面(第三侧面)16a与半导体部52的第三半导体部侧的侧面12之间。在该情况下，第三壁部为了在之后的金属化工序(工序S104)中，将作为非金属化部的侧面12a与作为金属化部的侧面16a隔开进行保护而被使用。
[0082]另一方面，在第三壁部形成在用于偏转镜17的第三半导体部与半导体部52之间的情况下，第三壁部配置在第三半导体部中的半导体部52侧的侧面(第三侧面)17a与半导体部52中的第三半导体部侧的侧面12b之间。在该情况下，第三壁部为了在之后的金属化工序(工序S104)中，将作为非金属化部的侧面12b与作为金属化部的侧面17a隔开进行保护而被使用。
[0083]这样，在与半导体部52?54和壁部61—起形成第三半导体部和第三壁部的情况下，在金属化工序中使用的荫罩掩模70能够还具有形成于掩模部71的第二开口部(未图示)。然后，在工序S103中，以由掩模部71和第三壁部掩蔽半导体部52的侧面12a、12b的方式并且以使第三半导体部的侧面16a、17a从第二开口部露出的方式，将荫罩掩模70配置在主面10s和半导体层S上并与半导体层S接合。
[0084]然后，在工序S104中，使用荫罩掩模70在第三半导体部的侧面16a、17a进一步形成金属膜33、34，由此在第三半导体部形成镜面。更具体而言，在利用掩模部71和第三壁部掩蔽半导体部52的侧面12a、12b，并且使侧面16a、17a从第二开口部露出的状态下，在侧面16a、17a形成金属膜33、34(进行金属化)。然后，在工序S105中，进一步除去第二壁部。另外，金属膜33、34的成膜能够与金属膜31的成膜同时地进行。
[0085]这样的话，即使在用于偏转镜16、17的第三半导体部与用于分束器12的半导体部52接近的情况下，也能够抑制在作为非金属化部的侧面12a、12b形成金属膜，并且能够在作为金属化部的侧面16a、17a形成金属膜33、34而形成镜面。因此，能够使分束器12与偏转镜
16、17接近地形成，所以能够进一步抑制光干涉仪的光路长度的扩张。
[0086]图9是表示图3所示的荫罩掩模的变形例的示意端面图。如图9(a)所示，在荫罩掩模70的掩模部71的外表面也可以不形成绝缘层。在该情况下，将壁部78的底部78s与壁部61的顶部61c直接(不经由绝缘层)接合，由此能够将荫罩掩模70与半导体层S接合。
[0087]此外，如图9(b)所示，在掩模部71的第一区域75上的背面71b，也可以不设置壁部78而仅设置有突出部71p。在该情况下，掩模部71的第一区域75上的背面71b与壁部61的顶部61c分离。此外，半导体部52的侧面12b仅由掩模部71的第一区域75和壁部61(8卩，不使用壁部78)掩蔽。
[0088]图10是表示图3所示的荫罩掩模的变形例的示意端面图。如图10所示，荫罩掩模70也可以具有以沿着掩模部71的背面71b延伸的方式形成在背面71b的壁部(第一壁部)79来替代壁部78。壁部79以在将荫罩掩模70配置在主面10s和半导体层S上时到达主面10s的方式从背面71b突出。在该情况下，在工序S103中，以壁部79配置在半导体部52与半导体部54之间的方式将荫罩掩模70配置在主面10s和半导体层S上。
[0089]由此，在半导体部52的侧面12b与半导体部54的侧面14a之间配置沿着主面10s延伸的壁部79。半导体部52的侧面12b由该壁部79和掩模部71掩蔽。也就是说，在该情况下，在工序S101中，不形成用于掩蔽侧面12b的壁部61。
[0090]这样，作为用于将半导体部52的侧面12b这样的非金属化部与半导体部54的侧面14a这样的金属化部隔开进行保护的壁部，也能够仅使用如壁部61那样(经由绝缘层21)形成于支承基板10的部件，也能够将如壁部78那样形成于荫罩掩模70的部件与壁部61—并使用，也能够仅使用如壁部79那样形成于荫罩掩模70的部件。
[0091]另外，即使在荫罩掩模70具有壁部79的情况下，也可以如图10(a)所示在外表面设置绝缘层22，或者也可以如图10(b)所示不设置绝缘层。在设置了绝缘层22的情况下，经由绝缘层22将壁部79的底部(底面)79s与支承基板10的主面10s接合，由此将荫罩掩模70支承在主面10s上。在该情况下，通过除去壁部79的底部79s与主面10s之间的绝缘层22，从而能够将壁部79(即荫罩掩模70)从主面10s除去。
[0092]另一方面，在不设置绝缘层的情况下，通过将壁部79的底部79s与绝缘层21接合，从而将荫罩掩模70支承在主面10s上。在该情况下，通过除去壁部79的底部79s与主面10s之间的绝缘层21，从而能够从主面10s除去壁部79(即荫罩掩模70)。
[0093]如以上所述，本实施方式所涉及的制造光干涉仪的方法包括下述的方式。即，荫罩掩模也可以具有以沿着掩模部的背面延伸的方式形成于背面的第一壁部，在第二工序中，以第一壁部位于第一半导体部与第二半导体部之间的方式将荫罩掩模配置在主面上，由此将沿着主面延伸的第一壁部配置在第一半导体部的第一侧面与第二半导体部的第二侧面之间。
[0094]此时，在掩模部的背面也可以形成有第二绝缘层，在第三工序中，经由第二绝缘层将第一壁部的底部与主面接合。此外，在第三工序中，也可以经由第一绝缘层将第一壁部的底部与主面接合。
[0095]产业上的可利用性
[0096]根据本发明的一个方面，能够提供一种制造能够抑制因光路长度的扩张引起的光利用效率的降低的光干涉仪的方法。
[0097]符号的说明
[0098]1…光干涉仪、10...支承基板、10s…主面、12...分束器、14...可动镜、16、17…偏转镜、21...绝缘层(第一绝缘层)、22…绝缘层(第二绝缘层)、31…金属膜(第一金属膜)、33、34…金属膜(第二金属膜)、52…半导体部(第一半导体部)、12b...侧面(第一侧面)、54…半导体部(第二半导体部)、14a...侧面(第二侧面)、61…壁部(第一壁部)、61c...顶部、70...荫罩掩模、71...掩模部、71b…背面、71p…突出部、72...开口部(第一开口部)、78…壁部(第二壁部)、78s...底部、79...壁部(第一壁部)。
【主权项】
1.一种制造光干涉仪的方法，其特征在于， 包括: 在由硅构成的支承基板的主面和形成在所述主面上的第一绝缘层上形成用于分束器的第一半导体部和用于可动镜的第二半导体部的第一工序； 在所述第一半导体部中的所述第二半导体部侧的第一侧面与所述第二半导体部中的所述第一半导体部侧的第二侧面之间配置沿着所述主面延伸的第一壁部的第二工序； 使用荫罩掩模在所述第二侧面形成第一金属膜，由此在所述第二半导体部形成镜面的第三工序;和 在所述第三工序之后除去所述第一壁部的第四工序， 所述荫罩掩模具有掩模部和设置于所述掩模部的第一开口部， 在所述第三工序中，在利用所述掩模部和所述第一壁部掩蔽所述第一侧面并且使所述第二侧面从所述第一开口部露出的状态下形成所述第一金属膜。2.如权利要求1所述的制造光干涉仪的方法，其特征在于， 在所述第一工序中，利用形成在所述主面和所述第一绝缘层上的半导体层的蚀刻，形成所述第一和第二半导体部，并且将所述第一壁部形成在所述主面和所述第一绝缘层上来实施所述第二工序。3.如权利要求2所述的制造光干涉仪的方法，其特征在于， 在所述第三工序中，将所述掩模部的背面与所述第一壁部的顶部接合，由此利用所述掩模部和所述第一壁部掩蔽所述第一侧面。4.如权利要求3所述的制造光干涉仪的方法，其特征在于， 在所述掩模部的所述背面，形成有沿着所述背面延伸的第二壁部， 在所述第三工序中，将所述第二壁部的底部与所述第一壁部的顶部接合。5.如权利要求3或4所述的制造光干涉仪的方法，其特征在于， 在所述掩模部的所述背面，形成有第二绝缘层， 在所述第三工序中，经由所述第二绝缘层将所述掩模部的所述背面与所述第一壁部的所述顶部接合。6.如权利要求1?5中任一项所述的制造光干涉仪的方法，其特征在于， 在所述第一工序中，在所述主面和所述第一绝缘层上形成用于偏转镜的第三半导体部， 在所述第二工序中，在所述第三半导体部中的所述第一半导体部侧的第三侧面与所述第一半导体部之间配置沿着所述主面延伸的第三壁部， 在所述第三工序中，使用所述荫罩掩模在所述第三侧面形成第二金属膜，由此在所述第三半导体部形成镜面， 所述荫罩掩模具有形成于所述掩模部的第二开口部， 在所述第三工序中，在由所述掩模部和所述第三壁部掩蔽所述第一半导体部的所述第三半导体部侧的侧面，并且使所述第三侧面从所述第二开口部露出的状态下形成所述第二金属膜。
【专利摘要】制造光干涉仪的方法包括：在支承基板的主面和形成在主面上的第一绝缘层上形成用于分束器的第一半导体部和用于可动镜的第二半导体部的第一工序；在第一半导体部的第一侧面与第二半导体部的第二侧面之间配置第一壁部的第二工序；和使用荫罩掩模在第二侧面形成第一金属膜，由此在第二半导体部形成镜面的第三工序。在第三工序中，在利用掩模部和第一壁部掩蔽第一侧面并且使第二侧面从开口部露出的状态下形成第一金属膜。
【IPC分类】B81C1/00, G01J3/45, G01B9/02
【公开号】CN105492879
【申请号】CN201480045789
【发明人】铃木智史, 藁科祯久, 笠森浩平, 杉本达哉, 伊藤穣
【申请人】浜松光子学株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年7月31日
【公告号】EP3037792A1, US20160202037, WO2015025691A1