使用双极晶体管的电流传感器的制作方法

根据35u.s.c.§119的优先权主张

本申请案主张在2016年6月14日提出申请的美国申请案第15/181,596号的优先权，所述美国申请案主张标题为“使用双极晶体管的离子电流传感器(ioniccurrentsensorsusingbipolartransistors)”且在2015年6月17日提出申请的美国临时专利申请案第62/181,158号的权益，所述美国申请案及所述美国临时专利申请案经让与于本申请案的受让人且借此以全文引用的方式明确并入本文中。

本发明的某些方面通常涉及电子电路，且更特定来说涉及使用双极晶体管的电流传感器。

背景技术：

换能器是用于将一个形式的能量转换成另一形式的能量的装置。传感器为经设计成检测(即，感测)呈一个形式的传感器的环境的特性且以另一形式(其可为电信号)指示此特性的换能器。例如，可使用离子电流传感器来将介质的离子电流转换成电信号，使得电信号可经进一步处理(例如，放大、滤波、数字化，等)。

技术实现要素：

本发明的某些方面通常涉及使用双极晶体管的电流传感器(例如，离子电流传感器)。

本发明的某些方面提供用于感测的设备。设备通常包含：传感器，其经配置以供应指示参数的电流；双极晶体管，其具有耦合到所述传感器以接收所述电流的基极，所述双极晶体管经配置以基于所述电流而产生经放大电流，以及测量电路，其耦合到所述双极晶体管且经配置以接收所述经放大电流。

本发明的某些方面提供用于感测的方法。方法通常包含：在双极晶体管的基极处接收基极电流，所述基极电流指示参数；使用双极晶体管来放大基极电流以产生经放大电流；以及基于所述经放大基极电流而确定参数。

本发明的某些方面提供用于感测的设备。设备通常包含用于在双极晶体管的基极处接收基极电流的装置，所述基极电流指示参数；用于使用双极晶体管放大基极电流以产生经放大电流的装置；及用于基于所述经放大基极电流而确定参数的装置。

本发明的某些方面提供装置。所述装置通常包含多个测量单元，每一测量单元包含经配置以供应指示参数的电流的传感器；以及双极晶体管，所述双极晶体管具有耦合到传感器以接收电流的基极，所述双极晶体管经配置以基于所述电流而产生经放大电流；以及复数个模/数转换器，其中来自多个测量单元的双极晶体管的输出选择性地耦合到多个模/数转换器中的一个模/数转换器。

附图说明

为了可更详细理解本发明的上述特征的方式，可通过参考多个方面(在附图中说明其中的一些)进行上文简洁概述的更特定描述。然而，应理解，附图仅说明本发明的某些典型方面且因此并不应视为限制其范围，因为描述可承认其它同样有效方面。

图1为具有传感器阵列及用于控制传感器阵列的扫描的处理系统的实例性系统。

图2为展示随介质的性质而变的介质中的电流的改变的实例性曲线图。

图3说明用于检测介质中的分子的实例性感测井。

图4a至4f说明根据本发明的某些方面的使用n掺杂/p掺杂/n掺杂(npn)双极晶体管来进行电流放大的实例性电流测量电路。

图5a及5b说明本发明的某些方面的经配置以经由npn晶体管放大且将感测电流转换成电压的实例性电流测量电路。

图6a至6f说明根据本发明的某些方面的使用p掺杂/n掺杂/p掺杂(pnp)双极晶体管来进行电流放大的实例性电流测量电路。

图7a及7b说明本发明的某些方面的经配置以经由pnp晶体管放大且将感测电流转换成电压的实例性电流测量电路。

图8为根据本发明的某些方面的用于确定介质的参数在实例性操作的流程图。

具体实施方式

下文描述本发明的各种方面。本文中的教示可以广泛各种形式体现且本文中所揭示的任何特定结构、功能或两者仅为代表性应为显而易见的。基于本文中的教示，所属领域的技术人员应了解本文中所揭示的方面可独立于任何其它方面实施且这些方面中的两个或多于两个可以各种方式组合。例如，可使用本文中所阐明的任何数目个方面实施设备或可实践方法。另外，可使用其它结构、功能性或除本文中所阐明的方面中的一或多个外的结构及功能性来实施此设备或实践此方法。此外，方面可包括权利要求的至少一个元素。

措词“示范性”在本文中用于意指“用作实例、例子或说明”。本文中描述为“示范性”的任一方面未必解释为比其它方面较佳或有利。

实例性电流传感器

本发明的某些方面提供用于使用实施有双极晶体管的电流传感器来确定介质的参数的方法及设备。电流传感器可为经配置以将介质的离子电流转换成电信号的传感器阵列中的多个电流传感器中的一个。

图1为具有传感器阵列100及用于控制传感器阵列的扫描的处理系统的实例性系统。如所说明，电流传感器阵列100包含多个块102，每一块包含多个测量单元104。垂直块扫描器106可用于选择行中的每一测量单元104来进行电流测量。例如，每一测量单元104可包含可通过垂直块扫描器106经由开关激活的电流感测电路(图1中未展示)。

一旦测量单元104进行电流测量，可将测量单元104的电流测量输出传递到水平块扫描器108。例如，电流传感器阵列100可包含可用于选择相应测量单元104的输出信号的多个多路复用器110(mux)。可将所选择输出(其可为模拟形式)发送到模/数转换器(adc)112，在所述模/数转换器处将所述模拟输出转换成数字信号。接着将由对应测量单元104测量的电流的数字表示发送到水平块扫描器108。水平块扫描器108可将所测量电流的数字表示传递到处理器114供用于分析。

电流传感器阵列100的每一测量单元104可经配置以感测(例如，测量)跨越介质的电流。电流的测量值可指示与电流流动穿过其的介质相关联的性质，如本文中更详细所描述。

图2为说明随与介质相关联的性质的而变的介质中电流的实例性电平的曲线图200。即，具有可跨越在特定范围内的周期202测量的特定平均数的电流测量值可指示与介质相关联的性质。例如，周期202期间的电流测量值可指示性质c，且周期204期间的电流测量值可指示性质b，如所说明。

噪声的量可耦合到每一测量单元104的电流测量。例如，电流测量的噪声可具有噪声振幅206。如果电流测量的噪声振幅过大，那么可能变得越来越难以区分介质的一个性质与另一性质。即，可能变得难以确定电流测量表示的介质的性质，从而导致错误。例如，如果流动穿过具有性质c的介质的电流测量噪声过大，那么可能使电流测量与性质b错误地相关联。本发明的方面提供用于减少电流测量噪声的设备及技术。

图3说明用于检测介质中的分子的实例性感测井302。例如，电流传感器阵列100中的测量井104中的每一个可包含用于检测分子的感测井302。每一感测井可每感测井覆盖有隔膜及纳米孔310(例如，开口)。感测井302及在感测井上面的空间可含有离子溶液。可使用两个电极来在离子溶液中产生电流(例如，感测电流(is))。例如，可将偏压电压(vbias)施加到电极304，所述电极可为跨越电流传感器阵列100的感测井的全部或部分的共用电极。在一些方面中，vbias可经由电压电源(未展示)供应。通过将vbias施加到电极304，感测电流is可从电极304流动穿过介质(例如，穿过纳米孔)且到电极306(例如，感测机制)。从电极，感测电流is可流动到电流测量电路308，其中感测电流is可被放大及测量。

由电流测量所测量的感测电流is的电平的变化可指示与介质相关联的性质，如上文关于图2所描述。例如，电流的不同电平可指示感测井中存在的不同分子。即，待检测的分子可为脱氧核糖核酸(dna)碱基的正电荷识别标签，在纳米孔上面的聚合酶反应期间被释放。这些标签离开电极304朝向电极306移动。在标签移动穿过纳米孔时，其阻挡离子电流穿过纳米孔，因此以相依于标签的大小的方式改变到电流测量电路308中的电流(例如，感测电流is)的电平。

如上文关于图2所呈现，如果流动穿过介质(例如，感测井302中的离子溶液)的电流测量噪声过大，那么可能难以检测介质的性质。例如，可能错误地检测(例如，误识别)感测井302中的离子溶液中的dna片段中的分子类型。电流测量噪声可由电流测量电路308造成。因此，本发明的方面提供用于减少电流测量电路308的电流测量噪声的设备及技术。例如，可使用具有低噪声的双极晶体管(例如，与场效晶体管(fet)相反)来放大及测量电流is。

图4a为根据本发明的某些方面的使用双极晶体管402进行电流放大的实例性电流测量电路308。如所说明，感测电流is可流动到双极晶体管402的基极中。双极晶体管402的集电极可耦合到激活开关404，所述激活开关可使用fet实施。可使用由垂直块扫描器106控制的行选择信号来激活(例如，闭合)激活开关404以激活电流感测电路308。一旦经激活，可用电流增益beta(β)(例如，对应于双极晶体管402)来放大双极晶体管402(即，感测电流is)的基极电流使得集电极电流ic大约等于β×is。即，集电极电流ic从列总线流动到参考电势406(例如，电接地)，且通过对应adc112测量并数字化，且传递到图1的水平块扫描器108。

图4b为根据本发明的某些方面的使用双极晶体管408的达林顿(darlington)对配置进行电流放大的实例性电流测量电路308。如所说明，双极晶体管402的发射极可耦合到另一双极晶体管410的基极使得双极晶体管402的集电极电流由双极晶体管410进一步放大。因此，如与将单个双极晶体管用于感测电流is的放大相比，双极晶体管408的达林顿对配置提供较高增益。

图4c为根据本发明的某些方面的使用双极晶体管412的西克洛伊(sziklai)对配置进行电流放大的实例性电流测量电路308。如所说明，双极晶体管402(例如，n掺杂/p掺杂/n掺杂(npn)晶体管)的集电极耦合到p掺杂/n掺杂/p掺杂(pnp)双极晶体管414的基极。双极晶体管414的发射极耦合到供应电压，经放大电流基于双极晶体管402的集电极电流从供应电压流动到列总线。因此，双极晶体管414使感测电流is的放大增益增加。可实施为fet的激活开关404连接在双极晶体管414的集电极与列总线之间，且用于激活图4c的电流测量电路308。

图4d为根据本发明的某些方面的使用npn及pnp双极晶体管418进行电流放大的实例性电流测量电路308。如所说明，双极晶体管402(例如，npn双极晶体管)的集电极可耦合到pnp双极晶体管420的基极，此进一步放大双极晶体管402的集电极电流。双极晶体管402的发射极及双极晶体管420集电极耦合到参考电势406。双极晶体管420的发射极电流可在激活开关404闭合时从列总线流动，且经由对应adc112将双极晶体管420的发射极电流的数字表示发送到水平块扫描器108。

图4a到4d中的每一个的双极晶体管402具有连接到电极306的基极及连接到参考电势406的发射极(例如，直接地，或通过另一晶体管的基极-发射极连接)。因此，图4a到4d的双极晶体管402可在电极306处确立电流不敏感电压，而无需使用运算放大器(op-amp)来产生此电压，因为双极晶体管的基极-发射极电压(vbe)为基极电流(例如，is)的对数函数。通过使用与op-amp相反的双极晶体管来在电极306处建立电流不敏感电压，减小由电流测量电路308占用的面积，允许较高集成程度。此外，双极晶体管提供感测电流is的局部放大，因此减少来自泄漏路径及读出电路的噪声贡献。与fet相比，双极晶体管还减少电流测量噪声，因为双极晶体管可具有比fet低的一到两个数量级噪声。

图4e为根据本发明的某些方面的使用具有耦合到供应电压的集电极的用于电流放大的双极晶体管402的实例性电流测量电路308。如所说明，图4e的双极晶体管402放大感测电流is且在激活开关404闭合时将来自供应电压(vsupply)的发射极电流ie提供到列总线。

图4f为根据本发明的某些方面的使用具有耦合到供应电压(vsupply)的集电极的用于电流放大的双极晶体管422的达林顿对配置的实例性电流测量电路308。如上文关于图4b所呈现，如与将单个双极晶体管用于电流放大相比，电晶体的达林顿对配置提供较高电流放大增益。

图5a为根据本发明的某些方面的经配置以经由双极晶体管402放大且经由电阻元件r将电流is转换成电压的实例性电流测量电路308。即，集电极电流ic流动穿过耦合到供应电压(vsupply)的电阻元件r。因此，节点502处的电压可等于供应电压、小于跨越电阻元件r的电压降，所述电压降为集电极电流ic的函数。因此，电流ic有效地控制可位于三极管区域中的源极跟随器506(例如，缓冲器)的门极电压。在激活开关404闭合时，列总线处的电压可等于供应电压，小于跨越源极跟随器506的漏极到源极电压降。因此，列总线处的电压可表示节点502处的电压，所述电压基于感测电流is由双极晶体管402控制。如所说明，电阻元件可以各种方式实施，例如使用多晶硅电阻器、离子碰撞电阻器或fet(例如，偏置于三极管区域中的n型fet(nfet)或被关闭nfet或p型fet(pfet))。

图5b为根据本发明的某些方面的经配置以经由并联电容器c将感测电流is转换成电压的实例性电流测量电路308。即，并联电容器c可耦合到双极晶体管402的集电极与预充电开关508之间的节点510。预充电开关508可经配置以在闭合时将并联电容器c充电到供应电压电平。一旦并联电容器c经预充电，可使预充电开关断开。因此，双极晶体管402的集电极电流ic可从并联电容器c流动且放电，实际上经由并联电容器c集成集电极电流ic。通过使并联电容器c放电，减少跨越并联电容器c的电压。跨越并联电容器c的电压还取决于使电容器放电的时间量，其经配置针对多个测量单元104中的所有感测井相同。通过调整跨越并联电容器c的电压，调整源极跟随器506的门极处的电压。如上文关于图5a所呈现，通过调整源极跟随器506的门极处的电压，可在激活开关404闭合时调整列总线处电压。

在一些状况下，穿过介质的电流可流动离开电流测量电路308。即，电极304可处于比电极306低的电压电势使得电流从电极306到电极304流动穿过感测井302。因此，本发明的某些方面是针对可测量流动离开电流测量电路308的感测电流的电流测量电路。

图6a为根据本发明的某些方面的使用pnp双极晶体管602进行电流放大的实例性电流测量电路308。如所说明，感测电流is可流动离开双极晶体管602的基极。双极晶体管602的集电极可耦合到激活开关604，所述激活开关可使用fet实施。可使用由垂直块扫描器106控制的行选择信号来激活(例如，闭合)激活开关604以激活电流感测电路308。一旦经激活，可用电流增益beta(β)来放大双极晶体管602(例如，感测电流is)的基极电流使得集电极电流ic大约等于β×is。即，集电极电流ic从双极晶体管602的发射极处的供应电压流动，且朝向列总线，由对应的adc112进行测量并数字化，且传递到水平块扫描器108。

图6b为根据本发明的某些方面的使用pnp双极晶体管608的达林顿(darlington)对配置进行电流放大的实例性电流测量电路308。如所说明，双极晶体管602的发射极可耦合到另一双极晶体管610的基极使得双极晶体管602的发射极电流由双极晶体管610进一步放大。因此，如与将单个双极晶体管用于感测电流is的放大相比，双极晶体管608的达林顿对配置提供较高增益。

图6c为根据本发明的某些方面的使用双极晶体管612的西克洛伊(sziklai)对配置进行电流放大的实例性电流测量电路308。如所说明，pnp双极晶体管602的集电极耦合到npn晶体管614的基极且双极晶体管614的发射极耦合到参考电势。双极晶体管614放大双极晶体管602的集电极电流，且增加感测电流is的放大增益。可实施为fet的激活开关604可连接在双极晶体管614的集电极与列总线之间，且用于激活图6c的电流测量电路308。

图6d为根据本发明的某些方面的使用pnp及npn双极晶体管618进行电流放大的实例性电流测量电路308。如所说明，双极晶体管602(例如，pnp晶体管)的集电极可耦合到npn晶体管620的基极，其进一步放大双极晶体管602的集电极电流。双极晶体管602的发射极及双极晶体管620的集电极耦合到供应电压(vsupply)。双极晶体管620的发射极电流可在激活开关604闭合时从供应电压流动到列总线，且经由对应adc112将双极晶体管620的发射极电流的数字表示发送到水平块扫描器。

图6a到6d中的每一个的双极晶体管602具有连接到电极306的基极及连接到供应电压的发射极(例如，直接地，或通过另一晶体管的发射极-基极连接)。因此，图6a到6d的双极晶体管602可在电极306处建立电流敏感电压，而无需使用运算放大器(op-amp)来产生此电压。这是因为双极晶体管的发射极到基极电压(veb)为基极电流(例如，is)的对数函数。通过使用与op-amp相反的双极晶体管来在电极306处建立电流不敏感电压，减少由电流测量电路308占用的面积，允许较高集成程度。此外，双极晶体管提供感测电流is的局部放大，因此减少来自泄漏路径及读出电路的噪声贡献。与fet相比，双极晶体管还减少电流测量噪声，因为双极晶体管具有比fet低一到两个数量级的噪声。

图6e为根据本发明的某些方面的使用具有耦合到参考电势的集电极的电流放大的pnp双极晶体管602的实例性电流测量电路308。如所说明，图6e的双极晶体管602放大感测电流is，从而在激活开关404闭合时产生从列总线到参考电势的电流ie。

图6f为根据本发明的某些方面的使用具有耦合到参考电势的集电极的用于电流放大的pnp双极晶体管622的达林顿对配置的实例性电流测量电路308。如上文关于图6b所呈现，如与将单个双极晶体管用于电流放大相比，电晶体622的达林顿对配置提供较高电流放大增益。

图7a为根据本发明的某些方面的经配置以经由pnp双极晶体管602放大且经由电阻元件r将感测电流is转换成电压的实例性电流测量电路308。即，集电极电流ic流动穿过耦合到参考电势的电阻元件r。因此，节点702处的电压可等于跨越电阻元件r的电压降，所述电压降为集电极电流ic的函数，小于参考电势。因此，电流ic控制可在三极管区域中的源极跟随器706的门极电压，所述门极电压继而调整源极跟随器706的导通电阻。在激活开关604闭合时，还通过调整源极跟随器706的导通电极来调整列总线处的电压。因此，列总线处的电压可表示节点702处的电压，所述电压基于电流is由双极晶体管602控制。如所说明，电阻元件r可使用呈各种配置的fet实施。

图7b为根据本发明的某些方面的经配置以经由pnp双极晶体管放大且经由并联电容器c将感测电流is转换成电压的实例性电流测量电路308。即，并联电容器c可耦合到双极晶体管602的集电极与放电开关708之间的节点710。放电开关708可经配置以在闭合时使并联电容器c放电。一旦并联电容器c被放电，可使放电开关708断开。因此，双极晶体管602的集电极电流ic可流动到并联电容器c且为其充电。通过为并联电容器c充电，使跨越并联电容器c的电压增加，从而调整源极跟随器706的门极处的电压。如上文关于图5a所呈现，通过调整源极跟随器706的门极处的电压，可在激活开关604闭合时调整列总线处的电压。

在某些方面中，双极晶体管402及/或602可为双极结型晶体管(bjt)或异质结型双极晶体管(hbt)。在一些状况下，hbt可为硅锗(sige)hbt。在一些方面中，放电开关508及708可为pfet或nfet。

图8为根据本发明的某些方面的用于确定介质的参数在实例性操作800的流程图。操作800可由例如装置(例如，图1的传感器阵列100及电流测量电路308)执行。

操作800可在框802处通过在双极晶体管的基极处接收基极电流而开始，基极电流指示参数。在框804处，可使用双极晶体管来放大基极电流以产生经放大电流。在框806处，基于经放大电流而确定参数。

在一些状况下，操作800包含通过传感器将基极电流供应到双极晶体管的基极。在此状况下，供应可包含响应于一或多个光子而产生基极电流。例如，由电流测量电路308测量的电流可基于由光电二极管进行的光的检测。

在某些方面中，供应包含响应于流动穿过介质的电流而产生基极电流。流动穿过介质的电流可为离子电流。在一些状况下，供应包括基于介质的ph而产生基极电流，其中参数为介质的ph。例如，随着介质的ph改变，穿过介质的电流也可改变，且电流的此改变可经测量以确定介质的ph。例如，电流测量电路308可放大穿过介质的电流，且可使用经放大电流来确定介质的ph。

在某些方面中，介质包括含至少一种脱氧核糖核酸(dna)片段且其中参数包括dna片段中的碱基的类型。在某些方面中，介质包括电解溶液且框806处的确定包括使用经放大的基极电流来检测电解溶液中的分子。

在一些状况下，操作800还包含致使基极电流流动穿过第一电极与第二电极之间的介质。在此状况下，操作800还可包含用双极晶体管对第二电极加偏压。在某些方面中，操作800包含用偏压电压对第一电极加偏压。

在某些方面中，操作800进一步包含将经放大偏压电流转换成感测电压，且框806处的确定包含基于感测电压而确定参数。在某些方面中，操作800可进一步包含缓冲感测电压，且框806处的确定包括基于所缓冲感测电压而确定参数。在某些方面中，转换涉及使经放大电流穿过电耦合到双极晶体管的电阻元件以产生感测电压。在某些方面中，电阻元件包括多晶硅电阻器、离子注入电阻器、在三极管区域中操作的晶体管或被关断晶体管中的至少一个。

在某些方面中，转换需要在第一周期期间使电耦合到双极晶体管的集电极的电容器放电到参考电势且允许双极晶体管的集电极电流在第二周期期间对电容器进行充电。在某些方面中，转换涉及在第一周期期间将电耦合到双极晶体管的集电极的电容器充电到电压电平且允许双极晶体管的集电极电流在第二周期期间使电容器放电。

在某些方面中，框804处的放大需要使用与双极晶体管电耦合且经配置以增加基极电流的总电流放大的另一双极晶体管。在某些方面中，双极晶体管包括双极结型晶体管(bjt)。在其它方面中，双极晶体管包含异质结型双极晶体管(hbt)。在某些方面下，hbt包括硅锗(sige)hbt。

上文所描述的各种操作或方法可通过能够执行对应功能的任一合适装置来执行。装置可包含各种硬件及/或软件组件及/或模块，包含但不限于电路、专用集成电路(asic)或处理器。通常，在存在图中所说明的操作的情况下，那些操作可具有带类似编号的对应的配对装置加功能组件。例如，用于致使电流流动的装置可包含用以形成电压差(例如，偏压电压)的电压电源。用于接收的装置及/或用于放大的装置可包含双极晶体管，例如图4及5的双极晶体管402或图6及7的双极晶体管602。用于确定的装置可包含处理系统，其包含至少一个处理器，例如，图1的处理器114。

如本文中所使用，术语“确定”囊括广泛各种动作。例如，“确定”可包含运算、计算、处理、导出、调查、查找(例如，在表、数据库或另一数据结构中查找)，确定及其类似操作。另外，“确定”可包含接收(例如，接收信息)、存取(例如，存取存储器中的数据)及其类似操作。此外，“确定”可包含解析、选择、挑选、建立及其类似操作。

如本文中所使用，关于一系列物项“中的至少一个”的短语是指那些物项的任何组合，包含单个部件。作为实例，“以下各项中的至少一个：a、b，或c”意欲覆盖：a、b、c、a-b、a-c、b-c、a-b-c，以及具有多个相同元件的任何组合(例如，a-a、a-a-a、a-a-b、a-a-c、a-b-b、a-c-c、b-b、b-b-b、b-b-c、c-c，及c-c-c或的a、b，及c的任何其它排序)。

结合本发明所描述的各种说明性逻辑块、模块及电路可通过以下各项来实施或执行：通用处理器、数字信号处理器(dsp)、asic、场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置(pld)、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中所描述的功能的任一组合。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何市售处理器、控制器、微控制器或状态机。还可将处理器实施为计算装置的组合，例如dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器或任一其它此类配置。

本文中所揭示的方法包括用于实现所描述方法的一或多个步骤或动作。方法步骤及/或动作可彼此互换而不背离权利要求书的范围。换句话说，除非规定特定次序的步骤或动作，否则具体步骤及/或动作的次序及/或使用可被修改而不脱离权利要求书的范围。

所描述的功能可以硬件、软件、固件或其任一组合来实施。如果以硬件实施，那么实例性硬件配置可包括位于无线节点中的处理系统。处理系统可实施有总线架构。总线可取决于处理系统的特定应用及整体设计约束而包含任何数目个互连总线及网桥。总线可将包含处理器、机器可读媒体及总线接口的各种电路链接在一起。可使用总线接口来经由总线将网路适配器及其它连接到处理系统。网路适配器可用于实施物理(phy)层的信号处理功能。在用户终端的状况下，用户接口(例如，小键盘、显示器、鼠标、操纵杆，等)也可连接到总线。总线还可链接本技术领域中众所周知的各种其它电路(例如，定时源、外围装置、电压调节器及功率管理电路，等等)，且因此将不进行任何进一步描述。

处理系统可经配置为具有提供处理器功能性的一或多个微处理器的通用处理系统及提供机器可读媒体的至少一部分的外部存储器，所有通过外部总线架构与其它支持电路链接在一起。替代地，处理系统可实施有asic，具有处理器、总线接口、在接入终端的情况下的用户接口、支持电路及整合到单个芯片中的机器可读媒体的至少一部分，或具有一或多个fpga、pld(可编程逻辑装置)、控制器、状态机、门极逻辑、离散硬件组件，或任何其它合适的电路，或可执行贯穿本发明所描述的各种功能性的电路的任何组合。所属领域的技术人员将认识到最佳实施处理系统的所描述功能性的方式取决于特定应用及强加于整体系统的总设计约束。

应理解，权利要求书并不限制于上文所说明的精确配置及组件。可在上文所描述的方法及设备的布置、操作及细节作出各种修改、改变及变化而不会背离权利要求书的范围。