一种用于tft液晶玻璃面板的铝合金基材的阳极氧化工艺的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于TFT设备用铝合金表面处理工艺的技术领域，特别涉及一种用于TFT 设备的铝合金基材的阳极氧化工艺。
【背景技术】
[0002] 随着国内 TFT 液晶玻璃面板（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) 市场需求持续扩大，各大面板厂纷纷扩建6代、8. 5代等TFT液晶面板生产线；同步对于TFT 液晶玻璃面板以及零组件的配套需求也急速提升。
[0003]目前所了解到上部电极板和电极板配套的内壁板等铝合金零件，因为在液晶面板 制作的过程中会需要释放电弧，所以要求是铝合金零件表面要有绝缘性和耐腐蚀性；以延 长设备和零件的使用寿命，同步保证过程的稳定性。
[0004] 目前采用的工艺，在绝缘性和耐腐蚀性都能满足客户的使用要求，但是在使用寿 命上还需要进一步提高，希望将使用寿命从2. 5个月延长到4个月。
[0005] 因此，通过调整改进铝合金基材的阳极氧化工艺，提高其耐击穿电压性能和耐腐 蚀性能，并进一步延长产品的使用寿命是非常有必要的，具有良好的行业应用前景。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用于TFT设备的铝合金基材的 阳极氧化工艺。
[0007] 本发明的目的通过以下技术方案来实现：
[0008] 本发明的目的在于提供一种用于TFT液晶玻璃面板的铝合金基材的阳极氧化工 艺，包括：
[0009] S1、脱脂：将铝合金基材放入浓度为30g/L-50g/L的脱脂剂中，温度55°C _65°C，脱 脂6min-10min后取出；
[0010] S2、碱蚀：将铝合金基材放入浓度为90g/L-l 10g/L的NaOH溶液中，温度 45°C -55°C 碱洗 20S ~40S
[0011] S3、除灰：将铝合金基材放入浓度为25wt% -45wt%的HN03溶液中，室温下除灰 20S ~60S ;
[0012] S4、第一次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗IOS~20S后取出；
[0013] S5、硫酸阳极氧化：以石墨板作为阴极，将铝合金基材放入含有用98wt%浓硫酸 配置的150g/L~180g/L硫酸溶液的氧化槽内作为阳极，温度控制在-2°C~2°C，接通电 源，控制电流密度2. OA/dm2~3. OA/dm 2,根据每2分钟生长Ium的氧化膜厚来控制氧化的 时间。
[0014] S6、第二次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗IOS~30S ;
[0015] S7、草酸阳极氧化：阳极为产品，阴极采用石墨板，将铝合金基材放入浓度为40g/ L_60g/L的C2H204溶液中，温度控制在16°C~22°C，接通电源，控制电压在15min内均匀升 至65V，待电压升至65V后维持20min，控制草酸氧化工序所增加的膜层厚度在10 μ m以内， 总厚度控制在50~60um ;
[0016] S8、第三次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗IOS~30S ;
[0017] S9、封孔：用去离子水作为封孔液，用氨水调整pH值到8. 5-9. 5之间，温度 80°C -100°C，对铝合金基材进行封孔处理150-240min ;
[0018] S10、吹干：将铝合金基材表面积水吹干，即得。
[0019] 所述步骤S5的氧化槽内含有lg/L-5g/L的铝离子。
[0020] 所述步骤S5中的硫酸溶液浓度为160g/L~170g/L。
[0021 ] 所述步骤S5中的温度控制在0°C。
[0022] 与现有技术相比，本发明的积极效果如下：
[0023] 本发明通过调整硫酸氧化的工艺条件，将氧化温度控制在0°C附近，同时将电流密 度提高到2. OA/dm2~3. OA/dm2,可以有效提升产品的耐热变性能进而避免产品在使用过程 中因为热变而造成耐击穿电压和耐腐蚀性能降低；在硫酸硬质氧化之后，再用草酸氧化，可 以有效提升广品的耐击穿电压性能和耐腐蚀性能。
【具体实施方式】
[0024] 下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明 而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人 员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定 的范围。
[0025] 实施例1
[0026] S1、脱脂：将铝合金基材放入浓度为40g/L的脱脂剂T-200,温度60°C，脱脂清洗 8min后取出；
[0027] S2、碱蚀：将铝合金基材放入浓度为100g/L的NaOH溶液中，温度50°C碱洗30S ;
[0028] S3、除灰：将铝合金基材放入浓度为30% (重量比）的圆03溶液中，室温下除灰 40S ；
[0029] S4、第一次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗20S后取出；
[0030] S5、硫酸阳极氧化：以石墨板作为阴极，将铝合金基材放入含有用98wt%浓硫酸 配置的160g/L硫酸溶液的氧化槽内作为阳极，温度控制在0°C，接通电源，电流密度2. 5A/ dm2,反应时间60min，膜层厚度约40~50 μ m ;
[0031] S6、第二次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗20S ;
[0032] S7、草酸阳极氧化：阳极为产品，阴极采用石墨板；将铝合金基材放入浓度为50g/ L的C2H204溶液中，温度控制在20°C，接通电源，控制电压在15min内均匀升至65V，待电压 升至65V后维持20min，控制草酸氧化工序所增加的膜层厚度在10 μ m以内，总厚度控制在 50 ~60um ;
[0033] S8、第三次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗20S ;
[0034] S9、封孔：用去离子水和氨水制封孔液，用氨水调整pH值到pH9. 0,温度95°C，对铝 合金基材进行封孔处理2IOmin ;
[0035] S10、吹干：将铝合金基材表面积水吹干，即得。
[0036] 实施例2
[0037] S1、脱脂：将铝合金基材放入浓度为30g/L的脱脂剂T-200,温度65°C，脱脂清洗 6min后取出；
[0038] S2、碱蚀：将铝合金基材放入浓度为90g/L的NaOH溶液中，温度55°C碱洗40S ;
[0039] S3、除灰：将铝合金基材放入浓度为40% (重量比）的順03溶液中，室温下除灰 30S ；
[0040] S4、第一次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗20S后取出；
[0041] S5、硫酸阳极氧化：以石墨板作为阴极，将铝合金基材放入含有用98wt%浓硫酸 配置的180g/L硫酸溶液的氧化槽内作为阳极，温度控制在-2°C，接通电源，电流密度2. OA/ dm2,反应时间60min，膜层厚度约40~50 μ m ;
[0042] S6、第二次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗IOS ;
[0043] S7、草酸阳极氧化：阳极为产品，阴极采用石墨板；将铝合金基材放入浓度为40g/ L的C2H204溶液中，温度控制在22°C，接通电源，控制电压在15min内均匀升至65V，待电压 升至65V后维持20min，控制草酸氧化工序所增加的膜层厚度在10 μ m以内，总厚度控制在 50 ~60um ;
[0044] S8、第三次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗20S ;
[0045] S9、封孔：用去离子水和氨水制封孔液，用氨水调整pH值到pH8. 5,温度100°C，对 铝合金基材进行封孔处理150min ;
[0046] S10、吹干：将铝合金基材表面积水吹干，即得。
[0047] 实施例3
[0048] S1、脱脂：将铝合金基材放入浓度为50g/L的脱脂剂T-200,温度55°C，脱脂清洗 IOmin后取出；
[0049] S2、碱蚀：将铝合金基材放入浓度为110g/L的NaOH溶液中，温度45°C碱洗20S ;
[0050] S3、除灰：将铝合金基材放入浓度为25% (重量比）的HNO3溶液中，室温下除灰 60S ；
[0051] S4、第一次水洗：用水反复冲洗铝合金基材，冲洗20S后取出；
[0052] S5、硫酸阳极氧化：以石墨板作为阴极，将铝合金基材放入含有用98wt%浓硫酸 配置的150g/L硫酸溶液的氧化槽内作为阳极，温度控制在2°C，接通电源，电流密度3. OA/ dm2,反应时间60min，膜层厚度约40~50 μ m ;