。另一方面，DO 外部端子808b沿着外边缘631而被配置在第一基板6A的下表面（基座6的底面）上，且 被配置在切口 641附近。
[0137] 这种DO配线808跨第四基板6D到第一基板6A而形成。从第四基板6D向第一基 板6A的配线的引导通过被形成在切口 641内的DO侧面电极808c而进行，DO内部端子808a 与DO侧面电极808c经由被形成在第四基板6D的上表面上的配线而相连接。
[0138]VDDl配线
[0139] 如图7及图8所示，VDDl配线810在其一端部具有VDDl内部端子810a，在其另一 端部具有VDDl外部端子810b。并且，VDDl配线810通过VDDl内部端子810a而与IClO电 连接。如图10所示，VDDl内部端子810a与IClO的电连接通过导电线826而进行。
[0140]VDDl内部端子810a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 631 (IC10的外边缘101、第三凹部613的长边613a)而设置。另外，VDDl内部端子810a被配 置在长边613a的短边613d-侧，且被配置在DO内部端子808a的右旁边。另一方面，VDDl 外部端子810b沿着外边缘631而被配置在第一基板6A的下表面（基座6的底面）上，且 被配置在切口 642附近。
[0141] 这种VDDl配线810跨第四基板6D到第一基板6A而形成。从第四基板6D向第一 基板6A的配线的引导通过被形成在切口 642内的VDDl侧面电极810c而进行，VDDl内部 端子810a与VDDl侧面电极810c经由被形成在第四基板6D的上表面上的配线而相连接。
[0142]VDD2 配线
[0143] 如图7及图8所示，VDD2配线814在其一端部具有VDD2内部端子814a，在其另一 端部具有VDD2外部端子814b。并且，VDD2配线814通过VDD2内部端子814a而与IClO电 连接。如图10所示，VDD2内部端子814a与IClO的电连接通过导电线827而进行。
[0144]VDD2内部端子814a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 631 (IC10的外边缘101、第三凹部613的长边613a)而设置。另外，VDD2内部端子814a被 配置在长边613a的大致中央部，且被配置在VDDl内部端子810a的右旁边。另一方面，VDD2 外部端子814b沿着外边缘631而被配置在第一基板6A的下表面（基座6的底面）上，且 被配置在切口 644附近。
[0145] 这种VDD2配线814跨第四基板6D到第一基板6A而形成。从第四基板6D向第二 基板6B的配线的引导通过被形成在第四基板6D和第三基板6C上的导通孔814e而进行，从 第二基板6B向第一基板6A的配线的引导通过被形成在切口 644内的VDD2侧面电极814c 而进行。另外，虽然导通孔814e被配线遮挡而看不到，但为了便于说明，而用白色圆圈来图 示其位置。
[0146]DRY配线
[0147] 如图7及图8所示，DRY配线812在其一端部具有DRY内部端子812a，在其另一端 部具有DRY外部端子812b。并且，DRY配线812通过DRY内部端子812a而与IClO电连接。 如图10所示，DRY内部端子812a与IClO的电连接通过导电线828而进行。
[0148]DRY内部端子812a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 631 (IC10的外边缘101、第三凹部613的长边613a)而设置。另外，DRY内部端子812a被 配置在长边613a的短边613d-侧，且被配置在VDD2内部端子814a的右旁边。另一方面， DRY外部端子812b沿着外边缘631而被配置在第一基板6A的下表面（基座6的底面）上， 且被配置在切口 643附近。
[0149] 这种DRY配线812跨第四基板6D到第一基板6A而形成。从第四基板6D向第一 基板6A的配线的引导通过被形成在切口 644内的DRY侧面电极812c而进行，DRY内部端 子812a与DRY侧面电极812c经由被形成在第四基板6D的上表面上的配线而相连接。
[0150]DS配线
[0151] 如图8(b)及图9 (a)所示，DS配线804在其一端部具有DS内部端子804a，在其 另一端部具有DS连接端子804b。并且，DS配线804通过DS内部端子804a而与IClO电 连接，并通过DS连接端子804b而与驱动信号端子452电连接。如图10所示，DS内部端子 804a与IClO的电连接通过导电线829而进行。另一方面，DS连接端子804b与驱动信号端 子452的电连接通过支承基板9而进行。
[0152]DS内部端子804a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 633 (IC10的外边缘102、第三凹部613的长边613b)而配置。另外，DS内部端子804a被配 置在长边613b的短边613d-侧。另一方面，DS连接端子804b被形成在第五基板6E的上 表面上，并沿着基座6的外边缘634 (第二凹部612的短边612d)而设置。另外，DS连接端 子804b被配置在短边612的中央部处。
[0153] 这种DS配线804跨第四基板6D和第五基板6E而形成。从第四基板6D向第五基 板6E的配线的引导通过被形成在第五基板6E上的导通孔804c而进行。另外，虽然导通孔 804c被配线遮挡而看不到，但为了便于说明，而用白色圆圈来图示其位置。
[0154]DI配线
[0155] 如图7及图8所示，DI配线807在其一端部具有DI内部端子807a，在其另一端部 具有DI外部端子807b。并且，DI配线807通过DI内部端子807a而与IClO电连接。如图 10所示，DI内部端子807a与IClO的电连接通过导电线830而进行。
[0156]DI内部端子807a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 632 (IC10的外边缘102、第三凹部613的长边613b)而设置。另外，DI内部端子807a被配 置在长边613a的短边613d-侧，且被配置在DS内部端子804a的右旁边。另一方面，DI外 部端子807b沿着外边缘632而被配置在第一基板6A的下表面（基座6的底面）上，且被 配置在切口 645附近。
[0157] 这种DI配线807跨第四基板6D到第一基板6A而形成。从第四基板6D向第三基 板6C的配线的引导通过被形成在第四基板6D上的导通孔807e而进行，从第三基板6C向 第一基板6A的配线的引导通过被形成在切口 644内的DI侧面电极807c而进行。另外，虽 然导通孔807e被配线遮挡而看不到，但为了便于说明，而用白色圆圈来图示其位置。
[0158]CS配线
[0159] 如图7及图8所示，CS配线809在其一端部具有CS内部端子809a，在其另一端部 具有CS外部端子809b。并且，CS配线809通过CS内部端子809a而与IClO电连接。如图 10所示，CS内部端子809a与IClO的电连接通过导电线831而进行。
[0160]CS内部端子809a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 632 (IC10的外边缘102、第三凹部613的长边613b)而设置。另外，CS内部端子809a被配 置在长边613a的短边613d-侧，且被配置在DI内部端子807a的右旁边。另一方面，CS外 部端子809b沿着外边缘632而被配置在第一基板6A的下表面（基座6的底面）上，且被 配置在切口 646附近。
[0161] 如此，由于CS内部端子809a被形成在第四基板6D上，CS外部端子809b被形成 在第一基板6A上，因此CS配线809跨第四基板6D到第一基板6A而形成。从第四基板6D 向第一基板6A的配线的引导通过被形成在切口 646内的CS侧面电极809c而进行，CS内 部端子809a与CS侧面电极809c经由被形成在第四基板6D的上表面上的配线而相连接。
[0162]TESTl配线
[0163] 如图7及图8所示，TESTl配线811在其一端部具有TESTl内部端子811a，在其另 一端部具有TESTl外部端子811b。并且，TESTl配线811通过TESTl内部端子811a而与 IClO电连接。如图10所示，TESTl内部端子811a与IClO的电连接通过导电线832而进 行。
[0164]TESTl内部端子811a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 632 (IC10的外边缘102、第三凹部613的长边613b)而设置。另外，TESTl内部端子811a被 配置在长边613b的大致中央部，且被配置在CS内部端子809a的右旁边。另一方面，TESTl 外部端子811b沿着外边缘632而被配置在第一基板6A的下表面（基座6的底面）上，且 被配置在切口 647附近。
[0165] 这种TESTl配线811跨第四基板6D到第一基板6A而形成。从第四基板6D向第 一基板6A的配线的引导通过被形成在切口 647内的TESTl侧面电极811c而进行，TESTl内 部端子811a与TESTl侧面电极811c经由被形成在第四基板6D的上表面上的配线而相连 接。
[0166]TEST2 配线
[0167] 如图7及图8所示，TEST2配线813在其一端部具有TEST2内部端子813a，在其另 一端部具有TEST2外部端子813b。并且，TEST2配线813通过TEST2内部端子813a而与 IClO电连接。如图10所示，TEST2内部端子813a与IClO的电连接通过导电线833而进 行。
[0168]TEST2内部端子813a被形成在第四基板6D的上表面上，并沿着基座6的外边缘 632 (IC10的外边缘102、第三凹部613的长边613b)而设置。另外，TEST2内部端子813a 被配置在长边613b的短边613c-侧，且被配置在TESTl内部端子811a的右旁边。另一方 面，TEST2外部端子813b沿着外边缘632而被配置在第一基板6A的下表面（基座6的底 面）上，且被配置在切口 648附近。
[0169] 这种TEST2配线811跨第四基板6D到第一基板6A而形成。从第四基板6D向第 一基板6A的配线的引导通过被形成在切口 648内的TEST2侧面电极813c而进行，TEST2内 部端子813a与TEST2侧面电极813c经由被形成在第四基板6D的上表面上的配线而相连 接。
[0170]GND配线
[0171] 如图7、图8及图9所示，GND配线803跨全部基板6A~6F而形成。并且，GND配 线803在各基板6A~6F中，在不妨碍其他配线801、802、804~814的引导的范围内，较大 地展开配置。具体而言，GND配线803在第二基板6B中，被设置在大半个区域，在第三、第 四基板6C、6D中，以包围第三凹部613的周围的方式而被设置，在第五基板6E中，以包围第 二凹部612的周围的方式而被设置为""字状，在第六基板6F中，以包围第一凹部611的 四周的方式而被设置为环状。
[0172] 另外，被配置在第六基板6F上的GND配线803还作为被用于与盖7的接合的金属 化层803'而发挥作用。
[0173]GND配线 803 具有GND内部端子 803a'、803a"、GND连接端子 803b'、803b" 和GND 外部端子803c。并且，GND配线803通过GND内部端子803a'、803a"中的至少一方（在本 实施方式中为GND内部端子803a"）而与IClO电连接，并通过GND连接端子803b'、803b" 而与第一、第二检测接地端子422、442电连接。如图10所示，GND内部端子803a"与IClO 的电连接通过导电线835而被进行。另一方面，GND连接端子803b'、803b"与第一、第二检 测接地端子422、442的电连接通过支承基板9而被进行。
[0174]GND内部端子803a'被形成在第四基板6D的上表面上，并被配置在D