示例性地悬停(在空腔302h之上)。

例如，第二电极512可以具有比第一电极502小的厚度(垂直延伸)和/或小于600nm的厚度(垂直方向)，例如小于或等于约300nm，例如小于或等于约150nm，例如可以使用单晶材料(例如，sic)将第二电极512制成得比第一电极502薄(可以具有例如在约610nm至约约2000nm的厚度范围内)。

第一衬底子块102a或其第一子区域104a可以在空间上跨空腔302h。

在500c中微机械结构106的形成可以包括：形成包括第一衬底子块102a或至少第一子区域104a的功能结构544(例如，提供膜408或悬臂410)。形成功能结构544可以包括在衬底子块102a和第一电极之间形成第一空腔302h。功能结构544可以具有响应于作用在其上的力而相对于第二衬底302(例如，进入第一空腔302h)可偏转的功能区域。第一衬底子块102a或其第一子区域104a可以在空间上跨越第一空腔302h。

图500d中的微机械结构106的形成可以包括形成第二电极512，功能结构544设置在第二电极512和第一电极502之间。功能结构544可包括第一衬底子块102a或至少第一子区域104a，或由其形成(或至少从其一部分)形成。功能结构544的形成可以包括在衬底子块102a和第一电极502之间形成第一空腔302h和/或在衬底子块102a和第二电极512之间形成第二空腔312h。

第二空腔312h的形成可以例如在第一衬底子块102a被布置和/或形成第一电极502和/或第二电极512之后实现。例如，牺牲层可以设置在第二电极512和第一衬底子块102a之间，其被去除以形成第二空腔312h。通过游离/蚀刻牺牲层。可选的或附加的，牺牲层可以用于精确调节膜和电极之间的垂直距离。

可替换的，第二空腔312h可以在第二电极512放置在第一衬底子块102a之上之前形成，也就是说，示例性地悬停(在第二空腔312h之上)。

可替换的，衬底子块102a可用于形成第二电极512。

第一衬底子块102a或其第一子区域104a可以在空间上跨越第一空腔302h和/或第二空腔312h。

布置在两个电极502，512之间的衬底子块102a可以例如提供膜408或悬臂410。可选地，可以使用第二衬底子块102b来形成第二电极512，如将在下面更详细描述的。

图6a，6b和6c各自以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

图600a中的衬底102的设置可以包括：结构化第一衬底子块102a(和可选地粘附层304)，例如在形成目标分离层202之后。例如，第一衬底子块102a的结构化可以具有要暴露的目标分离层202的至少一个或多个区域。可选的或附加的，例如，第一衬底子块102a的结构化可以包括在衬底子块102a中形成穿过衬底子块102a的一个或多个开口。

第一衬底子块102a的结构化可以通过蚀刻，例如，通过干蚀刻(例如，等离子体蚀刻或溅射蚀刻)，和/或通过离子蚀刻来实现。可选的或附加的，第一衬底子块102a的结构化可以通过掩模(例如，通过光刻工艺形成的掩模)来实现。光刻工艺可以例如包括：在第一衬底子块102a上施加硬掩模(例如，具有光刻胶或由其形成)；以及通过蚀刻第一衬底子块102a来结构化第一衬底子块102a。可替换地可以使用无掩模结构化工艺，例如激光结构化处理(例如，cnc激光处理，即计算机辅助的数控激光处理)。

在600b中微机电结构106的形成可以包括：形成具有(例如，结构化的)第一衬底子块102a或至少第一子区域104a或由其形成的加强结构602(例如具有支柱，条或环)。加强结构602可以或可以布置在可偏转的区域(例如，自由悬挂部段)之上，例如，在膜408或悬臂410上。例如，第二衬底302在其连接到第一衬底102之前可以具有功能结构544。可替换地，可偏转部分可以沉积在加强结构602上或之上，例如，多晶硅(也称为多晶硅)或由其形成。

根据各种实施例，可偏转区域可以被布置在加强结构602和空腔302h之间。可选的或附加的，附加的加强结构602可以被布置在空腔302h和可偏转区域之间，例如，邻接空腔302h。

可替换地，可偏转区域(例如，膜408或悬臂410)可以包括或由单晶半导体材料形成，并且加强结构602可包括多晶半导体材料或由多晶半导体材料形成。多晶硅，例如，加强结构602可以沉积在可偏转区域上或上方，例如，多晶硅(也称为多晶硅)或由其形成。

加强结构602可以具有比功能结构544更大的机械硬度，更大的刚度或更大的弹性模量。通过构造第一衬底子块102a，可以改变加强结构602的刚度。第一衬底子块102a的结构化可以在放置在可偏转结构408之前或之后进行，

在600c中微机械结构106的形成可以包括形成在第一电极502和第二电极512之间的、包括(例如，结构化的)第一衬底子块102a或至少第一子区域104a或由其形成的加强结构602。加强结构602可以布置在功能结构上，例如在膜408或悬臂410上。

图7a和7b各自以示意性侧视图或横截面图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

在700a中提供衬底102可以包括借助于离子注入204穿过第一衬底子块102a并且穿过粘附层304而形成目标分离层202。可选的或附加的，700a中的方法可以包括：通过离子注入204改变第一衬底子块102a的化学组成，例如第二离子注入204。在此之前，可以可选地实施第一离子注入204(例如，以形成分离层202)。可选的或附加的，第一离子注入204和第二离子注入204可以不同，例如，至少在注入材料和/或注入深度以及注入能量方面不同。

可选地，700a中的方法可以包括：结构化第一衬底子块102a。因此，随后由其形成的加强结构的机械性能可以被适配。

(例如，亲水的)粘附层304可以是例如(例如，亲水的)电介质，例如，包括氧化物或由其形成(也称为氧化物层304)，例如半导体氧化物。

例如，衬底102可以是单晶碳化硅衬底102(sic衬底102)或具有至少一个sic单晶区域104。

例如，目标分离层202可以或可以通过氢离子的注入204(例如，使用氢气-h2)形成。

在700b中，将第一衬底102(也称为载体衬底)固定到第二衬底302的固定可以包括：将衬底102键合702到附加衬底302。可以提供附加衬底302(例如，通过预处理，或被称作预先处理)，使得其具有第一电极502。第一电极502可以例如被预配置地提供。

第二衬底302可以例如具有电极层704，其具有第一电极502。电极层704可以包括(例如，亲水的)粘合剂材料，例如，(例如，亲水的)电介质(例如，氧化物)，第一电极502被嵌入其中。第一电极502可以具有多个层，其第一层502a可以包括氮化物或由其形成，第二层502b可以包括半导体材料(例如，si或sic)或由其形成，第三层502c可以包括氮化物或者由其形成，并且第四层502d可以具有多个突起或由其形成，例如由此形成的半导体材料(例如，si，例如，多晶硅)。可选地，第一电极可以具有多个开口(通气开口)，第一电极502的多个层穿过该开口。

第二衬底302(也称为目标衬底)可以具有衬底本体706，第一电极502或电极层704布置在衬底本体706上。绝缘层302p可以可选地布置在衬底本体706和第一电极502或电极层704之间。氧化物或由其形成。衬底本体706可以包括半导体材料或由半导体材料形成。硅。

700a中，例如，sic载体衬底102可以以表面氧化层304来提供，并且随后与在700b中已经预处理的目标衬底302接触。两个衬底102，302彼此的结合可以通过键合工艺来实现。通过分子(亲水)键合工艺(即，通过热处理可选地增强分子粘附)。

可选地，第一电极502(例如，第二层502b)可以包括单晶衬底子块或由其形成，如将在下面更详细描述的(参见图1200b)。

图8a和8b各自以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

在800a中，第一衬底102的分割可以包括：第一衬底102的热处理，例如通过将热能供应到第一衬底102中。热处理可以包括加热第一衬底102，例如至少达到目标分离层202温度稳定的温度和/或加热至至少约700℃的温度，例如，至至少约900℃的温度。通过第一衬底102的热处理，第一衬底102的结构变化，例如，在目标分离层202中。结构变化可能导致两个衬底子块102a，102b的连接断裂。

例如，在800a中通过对由第一衬底102和第二衬底302构成的结合系统进行热处理(例如在约500-900℃下约1小时)，可以使根据预定的目标分离层202(也称为分离区202)的层堆叠102a，304(例如，sio2-sic)与sic载体衬底102分离。然后可以重新使用(例如，再循环)sic载体衬底，并用于在晶片级上形成更多的传感器，如下面更详细描述的。

在800b中，第一衬底102的分割可以包括：从第一衬底子块102a移除第二衬底子块102b。例如，第一衬底子块102a可以至少部分地暴露在800b中。

可选地，在800b的分割之后，第一衬底子块102a的改变，例如，第一衬底子块102a的化学或结构改变，例如。结构化或改变第一衬底子块102a的化学成分。第一衬底子块102a的化学组成可以例如通过第二离子注入204进行修改。在此之前，可以可选地提供第一离子注入204(例如，以形成分离层202)。可选的或附加的，第一离子注入204和第二离子注入204可以不同，例如，至少在注入材料和/或注入深度以及注入能量方面不同。

结构化可以例如通过光刻工艺和/或通过等离子体蚀刻来实现。结构化可以包括例如在第一衬底子块102a上施加硬掩模(例如，具有光刻胶或由其形成)；以及通过蚀刻第一衬底子块102a来结构化第一衬底子块102a。可替换地可以使用无掩模结构化工艺，例如激光结构化处理(例如，cnc激光处理，即计算机辅助的数控激光处理)。

改变第一衬底子块102a的化学成分，第一衬底子块102a的弹性模量和/或机械硬度，例如，弹性模量降低和/或机械硬度降低。通过构造第一衬底子块102a，可以改变第一衬底子块102a的机械刚度，例如，被减小。

通过绝缘体层304(例如，氧化物或由其形成)，(清楚地限定-被分割的)单晶层102a(例如，sic层102a)保持连接到目标衬底304，并且可以例如随后提供传感器的膜。单晶层102a的可选的变化(由此带来的膜特性变化)可以在800b中实施，例如通过氮(n2)的注入。如果单晶层102a(例如，sic层102a)由于分割(分割)而具有大于默认值的粗糙度，则可能在单晶层102a上沉积另外的层之前进行光滑化(平坦化)处理，例如通过化学机械处理(也称为cmp工艺)。

图9a和9b各自以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

在900a中，微机械结构106的形成可以包括：电接触第一电极502和/或第一衬底子块102a。例如，第一电极502和/或第一衬底子块102a可以连接到电接触焊盘902，例如。借助于可由金属形成或可由金属形成的电引线(例如，通孔)。电接触焊盘可以例如通过金属化902来提供。例如，金属化902可以通过通孔与第一电极502，衬底本体706和/或第一衬底子块102a电耦合(即导电连接)。金属化902和/或电引线可以是导电的，具有大于10⁶西门子/米的电导率。金属化902和/或电引线可以包括金属或由金属形成。诸如钼，钨和/或金的耐腐蚀金属(例如贵金属)或另外的金属如铜和/或铝。可选的或附加的，金属化902可以包括氮化物(例如氮化钽)或由氮化物(也可以是耐腐蚀的)形成。

在900a中微机械结构106的形成可以可选地包括：在第一衬底子块102a上方形成一个或多个层，其中至少一个第一层904具有电介质(例如氧化物)或由其形成和/或这些中的至少一个第二层902(例如，金属化902)可以具有金属或由其形成，并且可选地，至少一个第三层906可以具有钝化材料或者可以由其形成(也称为钝化层906)。钝化层906可以例如具有多个开口(也称为接触开口)，其中每个开口暴露金属化层902的接触焊盘。接触开口可以例如通过蚀刻工艺和/或通过光刻工艺形成或形成。钝化材料可以是电绝缘的，即电导率在小于约10^-6西门子/米的范围内。例如，钝化材料可以是氧化物(例如，半导体氧化物)，聚合物(例如树脂或漆)或氮化物(例如半导体氮化物)。

在900a中，微机械结构106的形成可以可选地包括：在第一衬底子块102a上形成开口906o(第一开口906o)在钝化层906中。

在900b中微机械结构106的形成可以包括：在附加衬底302中薄化附加衬底302和/或形成开口706o(第二开口706o)。第二开口706o的变薄和/或形成可以从与第一衬底子块102a相对的附加衬底302的侧面实施。开口706o可以例如延伸穿过衬底本体706。在附加衬底302中形成开口706o可以例如在绝缘层302p上停止。例如，绝缘层302p可以用作蚀刻停止。

图10以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出了根据各种实施例的方法。

在1000中形成微机械结构106可以包括：暴露(例如，机械地暴露)第一电极502和/或第一衬底子块102a(至少在第二部段404中)，例如，分别在相对的两侧。暴露可以通过增加第一开口906o和/或第二开口706o来实现。通过暴露部分，可以在第一电极502和第一衬底子块102a之间形成空腔302h(即第二开口706o的一部分)。空腔302h的垂直延伸可以由电极层704的厚度限定。

第一衬底子块102a(例如，其第二部段404)可以借助于自由悬挂部段402耦合到附加衬底302。可选的或附加的，第一衬底子块102a(例如，其第二部段404)可以通过自由悬挂部段402电接触。

自由悬挂部段404可以借助于第一开口906o和/或通过第二开口706o暴露和/或彼此分离。

图10所示的微机械结构106(例如，电容传感器)可以例如以单电极配置(也称为单个对电极配置，例如，膜可以被视为反电极的电极)来提供。单电极配置可以包括功能区域404，该功能区域404响应于作用于其上的力而相对于附加衬底302可偏转(例如，进入第一空腔302h)，并且确切地讲是第一电极502偏转。第一电极502和功能区域404可以彼此电容耦合。第一电极502可以设置在功能区域404和衬底本体706之间，或者可以是(也称为底部单电极构造或底部单个对电极构造)。第一衬底子块102a可以例如提供膜408或悬臂410。

图11a和11b各自以示意性侧视图或横截面图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

第一衬底102的设置可以布置在1100a中，如700a所示。

除了第二衬底302的电极被省略之外，将第一衬底102固定到第二衬底302可以在1100b中被配置为如700b所示。第二衬底302可以在1100b中具有附加(例如，亲水的)粘附层1104，粘附层1104可以包括或由粘合剂材料形成和/或与衬底本体706物理接触。(例如，电介质的)粘合材料可以包括或由氧化物和/或电介质形成。半导体氧化物，例如氧化硅。

图12a和12b各自以示意性侧视图或横截面图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

在1200a中第一衬底102的分割可以如800a中那样布置(除了第二衬底302没有电极之外)。可选地，改变第一衬底子块102a可以如800b中那样被设置在1200b中。

根据各种实施例，在1200b中实施第一电极502的形成，其(例如，其第二层502b)可以具有第一衬底子块102a或由第一衬底子块102a(也称为预处理第二衬底302)形成。在这种情况下，可以继续处理步骤800a。

可替换地，可以提供以形成具有第一衬底子块102a或由其形成的功能结构544。在这种情况下，可以继续处理步骤1300a。

图13a和13b各自以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

形成图1300a中的微机械结构106可以包括在第一衬底子块102a之上形成第二电极512。

第二电极512可以具有多个层，其第一层512a可以包括氮化物或由其形成，第二层512b可以包括半导体材料(例如，si，例如多晶硅)，第三层512c可以包括氮化物或者由其形成，第四层可以具有多个突起或由其形成，例如由此形成的半导体材料(例如，si，例如，多晶硅)。可选地，第二电极512可以具有多个开口(通气开口)，第一电极502的多个层穿过该开口。

在1300a中，微机械结构106的形成还可以包括电接触第二电极512和/或第一衬底子块102a。例如，第二电极512和/或第一衬底子块102a可以连接到电接触焊盘902，例如通过具有金属或由其形成的电导体(例如，金属化通孔)。电接触焊盘可以例如通过金属化902来提供。例如，金属化902可以借助于通过金属化通孔而与第二电极512，衬底本体706和/或第一衬底子块102a电耦合(即导电地连接)。金属化902和/或电引线可以是导电的，即电导率大于10⁶西门子/米。金属化902和/或电引线可以包括金属或由金属形成。诸如钼，钨和/或金的耐腐蚀金属(例如贵金属)或另外的金属如铜和/或铝。可选的或附加的，金属化902可以包括氮化物(例如氮化钽)或由氮化物(也可以是耐腐蚀的)形成。

在1300a中微机械结构106的形成可以可选地包括：在第一衬底子块102a上方形成一个或多个层，其中至少一层可以由氧化物904形成，或者至少其中一层902具有金属化层902或者可以由其形成，并且可选地，至少一个层906可以具有钝化材料或由其形成。钝化层906可以例如具有多个开口，每个开口暴露金属化层902的接触焊盘。钝化材料可以是电绝缘的，即电导率小于10^-6西门子/米。例如，钝化材料可以是氧化物(例如，半导体氧化物)，聚合物(例如树脂或清漆)或氮化物(例如半导体氮化物)。

在1300a中微机械结构106的形成可以可选地包括：在第一衬底子块102a之上和/或第二电极之上(例如在钝化层906中)形成第一开口906o，。

在1300a中第二电极512的形成可以可选地包括形成包括第二单晶衬底子部分102b或由第二单晶衬底子部分102b形成的第二电极512(例如，其第二层512b)。例如，可以通过分割衬底残渣来提供第二单晶衬底子块102b。

在1300b中微机械结构106的形成可以包括：使附加衬底302变薄和/或在附加衬底302中形成第二开口706o。第二开口706o的变薄和/或形成可以从与第一衬底子块102a相对的附加衬底302的侧面实施。开口706o可以例如延伸穿过衬底本体706。在附加衬底302中形成开口706o可以例如在绝缘层302p上停止。例如，绝缘层302p可以用作蚀刻停止。

图14以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出了根据各种实施例的方法。

在1400中，微机械结构106的形成可以包括：暴露(例如，机械地暴露)第二电极512和/或第一衬底子块102a。可以通过增加第一开口906o和/或通过增加第二开口706o来实现暴露。分别在相对的两侧。通过暴露部分，可以在第二电极512和第一衬底子块102a之间形成空腔312h(即第一开口906o的一部分)。

第一衬底子块102a可以通过自由悬挂部段402耦合到附加衬底302。可选的或附加的，第一衬底子块102a可以通过自由悬挂部段402电接触。

自由悬挂部段404可以借助于第一开口906o和/或通过第二开口706o暴露和/或彼此分离。

图14所示的微机械结构106(例如，电容传感器)可以例如以单电极配置(也称为单个对电极配置)提供。单电极配置可以包括功能区域404，该功能区域404响应于作用在其上的力并且确切地说是第二电极512而相对于附加衬底302可偏转。第二电极512和功能区域404可以彼此电容耦合。功能区域404可以布置在第二电极512和衬底本体706之间，或者可以是(也称为顶部单电极配置或顶部单个对电极配置)。

布置在第二电极512和衬底本体706之间的衬底子块102a可以例如提供膜408或悬臂410。可替换地，第一衬底子块102a可以用于形成第二电极512。例如，第二电极512的第二层512b可以具有第一衬底子块102a或由其形成(或至少从其一部分形成)。

可选地，可以使用第二衬底子块102b来形成第二电极512。例如，第二电极512的第二层512b可以具有第二衬底子块102b或由其形成(或至少从其一部分形成)。

图15a和15b各自以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

在1500a中，微机械结构106的形成可包括：提供第一衬底子块102a和/或第二衬底302，如在800a和/或800b中设置的那样。

在1500a中，微机械结构106的形成可以包括：在第一衬底子块102a上方形成第二电极512，例如像1300a所设置的那样。

在1500b中微机械结构106的形成可以包括：使附加衬底302变薄和/或在附加衬底302中形成开口706o(第二开口706o)。第二开口706o的变薄和/或形成可以从与第一衬底子块102a相对的附加衬底302的侧面实施。开口706o可以例如延伸穿过衬底本体706。在附加衬底302中形成开口706o可以例如在绝缘层302p上停止。例如，绝缘层302p可以用作蚀刻停止。

例如，金属化902(例如，具有接触焊盘)可以通过通孔与第一电极502，第二电极512，衬底本体706和/或第一衬底子块102a电耦合(即导电)。金属化902和/或电引线可以是导电的，即电导率大于10⁶西门子/米。金属化902和/或电引线可以包括金属或由金属形成。铜和/或铝。

图16以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出根据各种实施例的方法。

在1600中形成微机械结构106可以包括暴露(例如，机械地暴露)第一电极502，第二电极512和/或第一衬底子块102a。可以通过增加第一开口906o和/或通过增加第二开口706o来实现暴露，例如分别在相对的两侧。通过暴露部分，可以在第一电极502和第一衬底子块102a之间形成第一空腔302h(即，第二开口706o的一部分)。通过暴露，可以在第二电极512和第一衬底子块102a之间形成第二空腔312h(即，第一开口906o的一部分)。

第一衬底子块102a可以通过自由悬挂部段402耦合到附加衬底302。可选的或附加的，第一衬底子块102a可以通过自由悬挂部段402电接触。

自由悬挂部段404可以借助于第一开口906o和/或通过第二开口706o暴露和/或彼此分离。

图16所示的微机械结构106(例如，电容传感器)可以例如以双电极配置(也称为双对电极配置)提供。双电极配置可以包括功能区域404，该功能区域404响应于作用在其上的力而相对于附加衬底302可偏转，确切的说是两个电极502，512的偏转，其间布置有功能区域404。第一电极502，第二电极512和功能区域404可以彼此电容耦合。

布置在两个电极502，512之间的衬底子块102a可以例如提供膜408或悬臂410。可选地，可以使用第二衬底子块102b来形成第一电极502或第二电极512。可替换地，衬底子块102a可用于形成第一电极502或第二电极512。

根据各种实施例，可以提供双电极配置，其中至少一个电极502，512和/或功能区域404可以或可以由单晶材料形成，例如，单晶gan，单晶sic和/或单晶si。

双电极配置可以例如提供传感器(例如，麦克风)。与单电极配置相比，双电极配置可具有更大的snr和/或更低的thd。双电极配置的制造可以例如类似于顶部单电极配置的制造，并且不同于目标衬底302正在或正在被预处理的事实。

图17以示意性侧视图或横截面视图(例如，沿主处理侧102o观察)示出了根据各种实施例的方法。

在1700a中该方法可以包括：通过在单晶区域上分割衬底102(从衬底102残留的剩余衬底102r)，从衬底102分割第一单晶层102a。

在1700b中该方法可以包括：形成具有第一单晶层102a的第一微机械结构106。第一单晶层102a可以例如提供第一微机械结构106的功能结构544，加强结构602，第一电极502或第二电极512。

在1700c中该方法可以可选地包括：提供包含或由剩余衬底102r形成的衬底102。该提供可以可选地包括：热处理剩余衬底102r，例如，通过退火(以愈合晶体结构)。

在1701a中该方法可以可选地包括：通过在单晶区域中分割衬底102，从衬底102分离第二单晶层102b，其中从衬底102残留的剩余衬底102r。

在1700b中该方法可选的可以包括：形成包括第二单晶层102b的第二微机械结构116。第二单晶层102b可以例如提供第二微机械结构116的功能结构544，加强结构602，第一电极502或第二电极512。

可替换地，在1700d中，可以将第二单晶层102b添加到第一微机械结构106。第二单晶层102b可以例如提供第二微机械结构116的功能区域，加强结构602或第二电极512。例如，提供第一微机械结构106和第二单晶层102b的功能结构544的第一单晶层102a可以提供第一微机械结构106的电极502，512。

可以通过分割剩余的剩余衬底102r来提供单晶层102a，102b(也称为衬底的再利用)，直到单晶衬底102被消耗。因此，可以更好地利用单晶衬底102，降低成本。

根据各种实施例，分割可以通过智能分割过程来执行。智能分割可以理解为允许将单层半导体材料层传输到技术载体(即，第二衬底)(也称为转移)上的技术方法。

例如，绝缘体上硅衬底或绝缘体上的碳化硅衬底可以设置有第二衬底302和单晶层102a，102b。