1.一种开关元件驱动电路，包括：
电荷泵电路(20)，所述电荷泵电路(20)生成升高电压；以及
至少一个驱动电压生成电路(50)，所述驱动电压生成电路(50)：
由在所述电荷泵电路中生成的所述升高电压来生成驱动电压，所述驱动电压用于驱动在控制端子处具有输入电容(14)的至少一个电压驱动开关元件(12)，
至少在输出时段的初始阶段和末尾阶段通过电阻器向所述电压驱动开关元件的所述控制端子施加电流，在所述输出时段期间输出指示要接通所述电压驱动开关元件的信号，以及
使用所述输入电容来缓解所述驱动电压的上升和下降，其中
所述电荷泵电路包括多个电容器(30、32、34和36)以及控制电路(21到28)，
所述控制电路使施加至所述多个电容器中的每个电容器的一个电极的电压按照预定切换频率在高电势电压与低电势电压之间进行切换，以交替地执行对所述多个电容器中的每个电容器的充电和放电，
所述控制电路按照从第一电容器到最后一个电容器的顺序对所述多个电容器的电荷进行积分，所述第一电容器是所述多个电容器中的一个电容器，所述最后一个电容器是所述多个电容器中的另一个电容器，并且从所述多个电容器输出的每个电压是按照从所述第一电容器到所述最后一个电容器的顺序相继升压的，并且
所述电荷泵电路的所述切换频率被设定为从2MHz到30MHz。
2.根据权利要求1所述的开关元件驱动电路，其中，
所述多个电容器中的每个电容器包括由导体构成的电极对、以及形成在半导体衬底(10)的表面处并且被布置于所述电极对之间的绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的开关元件驱动电路，其中，
所述电荷泵电路和所述驱动电压生成电路被布置在所述半导体衬底上。
4.根据权利要求1到3中的任一项所述的开关元件驱动电路，其中，
所述电荷泵电路的所述切换频率被设定为从5MHz到20MHz。
5.根据权利要求1到3中的任一项所述的开关元件驱动电路，其中，所述控制电路包括：
多个防回流二极管(29，31，33，35)，所述多个防回流二极管(29，31，33，35)中的每个防回流二极管被设置在连接所述多个电容器中的两个相邻电容器的连接线上，以防止电流的回流；以及
箝位电路(41)，所述箝位电路(41)将所述电荷泵电路中生成的所述升高电压箝位在目标电压，并且
所述目标电压被设定为使得：在所述控制电路交替地执行对所述多个电容器的充电和放电从而按照从所述第一电容器到所述最后一个电容器的顺序对所述多个电容器的电荷进行积分时，所述多个电容器中的两个相邻电容器之间的电压变化幅度之差不超过所述多个防回流二极管中的对应的防回流二极管的耐受电压。
6.根据权利要求1到3中的任一项所述的开关元件驱动电路，其中，
所述至少一个驱动电压生成电路包括多个驱动电压生成电路，
所述至少一个电压驱动开关元件包括多个电压驱动开关元件，
所述多个驱动电压生成电路是为所述多个电压驱动开关元件对应地提供的，
所述电荷泵电路是为所述多个驱动电压生成电路共同提供的，并且
所述控制电路包括频率变化单元，所述频率变化单元根据被同时驱动的所述电压驱动开关元件的数量而改变所述电荷泵电路的所述切换频率。
7.根据权利要求6所述的开关元件驱动电路，其中，
在大量的所述电压驱动开关元件被同时驱动时，所述频率变化单元将切换频率提高到高于在少量的所述电压驱动开关元件被同时驱动时的切换频率。
8.根据权利要求6所述的开关元件驱动电路，其中，
所述频率变化单元随着被同时驱动的所述电压驱动开关元件的数量的提高而提高所述切换频率。
9.根据权利要求2所述的开关元件驱动电路，其中，
所述电极对的第一电极形成在所述半导体衬底的表面层处，
所述绝缘膜被布置在所述第一电极上，并且
所述电极对的第二电极被布置在所述绝缘膜上。