插拔性优异的镀锡铜合金端子材的制作方法

文档序号:5280539阅读:225来源:国知局
插拔性优异的镀锡铜合金端子材的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种发挥优异的电连接特性的同时将动摩擦系数降低到0.3以下的插拔性优异的镀锡铜合金端子材。该铜合金端子材为在由Cu合金构成的基材上的表面形成Sn系表面层,在该Sn系表面层与基材之间形成CuSn合金层的镀锡铜合金端子材,其中,CuSn合金层为将Cu6Sn5作为主成分且在所述基材侧界面附近具有该Cu6Sn5的Cu的一部分替换为Ni以及Si的化合物的合金层,Sn系表面层的平均厚度为0.2μm以上0.6μm以下,CuSn合金层的油积存深度Rvk为0.2μm以上,并且露出于Sn系表面层的表面的CuSn合金层的面积率为10%以上40%以下,动摩擦系数为0.3以下。
【专利说明】插拔性优异的镀锡铜合金端子材
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种作为在汽车、民用设备等的电气配线的连接中使用的连接器用端子、尤其作为多针连接器用端子而有用的镀锡铜合金端子材。
[0002]本申请主张基于2011年8月12日申请的日本专利申请2011-177310号以及2012年1月26日申请的日本专利申请2012-14381号的优先权,并将其内容援用于本说明书中。
【背景技术】
[0003]镀锡铜合金端子材在由铜合金构成的基材上实施镀Cu以及镀Sn之后进行回流处理,由此在表层的Sn系表面层的下层形成CuSn合金层,其作为端子材而被广泛使用。
[0004]近年来,例如对汽车急速进行电子化,并随此电气设备的线路数量增加,因此所使用的连接器的小型化、多针化变得显著。若连接器多针化,则即使每单针的插入力较小,插入连接器时连接器整体也需要较大的力,会担心生产率降低。因此,尝试通过减小镀锡铜合金材的摩擦系数来降低每单针的插入力。
[0005]例如,有将基材粗糙化而规定CuSn合金层的表面露出度的技术(专利文献1),但存在接触电阻增大,焊料润湿性下降的问题。另外,还有规定CuSn合金层的平均粗糙度的技术(专利文献2),但存在为了进一步提高插拔性而无法例如将动摩擦系数降低到0.3以下的问题。
[0006]专利文献1:日本专利公开2007-100220号公报
[0007]专利文献2:日本专利公开2007-63624号公报
[0008]为了降低镀锡铜合金端子材的摩擦系数,若使表层的Sn层变薄,并使比Sn硬的CuSn合金层的一部分露出于表层,则能够使摩擦系数变得非常小。然而,若CuSn合金层露出于表层,则在表层形成Cu氧化物,其结果,引起接触电阻增大,焊料润湿性下降。另外,存在即使控制了 CuSn合金层的平均粗糙度,也无法将动摩擦系数降低到0.3以下的问题。

【发明内容】

[0009]本发明是鉴于前述课题而提出的,其目的在于提供一种在发挥优异的电连接特性的同时将动摩擦系数降低到0.3以下的插拔性优异的镀锡铜合金端子材。
[0010]本发明人等进行深入研究的结果得到如下见解:表层的Sn层较薄,下层的CuSn层稍微露出于其表面,这有利于降低动摩擦系数,在此认识下,为了抑制因Sn层变薄而引起的电连接特性的下降,需要将CuSn合金层的表面露出控制在有限的范围内,为此,Sn层与其下层的CuSn层之间的界面形状很重要。即,自表面起几百nm深度范围的结构会对动摩擦系数产生较大影响,研究结果发现,当表层附近为Sn与CuSn的复合结构时,存在于较硬的CuSn合金层之间的较软的Sn发挥润滑剂的作用,动摩擦系数降低。此时,Sn层与CuSn层的界面为陡峭的凹凸形状很重要,作为其界面形状着眼于油积存深度Rvk。另外还发现,为了得到较好的油积存深度Rvk,Ni以及Si的存在很重要。基于上述见解,将以下作为解决方法。[0011]即,本发明的镀锡铜合金端子材为在由Cu合金构成的基材上的表面形成Sn系表面层,在该Sn系表面层与所述基材之间形成CuSn合金层的镀锡铜合金端子材,其中,所述CuSn合金层为如下的合金层:将Cu6Sn5作为主成分且在所述基材侧界面附近具有该Cu6Sn5的Cu的一部分替换为Ni以及Si的化合物。所述CuSn合金层的油积存深度Rvk为0.2 μ m以上,且所述Sn系表面层的平均厚度为0.2 μ m以上0.6 μ m以下,露出于所述Sn系表面层的表面的所述CuSn合金层的面积率为10%以上40%以下,动摩擦系数为0.3以下。
[0012]通过将CuSn合金层的油积存深度Rvk设为0.2 μ m以上,且将Sn系表面层的平均厚度设为0.2 μ m以上0.6 μ m以下,将在Sn系表面层的表面上的CuSn合金层的露出面积率设为10%以上40%以下,能够实现动摩擦系数成为0.3以下,此时,通过形成于CuSn合金层下部的Cu的一部分替换为Ni以及Si的(Cu,Ni,Si)6Sn5合金的存在,使CuSn合金层的凹凸陡峭而使Rvk成为0.2 μ m以上,并将露出于表面的面积率控制在有限的范围内。
[0013]CuSn合金层的油积存深度Rvk小于0.2 μ m时,存在于CuSn间的Sn较少,无法使动摩擦系数成为0.3以下。更优选油积存深度Rvk为0.3 μ m以上。
[0014]将Sn系表面层的平均厚度设为0.2 μ m以上0.6 μ m以下是因为,若小于0.2 μ m,则导致焊料润湿性下降,电连接可靠性降低,若超过0.6 μ m,则无法使表层成为Sn与CuSn的复合结构而仅被Sn占据,因此动摩擦系数增大。更优选Sn系表面层的平均厚度为
0.25μπι 以上 0.5μπι 以下。
[0015]Sn系表面层的表面上的CuSn合金层的露出面积率小于10%时,无法使动摩擦系数成为0.3以下,若超过4 0%,则焊料润湿性等电连接特性降低。更优选面积率为10%以上30%以下。
[0016]另外,已知若测定动摩擦系数时的垂直荷载变小,则Sn系表面层的动摩擦系数增大,但本发明即使降低垂直荷载,动摩擦系数也几乎不发生变化,用于小型端子仍能够发挥效果。
[0017]在本发明的镀锡铜合金端子材中,露出于所述Sn系表面层的表面的所述CuSn合金层的各露出部的当量圆直径为0.6 μ m以上2.0 μ m以下即可。
[0018]露出于Sn系表面层的表面的CuSn合金层的各露出部的当量圆直径小于0.6 μ m时,无法使Sn系表面层的厚度满足预定范围的同时使CuSn合金层的露出面积率成为10%以上,若超过2.0 μ m,则存在于较硬的CuSn合金层之间的较软的Sn无法充分发挥润滑剂的作用,无法使动摩擦系数成为0.3以下。更优选为0.6μπι以上1.3μπι以下。
[0019]在本发明的镀锡铜合金端子材中,所述CuSn合金层的平均厚度为0.6μπι以上Iym以下即可。
[0020]CuSn合金层的平均厚度小于0.6 μ m时,很难使油积存深度Rvk成为0.2 μ m以上,而为了形成I μ m以上的厚度,需要将Sn系表面层加厚为必要之上,故不经济。
[0021]在本发明的镀锡铜合金端子材中,所述基材含有0.5质量%以上5质量%以下的Ni,以及0.1质量%以上1.5质量%以下的Si,还根据需要总计含有5质量%以下的选自Zn、Sn、Fe、Mg中的一种以上,且剩余部分由Cu及不可避免杂质构成即可。
[0022]为了使CuSn系表面层的油积存深度Rvk成为0.2 μ m以上,需要在CuSn合金层中使Ni以及Si固溶。此时,若使用含有Ni以及Si的基材,则能够在回流时将Ni以及Si由基材供给到CuSn合金层中。其中,基材中的这些Ni以及Si的含量中,Ni小于0.5质量%且Si小于0.1质量%时,无法分别显现Ni或Si的效果,若Ni超过5质量%,则有可能在铸造和热轧时产生破裂,若Si超过1.5质量%,则导电性下降,因此优选Ni为0.5质量%以上5质量%以下,且Si为0.1质量%以上1.5质量%以下。
[0023]为了提高强度、耐热性,添加Zn、Sn即可,另外,为了提高应力松弛特性,添加Fe、Mg即可,但若总计超过5质量%,则导电性下降,故不优选。
[0024]本发明的镀锡铜合金端子材的制造方法为制造在由Cu合金构成的基材上依次形成Cu镀层以及Sn镀层之后,通过进行回流处理,在所述基材上经由CuSn合金层形成Sn系表面层的镀锡铜合金端子材的方法,其中,作为所述基材,使用含有0.5质量%以上5质量%以下的N1、0.1质量%以上1.5质量%以下的Si,还根据需要总计含有5质量%以下的选自Zn、Sn、Fe、Mg中的一种以上,且剩余部分由Cu及不可避免杂质构成的铜合金,将所述Cu镀层的厚度设为0.03 μ m以上0.14 μ m以下,将所述Sn镀层的厚度设为0.6 μ m以上
1.3μπι以下,通过将基材的表面温度升温至240°C以上360°C以下之后,在该温度下保持以下(I)~(3)所示的时间后淬冷来进行所述回流处理:
[0025](I)对于Sn镀层的厚度为0.6 μ m以上且小于0.8 μ m的情况,当Cu镀层的厚度为0.03以上且小于0.05 μ m时为I秒以上3秒以下,当Cu镀层的厚度为0.05 μ m以上且小于0.08 μ时为I秒以上6秒以下,当Cu镀层的厚度为0.08 μ m以上0.14 μ m以下时为6秒以上9秒以下;
[0026](2)对于Sn镀层的厚度为0.8 μ m以上且小于l.0ym的情况,当Cu镀层的厚度为0.03以上且小于0.05 μ m时为3秒以上6秒以下,当Cu镀层的厚度为0.05 μ m以上且小于0.08 μ时为3秒以上9 秒以下,当Cu镀层的厚度为0.08 μ m以上0.14 μ m以下时为6秒以上12秒以下;
[0027](3)对于Sn镀层的厚度为1.0 μ m以上1.3 μ m以下的情况,当Cu镀层的厚度为0.03以上且小于0.05 μ m时为6秒以上9秒以下,当Cu镀层的厚度为0.05 μ m以上且小于0.08 μ时为6秒以上12秒以下,当Cu镀层的厚度为0.08 μ m以上0.14 μ m以下时为9秒以上12秒以下。
[0028]如前所述,通过在基材中含有Ni以及Si,使(Cu,Ni, Si)6Sn5合金夹杂在回流处理后的CuSn合金层的下部,由此CuSn合金层的凹凸变得陆峭而能够使CuSn合金层的油积存深度Rvk成为0.2 μ m以上。Cu镀层的厚度小于0.03 μ m时,导致从基材供给的Ni以及Si的影响变大,Sn系表面层的厚度以及CuSn合金层的油积存深度Rvk的位置引起的偏差变大,焊料润湿性下降,若超过0.14 μ m,则来自基材的Ni以及Si不易供给到CuSn合金层,因此很难使CuSn合金层的油积存深度Rvk形成为0.2 μ m以上。若Sn镀层的厚度小于0.6 μ m,则回流后的Sn系表面层变薄而电连接特性受损,若超过1.3 μ m,则CuSn合金层向表面的露出减少而很难使动摩擦系数成为0.3以下。在回流处理中重要的是,将基材的表面温度升温至240°C以上360°C以下之后,在该温度下保持I秒以上12秒以下的时间后淬冷。此时,如(I)~(3)所示,保持时间根据Cu镀层以及Sn镀层各自的厚度,在I秒以上12秒以下的范围内具有适当的时间,镀层厚度越薄保持时间越少,厚度变厚则需要较长的保持时间。小于240°C或保持时间过短时,不进行Sn的熔解而无法得到所希望的CuSn合金层,若超过360°C或保持时间过长,则CuSn合金生长过剩而向表面的露出率变得过大,并且进行Sn系表面层的氧化,故不优选。[0029]根据本发明,减小了动摩擦系数,因此能够同时实现低接触电阻、良好的焊料润湿性与低插拔性,另外在低荷载中也具有效果,最适于小型端子。尤其在汽车以及电子部件等中使用的端子中,在需要接合时的低插入力、稳定的接触电阻以及良好的焊料润湿性的部位具有优势。
【专利附图】

【附图说明】
[0030]图1为实施例的铜合金端子材的扫描离子显微镜(SM)照片,(a)表示纵剖面,(b)表示表面状态。
[0031]图2为表示实施例的铜合金端子材的基材与CuSn合金层的界面附近的由扫描透射电子显微镜(STEM)拍摄的剖面照片。
[0032]图3为沿图2的箭头部分利用EDS进行分析的组成分布图。
[0033]图4为比较例的铜合金端子材的扫描离子显微镜(SM)照片,(a)表示纵剖面,(b)表示表面状态。
[0034]图5为表示比较例的铜合金端子材的基材与CuSn合金层的界面附近的由扫描透射电子显微镜(STEM)拍摄的剖面照片。
[0035]图6为比较例的铜合金端子材的表面状态的扫描离子显微镜(SM)照片。
[0036]图7为概括表示用于测定导电部件的动摩擦系数的装置的主视图。
【具体实施方式】
[0037]对本发明的一实施方式的镀锡铜合金端子材进行说明。
[0038]本实施方式的镀锡铜合金端子材在由铜合金构成的基材上形成Sn系表面层,在Sn系表面层与基材之间形成CuSn合金层。
[0039]基材为Cu-N1-Si系合金、Cu-N1-S1-Zn系合金等,含有Ni以及Si且还根据需要总计含有5质量%以下的选自Zn、Sn、Fe、Mg中的一种以上且剩余部分由Cu及不可避免杂质构成的铜合金。将Ni以及Si作为必要成分是因为,为了使通过后述回流处理形成的CuSn合金层的油积存深度Rvk成为0.2μπι以上,在回流时由基材供给Ni以及Si,并使Ni以及Si固溶于CuSn合金层中。基材中的Ni的含量优选0.5质量%以上5质量%以下,且Si的含量优选0.1质量%以上1.5质量%以下。这是因为,Ni小于0.5质量%时,不显现Ni的效果,Si小于0.1质量%时,不显现Si的效果,若Ni超过5质量%,则有可能在铸造和热轧中产生破裂,若Si超过1.5质量%,则导电性下降。
[0040]另外,Zn、Sn提高强度、耐热性,Fe、Mg提高应力松弛特性。添加选自这些Zn、Sn、Fe、Mg中的任一种以上时,若其总计含量超过5质量%,则导电性下降,故不优选。尤其,优选含有所有Zn、Sn、Fe、Mg。尤其,优选含有所有Zn、Sn、Fe、Mg。
[0041]CuSn 合金层如后述,通过在基材上形成Cu镀层和Sn镀层并进行回流处理来形成,其大部分为Cu6Sn5,但在与基材的界面附近较薄地形成有基材中的Ni以及Si与Cu的一部分已替换的((^1,祖,5;065115合金。另外,该CuSn合金层与Sn系表面层的界面形成为凹凸状,且形成为CuSn合金层的一部分(Cu6Sn5)露出于Sn系表面层,其露出面积率为10%以上且CuSn合金层的油积存深度Rvk为0.2 μ m以上。另外,各露出部的当量圆直径形成为0.6ym以上2.0ym以下。[0042]该油积存深度Rvk为JIS B0671-2中所规定的表面粗糙度曲线的突出谷部平均深度,被作为表示比平均凹凸更深的部分达到哪个程度的指标,若该值较大,则表示由于非常深的谷部分的存在而成为陡峭的凹凸形状。
[0043]该CuSn合金层的平均厚度为0.6 μ m以上I μ m以下即可,小于0.6 μ m时,很难使CuSn合金层的油积存深度Rvk成为0.2 μ m以上,而规定为I μ m以下,则是因为若要形成为I μ m以上的厚度需要将Sn系表面层加厚为必要之上,故不经济。
[0044]Sn系表面层的平均厚度形成为0.2μ m以上0.6μ m以下。这是因为,其厚度小于0.2 μ m时,导致焊料润湿性下降,电连接可靠性降低,若超过0.6 μ m,则无法使表层成为Sn与CuSn的复合结构而仅由Sn占据,因此动摩擦系数增大。更优选Sn系表面层的平均厚度为0.25 μ m以上(λ 5μπι以下。
[0045]而且,下层的CuSn合金层的一部分露出于该Sn系表面层的表面,其露出部分的面积率设为10%以上40%以下。露出面积率小于10%时,无法使动摩擦系数成为0.3以下,若超过40%,则焊料润湿性等电连接特性下降。更优选面积率为10%以上30%以下。此时,各露出部的当量圆直径设为0.6μπι以上2.Ομπι以下,各露出部的当量圆直径小于0.6μπι时,无法使Sn系表面层的厚度满足预定范围的同时使CuSn合金层的露出面积率成为10%以上,若超过2.0 μ m,则存在于较硬的CuSn合金层之间的较软的Sn无法充分发挥润滑剂的作用,无法使动摩擦系数成为0.3以下。更优选为0.6μπι以上1.3μπι以下。
[0046]这种结构的端子材中,通过CuSn合金层与Sn系表面层的界面形成为陡峭的凹凸形状,在自Sn系表面层的表面起几百nm深度的范围内,在较硬的CuSn合金层的陡峭的谷部夹杂有较软的Sn,且在表面,成为该较硬的CuSn合金层的一部分稍微露出于Sn系表面层的状态,夹杂在谷部的较软的Sn发挥润滑剂的作用,动摩擦系数成为0.3以下。而且,CuSn合金层的露出面积率在10%以上40%以下的有限的范围内,因此不会使Sn系表面层所具有的优异的电连接特性受损。
[0047]接着,对该端子材的制造方法进行说明。
[0048]作为基材,准备由Cu-N1-Si系合金、Cu-N1-S1-Zn系合金等含有Ni以及Si且还根据需要总计含有5质量%以下的选自Zn、Sn、Fe、Mg中的一种以上且剩余部分由Cu及不可避免杂质构成的铜合金构成的板材。通过对该板材进行脱脂、酸洗等处理来清洗表面之后,依次实施镀Cu、镀Sn。
[0049]镀Cu时使用一般的Cu镀浴即可,可使用例如以硫酸铜(CuSO4)和硫酸(H2SO4)为主成分的硫酸铜浴等。镀浴的温度设为20°C以上50°C以下,电流密度设为lA/dm2以上20A/dm2以下。由该镀Cu形成的Cu镀层的膜厚设为0.03 μ m以上0.14 μ m以下。这是因为,当小于0.03 μ m时,合金基材的影响较大,CuSn合金层生长至表层而导致光泽度、焊料润湿性下降,若超过0.14 μ m,则在回流时不会由基材充分供给Ni,无法得到所希望的CuSn合金层的凹凸形状。
[0050] 作为用于形成Sn镀层的镀浴,使用一般的Sn镀浴即可,可使用例如以硫酸(H2SO4)和硫酸亚锡(SnSO4)为主成分的硫酸浴。镀浴的温度设为15°C以上35°C以下,电流密度设为lA/dm2以上30A/dm2以下。该Sn镀层的膜厚设为0.6 μ m以上1.3 μ m以下。若Sn镀层的膜厚小于0.6 μ m,则回流后的Sn系表面层变薄而电连接特性受损,若超过1.3 μ m,则CuSn合金层向表面的露出变少而很难使动摩擦系数成为0.3以下。[0051]作为回流处理条件,在还原气氛中以基材表面温度为240°C以上360°C以下的条件加热I秒以上12秒以下后淬冷。更优选为在260°C以上300°C以下加热5秒以上10秒以下的时间后淬冷。此时,如以下所示,保持时间根据Cu镀层以及Sn镀层各自的厚度,在I秒以上12秒以下的范围内具有适当的时间,镀层厚度越薄保持时间越少,厚度变厚则需要较长的保持时间。
[0052]<将基材温度升温至240°C以上360°C以下之后的保持时间>
[0053](I)对于Sn镀层的厚度为0.6 μ m以上且小于0.8 μ m的情况,当Cu镀层的厚度为0.03以上且小于0.05 μ m时为I秒以上3秒以下,当Cu镀层的厚度为0.05 μ m以上且小于0.08 μ时为I秒以上6秒以下,当Cu镀层的厚度为0.08 μ m以上0.14 μ m以下时为6秒以上9秒以下;
[0054](2)对于Sn镀层的厚度为0.8 μ m以上且小于l.0ym的情况,当Cu镀层的厚度为0.03以上且小于0.05 μ m时为3秒以上6秒以下,当Cu镀层的厚度为0.05 μ m以上且小于0.08 μ时为3秒以上9秒以下,当Cu镀层的厚度为0.08 μ m以上0.14 μ m以下时为6秒以上12秒以下;
[0055](3)对于Sn镀层的厚度为1.0 μ m以上1.3 μ m以下的情况,当Cu镀层的厚度为0.03以上且小于0.05 μ m时为6秒以上9秒以下,当Cu镀层的厚度为0.05 μ m以上且小于0.08 μ时为6秒以上12秒以下 ,当Cu镀层的厚度为0.08 μ m以上0.14 μ m以下时为9秒以上12秒以下。
[0056]这是因为,在小于240°C的温度且保持时间小于上述(I)~(3)所示的时间的加热中,不会进行Sn的熔解,而在超过360°C的温度且保持时间超过(I)~(3)所示的时间的加热中,导致CuSn合金结晶较大生长而无法得到所希望的形状,并且CuSn合金层到达至表层而残留于表面的Sn系表面层变得过少(CuSn合金层向表面的露出率变得过大)。另外,若加热条件较高,则Sn系表面层进行氧化,故不优选。
[0057]实施例
[0058]将板厚为0.25mm的铜合金(N1:0.5质量%以上5.0质量%以下-Zn:1.0质量%_Sn:0质量%以上0.5质量%以下-S1:0.1质量%以上1.5质量%以下-Fe ;0质量%以上0.03质量%以下-Mg:0.005质量%)作为基材,并依次实施了镀Cu、镀Sn。此时,镀Cu以及镀Sn的电镀条件在实施例、比较例中均相同,设为如表1所示。表1中,Dk为阴极电流密度的缩写,ASD为A/dm2的缩写。
[0059][表 I]
[0060]
【权利要求】
1.一种铜合金端子材,其为在由Cu合金构成的基材上的表面形成Sn系表面层,在该Sn系表面层与所述基材之间形成CuSn合金层的镀锡铜合金端子材,其特征在于, 所述CuSn合金层为如下的合金层:将Cu6Sn5作为主成分且在所述基材侧界面附近具有该Cu6Sn5的Cu的一部分替换为Ni以及Si的化合物, 所述CuSn合金层的油积存深度Rvk为0.2 μ m以上,且所述Sn系表面层的平均厚度为.0.2 μ m以上0.6 μ m以下,露出于所述Sn系表面层的表面的所述CuSn合金层的面积率为10%以上40%以下,动摩擦系数为0.3以下。
2.根据权利要求1所述的铜合金端子材,其特征在于, 露出于所述Sn系表面层的表面的所述CuSn合金层的各露出部的当量圆直径为0.6 μ m以上2.0ym以下。
3.根据权利要求1或2所述的铜合金端子材,其特征在于, 所述CuSn合金层的平均厚度为0.6 μ m以上I μ m以下。
4.根据权利要求1或2所述的铜合金端子材,其特征在于, 所述基材含有0.5质量%以上5质量%以下的N1、0.1质量%以上1.5质量%以下的Si,还根据需要总计含有5质量%以下的选自Zn、Sn、Fe、Mg中的一种以上,且剩余部分由Cu及不可避免杂质构成。
5.根据权利要求3所述的铜合金端子材,其特征在于, 所述基材含有0.5质量%以上5质量%以下的N1、0.1质量%以上1.5质量%以下的Si,还根据需要总计含有5质量%以下的选自Zn、Sn、Fe、Mg中的一种以上,且剩余部分由Cu及不可避免杂质构成。
6.—种铜合金端子材的制造方法,其为制造在由Cu合金构成的基材上依次形成Cu镀层以及Sn镀层之后,通过进行回流处理,在所述基材上经由CuSn合金层形成Sn系表面层的镀锡铜合金端子材的方法,其特征在于, 作为所述基材,使用含有0.5质量%以上5质量%以下的N1、0.1质量%以上1.5质量%以下的Si,还根据需要总计含有5质量%以下的选自Zn、Sn、Fe、Mg中的一种以上,且剩余部分由Cu及不可避免杂质构成的铜合金,将所述Cu镀层的厚度设为0.03 μ m以上0.14 μ m以下,将所述Sn镀层的厚度设为0.6 μ m以上1.3 μ m以下,通过将基材的表面温度升温至240°C以上360°C以下之后,在该温度下保持以下(I)~(3)所示的时间后淬冷来进行所述回流处理: (1)对于Sn镀层的厚度为0.6μπι以上且小于0.8μπι的情况,当Cu镀层的厚度为.0.03以上且小于0.05 μ m时为I秒以上3秒以下,当Cu镀层的厚度为0.05 μ m以上且小于.0.08 μ时为I秒以上6秒以下,当Cu镀层的厚度为0.08 μ m以上0.14 μ m以下时为6秒以上9秒以下; (2)对于Sn镀层的厚度为0.8μπι以上且小于LOym的情况,当Cu镀层的厚度为.0.03以上且小于0.05 μ m时为3秒以上6秒以下,当Cu镀层的厚度为0.05 μ m以上且小于.0.08 μ时为3秒以上9秒以下,当Cu镀层的厚度为0.08 μ m以上0.14 μ m以下时为6秒以上12秒以下; (3)对于Sn镀层的厚度为1.0 μ m以上1.3 μ m以下的情况,当Cu镀层的厚度为0.03以上且小于0.05 μ m时为6秒以上9秒以下,当Cu镀层的厚度为0.05 μ m以上且小于0.08 μ时为6秒以上12秒以下,当Cu镀层的厚度为0. 08iim以上0. 14 y m以下时为9秒以上12 秒以下。
【文档编号】C25D5/50GK103732805SQ201280039467
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2012年8月10日 优先权日:2011年8月12日
【发明者】谷之内勇树, 加藤直树, 久保田贤治 申请人:三菱综合材料株式会社
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