一种荧光葡萄糖传感器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及电化学检测，特别是涉及一种荧光葡萄糖传感器。本发明提供一种荧光葡萄糖传感器，包括基材，所述基材上设有工作区域，所述工作区域为铟锡氧化物，所述工作区域的表面设有半导体量子点修饰层、葡萄糖阻碍层和酶层，所述工作区域底部设有微光纤和荧光信号采集器，所述微光纤传输光到工作区域表面，所述荧光信号采集器采集工作区域表面修饰的半导体量子点发出的荧光，所述半导体量子点为碲化镉量子点。本发明所提供的荧光葡萄糖传感器检测范围大、灵敏度高、信号稳定。
【专利说明】一种荧光葡萄糖传感器
【技术领域】
[0001]本发明涉及电化学检测，特别是涉及一种荧光葡萄糖传感器。
【背景技术】
[0002]20世纪80年代开始出现以光学信号检测指标的生物传感器，形成了光纤生物传感器。光纤生物传感技术在医学、生物工程、食品工业和环境监控等方面都有着广阔的应用前景。光纤葡萄糖传感器在临床诊断，尤其是糖尿病的诊断和基础医学研究等领域中有着极其广泛的应用前景。目前对于葡萄糖的各种检测方法都有灵敏度不高，响应较慢等缺点，不能满足实际需要，因此很有必要研究一种灵敏度高，且响应快的检测方法。传统的基于荧光猝灭效应的光纤葡萄糖生物传感器采荧光分子作为荧光试剂。荧光分子需多个激发波长，且激发光谱窄，而半导体纳米量子点具有独特的光电性质，宽的光吸收光谱，且与荧光分子比较量子点具有良好的光化学稳定性，可以耐受更强的激发光和更长的光发射周期。
[0003]半导体量子点是半导体纳米材料的典型结构，它已经在信息技术等领域发挥重要作用。由于量子的尺寸效应和表面效应，半导体量子点己成为人们研究的热点。人们制备量子点和研究其性质的努力已经进行了二十多年，取得了巨大进展。
[0004]半导体纳米量子点具有同时具有高光电稳定性以及高表面活性。这些优点使得他们易于分析物质发生反应并产生相应的信号，因此，半导体纳米量子点在生物传感器领域的应用范围越来越大。
【发明内容】
[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种荧光葡萄糖传感器，用于解决现有技术中的问题。
[0006]本发明利用半导体量子点在特定波长下具有最大光吸收，通过电子进行往返跃迁产生进而产生荧光，将量子点作为光敏元件固定到酶电极上，从而制备荧光葡萄糖微传感器。
[0007]本发明第一方面提供一种荧光葡萄糖传感器，包括基材，所述基材上设有工作区域，所述工作区域为铟锡氧化物(ΙΤ0,透光材料)，所述工作区域的表面设有半导体量子点修饰层、葡萄糖阻碍层和酶层，所述工作区域底部设有微光纤和荧光信号采集器，所述微光纤传输光到工作区域表面，所述荧光信号采集器采集工作区域表面修饰的半导体量子点发出的荧光，所述半导体量子点为碲化镉量子点。
[0008]优选的，所述传感器表面还设有生物相容性保护层。
[0009]更优选的，所述工作区域表面，各修饰层自下而上的顺序为半导体量子点修饰层、葡萄糖阻碍层、酶层；以及生物相容性保护层。
[0010]进一步优选的，所述半导体量子点修饰层的厚度为Ι-lOum，葡萄糖阻碍层的厚度为2-50um，酶层的厚度为1-1Oum ;生物相容性保护层的厚度为2_50um，生物相容性保护层的优选厚度为10-40um。[0011]更优选的，所述生物相容性保护层的材质为有机硅酮。
[0012]进一步优选的，所述生物相容性保护层为常见的加成或缩合型有机硅酮及其亲水改性物。
[0013]所述工作区域为铟锡氧化物ITO是一种透光材料。其通常质量比为90%In203，10%Sn02。
[0014]所述工作区域上修饰的半导体量子点的光照由外界特定波长的光经过微光纤到达工作区域表面，半导体量子点受光激发产生的荧光信号被采集后又通过微光纤传输到外界。
[0015]优选的，所述微光纤传输光的波长为200_1250nm。
[0016]更优选的，所述碲化镉量子点的粒径为2_8nm。其发出的荧光的波长为400_800nm。
[0017]优选的，所述葡萄糖阻碍层的材质为聚丙烯胺盐酸盐(PAH)/聚苯乙烯磺酸钠(PSS)0
[0018]所述聚苯乙烯磺酸钠(PSS)通过聚丙烯胺盐酸盐(PAH)进行固定。
[0019]葡萄糖阻碍层的作用是过滤葡萄糖，防止葡萄糖接触到量子点层。
[0020]优选的，所述酶层为葡萄糖氧化酶修饰层。
[0021]本发明所提供的葡萄糖传感器，其制备工艺除工作区域外，微光纤、荧光信号采集器的设置均为现有技术，与常规光纤葡萄糖传感器的制备工艺基本相同。本发明的葡萄糖传感器的制备是使用光刻、电铸和注塑技术制作MEMS (微机电系统，Micro-Electro-Mechanic System)模具，利用热模压成型技术进行微塑铸微光纤阵列。
[0022]本发明第二方面提供所述荧光葡萄糖传感器的制备方法，包括如下步骤:
[0023]a)将经过预处理，带负电荷的工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐(PAH)水溶液中，通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0024]b)将该工作区域浸入半导体量子点水溶液中，通过静电吸附作用，使得半导体量子点结合到工作区域表面上；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0025]步骤a)和b)为半导体量子点的制备方法，本领域技术人员可根据经验，重复a)、
b)两步以获得所需厚度的半导体量子点层；
[0026]c)将该工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐(PAH)水溶液中，通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0027]d)将该工作区域分别浸入制备好的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液中，使聚苯乙烯磺酸钠修饰到工作区域的表面上；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0028]步骤c)和d)为葡萄糖阻碍层的制备方法，本领域技术人员可根据经验，重复C)、
d)两步以获得所需厚度的葡萄糖阻碍层；
[0029]e)将该工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐水溶液中，通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0030]f)最后将该工作区域浸入制备好的葡萄糖氧化酶(GOD)水溶液中，将葡萄糖氧化酶修饰到工作区域的表面上，即得所述荧光葡萄糖传感器的工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；[0031]步骤e)和f)为酶层的制备方法，本领域技术人员可根据经验，重复c)、d)两步以获得所需厚度的酶层；
[0032]g)将所得工作区域和其他部件按照所述荧光葡萄糖传感器的结构组装，即得所需荧光葡萄糖传感器。
[0033]其中步骤a_f为工作区域的制备方法。
[0034]优选的，所述步骤a)中，预处理的具体步骤为:制备浓硫酸/过氧化氢处理液，然后将微电极的工作电极区域放入上述溶液中，70-80°C恒温水浴处理1-2小时，从溶液中取出并用去离子水充分清洗；再将微电极的工作电极区域放入过氧化氢/氨水处理液中，60-70°C恒温水浴处理1-2小时，最后用去离子水冲洗干净。
[0035]更优选的，所述浓硫酸/过氧化氢处理液，由浓硫酸水溶液和过氧化氢水溶液按体积比7:3配置而成。
[0036]进一步优选的，所述浓硫酸水溶液的浓度为97-98wt%。
[0037]进一步优选的，所述过氧化氢水溶液的浓度为30wt%。
[0038]更优选的，所述过氧化氢/氨水处理液，由水、过氧化氢水溶液和氨水按体积比5:1:1配置而成。
[0039]进一步优选的，所述氨水的浓度为25-28wt%。
[0040]进一步优选的，所述过氧化氢水溶液的浓度为30wt%。
[0041]优选的，所述步骤a)、C)、e)中，浸入聚丙烯胺盐酸盐(PAH)水溶液的时间为5-10mino
[0042]优选的,所述步骤a)、c)、e)中,聚丙烯胺盐酸盐(PAH)水溶液的浓度为l_5mg/mL。
[0043]优选的,所述步骤b)中,浸入半导体量子点水溶液的时间为5-10min。
[0044]优选的，所述步骤b)中，半导体量子点水溶液的浓度为lX10-5-10Xl(T5mOl/L。
[0045]所述半导体量子点溶液通过水相法制备，制备方法包括如下步骤:将高氯酸镉和巯基丙酸(MPA)按1:2-4的摩尔比例，溶于适量水中，用氢氧化钠调节pH=ll.2-11.5 ;将浓硫酸和碲化铝剧烈反应产生碲化氢气体，然后将碲化氢气体通入高氯酸镉和巯基丙酸(MPA)的混合溶液中，混合溶液在氮气环境的保护下，升温至回流，反应后即得碲化镉量子点。
[0046]投料时，高氯酸镉在水中的浓度优选为2X 10-3-5Χ 10-3πιο1/1。
[0047]随着反应时间的增加，碲化镉量子点“长大”，可以得到不同粒径的碲化镉量子点，反应须在氮气环境的保护下进行，不能够有氧气存在。不同粒径的量子点，其紫外吸收光谱和荧光光谱均有所不同，根据量子点的紫外吸收光谱的第一吸收峰的位置，荧光光谱发射峰的位置，即可确定微光纤所需要传输的光的波长和荧光信号采集器的所需要采集的荧光波长。
[0048]优选的，所述步骤d)中，浸入聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液的时间为5-10min。
[0049]优选的,所述步骤d)中，聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液的浓度为l_5mg/mL。
[0050]优选的，所述步骤f)中，浸入葡萄糖氧化酶(GOD)水溶液的时间为5-10min。
[0051]优选的，所述步骤f)中，葡萄糖氧化酶(GOD)水溶液的浓度为5-20mg/mL。
[0052]本发明采用层层自组装方法在表面带负电荷的工作区域修饰上半导体量子点和葡萄糖氧化酶(G0D)，将带负电荷的工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐(PAH，表面带正电荷)溶液中，通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；再将该工作区域浸入上述半导体量子点溶液中，通过静电吸附作用，使得半导体量子点结合到工作区域表面上，通过控制半导体量子点组装次数可以调节修饰到传感器表面的半导体量子点的量。同理，可以将聚苯乙烯磺酸钠(PSS，聚丙烯胺盐酸盐溶液中需混入氯化钠)和葡萄糖氧化酶分别修饰到工作区域表面上，从而得到所需的葡萄糖传感器。
[0053]通过上述步骤，在传感器表面构建(聚丙烯胺盐酸盐/半导体量子点)x (聚丙烯胺盐酸盐/聚苯乙烯磺酸钠)y (聚丙烯胺盐酸盐/葡萄糖氧化酶)z多层膜结构(其中x、y、z分别为半导体量子点层、葡萄糖阻碍层、酶层的重复涂敷次数)。这一含有半导体量子点、葡萄糖氧化酶、聚电解质的多层膜结构中的3个主要部分都可以根据需要增加或减少层数以便达到最优效果，它们作为传感器的主要敏感元件。
[0054]优选的，待传感器工作区域各层都修饰完成后，需要在其最外侧加上一个能够调节氧气和葡萄糖透过，并且具有良好生物相容性的保护层(如=PDMS修饰层，通过浸涂等方式制备)，这个保护层具有如下作用:调节外界氧气和葡萄糖渗透进入工作区域，使得工作区域的酶反应中氧气对葡萄糖的过量，从而使得检测在l_30mM具有很好的线性；保护工作区域表面的功能层；增加传感器的生物相容性，减小人体的免疫排斥反应。
[0055]此荧光葡萄糖传感器在工作区域的半导体量子点在微光纤传输的特定波长光的照射下，半导体量子点价带电子得到能量跃迁到导带，导带上的高能量电子在没有转移走时，又会跃迁回到价带，同时多余的能量以荧光的形式离开量子点，这就是半导体量子点发生荧光的机理。当葡萄糖氧化酶氧化葡萄糖产生的双氧水(H2O2)接触到半导体量子点时，双氧水会腐蚀半导体量子点表面，夺取其上的高能量电子成为水，使得跃迁到导带的高能量电子无法跃迁会到价带，进而使得半导体量子点的荧光强度降低，甚至淬灭，其荧光降低程度与双氧水的浓度成一定线性关系。同时随着价带电子的不断消耗，量子点跃迁到导带的高能电子书也会越来越少，这会导致在没有H2O2的情况下，量子点的荧光强度也不断降低。要使量子点的荧光性能保持稳定，就需要给量子点的价带补充电子，因量子点价带电子跃迁离开，会在价带产生很多具有强氧化性的空穴，因此我们可以通过施加电压(0.1-0.5V)的方式给量子点价带补充电子。使得量子点在有H2O2存在的情况下也能够源源不断的产生荧光。(如图5A和5B)
[0056]本发明发明人发现，所述工作区域对于不同的葡萄糖浓度，其最初5-10min分钟内，荧光强度随时间的动力曲线变化为线性，即(Ftl-Fm)与t为线性关系。所以对于相同的工作区域结构，葡萄糖浓度与(Ftl-Fm)A有对应关系。且发明人进一步发现，不同葡萄糖浓度的荧光强度随时间的线性变化值(Ftl-Fm) /t与葡萄糖浓度本身亦为线性关系。
[0057]在荧光葡萄糖传感器荧光信号稳定时，随着葡萄糖的加入，荧光信号强度会随之降低，并维持稳定。其荧光信号强度下降程度与所加入的葡萄糖浓度成一定的线性关系。通过这个关系，我们可以用该荧光葡萄糖传感器测定样品中葡萄糖浓度。
[0058]本发明第三方面提供所述荧光葡萄糖传感器在葡萄糖检测领域的应用。如上所述，本发明所提供的荧光葡萄糖传感器检测范围大、灵敏度高、信号稳定。
【专利附图】
【附图说明】
[0059]图1是本发明荧光葡萄糖传感器的俯视图。[0060]图2是本发明荧光葡萄糖传感器的纵剖面图。
[0061]图3是水相法制备半导体量子点的装置示意图。
[0062]图4是层层自组装方法修饰工作电极的流程图。
[0063]图5A是本发明荧光葡萄糖传感器的检测原理图。
[0064]图5B是本发明荧光葡萄糖传感器的检测原理图。
[0065]图6是CdTe量子点的紫外和荧光光谱图。
[0066]图7是(PAH/CdTe) 12 (PAH/PSS) 3 (PAH/G0D) 3结构多层膜在不同葡萄糖浓度下，630nm处荧光强度随时间变化动力学曲线。
[0067]图8是不同浓度葡萄糖溶液对于组装结构荧光淬灭绝对速率的标准曲线。
[0068]图9是荧光葡萄糖传感器测试血液样品中的血糖含量的线性关系图。
[0069]图10是荧光葡萄糖传感器进行稳定性测试的荧光信号图。
[0070]元件标号说明
[0071]I 基材
[0072]2微光纤
[0073]3荧光信号采集器
[0074]4工作区域
【具体实施方式】
[0075]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0076]须知，下列实施例中未具体注明的工艺设备或装置均采用本领域内的常规设备或装置；所有压力值和范围都是指绝对压力。
[0077]此外应理解，本发明中提到的一个或多个方法步骤并不排斥在所述组合步骤前后还可以存在其他方法步骤或在这些明确提到的步骤之间还可以插入其他方法步骤，除非另有说明；还应理解，本发明中提到的一个或多个设备/装置之间的组合连接关系并不排斥在所述组合设备/装置前后还可以存在其他设备/装置或在这些明确提到的两个设备/装置之间还可以插入其他设备/装置，除非另有说明。而且，除非另有说明，各方法步骤的编号仅为鉴别各方法步骤的便利工具，而非为限制各方法步骤的排列次序或限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容的情况下，当亦视为本发明可实施的范畴。
[0078]实施例1
[0079]制备CdTe半导体量子点
[0080]称取0.986g六水合高氯酸镉(分子量:419.39，2.35mmol)，溶解在125ml 二次蒸馏水中，加入0.43ml(4.85mmol)巯基丙酸，用2摩尔氢氧化钠溶液调节溶液的酸碱度至11.2，把配制好的溶液加入三颈瓶I中，通入氮气半小时，把体系中的空气驱赶干净，装置示意如图3所示。称取0.2g (分子量:436.76，0.46mol)碲化铝粉末放置在小三颈瓶II中，称量过程要迅速，以避免碲化铝被空气中的氧气氧化变质，然后继续通氮气，半小时以后，把事先已经通过氮气的15ml，0.5摩尔硫酸用注射器迅速注入三颈瓶II中。硫酸和碲化铝剧烈反应产生碲化氢气体,碲化氢和氮气的混合气体通过导管进入三颈瓶I中，与瓶中的高氯酸镉溶液和巯基丙酸反应。回流反应温度为105°C，反应过程利用磁子均匀搅拌，氮气保护。[0081 ] 水相法中不同的回流反应时间，可以得到不同粒径的巯基丙酸稳定的碲化镉纳米粒子，在紫外灯下看到它们的荧光随着回流时间的增加以绿色一黄色一橙色一红色的趋势变化，合成过程中，根据紫外吸收峰或者荧光发射峰的位置来判断粒子生长情况，并可根据公式得到对应的溶液浓度和粒径(具体计算方式可参考w.W.Yu，L.Qu, ff.Guo, X.Peng, Experimental Determination of the Extinction Coefficient of CdTe, CdSe, andCdS Nanocrystals, Chem.Mater.2003, 15, 2854-2860.)。经过 48 小时回流时间合成的CdTe半导体量子点，其紫外和荧光光谱如图6所示，其紫外吸收光谱的第一吸收峰位置为560nm,突光光谱发射峰位置为612nm。因此,该葡萄糖传感器中微光纤传输的光波长为560nm,突光信号米集的突光波长为612nm。
[0082]实施例2
[0083](PAH/CdTe)x(PAH/PSS)y (PAH/G0D) z多层膜结构葡萄糖传感器对葡萄糖的荧光响应，其中X、1、Z分别为半导体量子点层、葡萄糖阻碍层、酶层的重复涂敷次数(PAH/CdTe) 12 (PAH/PSS) 3 (PAH/G0D) 3结构多层膜的制备方法如下:
[0084]a)制备浓硫酸/过氧化氢处理液，然后将微电极的工作电极区域放入上述溶液中，70-80°C恒温水浴处理1.5小时，从溶液中取出并用去离子水充分清洗。再将微电极的工作电极区域放入过氧化氢/氨水处理液中，60-70°C恒温水浴处理1.5小时，最后用去离子水冲洗干净；将带负电荷的工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐(PAH)水溶液(3mg/mL)中8min，通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0085]b)将该工作区域浸入半导体量子点水溶液(3X 10_5mol/L)中8min，通过静电吸附作用，使得半导体量子点结合到工作区域表面上；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干;
[0086]重复a)、b)两步12次以获得所需厚度的半导体量子点层，厚度约为5μπι ;
[0087]c)将该工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐(PAH)水溶液(3mg/mL)中8min,通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0088]d)将该工作区域分别浸入制备好的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液(3mg/mL)中8min，使聚苯乙烯磺酸钠修饰到工作区域的表面上；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0089]重复c)、d)两步3次以获得所需厚度的葡萄糖阻碍层，厚度约为5 μ m ;e)将该工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐水溶液(3mg/mL)中8min，通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0090]f)最后将该工作区域浸入制备好的葡萄糖氧化酶(GOD)水溶液(12mg/mL)中8min，将葡萄糖氧化酶修饰到工作区域的表面上，即得所述荧光葡萄糖传感器的工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；
[0091]重复e)、f)两步3次以获得所需厚度的酶层，厚度约为5μπι;
[0092]图7是(PAH/CdTe) 12 (PAH/PSS) 3 (PAH/G0D) 3结构多层膜在不同葡萄糖浓度下，630nm处荧光强度随时间变化动力学曲线。在最初加入葡萄糖后的5分钟内，反映的初始速率呈线性关系，可用于葡萄糖浓度的计算。因此，这一研究中以5分钟作为响应时间。其中，由于未施加电压，修饰到工作区域的量子点价带电子不断受到激发而跃迁到导带，从而价带电子越来越，，从而荧光强度逐渐变低，甚至淬灭。所加葡萄糖浓度越大，其荧光下降速率越快。
[0093]在加入葡萄糖溶液之前，在磷酸缓冲液中首先进行测试，630nm处的荧光强度作为初始荧光强度(Ftl),而反应5分钟后，630nm处的荧光强度(Fm)同样被记录下来，这样根据如下公式，可以计算出酶反应的最初5分钟内，组装结构荧光衰减的绝对速率Qm。
【权利要求】
1.一种荧光葡萄糖传感器，包括基材，所述基材上设有工作区域，所述工作区域为铟锡氧化物，所述工作区域的表面设有半导体量子点修饰层、葡萄糖阻碍层和酶层，所述工作区域底部设有微光纤和荧光信号采集器，所述微光纤传输光到工作区域表面，所述荧光信号采集器采集工作区域表面修饰的半导体量子点发出的荧光，所述半导体量子点为碲化镉量子点。
2.如权利要求1所述的荧光葡萄糖传感器，其特征在于，所述传感器表面还设有生物相容性保护层。
3.如权利要求2所述的荧光葡萄糖传感器，其特征在于，所述生物相容性保护层的材质为有机娃酮。
4.如权利要求1所述的荧光葡萄糖传感器，其特征在于，所述葡萄糖阻碍层的材质为聚丙烯胺盐酸盐/聚苯乙烯磺酸钠。
5.如权利要求1所述的荧光葡萄糖传感器，其特征在于，所述酶层为葡萄糖氧化酶修饰层。
6.如权利要求1-5任一权利要求所述的荧光葡萄糖传感器的制备方法，包括如下步骤: a)将经过预处理，带负电荷的工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐水溶液中，通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干； b)将该工作区域浸入半导体量子点水溶液中，通过静电吸附作用，使得半导体量子点结合到工作区域表面上；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干； c)将该工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐水溶液中，通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干； d)将该工作区域分别浸入制备好的聚苯乙烯磺酸钠水溶液中，使聚苯乙烯磺酸钠修饰到工作区域的表面上；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干； e)将该工作区域浸入聚丙烯胺盐酸盐水溶液中，通过静电吸附作用，使聚丙烯胺盐酸盐结合在工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干； f)最后将该工作区域浸入制备好的葡萄糖氧化酶水溶液中，将葡萄糖氧化酶修饰到工作区域的表面上，即得所述荧光葡萄糖传感器的工作区域；取出后，用去离子水冲洗干净并用氮气吹干； g)将所得工作区域和其他部件按照所述荧光葡萄糖传感器的结构组装，即得所需荧光葡萄糖传感器。
7.如权利要求6所述的荧光葡萄糖传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，预处理的具体步骤为:制备浓硫酸/过氧化氢处理液，然后将微电极的工作电极区域放入上述溶液中，70-80°C恒温水浴处理1-2小时，从溶液中取出并用去离子水充分清洗；再将微电极的工作电极区域放入过氧化氢/氨水处理液中，60-70°C恒温水浴处理1-2小时，最后用去尚子水冲洗干净。
8.如权利要求6所述的荧光葡萄糖传感器的制备方法，其特征在于，所述半导体量子点溶液通过水相法制备，制备方法包括如下步骤:将高氯酸镉和巯基丙酸按1:2-4的摩尔t匕，溶于适量水中，用氢氧化钠调节PH=Il.2-11.5 ;将浓硫酸和碲化铝剧烈反应产生碲化氢气体，然后将碲化氢气体通入高氯酸镉和巯基丙酸的混合溶液中，混合溶液在氮气环境的保护下，升温至回流，反应后即得碲化镉量子点。
9.如权利要求1-5 任一权利要求所述的荧光葡萄糖传感器在葡萄糖检测领域的应用。
【文档编号】G01N21/64GK103472043SQ201310413635
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月11日 优先权日:2013年9月11日
【发明者】不公告发明人 申请人:上海移宇科技有限公司