一时钟脉冲信号EN1，第二时钟脉冲产生单元320产生(tl，t2)时间内为高电平且其余时间为低电平的第二时钟脉冲信号EN2，第三时钟脉冲产生单元330产生(t2，t3)且其余时间为低电平时间内为高电平的第三时钟脉冲信号EN3，第四时钟脉冲产生单元340产生(t3，t4)时间内为高电平且其余时间为低电平的第四时钟脉冲信号EN4，第五时钟脉冲产生单元350产生(t4，t5)时间内为高电平且其余时间为低电平的第五时钟脉冲信号EN5。
[0073]结合图4和图5可知，在基准电压Vref为IV且目标电压为6V时，所述控制电路的工作过程如下:
[0074]I)在(0，tl)时间内，第一时钟脉冲信号ENl为高电平以使第一 NMOS晶体管NI导通，而其余四个时钟脉冲信号均为低电平从而与其相连的四个NMOS晶体管均断开，进而分压单元200输出第一分压电压V21，即分压单元200的分压系数为5/6。换句话说，控制单元300通过控制各时序脉冲产生单元的时序脉冲信号来控制对应的NMOS晶体管的导通/断开，从而达到了选择分压单元200的分压系数的目的。由于基准电压Vref为IV，分压系数为5/6，从而分压电压V21小于基准电压Vref时(此时升压电压Vl小于1.2V)，比较单元400输出高电平信号，进而升压单元100继续进行升压处理以使升压电压Vl不断升高；当升压电压Vl升高至大于1.2V的瞬间，分压电压V21大于基准电压Vref，从而比较单元400输出低电平信号，进而升压单元100停止升压，升压电压Vl维持在1.2V。
[0075]需要说明的是，所述tl时长大于升压电压Vl升压到1.2V所需的时间。
[0076]2)在tl时刻，第一时钟脉冲信号ENl变为低电平，从而第一 NMOS晶体管NI断开；第二时钟脉冲信号EN2变为高电平，从而第二 NMOS晶体管N2导通；其余三个时钟脉冲信号不变，从而其余三个NMOS晶体管仍然断开，这样分压单元200输出第二分压电压V22，即分压单元200的分压系数为4/6。换句话说，控制单元300通过控制各时序脉冲产生单元的时序脉冲信号来控制对应的NMOS晶体管的导通/断开，从而达到了从分压系数5/6向分压系数4/6切换的目的。由于分压系数变为4/6，而升压电压为6/5V，所以此时的第二分压电压V22为4/5V，即此时的分压电压小于基准电压Vref，所以比较单元400重新输出高电平信号，进而升压单元100在1.2V的基础上继续进行升压处理以使升压电压Vl不断升高。
[0077]3)在(tl，t2)时间内，各时钟脉冲信号均未发生变化，从而升压单元100不断进行升压处理，直至第二分压电压V22达到IV，即升压电压达到1.5V。当升压电压大于1.5V之后，第二分压电压V22大于IV，从而比较单元400改为输出低电平信号，进而升压单元100停止升压，升压电压Vl维持在1.5V。
[0078]需要说明的是，所述(t2_tl)的时长大于升压电压Vl从1.2V升压到1.5V所需的时间。
[0079]4)在t2时刻，第二时钟脉冲信号EN2变为低电平，从而第二 NMOS晶体管N2断开；第三时钟脉冲信号EN3变为高电平，从而第三NMOS晶体管N3导通；其余三个时钟脉冲信号不变，从而其余三个NMOS晶体管仍然断开，这样分压单元200输出第三分压电压V23，即分压单元200的分压系数为3/6。换句话说，控制单元300通过控制各时序脉冲产生单元的时序脉冲信号来控制对应的NMOS晶体管的导通/断开，从而达到了从分压系数4/6向分压系数3/6切换的目的。由于分压系数变为3/6，而升压电压为1.5V，所以此时的第二分压电压V22为3/4V，即分压电压小于基准电压Vref，所以比较单元400重新输出高电平信号，进而升压单元100在1.5V的基础上继续进行升压处理以使升压电压Vl不断升高。
[0080]5)在(t2，t3)时间内，各时钟脉冲信号均未发生变化，从而升压单元100不断进行升压处理，直至第二分压电压V22达到IV，即升压电压达到2V。当升压电压大于2V之后，第二分压电压V22大于IV，从而比较单元400改为输出低电平信号，进而升压单元100停止升压，升压电压Vl维持在2V。
[0081]需要说明的是，所述(t3_t2)的时长大于升压电压Vl从1.5V升压到2V所需的时间。
[0082]6)在t3时刻，第三时钟脉冲信号EN3变为低电平，从而第三NMOS晶体管N3断开；第四时钟脉冲信号EN4变为高电平，从而第四NMOS晶体管N4导通；其余三个时钟脉冲信号不变，从而其余三个NMOS晶体管仍然断开，这样分压单元200输出第四分压电压V24，即分压单元200的分压系数为2/6。换句话说，控制单元300通过控制各时序脉冲产生单元的时序脉冲信号来控制对应的NMOS晶体管的导通/断开，从而达到了从分压系数3/6向分压系数2/6切换的目的。由于分压系数变为2/6，而升压电压为2V，所以此时的第二分压电压V22为2/3V，即此时的分压电压小于基准电压Vref，所以比较单元400重新输出高电平信号，进而升压单元100在2V的基础上继续进行升压处理以使升压电压Vl不断升高。
[0083]7)在(t3，t4)时间内，各时钟脉冲信号均未发生变化，从而升压单元100不断进行升压处理，直至第二分压电压V22达到IV，即升压电压达到3V。当升压电压大于3V之后，第二分压电压V22大于IV，从而比较单元400改为输出低电平信号，进而升压单元100停止升压，升压电压Vl维持在3V。
[0084]需要说明的是，所述(t4_t3)的时长大于升压电压Vl从2V升压到3V所需的时间。
[0085]8)在t4时刻，第四时钟脉冲信号EN4变为低电平，从而第四NMOS晶体管N4断开；第五时钟脉冲信号EN5变为高电平，从而第五NMOS晶体管N5导通；其余三个时钟脉冲信号不变，从而其余三个NMOS晶体管仍然断开，这样分压单元200输出第五分压电压V25，即分压单元200的分压系数为1/6。换句话说，控制单元300通过控制各时序脉冲产生单元的时序脉冲信号来控制对应的NMOS晶体管的导通/断开，从而达到了从分压系数2/6向分压系数1/6切换的目的。由于分压系数变为1/6，而升压电压为3V，所以此时的第二分压电压V22为1/2V，即此时的分压电压小于基准电压Vref，所以比较单元400重新输出高电平信号，进而升压单元100在3V的基础上继续进行升压处理以使升压电压Vl不断升高。
[0086]9)在(t4，t5)时间内，各时钟脉冲信号均未发生变化，从而升压单元100不断进行升压处理，直至第二分压电压V22达到IV，即升压电压达到6V。当升压电压大于6V之后，第二分压电压V22大于IV，从而比较单元400改为输出低电平信号，进而升压单元100停止升压，最终升压电压Vl维持在6V。
[0087]需要说明的是，所述(t5_t4)的时长大于升压电压Vl从3V升压到6V所需的时间，且所述(t5-t4)的时长由擦除电压的时间相关。
[0088]需要说明的是，上述各个升压电压的维持时间可以全部相同，也可以部分相同，还可以全部不同。
[0089]由上述分析，可以得到如图6所示的升压电压Vl随时间变化的示意图以及分压电压V2随时间变化的示意图。由于输出单元500的输出电压就是升压电压VI，因此操作电压随时间变化的示意图与图6中升压电压Vl的示意图相同。
[0090]本实施例中分压单元对应五个分压系数，控制单元对全部的分压系数进行了从大到小的切换控制，从而将升压电压的上升过程分为五个阶段，每个阶段都包括升压以及维持两个过程，从而使得升压电压到达目标电压的过程变得比较缓和，避免了对