技术特征：
技术总结
本发明提供半导体器件寄生电阻获取方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区、沟道及沟道下方的埋区，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件的等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；对所述半导体器件进行TLP测试，获取电流电压曲线；根据所述电流电压曲线进行线性拟合，得到该半导体器件的寄生电阻。本发明通过对器件结构的剖析、等效电路的获取、TLP电压电流曲线的测试、击穿机理过程分析、曲线分析，得到了一种半导体器件获取寄生电阻的方法，该方法非常简洁地得到了RFLDMOS的寄生电阻，为器件的优化设计提供了指导方法。
技术研发人员：李浩;杜寰
受保护的技术使用者：北京顿思集成电路设计有限责任公司
技术研发日：2018.07.19
技术公布日：2019.01.04