压力传感器芯片的制作方法

文档序号:11850851阅读:来源:国知局
技术总结
在本发明的压力传感器芯片中,在阻挡构件(11‑2)的内部设置与导压孔(11‑2b)的周部连通的非接合区域(SA)。在该非接合区域(SA)的相对的第1面(PL1)和第2面(PL2)中的至少一面上,离散地形成多个凸部(12),将该多个凸部(12)与凸部(12)之间的通路(13)设为导压孔(11‑2b)的周部与非接合区域(SA)的周端部(14)之间的连通路径。据此,能够防止应力向隔膜边缘集中,确保期待的耐压。

技术研发人员:德田智久;石仓义之
受保护的技术使用者:阿自倍尔株式会社
文档号码:201580016810
技术研发日:2015.03.09
技术公布日:2016.11.23

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