一种立式旋转试验器盘的制作方法

文档序号:8846606阅读:409来源:国知局
一种立式旋转试验器盘的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及航空发动机转子疲劳试验领域,特别涉及了一种立式旋转试验器盘。
【背景技术】
[0002]立式旋转试验器作为转子超转、破裂及高、低周旋转疲劳考核试验器。由于立转试验器试验时转子在地面以下水平旋转,因此,即使转子破裂飞出,也能保证试验车间及试验人员的安全,而且试验器再恢复也比较块,因此,立转试验器在航空、航天领域应用广泛,近年来得到世界上航空大国的大力发展。
[0003]转子在立转试验器上进行旋转试验,由于立转试验器通常采用单悬臂支承方式,从旋转稳定性以及摸底考核考虑,立转试验器通常很难多级同时试验,由于受到鼓筒及相邻级的影响,采用单级整体叶盘考核时,盘身应力水平及应力分布与多级同时考核时该级盘的盘身应力水平和应力状态必然不一致,因此,如何通过结构设计保证单级整体叶盘与多级别整体叶盘应力水平和分布等价,是需要重点研宄的内容。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是为了满足立传试验器转子超转、破裂、高低周疲劳试验要求,特提供了一种立式旋转试验器盘。
[0005]本实用新型提供了一种立式旋转试验器盘,其特征在于:所述的立式旋转试验器盘,包括盘体和盘鼓结构;盘鼓整体为环状,截面为L形结构,L形结构长边的长度为A,短边长度为B,短板宽度为C。
[0006]所述的L形结构,盘的半径与A的长度之比为5?10:1。
[0007]所述的长边的长度A与短边长度B的比为2:1。
[0008]所述的短板宽度C的值为3?6毫米。
[0009]本实用新型的优点:
[0010]本实用新型所述的立式旋转试验器盘,使单级盘应力水平和分布与多级组合条件下应力水平和分布趋于一致。有效降低试验成本,提升试验进度,具有很高的工程实用性和推广价值。
【附图说明】
[0011]下面结合附图及实施方式对本实用新型作进一步详细的说明:
[0012]图1为立式旋转试验器盘剖面结构示意图;
[0013]图2为立式旋转试验器盘L形结构放大示意图。
【具体实施方式】
[0014]实施例1
[0015]本实施例提供了一种立式旋转试验器盘,其特征在于:所述的立式旋转试验器盘,包括盘体和盘鼓结构;盘鼓整体为环状,截面为L形结构,L形结构长边的长度为A,短边长度为B,短板宽度为C。
[0016]所述的L形结构,盘的半径与A的长度之比为5:1。
[0017]所述的长边的长度A与短边长度B的比为2:1。
[0018]所述的短板宽度C的值为3毫米。
[0019]实施例2
[0020]本实施例提供了一种立式旋转试验器盘,其特征在于:所述的立式旋转试验器盘,包括盘体和盘鼓结构;盘鼓整体为环状,截面为L形结构,L形结构长边的长度为A,短边长度为B,短板宽度为C。
[0021]所述的L形结构,盘的半径与A的长度之比为8:1。
[0022]所述的长边的长度A与短边长度B的比为2:1。
[0023]所述的短板宽度C的值为5毫米。
[0024]实施例3
[0025]本实施例提供了一种立式旋转试验器盘,其特征在于:所述的立式旋转试验器盘,包括盘体和盘鼓结构;盘鼓整体为环状,截面为L形结构,L形结构长边的长度为A,短边长度为B,短板宽度为C。
[0026]所述的L形结构,盘的半径与A的长度之比为10:1。
[0027]所述的长边的长度A与短边长度B的比为2:1。
[0028]所述的短板宽度C的值为6毫米。
【主权项】
1.一种立式旋转试验器盘,其特征在于:所述的立式旋转试验器盘,包括盘体和盘鼓结构;盘鼓整体为环状,截面为L形结构,L形结构长边的长度为A,短边长度为B,短板宽度为C。
2.按照权利要求1所述的立式旋转试验器盘,其特征在于:所述的L形结构,盘的半径与A的长度之比为5?10:1。
3.按照权利要求1所述的立式旋转试验器盘,其特征在于:所述的长边的长度A与短边长度B的比为2:1。
4.按照权利要求1所述的立式旋转试验器盘,其特征在于:所述的短板宽度C的值为3?6毫米。
【专利摘要】一种立式旋转试验器盘,其特征在于:所述的立式旋转试验器盘,包括盘体和盘鼓结构;盘鼓整体为环状,截面为L形结构,L形结构长边的长度为A,短边长度为B,短板宽度为C。所述的L形结构,盘的半径与A的长度之比为5~10:1。所述的长边的长度A与短边长度B的比为2:1。所述的短板宽度C的值为3~6毫米。本实用新型的优点:本实用新型所述的立式旋转试验器盘,使单级盘应力水平和分布与多级组合条件下应力水平和分布趋于一致。有效降低试验成本,提升试验进度,具有很高的工程实用性和推广价值。
【IPC分类】G01M13-00
【公开号】CN204556227
【申请号】CN201520024954
【发明人】葛长闯, 王寅超, 李铁
【申请人】中国航空工业集团公司沈阳发动机设计研究所
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年1月15日
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