正交的方向延伸。侧面15a是分束器12的侧面12a侧的面，侧面15b是侧面15a的相反侧的面。在侧面15b形成有金属膜32。由此，侧面15b作为将到达的光全反射的镜面而被构成。
[0039]偏转镜16具有侧面16a。侧面16a是分束器12的侧面12a侧的面。侧面16a沿着沿主面10s的方向以及相对于与主面10s正交的方向倾斜45°的方向延伸。在侧面16a形成有金属膜(第二金属膜)33。由此，侧面16a作为将到达的光全反射的镜面而被构成。偏转镜16例如是入射镜，是使从与主面10s正交的方向入射的光向沿着主面10 s的方向偏转的90°偏转镜。分束器12的侧面12a从与主面1 Os正交的方向看，相对于由偏转镜16偏转的光的光路倾斜。
[0040]偏转镜17具有侧面17a。侧面17a是分束器12的侧面12b侧的面。侧面17a沿着沿主面10s的方向以及相对于与主面10s正交的方向倾斜45°的方向延伸。在侧面17a形成有金属膜(第二金属膜)34。由此，侧面17a作为将到达的光全反射的镜面而被构成。偏转镜17例如是射出镜，是将来自沿着主面1 Os的方向的光向与主面1 Os正交的方向偏转的90°偏转镜。[0041 ]在如上所述的光干涉仪1中，入射至光干涉仪1的光L1由偏转镜16的侧面16a而被偏转90°并入射至分束器12的侧面12a。入射至侧面12a的光L1的一部分的光L2由侧面12a反射并从侧面15a入射至固定镜15，并由侧面15b反射。由侧面15b反射的光L3再次入射至分束器12的侧面12a。
[0042]另一方面，入射至侧面12a的光L1的剩余部分的光L4透过侧面12a并从侧面12b射出，由可动镜14的侧面14a反射。由侧面14a反射的光L5再次入射至侧面12b并到达侧面12a。由侧面14a反射并到达侧面12a的光L5与由固定镜15反射并与入射至侧面12a的光L3合波，作为干渉光L6而从侧面12b射出。从侧面12b射出的干渉光L6由偏转镜17的侧面17a而向与主面10s正交的方向偏转90°，并被输出至光干涉仪1的外部。
[0043]接着，对制造光干涉仪1的方法进行说明。图3?图5是表示制造本实施方式所涉及的光干涉仪的方法的主要的工序的示意端面图。在该方法中，首先，准备在支承基板10的主面10s上经由绝缘层(牺牲层:第一绝缘层)层叠半导体层而成的基板。该基板例如是SOI基板。绝缘层例如由氧化硅(例如Si02)或氮化硅(例如SiN)构成。半导体层例如由硅构成。
[0044]接着，如图3(a)所示，利用形成在主面10s和绝缘层上的半导体层的蚀刻，形成用于分束器12的半导体部(第一半导体部)52、用于致动器13的半导体部53、以及用于可动镜14的半导体部(第二半导体部)54(工序S101:第一工序、第二工序)。此外，除去绝缘层的一部分来形成绝缘层21。由此，包括半导体部52?54等的半导体层S形成在主面10s和绝缘层21上。半导体部52包括侧面12a、12b，半导体部54包括侧面14a。
[0045]此外，在该工序S101中，通过除去绝缘层的一部分并形成绝缘层21，从而将用于包括半导体部53的梳齿部的可动部的区域与主面10s之间的绝缘层除去，使它们成为从主面10s浮起的状态(S卩，形成中空构造)。在半导体部52、54与主面10s之间残留有绝缘层(绝缘层 21)。
[0046]再有，在该工序S101中，利用上述的半导体层的蚀刻，与半导体部52?54的形成一起，在主面10s和绝缘层21上形成壁部(第一壁部)61。壁部61以沿着沿主面10s的方向以及与主面10s正交的方向延伸的方式，形成在半导体部52的半导体部54侧的侧面12b与半导体部54的半导体部52侧的侧面14a之间。也就是说，在该工序S101中，在半导体部52的侧面12b与半导体部54的侧面14a之间配置沿着主面10s延伸的壁部61。
[0047]壁部61以相比于半导体部52的侧面12b与半导体部54的侧面14a的中心位置更成为侧面12b侧的方式形成。即，壁部61配置在与半导体部54相比更靠近半导体部52的位置。此外，壁部61利用半导体层的蚀刻而与半导体部52?54—起形成，因此，壁部61的距主面10s的高度与半导体部52?54的距主面10s的高度大致相同。
[0048]这样的壁部61为了在之后的形成金属膜的工序(金属化工序)中将半导体部52的侧面12b这样的不形成金属膜的部分(非金属化部)与半导体部54的侧面14a这样的形成金属膜的部分(金属化部)隔开保护而被使用(即，为了掩蔽非金属化部而被使用)。
[0049]另外，在此，例如通过相对于半导体层的蚀刻时所使用的掩模，除了用于半导体部52?54的图案以外，还形成用于壁部61的图案，从而能够一并形成半导体部52?54和壁部61。半导体层S包括壁部61。
[0050]接着，如图3(b)所示，准备荫罩掩模70(工序S102)。作为荫罩掩模70，例如能够使用娃晶片或玻璃晶片。荫罩掩模70包括掩模部71和形成于掩模部71的开口部(第一开口部)72。掩模部71包括:在之后的工序中将荫罩掩模70配置在主面10s和半导体层S上时，从与主面10s正交的方向观察，覆盖半导体部52的侧面12b和壁部61的第一区域75;以及在与第一区域75之间规定开口部72的第二区域76。
[0051]掩模部71具有表面71a和表面71a的相反侧的背面71b。背面71b是在之后的工序中将荫罩掩模70配置在主面10s和半导体层S上时位于相比于表面71a更靠近主面10s和半导体层S侧的位置的面(S卩，是与主面10s相对的面)。在背面71b形成有沿着背面71b延伸的壁部(第二壁部)78。在此，相对于第一区域75上的背面71b形成有壁部78。
[0052]此外，在包括掩模部71的表面71a和背面71b的外表面，形成有绝缘层(牺牲层:第二绝缘层)22(即，在壁部78的外表面也形成有绝缘层22)。绝缘层22例如由氧化硅(例如Si02)或氮化硅(例如SiN)构成。在绝缘层22由氧化硅构成的情况下，绝缘层22例如通过热氧化形成。
[0053]接着，将荫罩掩模70配置在主面10s和半导体层S上并与半导体层S接合(工序S103:第三工序)。此时，将荫罩掩模70配置在主面10s和半导体层S上，使得由掩模部71的第一区域75和壁部61掩蔽(在此为覆盖)半导体部52的侧面12b，并且使半导体部54的侧面14a从开口部72露出(即，从与主面10s正交的方向看，半导体部54的侧面14a包含于开口部72)。
[0054]此外，在该工序S103中，通过将壁部78的底部(底面)78s与壁部61的顶部(上表面)61c接合，从而将荫罩掩模70与半导体层S接合。这样，荫罩掩模70在从背面71b突出的壁部78上与半导体层S接合，所以在背面71b的大部分上与半导体层S分离。
[0055]在此，通过壁部78的底部78s与壁部61的顶部61c接合，从而由壁部61和壁部78构成以从主面10s到达至掩模部71的背面71b(更具体而言，背面71b上的壁部78以外的平坦部)的方式延伸的连续的壁部65。使用该壁部65将半导体部52的侧面12b掩蔽。也就是说，在此，相对于支承基板10的主面10s和荫罩掩模70的双方，设置有用于掩蔽侧面12b的壁部。
[0056]再有，如上所述，在掩模部71的背面71b形成有绝缘层22。因此，在该工序S103中，经由绝缘层22，将掩模部71的背面71b与壁部61的顶部61c接合。对于该接合而言，例如能够使用表面活性化接合。
[0057]接着，如图4(a)所示，进行金属化工序。即，通过使用荫罩掩模70在半导体部54的侧面14a形成金属膜31，从而在半导体部54形成镜面(工序S104:第三工序)。更具体而言，在由掩模部71的第一区域75和壁部61 (更具体而言，由壁部61和壁部78构成的壁部65)掩蔽半导体部52的侧面12b，并且使侧面14a从开口部72露出的状态下在侧面14a形成金属膜31(进行金属化)。对于金属膜31的成膜而言，例如能够使用溅射。在该情况下，在掩模部71的表面71a上配置金属靶，使金属颗粒Μ向掩模部71飞散。
[0058]由此，金属颗粒Μ从开口部72入射，金属材料堆积在作为金属化部的侧面14a而形成金属膜31。此时，根据金属颗粒Μ的入射方向，使金属材料也堆积在壁部61中的半导体部54侧的侧面而形成金属膜35。同样的，金属材料也局部地堆积在支承基板10的主面10s，从而金属膜36被成膜。另一方面，作为非金属化部的半导体部52的侧面12b由掩模部71的第一区域75和壁部61(壁部65)而被掩蔽，所以金属颗粒Μ不到达，不形成金属膜。也就是说，壁部61(壁部65)起到作为来自金属靶的金属颗粒Μ的遮蔽体的功能。另外，在荫罩掩模70的掩模部71还设置有位于致动器13的非可动部上的开口。因此，在该工序S103中，在形成金属膜31、36的同时，金属材料也堆积在致动器13的非可动部上，从而形成金属膜(未图示)。如上所述，该金属膜作为为了使梳齿间产生静电力而对致动器13施加电压时的电极而被使用。
[0059]接着，如图4(b)所示，利用绝缘层21、22的蚀刻(牺牲层蚀刻)，从支承基板10除去壁部61，并且从半导体层S除去荫罩掩模70(工序S105:第四工序)。在该工序S105中，在例如绝缘层21和绝缘层22由氧化硅构成的情况下，通过使用了氢氟酸的蚀刻，能够除去壁部61与主面10s之间的绝缘层21，并且能够除去壁部61与壁部78之间的绝缘层22，并能够同时地除去壁部61和荫罩掩模70。
[0060]再有，在该工序中，利用绝缘层21的蚀刻，能够除去半导体部54与主面10s之间的绝缘层21，并能够使半导体部54为从