一种团簇离子束沉积基片架的制作方法

技术特征：

1.一种团簇离子束沉积基片架，其包括两个纵梁(1)和两个横梁(2)，所述纵梁(1)和横梁(2)互相垂直连接并形成矩形框架结构，两个所述纵梁(1)之间以及两个所述横梁(2)之间均设有至少一个支杆(3)，所述支杆(3)将框架结构所围成的区域分隔为放置独立基片的内部框架，其特征在于：

所述横梁(2)和纵梁(1)的上表面靠近框架结构内侧均开设有长条形安装槽(4)，所述支杆(3)的两端底面与所述安装槽(4)在形状上彼此互补，并可沿所述安装槽(4)的长度方向滑动，相交的两个支杆(3)中，位于上方的所述支杆(3)的两端可拆卸地安装于所述安装槽(4)上；

每个所述支杆(3)的中段均设有第一长槽孔(31)，相交的两个所述支杆(3)通过卡接件(5)连接。

2.如权利要求1所述的团簇离子束沉积基片架，其特征在于：所述安装槽(4)具有底面(41)和侧面(42)，所述底面(41)与其所在的所述纵梁(1)或横梁(2)表面平行，所述侧面(42)与底面(41)之间的夹角α的范围为90≤α＜180。

3.如权利要求2所述的团簇离子束沉积基片架，其特征在于：相交的两个所述支杆(3)中，与位于上方支杆(3)两端互补的安装槽(4)的底面(41)设有第二长槽孔(411)，所述支杆(3)通过紧固件(6)固定在所述第二长槽孔(411)的任意位置。

4.如权利要求1所述的团簇离子束沉积基片架，其特征在于：所述卡接件(5)包括固定板(51)、一对第一卡接片(52)和一对第二卡接片(53)，每对卡接片互相平行的设置在所述固定板(51)表面上，且第一卡接片(52)和第二卡接片(53)互相垂直设置，所述第一卡接片(52)的宽度均小于所述第一长槽孔(31)的宽度，一对第二卡接片(53)卡接在位于上方的所述支杆(3)的两侧；一对第一卡接片(52)卡接在位于下方的所述支杆(3)的两侧或者卡接在位于下方的所述支杆(3)的第一长槽孔(31)的内侧。

5.如权利要求1所述的团簇离子束沉积基片架，其特征在于：所述卡接件(5)包括固定板(51)和两个第三卡接片(54)，两个所述第三卡接片(54)互相平行地设置在所述固定板(51)表面上，所述第三卡接片(54)的自由端进一歩限缩形成第四卡接片(55)，两个所述第三卡接片(54)卡接在位于上方的所述支杆(3)的两侧，两个所述第四卡接片(55)穿过位于下方的所述支杆(3)的第一长槽孔(31)。

6.如权利要求4或5所述的团簇离子束沉积基片架，其特征在于：所述卡接片(52)为弹性金属片。

7.如权利要求1所述的团簇离子束沉积基片架，其特征在于：所述支杆(3)的中段具有凹槽(32)，所述第一长槽孔(31)位于所述凹槽(32)内，相交的两个所述支杆(3)的所述凹槽(32)相对布置。

8.如权利要求1所述的团簇离子束沉积基片架，其特征在于：所述横梁(2)、纵梁(1)和支杆(3)上还设有用于固定基片的卡扣或者弹片。