一种电铸掩膜板的脱模方法与流程

本发明涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种电铸掩膜板的脱模方法。

背景技术：

oled(organiclight-emittingdiode，有机电激光显示)主要采用真空沉积或真空热蒸发的方法将有机物分子以薄膜的形式沉积在基层上，在沉积过程中需要用到与oled像素单元相匹配的高精度掩膜板。

高精度掩膜板的制备方法包括化学刻蚀、电铸等。电铸法制备掩膜板具体包括：提供基体；在基体上涂覆贴膜；对贴膜进行曝光；去除部分贴膜；在去除部分形成电铸层，所述电铸层为掩膜板本体；将电铸层从基体上剥离。现有技术中，将电铸层从基体上剥离通常采用机械剥离的方法，通过机械剥离直接将电铸层与基体、芯膜或辅助电极进行分离，从而实现掩膜板脱模。

但采用机械剥离的方式进行掩膜板脱模时，容易造成掩膜板损坏，导致掩膜板良率较低，且机械脱模方法耗时较长，导致掩膜板的生产效率较低。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供一种电铸掩膜板的脱模方法，以解决现有技术中掩膜板机械脱模过程中出现损坏掩膜板而导致的生产效率较低以及耗时较长导致的掩膜板生产效率较低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种电铸掩膜板的脱模方法，包括：

提供基材，所述基材包括透明导电基板和位于所述透明导电基板的表面且具有开口的光阻剂层；

通过电铸工艺在所述开口内形成电铸层；

采用激光照射所述透明导电基板背离所述电铸层的表面，以使所述电铸层与所述基材初步分离；

通过脱模工艺，将所述电铸层与所述基材分离，得到所述掩膜板。

经由上述的技术方案可知，本发明提供的电铸掩膜板的脱模方法，包括提供基材，基材包括透明导电基板和位于透明导电基板上的具有开口的光阻剂，通过电铸工艺在开口内形成电铸层。利用透明导电基板的透光性，从透明导电基板背离电铸层的表面照射激光，所述激光作用于光阻剂，由于光阻剂吸收激光的能量后，发生融化、分解或烧蚀，使得光阻剂层与电铸层、光阻剂层与透明导电基板的接触面的粘附力降低，实现光阻剂层与电铸层、透明导电基板的初步分离；同时激光作用于电铸层和透明导电基板，使得电铸层与透明导电基板吸收激光的能量转化为热量，电铸层与透明导电基板均受热，由于电铸层与透明导电基板的热膨胀系数不同，从而使得电铸层与透明导电基板的热膨胀不同，实现电铸层与透明导电基板的初步分离。

即本发明中通过激光从透明导电基板背离电铸层的表面照射，同时实现了光阻剂、电铸层和透明导电基板三者之间的相互的初步分离，也即通过激光从透明导电基板背离光阻剂层的一侧辐照后，实现了电铸层与基材之间的初步分离，使得后续采用脱模工艺进行脱模时，电铸层更加容易与基材分离开来，从而消除了现有技术中直接使用机械剥离脱模过程中对掩膜板造成的损坏，尤其对掩膜板的开口部分的损坏，进而提高掩膜板的良率。而且经过激光照射实现电铸层与基材初步分离后，能够减少后续脱模过程中的耗时，从而提高掩膜板的生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种电铸掩膜板的脱模方法流程示意图；

图2-图5为本发明实施例提供的电铸掩膜板脱模方法对应的制作步骤示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种电铸掩膜板的脱模方法流程示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种电铸掩膜板的脱模方法流程示意图。

具体实施方式

现有技术中直接通过机械脱模工艺将电铸层与基体、芯膜或辅助电极分离，由于电铸层厚度通常在5μm-15μm范围内，厚度较薄，且电铸层具有大量的开口，在采用机械脱模工艺进行脱模时，容易对电铸层造成损坏，使得掩膜板的良率较低。而且机械脱模工艺中，为了避免对电铸层造成损坏，机械应力不能太大，从而造成机械脱模耗时较长，掩膜板的生产效率较低。

基于此，本发明提供一种电铸掩膜板的脱模方法，包括：

提供基材，所述基材包括透明导电基板和位于所述透明导电基板的表面且具有开口的光阻剂层；

通过电铸工艺在所述开口内形成电铸层；

采用激光照射所述透明导电基板背离所述电铸层的表面，以使所述电铸层与所述基材初步分离；

通过脱模工艺，将所述电铸层与所述基材分离，得到所述掩膜板。

本发明实施例中仅通过增加一个激光照射的步骤即可实现电铸层与光阻剂层、透明导电基板的初步分离，使得后续脱模过程的时间可以缩短，从而提高掩膜板的生产效率；而由于激光照射实现初步分离过程中，激光照射为非接触式分离，激光对电铸层的作用力相对于现有技术中的机械剥离时对电铸层的作用力小很多，从而避免了初步分离过程中对掩膜板造成机械损坏，尤其对掩膜板上的开口造成机械损坏，而且由于初步分离，减小了电铸层与基材之间的粘附力，从而能够消除现有技术中直接使用机械剥离脱模过程中对掩膜板造成的损坏，进而提高了掩膜板的良率。

进一步地，本发明实施例提供的电铸掩膜板脱模方法，在现有技术脱模方法基础上仅增加了激光照射的步骤，相对于在电铸层和基材之间增加设置中间层，脱模时通过去除中间层实现电铸层和基材的彻底分离，得到掩膜板；或脱模时通过分离电铸层与中间层实现电铸层与基材的彻底分离，得到掩膜板的脱模方法，本发明实施例提供的电铸掩膜板脱模方法的工艺更加简单。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种电铸掩膜板的脱模方法流程图；所述电铸掩膜板的脱模方法具体包括：

s01、提供基材，所述基材包括透明导电基板和位于所述透明导电基板的表面且具有开口的光阻剂层；

具体地，参见图2，基材1包括透明导电基板11和位于透明导电基板11表面的光阻剂层12。本实施例中光阻剂层12上具有开口121，开口121的大小和形状根据实际需求来确定，开口121与后续形成的掩膜板的非开口区对应，而所述光阻剂层非开口区与所述掩膜板上的开口区对应。因此，本实施例中根据显示装置的像素材料蒸镀时所需的蒸镀孔的大小及形状设计开口121的大小及形状，使得开口对应所需得到的掩膜板中除蒸镀孔外的位置。

需要说明的是，本实施例中光阻剂层的材料为在激光作用下容易分解、融化或烧蚀的高聚合物，可选的，所述光阻剂可选为光刻胶，具体的，所述光阻剂可选为光敏性聚酰亚胺。为了提高光阻剂层对激光的吸收，本发明实施例中还可以在光阻剂中加入碳纳米粒子或染料，以调整光阻剂的吸收系数，从而使得光阻剂层分解、融化或烧蚀。

本实施例中可选的，所述碳纳米粒子包括炭黑、石墨烯和碳纳米管等，加入到光阻剂层中的碳纳米粒子的量，本实施例中不做限定，可以依据光阻剂层的吸收系数进行调整。另外，光阻剂层中还可以加入染料，所述染料的选取，本实施例中也不进行限定，根据后续采用的激光的波长而选择，当激光为红外激光时，染料可选为吸收红外光较强的染料，当激光为紫外激光时，染料可选为吸收紫外光较强的染料，从而通过加入染料，增加光阻剂层对激光能量的吸收，进而加速光阻剂层的融化、分解或烧蚀。

另外，本实施例中不限定透明导电基板11的具体形式，可选为掩膜板制作过程中的基体、芯膜或辅助电极。需要说明的是，为了能够满足后续电铸或辅助电极沉积等方法制作电铸层时，对基材导电性的要求，本实施例中的基板为透明导电基板，透明导电基板为透光率较高且具有电传导特性的基板，本实施例中对透明导电基板11的材质不做限定，可选的，透明导电基板11由导电玻璃材料制作形成，例如氧化铟锡(ito)玻璃或者掺杂氟的二氧化锡(fto)玻璃。

s02、通过电铸工艺在所述开口内形成电铸层；

请参见图3，图3为在基材上制作电铸层后的剖面结构示意图。本实施例中电铸层13也即后续掩膜板的非开口区，即电铸层为后续脱模后形成的掩膜板的本体。电铸层13形成在光阻剂的开口121内，光阻剂层12的非开口区对应后续形成的掩膜板的开口区。本实施例中电铸层13的厚度为5μm-15μm，包括端点值，从而使得到的掩膜板的厚度较小，以满足高像素显示屏的要求，同时也可以使得到的掩膜板具有较好的刚性。

本实施例中不限定电铸层的材料，所述电铸层可以为纯镍或镍铁合金。其中，本实施例中不限定铁镍合金的具体种类，可选为因瓦合金。因瓦合金具有较低的热膨胀系数及较好的塑性及韧性。

s03、采用激光照射所述透明导电基板背离所述电铸层的表面，以使所述电铸层与所述基材初步分离；

如图4所示，本实施例中采用激光从透明导电基板11背离电铸层13的一侧照射，也即采用激光照射透明导电基板11背离电铸层13的表面，由于透明导电基板11具有光学透明特性，激光可以透过透明导电基板11同时被光阻剂层12和电铸层13吸收。

需要说明的是，本发明实施例中通过激光照射，同时实现电铸层与基材中的透明导电基板初步分离，以及电铸层与基材中的光阻剂层初步分离。

具体地，通过激光照射，使得电铸层与基材初步分离的原理包括以下两个方面：

1)本实施例中光阻剂层中的聚合物高分子化学键在激光辐照下，吸收光子能量，使得光阻剂融化、分解或者烧蚀，从而实现电铸层与基材的初步分离。

激光使光阻剂层融化或分解的机理在于：红外激光辐照，使光阻剂中的高分子的偶极子转向极化，偶极子的极化电场矢量落后于电磁场振动周期，导致产生与激光电磁场振动周期相同的交变电流，引发高分子内部电场的功率耗散，从而将激光电磁场能量转变成高分子内部热能，随着激光辐照时间增加，光阻剂温度迅速提高，直至光阻剂发生融化或分解。

激光使光阻剂层分解或烧蚀的机理在于：紫外激光或x射线辐照，使光阻剂中的高分子的化学键吸收光子能量发生断裂，形成分子自由基团或小分子化合物而降解，甚至以气体形态从材料中逃逸出来。

需要说明的是，本实施例中不限定激光的波长，所述激光可以是红外波段的激光、紫外波段的激光或者x射线波段的激光。本实施例中根据光阻剂的材料不同、激光照射时间等参数选择不同波长的激光。

2)本实施例中电铸层与透明导电基板为不同的物质，具有不同的热膨胀系数，在激光的辐照下，吸收光子能量转化为热能，从而产生不同的热膨胀，使得电铸层与透明导电基板初步分离。

具体的，激光从透明导电基板背离电铸层的一侧照射，使得透明导电基板和电铸层同时受热，由于电铸层为金属层，金属层的热膨胀系数为10^-6μm/m.k数量级；而透明导电基板为玻璃，玻璃的热膨胀系数为10^-5μm/m.k数量级，两者热膨胀系数差异较大，从而在激光的照射下，吸收热量，膨胀不同，促进电铸层和透明导电基板初步分离。

由于本实施例中采用激光照射一个步骤，需要实现电铸层与基材的初步分离，包括电铸层与透明导电基板、电铸层与光阻剂层的分离，因此，本实施例中限定激光照射的方向如图4所示，为从透明导电基板背离电铸层的一侧照射。

s04、通过脱模工艺，将所述电铸层与所述基材分离，得到所述掩膜板。

如图5所示，通过脱模工艺将电铸层从基材上分离下来，得到带有开口的掩膜板14。由于电铸层与光阻剂、透明导电基板之间已经初步分离，采用脱模工艺进行分离时，能够相对容易地，将电铸层从基材上剥离下来，从而减少了脱模的时间，提高了掩膜板的生产效率。而且由于电铸层与基材已经通过激光照射实现初步分离，激光照射为非接触式分离，激光对电铸层的作用力相对于现有技术中的机械剥离时对电铸层的作用力小很多，从而避免了对掩膜板造成机械损坏，尤其对掩膜板上的开口造成机械损坏，提高了掩膜板的良率。

需要说明的是，本实施例中不限定所述脱模工艺的具体工艺，可选的，所述脱模工艺为机械剥离工艺或者超声剥离工艺。由于机械剥离工艺和超声剥离工艺的作用力不同，因此，具体选择机械剥离工艺还是超声剥离工艺，可以依据激光实现初步分离的程度进行选择，例如，激光初步分离的程度较大，使得电铸层与光阻剂层和透明导电基板之间的粘附力较小，可以优选超声剥离工艺进行掩膜板脱模；激光初步分离的程度较小，电铸层与光阻剂层和透明导电基板之间的粘附力相对较大，可以优选机械剥离工艺进行掩膜板脱模。

需要重点说明的是，本实施例中超声剥离工艺具体包括：

调整超声参数，包括超声频率和超声时间；

提供超声液；

将形成有电铸层的基材放置在所述超声液中进行超声分离，得到所述掩膜板。

其中，可选地，超声频率为2khz，超声时间为60s，超声液可选为邻苯二甲酸二甲酯(dmp)或二甲基甲酰胺(dmf)，浓度为0.1mol/l～0.2mol/l。需要说明的是，本实施例中进行超声剥离后还可以包括检测步骤，检测超声剥离工艺后的电铸层与基材的分离程度，若电铸层与基材未彻底分离，可再次进行超声剥离，而后再检测，循环多次超声剥离步骤和检测步骤，直至电铸层与基材彻底分离，得到掩膜板为止。

综上可以看出，本发明实施例提供的电铸掩膜板的脱模方法，包括提供基材，所述基材包括透明导电基板和位于所述透明导电基板的表面且具有开口的光阻剂层；通过电铸工艺在所述开口内形成电铸层；采用激光照射所述透明导电基板背离所述电铸层的表面，以使所述电铸层与所述基材初步分离；通过脱模工艺，将所述电铸层与所述基材分离，得到所述掩膜板。本发明实施例提供的电铸掩膜板的脱模方法，利用透明导电基板的透光性，从透明导电基板背离电铸层的表面照射激光，所述激光作用于光阻剂，由于光阻剂吸收激光的能量后，发生融化、分解或烧蚀，使得光阻剂层与电铸层、光阻剂层与透明导电基板的接触面的粘附力降低，实现光阻剂层与电铸层、透明导电基板的初步分离；同时激光作用于电铸层和透明导电基板，使得电铸层与透明导电基板吸收激光的能量转化为热量，电铸层与透明导电基板均受热，由于电铸层与透明导电基板的热膨胀系数不同，从而使得电铸层与透明导电基板的热膨胀不同，实现电铸层与透明导电基板的初步分离。

本发明实施例中仅通过增加一个激光照射的步骤即可实现电铸层与光阻剂层、透明导电基板的初步分离，使得后续脱模过程的时间可以缩短，从而提高掩膜板的生产效率；而由于激光照射实现初步分离过程中，激光照射为非接触式分离，激光对电铸层的作用力相对于现有技术中的机械剥离时对电铸层的作用力小很多，从而避免了初步分离过程中对掩膜板造成机械损坏，尤其对掩膜板上的开口造成机械损坏，而且由于初步分离，减小了电铸层与基材之间的粘附力，从而能够消除现有技术中直接使用机械剥离脱模过程中对掩膜板造成的损坏，进而提高了掩膜板的良率。

进一步地，本发明实施例提供的电铸掩膜板脱模方法，在现有技术脱模方法基础上仅增加了激光照射的步骤，相对于在电铸层和基材之间增加设置中间层，脱模时通过去除中间层实现电铸层和基材的彻底分离，得到掩膜板；或脱模时通过分离电铸层与中间层实现电铸层与基材的彻底分离，得到掩膜板的脱模方法，本发明实施例提供的电铸掩膜板脱模方法的工艺更加简单。

另外，需要说明的是，现有技术中的基板为不锈钢基板或金属基板，与电铸层之间的结合力为金属与金属之间的结合力，物质属性相同，结合力较强，本发明中的透明导电基板为非金属，与电铸层之间的结合力为非金属与金属之间的结合力，物质属性不同，结合力相对较弱。发明人按照中国国家标准gb5210-85《涂层附着力的测定法拉开法》规定的方法分别测量了不锈钢基板与电铸层的附着力以及玻璃与电铸层的附着力；测试结果表明：不锈钢基板与电铸层之间的附着力在9mpa～13mpa，玻璃与电铸层的附着力在3mpa～5mpa，说明玻璃与电铸层的附着力远小于金属基板与电铸层的附着力。因此，本发明提供的电铸掩膜板脱模方法中，将电铸层与透明导电基板分离时，需要的作用力更弱，电铸掩膜板脱模分离更加容易。

下面结合具体实施例对本发明的电铸掩膜板脱模方法做进一步说明。

如图6所示，本发明实施例提供的电铸掩膜板脱模方法包括如下流程：

s101、提供基材，所述基材包括透明导电基板和位于所述透明导电基板的表面且具有开口的光阻剂层；

本实施例中基材包括透明导电基板和位于透明导电基板上的光阻剂层，所述光阻剂上具有多个开口。

由于ito具有导电性和高透过率，本实施例中可选的，所述透明导电基板为ito玻璃基板。透明导电基板可选为掩膜板制作过程中的基体、芯膜或辅助电极等，本实施例中对此不做限定。为了提高光阻剂层对激光的吸收，本发明实施例中还可以在光阻剂中加入碳纳米粒子或染料，以调整光阻剂的吸收系数，从而使得光阻剂层分解、融化或烧蚀。

s102、通过电铸工艺在所述开口内形成电铸层；

本实施例中掩膜板的制作方式为电铸形成，因此采用电铸工艺在光阻剂层的开口中形成电铸层。为了满足高像素显示屏的要求，本实施例中可选的电铸层的厚度为5μm-15μm，包括端点值，从而使得到的掩膜板的厚度较小，同时也可以使得到的掩膜板具有较好的刚性。

本实施例中不限定电铸层的材料，所述电铸层可以为纯镍或镍铁合金。其中，本实施例中不限定铁镍合金的具体种类，可选为因瓦合金。因瓦合金具有较低的热膨胀系数及较好的塑性及韧性。

s103、采用波长为100nm～400nm的紫外激光从ito玻璃基板背离光阻剂层的一侧进行辐照；

本实施例中采用波长为100nm～400nm的紫外激光从ito玻璃基板背离光阻剂层的一侧进行辐照，通过对激光波长、光阻剂吸收系数和激光辐照时间的调控使得光阻剂层的高分子化学键吸收光子能量发生断裂，形成分子自由基团或小分子化合物而分解，并且以气体形态从材料中逃逸出来，实现电铸层与基材的初步分离。

另外，由于电铸层与透明导电基板为不同的物质，具有不同的热膨胀系数，在激光的辐照下，吸收光子能量转化为热能，从而产生不同的热膨胀，使得电铸层与透明导电基板在激光照射下能够初步分离。

s104、通过超声剥离方式实现电铸层与基材的彻底分离。

由于光阻剂层在紫外激光的照射下发生分解，光阻剂分解后电铸层与光阻剂层之间的粘附力较弱，可以采用剥离力较弱的超声剥离。

其中，超声剥离工艺具体包括：

调整超声参数，包括超声频率和超声时间；

提供超声液；

将形成有电铸层的基材放置在所述超声液中进行超声分离，得到所述掩膜板。

其中，可选地，超声频率为2khz，超声时间为60s，超声液可选为邻苯二甲酸二甲酯(dmp)或二甲基甲酰胺(dmf)，浓度为0.1mol/l～0.2mol/l。需要说明的是，本实施例中进行超声剥离后还可以包括检测步骤，检测超声剥离工艺后的电铸层与基材的分离程度，若电铸层与基材未彻底分离，可再次进行超声剥离，而后再检测，循环多次超声剥离步骤和检测步骤，直至电铸层与基材彻底分离，得到掩膜板为止。

本实施例中采用紫外激光从ito玻璃基板背离电铸层的一侧照射基材和电铸层，使得电铸层与基材进行初步分离，进而为后续脱模工艺提供初步分离的基础，能够缩短脱模工艺的时间，另外，透明导电基板为非金属，与电铸层之间的结合力为非金属与金属之间的结合力，物质属性不同，结合力相对现有技术中的金属基板或不锈钢基板与电铸层的金属与金属之间的结合力较弱，也能够缩短脱模工艺的时间，提高掩膜板的生产效率。

由于光阻剂层在紫外激光照射下分解，电铸层与光阻剂层之间的粘附力较弱，可以采用剥离力较弱的超声剥离。超声剥离相对于机械剥离的作用力较弱，采用超声剥离工艺代替机械剥离工艺实现掩膜板的脱模，能够消除机械剥离脱模过程中对掩膜板造成的损坏，进而提高了掩膜板的良率。

如图7所示，本发明实施例提供的电铸掩膜板脱模方法包括如下流程：

s201、提供基材，所述基材包括透明导电基板和位于所述透明导电基板的表面且具有开口的光阻剂层；

本实施例中基材包括透明导电基板和位于透明导电基板上的光阻剂层，所述光阻剂上具有多个开口。

由于ito具有导电性和高透过率，本实施例中可选的，所述透明导电基板为ito玻璃基板。透明导电基板可选为掩膜板制作过程中的基体、芯膜或辅助电极等，本实施例中对此不做限定。为了提高光阻剂层对激光的吸收，本发明实施例中还可以在光阻剂中加入碳纳米粒子或染料，以调整光阻剂的吸收系数，从而使得光阻剂层分解、融化或烧蚀。

s202、通过电铸工艺在所述开口内形成电铸层；

本实施例中掩膜板的制作方式为电铸形成，因此采用电铸工艺在光阻剂层的开口中形成电铸层。为了满足高像素显示屏的要求，本实施例中可选的电铸层的厚度为5μm-15μm，包括端点值，从而使得到的掩膜板的厚度较小，同时也可以使得到的掩膜板具有较好的刚性。

本实施例中不限定电铸层的材料，所述电铸层可以为纯镍或镍铁合金。其中，本实施例中不限定铁镍合金的具体种类，可选为因瓦合金。因瓦合金具有较低的热膨胀系数及较好的塑性及韧性。

s203、采用波长为750nm～2000nm的近红外激光从ito玻璃基板背离光阻剂层的一侧进行辐照；

本实施例中采用波长为750nm～2000nm的近红外激光从ito玻璃基板背离光阻剂层的一侧进行辐照，通过对激光波长、光阻剂吸收系数和激光辐照时间的调控使得光阻剂层发生融化，实现掩膜板与基体初步分离。

另外，由于电铸层与透明导电基板为不同的物质，具有不同的热膨胀系数，在激光的辐照下，吸收光子能量转化为热能，从而产生不同的热膨胀，使得电铸层与透明导电基板在激光照射下能够初步分离。

s204、通过机械剥离方式实现电铸层与基材的彻底分离。

由于光阻剂层在近红外激光的照射下发生融化，光阻剂融化后电铸层与光阻剂层之间的粘附力相对较强，因此，本实施例中可选的，采用剥离力较强的机械剥离工艺实现电铸层与基材的彻底分离。

本实施例中采用近红外激光从ito玻璃基板背离电铸层的一侧照射基材和电铸层，使得电铸层与基材进行初步分离，进而为后续脱模工艺提供初步分离的基础，能够缩短脱模工艺的时间，另外，透明导电基板为非金属，与电铸层之间的结合力为非金属与金属之间的结合力，物质属性不同，结合力相对现有技术中的金属基板或不锈钢基板与电铸层的金属与金属之间的结合力较弱，也能够缩短脱模工艺的时间，提高掩膜板的生产效率。

而且采用激光照射进行初步分离，激光对电铸层的作用力相对于现有技术中的机械剥离时对电铸层的作用力小很多，从而避免了初步分离过程中对掩膜板造成机械损坏，尤其对掩膜板上的开口造成机械损坏，而且由于初步分离，减小了电铸层与基材之间的粘附力，能够消除现有技术中直接使用机械剥离脱模过程中对掩膜板造成的损坏，进而提高了掩膜板的良率。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。