形成有 与第二凹部612相连的切口 651、652。
[0103] 第一凹部611、第二凹部612及第三凹部613在俯视观察时，分别呈大致长方形 (矩形）的外形，并且长轴方向与基座6的长轴方向大致一致。
[0104] 如图9(b)所示，第一凹部611具有在长轴方向上延伸的一对长边611a、611b和在 短轴方向上延伸的一对短边61lc、61Id,而且，各角部被倒圆角。
[0105] 另外，如图9 (a)所不，第二凹部612具有在长轴方向上延伸的一对长边612a、612b 和在短轴方向上延伸的一对的短边612c、612d，而且，各角部被倒圆角。另外，在俯视观察 基座6时，4条边612a~612d分别位于与第一凹部611相比靠内侧的位置处。另外，在边 612c上形成有向基座6的外边缘633侧延伸的切口 651、652。
[0106] 另外，如图8 (a)、（b)所不，第三凹部613具有在长轴方向上延伸的一对长边613a、 613b和在短轴方向上延伸的一对短边613c、613d，而且，各角部被倒圆角。另外，在俯视观 察基座6时，3条边612a、612b、612c分别位于与第二凹部612相比靠内侧的位置处，剩下的 边613d与第二凹部612的短边612d重叠。
[0107] 在这种凹部61的底面（第三凹部613的底面、第二基板6B的上表面）上通过银 (Ag)膏等导电性粘结部件K而固定有IC10。IClO通过导电线（接合线）821~835而与被 形成在基座6上的后文叙述的配线群8电连接。
[0108] 另外，IClO中例如组装有：用于使陀螺元件2驱动振动的驱动电路（S卩，向驱动信 号电极451及驱动接地电极461间施加电压的驱动电路）；对在施加了角速度《时在陀螺 元件2中产生的检测振动进行检测的检测电路（即，对第一检测信号电极411及第一检测 接地电极421间的电荷，和第二检测信号电极431及第二检测接地电极441间的电荷进行 检测的检测电路）。
[0109] 另外，在俯视观察时，IClO呈大致长方形（矩形）的外形，并且长轴方向与基座6 的长轴方向大致一致。如图10所示，IClO具有在长轴方向上延伸的一对外边缘（第一元 件外边缘）1〇1、1〇2和在短轴方向（与长轴方向交叉的方向）上延伸的一对外边缘（第二 元件外边缘）103、104。但是，IClO的俯视观察时的形状并不限定于长方形，例如，既可以为 正方形，也可以为五边形以上的多边形，还可以为异形形状。
[0110] 另外，如图2所示，在基座6的底部上形成有连通凹部61的内外的贯穿孔62。该 贯穿孔62为用于对内部空间S进行真空抽吸的孔，在经由贯穿孔62去除了内部空间S的 空气之后，该贯穿孔62通过由Au-Ge类的合金等构成的密封部件M而被密封。由此，能 够将内部空间S维持在真空状态。另外，虽然图2中，贯穿孔62的内侧开口被图示为，被 IClO(导电性粘结部件K)封堵，但实际上，IClO以不会封堵贯穿孔62的内侧开口的方式而 被固定。
[0111] 贯穿孔62由被形成在第一基板6A上的下侧贯穿孔62A和被形成在第二基板6B 上的上侧贯穿孔62B构成，并且上侧贯穿孔62B的直径小于下侧贯穿孔62A的直径。因此， 在贯穿孔62的中途形成有由第二基板6B的下表面构成的高低差部62C。由于具有高低差 部62C，从而能够简单地进行密封部件M对贯穿孔62的密封。具体而言，首先，准备由Au- Ge类的合金等构成，且比下侧贯穿孔62A小而比上侧贯穿孔62B大的球状的金属球（成为 密封部件M的材料），然后从下侧贯穿孔62A侧向贯穿孔62内导入金属球。由于被导入到 贯穿孔62内的金属球被卡在高低差部62C上而滞留，因此能够通过向该金属球照射激光等 而使之熔融，从而由密封部件M将贯穿孔62密封。
[0112] 另外，在基座6的与外边缘631、632对应的侧面（在长轴方向上延伸的侧 面）631'、632'上，分别形成有从基座6的上表面延伸至下表面的多个切口。具体而言，在 与外边缘631对应的侧面631'上，以大致相等的间隔而并排形成有5个切口 640、641、642、 643、644,在与外边缘632对应的侧面632'上，以大致相等的间隔而并排形成有5个切口 645、646、647、648、649。在上述各切口 640~649上形成有配线群8的一部分。
[0113] 接下来，根据图7至图10对被配置在基座6上的配线群8进行详细说明。图7中 (a)为从上表面侧观察第一基板6A时的透视图，（b)为第二基板6B的俯视图，图8中（a) 为第三基板6C的俯视图，（b)为第四基板6D的俯视图，图9中（a)为第五基板6E的俯视 图，（b)为第六基板6F的俯视图，图10为基座6的俯视图。
[0114] 配线群8具有Sl配线801、S2配线802、作为接地配线的GND配线803、DS配线 804、DG配线 805、CLK配线 806、DI配线 807、D0 配线 808、CS配线 809、VDD1 配线 8KKTEST1 配线811、DRY配线812、TEST2配线813、VDD2配线814。另外，上述这些配线中，本发明的 "第二配线"包括Sl配线801、S2配线802、DG配线805,本发明的"第一配线"包括GND配 线 803、DS配线 804、CLK配线 806、DI配线 807、DO配线 808、CS配线 809、VDDl配线 810、 TESTl配线811、DRY配线812、TEST2配线813、VDD2配线814。另外，配线群8既可以具有 上述配线以外的配线，也可以省略上述配线中的至少1个配线。
[0115] 作为上述各配线801~814的构成并不被特别地限定，例如可以由在钨（W)、钥 (Mo)、镁（Mg)等的基底层上层压金（Au)等的电镀金属层所形成的金属被膜构成。电镀金 属层例如通过电解电镀法而形成。
[0116] 以下对各配线801~814依次进行说明。
[0117] Sl配线
[0118] 如图8(b)及图9 (a)所示，Sl配线801在其一端部具有Sl内部端子801a，在其另 一端部具有Sl连接端子801b。并且，Sl配线801通过Sl内部端子801a而与IClO电连 接，并通过SI连接端子801b而与第一检测信号端子412电连接。如图10所示，SI内部端 子801a与IClO的电连接通过导电线821而进行。另一方面，Sl连接端子801b与第一检 测信号端子412的电连接通过支承基板9而进行。
[0119]Sl内部端子801a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 633 (IC10的外边缘103、第三凹部613的短边613c)而配置。另外，Sl内部端子801a偏向 外边缘631侧而配置。另一方面，Sl连接端子801b被形成在第五基板6E的上表面上，并 沿着基座6的外边缘633 (第二凹部612的短边612c)而设置。另外，Sl连接端子801b被 配置在与切口 651相比靠外边缘631侧的位置处。
[0120] 这种Sl配线801跨第四基板6D和第五基板6E而形成。从第四基板6D向第五基 板6E的配线的引导通过被形成在第五基板6E上的导通孔（贯穿电极）801c而进行。另外， 虽然导通孔801c被配线遮挡而看不到，但为了便于说明，而用白色圆圈来图示其位置。
[0121] S2 配线
[0122] 如图8(b)及图9 (a)所示，S2配线802在其一端部具有S2内部端子802a，在其另 一端部具有S2连接端子802b。并且，S2配线802通过S2内部端子802a而与IClO电连 接，并通过S2连接端子802b而与第二检测信号端子432电连接。如图10所示，S2内部端 子802a与IClO的电连接通过导电线822而进行。另一方面，S2连接端子802b与第二检 测信号端子432的电连接通过支承基板9而进行。
[0123]S2内部端子802a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 633 (IC10的外边缘103、第三凹部613的短边613c)而配置。另外，S2内部端子802a偏向 外边缘632侧而配置。另一方面，S2连接端子802b被形成在第五基板6E的上表面上，并 沿着基座6的外边缘633 (第二凹部612的短边612c)而设置。另外，S2连接端子802b被 配置在与切口 652相比靠外边缘632侧的位置处。
[0124] 这种S2配线802跨第四基板6D和第五基板6E而形成。从第四基板6D向第五基 板6E的配线的引导通过被形成在第五基板6E上的导通孔802c而进行。另外，虽然导通孔 802c被配线遮挡而看不到，但为了便于说明，而用白色圆圈来图示其位置。
[0125] 在俯视观察基座6时，以上所说明的Sl配线801及S2配线802被配置为，关于与 基座6的中心相交并沿着基座6的长轴的直线L(参照图8(b))线对称。
[0126]DG配线
[0127] 如图8(b)及图9 (a)所示，DG配线805在其一端部具有DG内部端子805a，在其 另一端部具有DG连接端子805b。并且，DG配线805通过DG内部端子805a而与IClO电 连接，并通过DG连接端子805b而与驱动接地端子462电连接。如图10所示，DG内部端子 805a与IClO的电连接通过导电线823而进行。另一方面，DG连接端子805b与驱动接地端 子462的电连接通过支承基板9而进行。
[0128] DG内部端子805a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 633 (IC10的外边缘103、第三凹部613的短边613c)而配置。另外，DG内部端子805a被配 置在Sl内部端子801a与S2内部端子802a之间。另一方面，DG连接端子805b被形成在 第五基板6E的上表面上，并沿着基座6的外边缘633 (第二凹部612的短边612c)而设置。 另外，DG连接端子805b被配置在切口 651、652之间（SI、S2连接端子801b、802b之间）。
[0129] 这种DG配线805跨第四基板6D和第五基板6E而形成。从第四基板6D向第五基 板6E的配线的引导通过被形成在第五基板6E上的导通孔805c而进行。另外，虽然导通孔 805c被配线遮挡而看不到，但为了便于说明，而用白色圆圈来图示其位置。
[0130]CLK配线
[0131] 如图7及图8所示，CLK配线806在其一端部具有CLK内部端子806a，在其另一端 部具有CLK外部端子806b。并且，CLK配线806通过CLK内部端子806a而与IClO电连接。 如图10所示，CLK内部端子806a与IClO的电连接通过导电线824而进行。
[0132]CLK内部端子806a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 631 (IC10的外边缘101、第三凹部613的长边613a)而设置。另外，CLK内部端子806a被 配置在长边613a的短边613d-侧。另一方面，CLK外部端子806b沿着外边缘631而被配 置在第一基板6A的下表面（基座6的底面）上，且被配置在切口 640附近。
[0133] 这种CLK配线806跨第四基板6D到第一基板6A而形成。从第四基板6D向第一 基板6A的配线的引导通过被形成在切口 640内的CLK侧面电极806c而进行，CLK内部端 子806a与CLK侧面电极806c经由被形成在第四基板6D的上表面上的配线而相连接。
[0134]DO配线
[0135] 如图7及图8所示，DO配线808在其一端部具有DO内部端子808a，在其另一端部 具有DO外部端子808b。并且，DO配线808通过DO内部端子808a而与IClO电连接。如图 10所示，DO内部端子808a与IClO的电连接通过导电线825而进行。
[0136]DO内部端子808a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 631 (IC10的外边缘101、第三凹部613的长边613a)而设置。另外，DO内部端子808a被配 置在长边613a的短边613d-侧，且被配置在CLK内部端子806a的右旁边