专利名称：晶片或晶圆检测装置的制作方法
技术领域：
本实用新型有关于一种晶片或晶圆检测装置，使得图像撷取单元可同时对待测晶片或晶圆的表面及侧面进行图像撷取。
技术背景在晶片或晶圆制造的过程中，往往会伴随有缺陷或污点的产生，且晶片或晶圆上的缺陷或污点往往会对后续产品的成品率造成影响。因此在完成晶片或晶圆的制作后，通常会进一步对晶片或晶圆进行检测，以确定晶片或晶圆符合相关的要求。请参阅第I图，为常用晶片检测装置的构造示意图。如图所示，常用的晶片检测装置10主要包括一承载座11及一图像撷取单元13，其中承载座11可用以承载一待测的晶片12，并以图像撷取单元13对承载座11上的待测晶片12的上表面121进行图像撷取。图像撷取单元13可为感光耦合元件(CXD)，可将晶片12的图像储存成为一数字图像资料，并可进一步对图像撷取单元13所撷取的数字图像资料进行分析及比对。在实际应用时可将撷取晶片12的数字图像资料与目标晶片图像资料进行比对，并得知待测晶片12与目标晶片之间的尺寸差异，借以得知待测晶片12是否符合产品要求。除此之外，也可进一步对撷取晶片12的数字图像资料进行其他的检测，例如可由晶片12的数字图像资料得知待测晶片12上是否有污点的存在，借以判断待测晶片12的品质。然而以上述的晶片检测装置10对晶片12进行检测还是存在有部分的缺失，使得晶片12检测的结果无法符合使用者的要求。
实用新型内容本实用新型目的，在于提供一种晶片或晶圆检测装置，主要于待测区的周围设置有至少一反射单元，使得图像撷取单元在撷取晶片或晶圆的表面图像的同时，也可透过反射单元撷取晶片或晶圆的侧面的图像，借此将有利于提高晶片或晶圆检测的准确性。本实用新型的又一目的，在于提供一种晶片或晶圆检测装置，透过至少一反射单元的设置，将可在不增加额外的检测步骤的前提之下，对晶片或晶圆的表面及侧面进行检测，借以提高晶片或晶圆的检测的效率。本实用新型的又一目的，在于提供一种晶片或晶圆检测装置，主要于待测区的周围设置有至少一发光单元，可用以将光源投射在待测区内的晶片或晶圆的侧面，借此将更有利于以图像撷取单元撷取晶片或晶圆的侧面的图像。本实用新型的又一目的，在于提供一种晶片或晶圆检测装置，主要将至少一反射单元设置于输送单元的周围，借此将可在输送晶片或晶圆的过程当中，对晶片或晶圆的表面及侧面进行检测。为达上述目的，本实用新型提供一种晶片或晶圆检测装置，包括一输送单元，用以进行至少一晶片或至少一晶圆的输送，且输送单元包括一检测区；一图像撷取单元，位于输送单元的上方，并用以对位于检测区内的晶片或晶圆的表面进行图像撷取；及至少一反射单元，位于输送单元的周围，其中图像撷取单元透过反射单元撷取晶片或晶圆的侧面的图像。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，包括至少一发光单元用以将光源投射在晶片或晶圆的侧面。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中发光单元位于输送单元的检测区的周围。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中发光单元的数量与反射单元的数量相同。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆的外观为任意的几何形状，而反射单元则形成与晶片或晶圆的形状相似的环状构造。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆的外观近似圆形，而反射单元则为圆形的环状构造。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆包括多个侧面，且反射单元的数量与晶片或晶圆的侧面的数量相同。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中反射单元位于输送单元的检测区的周围。为达上述目的，本实用新型还提供另一种晶片或晶圆检测装置，包括一承载座，用以承载至少一晶片或至少一晶圆；一图像撷取单元，位于承载座的上方，并用以对晶片或晶圆的表面进行图像撷取；及至少一反射单元，位于承载座的周围，其中图像撷取单元透过反射单元撷取晶片或晶圆的侧面的图像。 上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，包括至少一发光单元用以将光源投射在晶片或晶圆的侧面。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中发光单元位于输送单元的检测区的周围。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中发光单元的数量与反射单元的数量相同。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆的外观为任意的几何形状，而反射单元则形成与晶片或晶圆的形状相似的环状构造。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆的外观近似圆形，而反射单元则为圆形的环状构造。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆包括多个侧面，且反射单元的数量与晶片或晶圆的侧面的数量相同。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中反射单元位于输送单元的检测区的周围。本实用新型的晶片或晶圆检测装置可提高晶片或晶圆检测的准确性、检测效率，并可在输送晶片或晶圆的过程当中，对晶片或晶圆的表面及侧面进行检测。
图I :为常用晶片检测装置的构造示意图；[0028]图2 :为本实用新型晶片或晶圆检测装置一实施例的构造示意图；图3 :为本实用新型晶片或晶圆检测装置一实施例的侧面示意图；图4 :为本实用新型晶片或晶圆检测装置又一实施例的构造示意图；图5 :为本实用新型晶片或晶圆检测装置又一实施例的构造示意图。其中，附图标记10 晶片检测装直11 承载座12 晶片121 上表面13 图像撷取单元20 晶片或晶圆检测装置 21 承载座211 检测区22 晶片或晶圆221 表面223 侧面23 图像撷取单元25 反射单元30 晶片或晶圆检测装置 31 输送单元311 检测区40 晶片或晶圆检测装置 47 发光单元具体实施方式
请参阅第2图，为本实用新型晶片或晶圆检测装置一实施例的构造示意图。如图所示，晶片或晶圆检测装置20主要包括一承载座21、一图像撷取单元23及至少一反射单元25，其中承载座21可用以承载至少一晶片或至少一晶圆22，并以图像撷取单元23对待测的晶片或晶圆22进行撷取图像。承载座21的部分区域可被定义成为一检测区211，而图像撷取单元23则被设置在承载座21的上方，以利于撷取待测的晶片或晶圆22的图像，其中本实用新型所述的图像撷取单元23可为电荷稱合元件(Charge-coupled Device, CCD)或者是互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)。在本实用新型一较佳实施例中，图像撷取单元23位于承载座21的检测区211上方，并用以对放置在承载座21的检测区211内的待测晶片或晶圆22进行图像撷取，例如对晶片或晶圆22的表面(上表面或下表面)221进行图像的撷取，并形成一晶片或晶圆22的数字图像资料。此外，也可进一步对待测晶片或晶圆22的表面221的数字图像资料进行分析及比对，以得知待测晶片或晶圆22的表面221的品质。例如可将晶片或晶圆22的数字图像资料与目标晶片或晶圆的图像资料进行比对，以得知待测晶片或晶圆22与目标晶片或晶圆之间的尺寸差异，借以得知待测晶片或晶圆22是否符合产品要求，当然也可由数字图像资料，得知晶片或晶圆22表面是否有污点或结构上的缺陷。承载座21的周围设置有一个或多个反射单元25，例如可将反射单元25设置在承载座21的检测区211的周围。当待测晶片或晶圆22位于检测区211时，图像撷取单元23将可以透过反射单元25对晶片或晶圆22的侧面(侧表面)223进行图像的撷取，如第3图所示。透过图像撷取单元23对晶片或晶圆22的侧面223进行图像撷取，将可对晶片或晶圆22的侧面223进行检测，更可进一步检测出晶片或晶圆22的表面221与侧面223的交界处是否有脏污或结构上的缺陷，借此将可提高晶片或晶圆22的检测的准确度，并可依据检测的结果对晶片或晶圆22进行分类。在实际应用反射单元25具有角度调整的功能，使用者可调整反射单元25的角度， 以使得晶片或晶圆22的侧面223散射的光源投射至反射单元25，并透过反射单元25将散射的光源投射到图像撷取单元23，使得图像撷取单元23可对晶片或晶圆22的侧面223进行图像撷取。在不同实施例中，反射单元25与晶片或晶圆22及/或图像撷取单元23之间的相对位置也为可调整。透过可调整角度及位置的反射单元25的设置，可使得晶片或晶圆检测装置20适用于各种不同尺寸的晶片或晶圆22。在本实用新型一较佳实施例中，晶片或晶圆22包括多个侧面223，而反射单元25的数量则与晶片或晶圆22的侧面223的数量相同。此外，晶片或晶圆22的外观可为任意的几何形状，而多个反射单元25则形成与晶片或晶圆22的形状相似的环状构造，并设置于检测区211周围。如本实用新型第2图所示的晶片或晶圆22为四边形并包括四个侧面223，反射单元25的数量也为四个，并形成一近似四边形的还状构造，且环设于检测区211周围。各个反射单元25可分别将晶片或晶圆22的各个侧面223的图像投射至图像撷取单元23，借此图像撷取单元23将可同时取得待测晶片或晶圆22的表面221及各个侧面223的图像。在不同实施例中，反射单元25的数量可随着待测晶片或晶圆22的边长的数量进行调整。此外，若晶片或晶圆22的形状近似圆形，则可将一个或多个反射单元25制作成圆形的环状构造，并环设于晶片或晶圆22的周围。请参阅第4图，为本实用新型晶片或晶圆检测装置又一实施例的构造示意图。如图所示，本实用新型所述的晶片或晶圆检测装置30主要包括一输送单元31、一图像撷取单元23及至少一反射单元25，其中输送单元31可用以进行一个或多个晶片或晶圆22的输送，而图像撷取单元23则可用以对输送单元31上的晶片或晶圆22进行图像撷取。输送单元31的部分区域可被定义成为一检测区311，而图像撷取单元23则被设置在输送单元31的上方，在本实用新型一较佳实施例中，图像撷取单元23位于输送单元31的检测区311上方，并用以对检测区311内的待测晶片或晶圆22的表面211进行图像撷取。在实际应用时，输送单元31主要用以进行晶片或晶圆22的输送，当输送单元31将晶片或晶圆22传送至检测区311时，便可进一步以图像撷取单元23进行摄像。在本实用新型一较佳实施例中，当晶片或晶圆22被传送至检测区311时，可使得输送单元31暂时停止晶片或晶圆22的输送，并有利于以图像撷取单元23对静置的晶片或晶圆22撷取图像。输送单元31的周围设置有一个或多个反射单元25，例如可将反射单元25设置在输送单元31的检测区311的周围。当待测晶片或晶圆22进入检测区311时，图像撷取单元23可透过反射单元25对晶片或晶圆22的侧面223进行图像的撷取。请参阅第5图，为本实用新型晶片或晶圆检测装置又一实施例的构造示意图。如图所示，本实用新型所述的晶片或晶圆检测装置40主要包括一输送单元31、一图像撷取单元23、至少一反射单元25及至少一发光单元47，其中输送单元31可用以进行一个或多个晶片或晶圆22的输送，而图像撷取单元23则可用以对输送单元31上的晶片或晶圆22进行图像的撷取。[0058]输送单元31的部分区域可被定义成为一检测区311，其中图像撷取单元23被设置在输送单元31的检测区311的上方，而反射单元25则被设置在检测区311的周围。在本实用新型实施例中，晶片或晶圆检测装置40还包括多个发光单元47，其中发光单元47位于输送单元31的检测区311的周围，并用以将光源投射在晶片或晶圆22的侧面223。此外，发光单元47的数量可与反射单元25的数量相同，并可与反射单元25相邻。透过发光单元47将光源投射在晶片或晶圆22的侧面223，将更有利于以图像撷取单元23对晶片或晶圆22的侧面223进行图像的撷取。在实际应用时，发光单元47可为发散光源，且发光单元47可相对于晶片或晶圆22进行距离及角度的调整，使得发光单元47所产生的光源可正确的投射在晶片或晶圆22的侧面223。此外，在不同实施例中，也可选择 可产生不同色光的发光单兀47,例如发光单兀47可用以产生红光、蓝光或紫外光,借以提闻晶片或晶圆22的检测的精确度。本实用新型实施例所述的发光单元47也可被应用在第2图所述的晶片或晶圆检测装置20上，发光单元47可设置于承载座21的检测区211周围，并用以将光源投射在晶片或晶圆22的侧面223，以利于图像撷取单元23对晶片或晶圆22的侧面223进行摄像。以上所述者，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施的范围，即凡依本实用新型申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本实用新型的申请专利范围内。
权利要求1.一种晶片或晶圆检测装置，其特征在于，包括 一输送单元，用以进行至少一晶片或至少一晶圆的输送，且该输送单元包括一检测区； 一图像撷取单元，位于该输送单元的上方，并用以对位于该检测区内的晶片或晶圆的表面进行图像撷取 '及 至少一反射单元，位于该输送单元的周围，其中该图像撷取单元透过该反射单元撷取该晶片或晶圆的侧面的图像。
2.根据权利要求I所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，包括至少一发光单元用以将光源投射在该晶片或该晶圆的侧面。
3.根据权利要求2所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该发光单元位于该输送单元的检测区的周围。
4.根据权利要求2所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该发光单元的数量与该反射单元的数量相同。
5.根据权利要求I所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该晶片或该晶圆的外观为任意的几何形状，而该反射单元则形成与该晶片或该晶圆的形状相似的环状构造。
6.根据权利要求5所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该晶片或晶圆的外观近似圆形，而该反射单元则为圆形的环状构造。
7.根据权利要求I所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该晶片或该晶圆包括多个侧面，且该反射单元的数量与该晶片或该晶圆的侧面的数量相同。
8.根据权利要求I所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该反射单元位于该输送单元的检测区的周围。
9.一种晶片或晶圆检测装置，包括 一承载座，用以承载至少一晶片或至少一晶圆； 一图像撷取单元，位于该承载座的上方，并用以对该晶片或该晶圆的表面进行图像撷取；及 至少一反射单元，位于该承载座的周围，其中该图像撷取单元透过该反射单元撷取该晶片或该晶圆的侧面的图像。
10.根据权利要求9所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，包括至少一发光单元用以将光源投射在该晶片或该晶圆的侧面。
11.根据权利要求10所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该发光单元位于该输送单元的检测区的周围。
12.根据权利要求10所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该发光单元的数量与该反射单元的数量相同。
13.根据权利要求9所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该晶片或该晶圆的外观为任意的几何形状，而该反射单元则形成与该晶片或该晶圆的形状相似的环状构造。
14.根据权利要求13所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该晶片或晶圆的外观近似圆形，而该反射单元则为圆形的环状构造。
15.根据权利要求9所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该晶片或该晶圆包括多个侧面，且该反射单元的数量与该晶片或该晶圆的侧面的数量相同。
16.根据权利要求9所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该反射单元位于该输送单元的检测区的周围。
专利摘要本实用新型有关于一种晶片或晶圆检测装置，主要包括一输送单元、一图像撷取单元及至少一反射单元，其中输送单元包括一待测区，并可用以进行晶片或晶圆的输送。反射单元位于输送单元的待测区的周围，透过反射单元的设置，图像撷取单元将可同时对待测区的晶片或晶圆的表面及侧面进行图像撷取，并有利于提高晶片或晶圆检测的效率。
文档编号G01N21/88GK202384303SQ20112054179
公开日2012年8月15日 申请日期2011年12月19日 优先权日2011年12月19日
发明者吴政君, 杨宗翰, 林亭宏, 洪肇佑, 陈义芳, 陈英诚 申请人:立晔科技股份有限公司