具有面内转向液晶结构的触控显示器的制造方法

具有面内转向液晶结构的触控显示器的制造方法
【专利摘要】一种具有面内转向液晶结构的触控显示器，其具有一像素单元及一多工器电路，其中该多工器电路用以在一显示期间使所述的像素单元与一源极驱动单元耦接以提供一面内转向显示功能，及在一触控侦测期间使所述的像素单元与一触控单元耦接以提供一触控感测功能。
【专利说明】具有面内转向液晶结构的触控显示器

【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种触控装置，特别是关于一种具有面内转向（in plane switching-IPS)液晶结构的触控显示器。

【背景技术】
[0002] -般的触控屏幕装置是在一液晶屏幕上迭加一触控模块。然而此类触控屏幕装置 厚度较大，不能满足轻、薄的市场需求，且其成本亦较高。
[0003] 为解决此问题，公知有将液晶屏幕与触控模块的同性质材料层整合在一起的设 计。然而，此做法对触控屏幕装置所能降低的厚度仍不能满足某些高档产品的要求。
[0004] 公知亦有尝试在液晶显示器上实现触控功能的设计，其一般的做法乃在薄膜晶体 管层增加额外的电极以形成触控电容。然而，此类做法会降低产品良率，增加成本。
[0005] 为解决前述的问题，亟需一种新颖、低厚度、且容易生产的触控屏幕装置。


【发明内容】

[0006] 本发明的目的在于提供一种具有面内转向液晶结构的触控显示器，以改进公知技 术中存在的缺陷。
[0007] 为实现上述目的，本发明提供的具有面内转向液晶结构的触控显示器，其具有一 像素单元及一多工器电路以提供一显示功能及一触控感测功能，其中该像素单元具有：
[0008] -第一基板；
[0009] 一对向电极，位于该第一基板上方；
[0010] -储存电容下电极，位于该第一基板上方且与该对向电极分离；
[0011] 一储存电容连接线，与该储存电容下电极电气相接；
[0012] -对向电极连接线，与该对向电极电气相接；
[0013] -绝缘层，位于该对向电极和该储存电容下电极上方；
[0014] 一薄膜晶体管，位于该绝缘层上方且具有一栅极、一源极、及一漏极；
[0015] 一像素电极，位于该绝缘层上方且与该漏极电气相接；
[0016] -储存电容上电极，位于该绝缘层上方且与该像素电极电气相接；
[0017] 一栅极连接线，与该栅极电气相接；
[0018] 一源极连接线，与该源极电气相接；以及
[0019] 一液晶层，位于该薄膜晶体管、该像素电极、及该储存电容上电极上方；以及
[0020] 该多工器电路具有：
[0021] -第一多工器，其具有一第一接点、一第二接点、以及一第三接点，其中，该第一接 点与该源极连接线耦接，该第二接点与一源极驱动单元耦接，该第三接点与一触控单元耦 接，该第一接点在一显示期间与该第二接点电气相接，及该第一接点在一触控侦测期间与 该第三接点电气相接；
[0022] -第二多工器，其具有一第四接点、一第五接点、以及一第六接点，其中，该第四接 点与该储存电容连接线耦接，该第五接点与一共通电压耦接，该第六接点与该触控单元耦 接，该第四接点在所述的显示期间与该第五接点电气相接，及该第四接点在所述的触控侦 测期间与该第六接点电气相接；以及
[0023] -第三多工器，其具有一第七接点、一第八接点、以及一第九接点，其中，该第七接 点与该对向电极连接线耦接，该第八接点与该共通电压耦接，该第九接点与该触控单元耦 接，该第七接点在所述显示期间与该第八接点电气相接，及该第七接点在所述触控侦测期 间与该第九接点电气相接。
[0024] 在一实施例中，该像素单元进一步具有：
[0025] -保护电极，位于该液晶层上方；以及
[0026] -保护电极连接线，与该保护电极电气相接且与该触控单元f禹接。
[0027] 在一实施例中，该像素单元进一步具有一第二基板，其位于该液晶层上方。
[0028] 在一实施例中，该像素单元进一步具有一第二基板，其位于该保护电极上方。
[0029] 本发明还提供一种具有面内转向液晶结构的触控显示器，其具有：
[0030] 一像素阵列，其具有复数条源极外接线、复数条栅极外接线、复数条储存电容外接 线、及复数个像素单元，各所述像素单元具有：
[0031] 一第一基板；
[0032] 一对向电极，位于该第一基板上方；
[0033] -储存电容下电极，位于该第一基板上方且与该对向电极电气相接；
[0034] 一储存电容连接线，与该对向电极和该储存电容下电极电气相接，且与一所述储 存电容外接线耦接；
[0035] -绝缘层，位于该对向电极和该储存电容下电极上方；
[0036] -薄膜晶体管，位于该绝缘层上方且具有一栅极、一源极、及一漏极；
[0037] -像素电极，位于该绝缘层上方且与该漏极电气相接；
[0038] -储存电容上电极，位于该绝缘层上方且与该像素电极电气相接；
[0039] -栅极连接线，与该栅极电气相接且与一所述栅极外接线耦接；
[0040] 一源极连接线，与该源极电气相接且与一所述源极外接线耦接；以及
[0041] 一液晶层，位于该薄膜晶体管、该像素电极、及该储存电容上电极上方；
[0042] 一栅极驱动单元，与所述栅极外接线耦接；
[0043] 一多工器电路，与所述源极外接线及所述储存电容外接线耦接；
[0044] -源极驱动单元，与该多工器电路耦接；以及
[0045] 一触控单元，与该多工器电路耦接；
[0046] 其中该多工器电路在一显示期间使所述源极外接线及所述储存电容外接线与该 源极驱动单元耦接，及在一触控侦测期间使所述源极外接线及所述储存电容外接线与该触 控单兀f禹接。
[0047] 在一实施例中，该触控单元在所述触控侦测期间执行一触控侦测程序，且该触控 侦测程序由自电容触控侦测程序、互电容触控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组 中所选择的一种控侦测程序。
[0048] 在一实施例中，各所述像素单元进一步具有：
[0049] 复数个保护电极，位于该液晶层上方；以及
[0050] 复数条保护电极外接线，各与一所述保护电极电气相接且与该多工器电路耦接；
[0051] 其中所述保护电极外接线经由该多工器电路耦接至该触控单元。
[0052] 在一实施例中，该触控单元在所述触控侦测期间执行一触控侦测程序，且该触控 侦测程序由自电容触控侦测程序、互电容触控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组 中所选择的一种控侦测程序。
[0053] 在一实施例中，各所述像素单元进一步具有一第二基板，其位于所述液晶层上方。
[0054] 在一实施例中，各所述像素单元进一步具有一第二基板，其位于所述保护电极上 方。
[0055] 本发明又提供一种具有面内转向液晶结构的触控显示器，其具有：
[0056] -像素阵列，其具有复数条源极外接线、复数条栅极外接线、复数条储存电容外接 线、复数条对向电极外接线、及复数个像素单元，各所述像素单元具有：
[0057] -第一基板；
[0058] 一对向电极，位于该第一基板上方；
[0059] -储存电容下电极，位于该第一基板上方且与该对向电极分离；
[0060] 一储存电容连接线，与该储存电容下电极电气相接，且与一所述储存电容外接线 奉禹接；
[0061] -对向电极连接线，与该对向电极电气相接，且与一所述对向电极外接线f禹接；
[0062] -绝缘层，位于该对向电极和该储存电容下电极上方；
[0063] 一薄膜晶体管，位于该绝缘层上方且具有一栅极、一源极、及一漏极；
[0064] 一像素电极，位于该绝缘层上方且与该漏极电气相接；
[0065] -储存电容上电极，位于该绝缘层上方且与该像素电极电气相接；
[0066] 一栅极连接线，与该栅极电气相接且与一所述栅极外接线耦接；
[0067] 一源极连接线，与该源极电气相接且与一所述源极外接线耦接；以及
[0068] 一液晶层，位于该薄膜晶体管、该像素电极、及该储存电容上电极上方；
[0069] 一栅极驱动单元，与所述栅极外接线耦接；
[0070] -多工器电路，与所述源极外接线、所述储存电容外接线、及所述对向电极外接线 奉禹接；
[0071] 一源极驱动单元，与该多工器电路耦接；以及
[0072] -触控单元，与该多工器电路耦接；
[0073] 其中该多工器电路在一显示期间使所述源极外接线、所述储存电容外接线、及所 述对向电极外接线与该源极驱动单元耦接，及在一触控侦测期间使所述源极外接线、所述 储存电容外接线、及所述对向电极外接线与该触控单元f禹接。
[0074] 在一实施例中，该触控单元在所述触控侦测期间执行一触控侦测程序，且该触控 侦测程序由自电容触控侦测程序、互电容触控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组 中所选择的一种侦测程序。
[0075] 在一实施例中，各所述像素单元进一步具有：
[0076] 复数个保护电极，位于该液晶层上方；以及
[0077] 复数条保护电极外接线，各与一所述保护电极电气相接且与该多工器电路耦接；
[0078] 其中所述保护电极外接线经由该多工器电路耦接至该触控单元。
[0079] 在一实施例中，该触控单元在所述触控侦测期间执行一触控侦测程序，且该触控 侦测程序由自电容触控侦测程序、互电容触控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组 中所选择的一种侦测程序。
[0080] 在一实施例中，各所述像素单元进一步具有一第二基板，其位于所述液晶层上方。
[0081] 在一实施例中，各所述像素单元进一步具有一第二基板，其位于所述保护电极上 方。
[0082] 本发明的触控显示器，其可利用一面内转向液晶结构提供触控的功能。
[0083] 本发明的触控显示器，其可利用一面内转向液晶结构的二电极层执行一自电容或 互电容触控侦测程序。
[0084] 本发明的触控显不器，其可利用一面内转向液晶结构的一像素电极层、一对向电 极层、及一保护电极层执行一自电容或互电容触控侦测程序。
[0085] 本发明的触控显示器，其可利用一偏压技术提高触控可靠度。
[0086] 本发明的触控显示器，其可提供双触控平面。
[0087] 本发明的触控显示器，其可简化触控屏幕的结构以降低产品厚度、提高良率、及降 低成本。

【专利附图】

【附图说明】
[0088] 图1为本发明所采用的一像素单元之一实施例的结构示意图。
[0089] 图2(a)为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器之一实施例的示意图。 [0090] 图2(b)_2(c)为图2(a)架构所提供的自电容触控侦测模式之二实施例的示意图。 [0091] 图2(d)为图2(a)架构所提供的互电容触控侦测模式之一实施例的示意图。
[0092] 图3为本发明所采用的所述像素单元的另一实施例的结构示意图。
[0093] 图4(a)为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的示意图。
[0094] 图4(b)_4(c)为图4(a)架构所提供的自电容触控侦测模式之二实施例的示意图。 [0095] 图4(d)_4(e)为图4(a)架构所提供的互电容触控侦测模式之二实施例的示意图。 [0096] 图5为本发明所采用的一像素单元的另一实施例的结构示意图。
[0097] 图6(a)为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的示意图。
[0098] 图6(b)_6(d)为图6(a)架构所提供的自电容触控侦测模式之三实施例的示意图。 [0099] 图6(e)_6(g)为图6(a)架构所提供的互电容触控侦测模式之三实施例的示意图。 [0100] 图7为本发明所采用的一像素单元的另一实施例的结构示意图。
[0101] 图8(a)为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的示意图。
[0102] 图8(b)-8(e)为图8(a)架构所提供的自电容触控侦测模式之四实施例的示意图。
[0103] 图8(f)_8(g)为图8(a)架构所提供的互电容触控侦测模式之二实施例的示意图。
[0104] 图9(a)为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的示意图。
[0105] 图9(b)为图9(a)的细部示意图。
[0106] 图10为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的示意图。
[0107] 图11为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的示意图。
[0108] 图12为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的又一实施例的示意图。

【具体实施方式】
[0109] 为能进一步了解本发明的结构、特征及其目的，结合附图及较佳具体实施例的详 细说明如后。
[0110] 请参照图1，为本发明所采用的一像素单元之一实施例的结构示意图。如图1所 不，一像素单兀100具有一第一基板110、一对向电极121、一储存电容下电极122、一储存电 容连接线123、一绝缘层130、一薄膜晶体管141、一像素电极142、一源极连接线143、一栅极 连接线144、一储存电容上电极145、一液晶层150、以及一第二基板160。
[0111] 第一基板110较佳为一玻璃基板，用以提供一第一触控平面。
[0112] 对向电极121位于第一基板110上方，其可为例如但不限于一 ΙΤ0(Indium Tin Oxide ;铟锡氧化物）电极、一纳米碳电极、或一纳米银电极。
[0113] 储存电容下电极122位于第一基板110上方且与对向电极121电气相接，且其可 为例如但不限于一 IT0(Indium Tin Oxide;铟锡氧化物）电极、一纳米碳电极、或一纳米银 电极。
[0114] 储存电容连接线123可由例如但不限于金属制成，且其与对向电极121和储存电 容下电极122电气相接。
[0115] 绝缘层130由一透明介电材料制成，且其位于对向电极121和储存电容下电极122 上方。
[0116] 薄膜晶体管141位于绝缘层130上方且其具有一源极、一栅极、和一漏极。
[0117] 像素电极142较佳为一 ΙΤ0电极，其位于绝缘层130上方并与该漏极电气相接，且 其与对向电极121互不相对。
[0118] 源极连接线143可由例如但不限于金属制成，且其与该源极电气相接。
[0119] 栅极连接线144可由例如但不限于金属制成，且其与该栅极电气相接。
[0120] 储存电容上电极145位于绝缘层130上方且与像素电极142电气相接，且其可为 例如但不限于一 ΙΤ0电极、一纳米碳电极、或一纳米银电极。
[0121] 液晶层150位于薄膜晶体管141、像素电极142、和储存电容上电极145上方。
[0122] 第二基板160位于液晶层150上方，且其较佳为一玻璃基板，用以提供一第二触控 平面，亦即，图1的结构可提供双触控平面。
[0123] 请参照图2(a)，其为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器之一实施例的示 意图。如图2(a)所示，该触控显示器以一多工器电路搭配图1的像素单元实现一面内转向 显不功能及一触控功能，该多工器电路包括一第一多工器170及一第二多工器190。
[0124] 第一多工器170具有一第一接点、一第二接点、以及一第三接点，其中，所述的第 一接点与源极连接线143耦接，所述的第二接点与一源极驱动单元182耦接，及所述的第三 接点与一触控单元181耦接；且在一显示期间，所述的第一接点与所述的第二接点电气相 接，及在一触控侦测期间，所述的第一接点与所述的第三接点电气相接。
[0125] 第二多工器190具有一第四接点、一第五接点、以及一第六接点，其中，所述的第 四接点与储存电容连接线123耦接，所述的第五接点与一共通电压V ram耦接，及所述的第六 接点与触控单元181耦接；且在所述的显示期间，所述的第四接点与所述的第五接点电气 相接，及在所述的触控侦测期间，所述的第四接点与所述的第六接点电气相接。
[0126] 图2(a)的架构可提供自电容触控侦测模式和互电容触控侦测模式。请参照图 2 (b)，其为图2 (a)架构所提供的自电容触控侦测模式之一实施例的示意图。在图2 (b)所示 的一电容网络中，Cs为由储存电容下电极122和储存电容上电极145所界定的电容，（^为 由对向电极121和像素电极142所界定的电容，C t为由Cs和Q所形成的等效电容，CF1为 手指触碰到像素电极142时所产生的电容，以及C F2为手指触碰到对向电极121时所产生的 电容。触控单元181由储存电容连接线123对该电容网络执行一 CDC(charge to digital conversion ;电荷至数字信号转换）操作以侦测是否有触控事件发生。
[0127] 图2(c)为图2(a)架构所提供的自电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图2(c)所示的一电容网络中，CS为由储存电容下电极122和储存电容上电极145所界定的 电容，Q为由对向电极121和像素电极142所界定的电容，C t为由Cs和Q所形成的等效 电容，CF1为手指接近像素电极142时所产生的电容，以及C F2为手指接近对向电极121时所 产生的电容。触控单元181由储存电容连接线123或源极连接线143对该电容网络执行一 CDC (charge to digital conversion;电荷至数字信号转换）操作以侦测是否有触控事件 发生。
[0128] 图2(d)为图2(a)架构所提供的互电容触控侦测模式之一实施例的示意图。在图 2(d)所示的一电容网络中，C S为由储存电容下电极122和储存电容上电极145所界定的电 容，Q为由对向电极121和像素电极142所界定的电容，C t为由Cs和Q所形成的等效电 容，CF1为手指接近像素电极142时所产生的电容，以及C F2为手指接近对向电极121时所产 生的电容。触控单元181以储存电容连接线123作为一讯号传送端TX而以源极连接线143 作为一讯号接收端RX，或以源极连接线143作为一讯号传送端TX而以储存电容连接线123 作为一讯号接收端RX以侦测是否有触控事件发生。
[0129] 请参照图3,其为本发明所采用的所述像素单元的另一实施例的结构示意图。如图 3所不，一像素单兀200具有一第一基板210、一对向电极221、一储存电容下电极222、一储 存电容连接线223、一绝缘层230、一薄膜晶体管241、一像素电极242、一源极连接线243、一 栅极连接线244、一储存电容上电极245、一液晶层250、一保护电极260、一保护电极连接线 261、以及一第二基板270。
[0130] 第一基板210较佳为一玻璃基板，用以提供一第一触控平面。
[0131] 对向电极221位于第一基板210上方，且其可为例如但不限于一 ΙΤ0电极、一纳米 碳电极、或一纳米银电极。
[0132] 储存电容下电极222位于第一基板210上方且与对向电极221电气相接，且其可 为例如但不限于一 ΙΤ0电极、一纳米碳电极、或一纳米银电极。
[0133] 储存电容连接线223可由例如但不限于金属制成，且其与对向电极221和储存电 容下电极222电气相接。
[0134] 绝缘层230由一透明介电材料制成，且其位于对向电极221和储存电容下电极222 上方。
[0135] 薄膜晶体管241位于绝缘层230上方且其具有一源极、一栅极、和一漏极。
[0136] 像素电极242较佳为一 ΙΤ0电极，其位于绝缘层230上方并与该漏极电气相接，且 其与对向电极221互不相对。
[0137] 源极连接线243可由例如但不限于金属制成，且其与该源极电气相接。
[0138] 栅极连接线244可由例如但不限于金属制成，且其与该栅极电气相接。
[0139] 储存电容上电极245位于绝缘层230上方且与像素电极242电气相接，且其可为 例如但不限于一 ΙΤ0电极、一纳米碳电极、或一纳米银电极。
[0140] 液晶层250位于薄膜晶体管241、像素电极242、和储存电容上电极245上方。
[0141] 保护电极260位于液晶层250上方，且其一透明电极，可由ΙΤ0制成。
[0142] 保护电极连接线261可由例如但不限于金属制成，且其与保护电极260电气相接。
[0143] 第二基板270较佳为一玻璃基板且其位于保护电极260上方，用以提供一第二触 控平面，亦即，图3的结构可提供双触控平面。
[0144] 请参照图4(a)，其为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的 示意图。如图4(a)所示，该触控显示器以一多工器电路搭配图3的像素单元实现一面内转 向显不功能及一触控功能，该多工器电路包括一第一多工器280、及一第二多工器290。
[0145] 第一多工器280具有一第一接点、一第二接点、以及一第三接点，其中，所述的第 一接点与源极连接线243耦接，所述的第二接点与一源极驱动单元282耦接，及所述的第三 接点与一触控单元281耦接；且在一显示期间，所述的第一接点与所述的第二接点电气相 接，及在一触控侦测期间，所述的第一接点与所述的第三接点电气相接。
[0146] 第二多工器290具有一第四接点、一第五接点、以及一第六接点，其中，所述的第 四接点与储存电容连接线223耦接，所述的第五接点与一共通电压V ram耦接，及所述的第六 接点与触控单元281耦接；且在所述显示期间，所述的第四接点与所述的第五接点电气相 接，及在所述触控侦测期间，所述的第四接点与所述的第六接点电气相接。
[0147] 另外，保护电极连接线261与触控单元281 f禹接以同时提供一 ESD (electrostatic discharge ;静电放电）路径及一触控侦测路径。
[0148] 图4(a)的架构可提供自电容触控侦测模式和互电容触控侦测模式。请参照图 4 (b)，其为图4 (a)架构所提供的自电容触控侦测模式之一实施例的示意图。在图4 (b)所示 的一电容网络中，Cs为由储存电容下电极222和储存电容上电极245所界定的电容，(^为 由对向电极221和像素电极242所界定的电容，(^ 2为由像素电极242和保护电极260所界 定的电容，(^3为由对向电极221和保护电极260所界定的电容，(；为由（；、(^ 1、(^2、和(^3 所形成的等效电容，CF1为手指接近保护电极260时所产生的电容，CF2为手指接近像素电极 242时所产生的电容，以及C F3为手指接近对向电极221时所产生的电容。触控单元281由 储存电容连接线223或保护电极连接线261对该电容网络执行一 CDC (charge to digital conversion ;电荷至数字信号转换）操作，以侦测是否有触控事件发生。
[0149] 图4(c)为图4(a)架构所提供的自电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图4(c)所示的一电容网络中，C S为由储存电容下电极222和储存电容上电极245所界定的 电容，为由对向电极221和像素电极242所界定的电容，（^为由像素电极242和保护 电极260所界定的电容，（^为由对向电极221和保护电极260所界定的电容，C t为由Cs、 Cra、Q、和所形成的等效电容，CF1为手指接近保护电极260时所产生的电容，CF2为手 指接近像素电极242时所产生的电容，以及C F3为手指接近对向电极221时所产生的电容。 触控单元281由储存电容连接线223或保护电极连接线261或源极连接线243对该电容网 络执行一 CDC操作，以侦测是否有触控事件发生。
[0150] 图4(d)为图4(a)架构所提供的互电容触控侦测模式之一实施例的示意图。在图 4(d)所示的一电容网络中，C S为由储存电容下电极222和储存电容上电极245所界定的电 容，Cm为由对向电极221和像素电极242所界定的电容，（^为由像素电极242和保护电 极260所界定的电容，(^为由对向电极221和保护电极260所界定的电容，Ct为由Cs、C ra、 心2、和所形成的等效电容，CF1为手指接近保护电极260时所产生的电容，C F2为手指接 近像素电极242时所产生的电容，以及CF3为手指接近对向电极221时所产生的电容。触控 单元281以储存电容连接线223作为一讯号传送端TX而以保护电极连接线261作为一讯 号接收端RX，或以保护电极连接线261作为一讯号传送端TX而以储存电容连接线223作为 一讯号接收端RX，以侦测是否有触控事件发生。
[0151] 图4(e)为图4(a)架构所提供的互电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图4(e)所示的一电容网络中，C S为由储存电容下电极222和储存电容上电极245所界定的 电容，为由对向电极221和像素电极242所界定的电容，（^为由像素电极242和保护 电极260所界定的电容，（^为由对向电极221和保护电极260所界定的电容，C t为由Cs、 Cra、Q、和所形成的等效电容，CF1为手指接近保护电极260时所产生的电容，CF2为手 指接近像素电极242时所产生的电容，以及C F3为手指接近对向电极221时所产生的电容。 触控单元281以储存电容连接线223作为一讯号传送端TX而以保护电极连接线261或源 极连接线243作为一讯号接收端RX ;或以保护电极连接线261作为一讯号传送端TX而以 储存电容连接线223或源极连接线243作为一讯号接收端RX ;或以源极连接线243作为一 讯号传送端TX而以储存电容连接线223或保护电极连接线261作为一讯号接收端RX，以侦 测是否有触控事件发生。
[0152] 请参照图5,其为本发明所采用的一像素单元的另一实施例的结构示意图。如图5 所不，一像素单兀300具有一第一基板310、一对向电极321、一储存电容下电极322、一储存 电容连接线323、一对向电极连接线324、一绝缘层330、一薄膜晶体管341、一像素电极342、 一源极连接线343、一栅极连接线344、一储存电容上电极345、一液晶层350、以及一第二基 板 360。
[0153] 第一基板310较佳为一玻璃基板，用以提供一第一触控平面。
[0154] 对向电极321位于第一基板310上方，且其可为例如但不限于一 ΙΤ0电极、一纳米 碳电极、或一纳米银电极。
[0155] 储存电容下电极322位于第一基板310上方且与对向电极321分离，且其可为例 如但不限于一 ΙΤ0电极、一纳米碳电极、或一纳米银电极。
[0156] 储存电容连接线323可由例如但不限于金属制成，且其与储存电容下电极322电 气相接。
[0157] 对向电极连接线324可由例如但不限于金属制成，且其与对向电极321电气相接。
[0158] 绝缘层330由一透明介电材料制成，且其位于对向电极321和储存电容下电极322 上方。
[0159] 薄膜晶体管341位于绝缘层330上方且其具有一源极、一栅极、和一漏极。
[0160] 像素电极342较佳为一 ΙΤ0电极，其位于绝缘层330上方并与该漏极电气相接，且 其与对向电极321互不相对。
[0161] 源极连接线343可由例如但不限于金属制成，且其与该源极电气相接。
[0162] 栅极连接线344可由例如但不限于金属制成，且其与该栅极电气相接。
[0163] 储存电容上电极345位于绝缘层330上方且与像素电极342电气相接，且其可为 例如但不限于一 ITO电极、一纳米碳电极、或一纳米银电极。
[0164] 液晶层350位于薄膜晶体管341、像素电极342、和储存电容上电极345上方。
[0165] 第二基板360位于液晶层350上方，且其较佳为一玻璃基板，用以提供一第二触控 平面，亦即，图5的结构可提供双触控平面。
[0166] 请参照图6(a)，其为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的 示意图。如图6(a)所示，该触控显示器以一多工器电路搭配图5的像素单元实现一面内转 向显不功能及一触控功能，该多工器电路包括一第一多工器370、一第二多工器390、及一 第三多工器391。
[0167] 第一多工器370具有一第一接点、一第二接点、以及一第三接点，其中，所述的第 一接点与源极连接线343耦接，所述的第二接点与一源极驱动单元382耦接，及所述的第三 接点与一触控单元381耦接；且在一显示期间，所述的第一接点与所述的第二接点电气相 接，及在一触控侦测期间，所述的第一接点与所述的第三接点电气相接。
[0168] 第二多工器390具有一第四接点、一第五接点、以及一第六接点，其中，所述的第 四接点与储存电容连接线323耦接，所述的第五接点与一共通电压V ram耦接，及所述的第六 接点与触控单元381耦接；且在所述的显示期间，所述的第四接点与所述的第五接点电气 相接，及在所述的触控侦测期间，所述的第四接点与所述的第六接点电气相接。
[0169] 第三多工器391具有一第七接点、一第八接点、以及一第九接点，其中，所述的第 七接点与对向电极连接线324耦接，所述的第八接点与共通电压V ram耦接，及所述的第九接 点与触控单元381耦接；且在所述的显示期间，所述的第七接点与所述的第八接点电气相 接，及在所述的触控侦测期间，所述的第七接点与所述的第九接点电气相接。
[0170] 图6 (a)的架构可提供自电容触控侦测模式和互电容触控侦测模式。请参照图 6(b)，其为图6(a)架构所提供的自电容触控侦测模式之一实施例的示意图。在图6(b)所 示的一电容网络中，C s为由储存电容下电极322和储存电容上电极345所界定的电容， 为由对向电极321和像素电极342所界定的电容，C t为由Cs和所形成的等效电容，Cn 为手指接近像素电极342时所产生的电容，以及CF2为手指接近对向电极321时所产生的电 容。触控单元381由储存电容连接线323或对向电极连接线324对该电容网络执行一 CDC 操作以侦测是否有触控事件发生。
[0171] 图6(c)为图6(a)架构所提供的自电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图6 (c)所示的一电容网络中，CS为由储存电容下电极322和储存电容上电极345所界定的 电容，为由对向电极321和像素电极342所界定的电容，C t为由Cs和所形成的等效 电容，CF1为手指接近像素电极342时所产生的电容，以及C F2为手指接近对向电极321时所 产生的电容。触控单元381将一直流电压耦接至对向电极连接线324,并由储存电容连接线 323或源极连接线343对该电容网络执行一⑶C操作，以侦测是否有触控事件发生。
[0172] 图6(d)为图6(a)架构所提供的互电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图6 (d)所示的一电容网络中，CS为由储存电容下电极322和储存电容上电极345所界定的 电容，为由对向电极321和像素电极342所界定的电容，C t为由Cs和所形成的等效 电容，CF1为手指接近像素电极342时所产生的电容，以及C F2为手指接近对向电极321时所 产生的电容。触控单元381将一直流电压耦接至储存电容连接线323,并由对向电极连接线 324或源极连接线343对该电容网络执行一⑶C操作，以侦测是否有触控事件发生。
[0173] 图6(e)为图6(a)架构所提供的互电容触控侦测模式之一实施例的示意图。在图 6(e)所示的一电容网络中，CS为由储存电容下电极322和储存电容上电极345所界定的电 容，为由对向电极321和像素电极342所界定的电容，C t为由Cs和所形成的等效电 容，CF1为手指接近像素电极342时所产生的电容，C F2为手指接近对向电极321时所产生的 电容。触控单元381以储存电容连接线323作为一讯号传送端TX而以对向电极连接线324 作为一讯号接收端RX，或以对向电极连接线324作为一讯号传送端TX而以储存电容连接线 323作为一讯号接收端RX，以侦测是否有触控事件发生。
[0174] 图6(f)为图6(a)架构所提供的互电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图6 (f)所示的一电容网络中，CS为由储存电容下电极322和储存电容上电极345所界定的 电容，为由对向电极321和像素电极342所界定的电容，C t为由Cs和所形成的等效 电容，CF1为手指接近像素电极342时所产生的电容，C F2为手指接近对向电极321时所产生 的电容。触控单元381将一直流电压耦接至对向电极连接线324,并以储存电容连接线323 作为一讯号传送端TX而以源极连接线343作为一讯号接收端RX，或以源极连接线343作为 一讯号传送端TX而以储存电容连接线323作为一讯号接收端RX，以侦测是否有触控事件发 生。
[0175] 图6(g)为图6(a)架构所提供的互电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图6 (g)所示的一电容网络中，CS为由储存电容下电极322和储存电容上电极345所界定的 电容，为由对向电极321和像素电极342所界定的电容，C t为由Cs和所形成的等效 电容，CF1为手指接近像素电极342时所产生的电容，C F2为手指接近对向电极321时所产生 的电容。触控单元381将一直流电压耦接至储存电容连接线323,并以对向电极连接线324 作为一讯号传送端TX而以源极连接线343作为一讯号接收端RX，或以源极连接线343作为 一讯号传送端TX而以对向电极连接线324作为一讯号接收端RX，以侦测是否有触控事件发 生。
[0176] 请参照图7,其为本发明所采用的一像素单元的另一实施例的结构示意图。如图7 所不，一像素单兀400具有一第一基板410、一对向电极421、一储存电容下电极422、一储 存电容连接线423、一对向电极连接线424、一绝缘层430、一薄膜晶体管441、一像素电极 442、一源极连接线443、一栅极连接线444、一储存电容上电极445、一液晶层450、一保护电 极460、一保护电极连接线461、以及一第二基板470。
[0177] 第一基板410较佳为一玻璃基板，用以提供一第一触控平面。
[0178] 对向电极421位于第一基板410上方，且其可为例如但不限于一 ΙΤ0电极、一纳米 碳电极、或一纳米银电极。
[0179] 储存电容下电极422位于第一基板410上方且与对向电极421分离，且其可为例 如但不限于一 ΙΤ0电极、一纳米碳电极、或一纳米银电极。
[0180] 储存电容连接线423可由例如但不限于金属制成，且其与储存电容下电极422电 气相接。
[0181] 对向电极连接线424可由例如但不限于金属制成，且其与对向电极421电气相接。
[0182] 绝缘层430由一透明介电材料制成，且其位于对向电极421和储存电容下电极422 上方。
[0183] 薄膜晶体管441位于绝缘层430上方且其具有一源极、一栅极、和一漏极。
[0184] 像素电极442较佳为一 ΙΤ0电极，其位于绝缘层430上方并与该漏极电气相接，且 其与对向电极421互不相对。
[0185] 源极连接线443可由例如但不限于金属制成，且其与该源极电气相接。
[0186] 栅极连接线444可由例如但不限于金属制成，且其与该栅极电气相接。
[0187] 储存电容上电极445位于绝缘层430上方且与像素电极442电气相接，且其可为 例如但不限于一 ΙΤ0电极、一纳米碳电极、或一纳米银电极。
[0188] 液晶层450位于薄膜晶体管441、像素电极442、和储存电容上电极445上方。
[0189] 保护电极460位于液晶层450上方，且其一透明电极，可由ΙΤ0制成。
[0190] 保护电极连接线461可由例如但不限于金属制成，且其与保护电极460电气相接。
[0191 ] 第二基板470位于保护电极460上方，且其较佳为一玻璃基板，用以提供一第二触 控平面，亦即，图7的结构可提供双触控平面。
[0192] 请参照图8(a)，其为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的 示意图。如图8(a)所示，该触控显示器以一多工器电路搭配图7的像素单元实现一面内转 向显不功能及一触控功能，该多工器电路包括一第一多工器480、一第二多工器490、及一 第三多工器491。
[0193] 第一多工器480具有一第一接点、一第二接点、以及一第三接点，其中，所述的第 一接点与源极连接线443耦接，所述的第二接点与一源极驱动单元482耦接，及所述的第三 接点与一触控单元481耦接；且在一显示期间，所述的第一接点与所述的第二接点电气相 接，及在一触控侦测期间，所述的第一接点与所述的第三接点电气相接。
[0194] 第二多工器490具有一第四接点、一第五接点、以及一第六接点，其中，所述的第 四接点与储存电容连接线423耦接，所述的第五接点与一共通电压V ram耦接，及所述的第六 接点与触控单元481耦接；且在所述的显示期间，所述的第四接点与所述的第五接点电气 相接，及在所述的触控侦测期间，所述的第四接点与所述的第六接点电气相接。
[0195] 第三多工器491具有一第七接点、一第八接点、以及一第九接点，其中，所述的第 七接点与对向电极连接线424耦接，所述的第八接点与共通电压V ram耦接，及所述的第九接 点与触控单元481耦接；且在所述的显示期间，所述的第七接点与所述的第八接点电气相 接，及在所述的触控侦测期间，所述的第七接点与所述的第九接点电气相接。
[0196] 另外，保护电极连接线461与触控单元481 f禹接以同时提供一 ESD(electrostatic discharge ;静电放电）路径及一触控侦测路径。
[0197] 图8(a)的架构可提供自电容触控侦测模式和互电容触控侦测模式。请参照图 8(b)，其为图8(a)架构所提供的自电容触控侦测模式之一实施例的示意图。在图8(b)所 示的一电容网络中，C s为由储存电容下电极422和储存电容上电极445所界定的电容， 为由对向电极421和像素电极442所界定的电容，C^ 2为由像素电极442和保护电极460 所界定的电容，（^3为由对向电极421和保护电极460所界定的电容，C t为由Cs、Qa、(^2、 和所形成的等效电容，C F1为手指接近保护电极460时所产生的电容，CF2为手指接近对 向电极421时所产生的电容，以及C F3为手指接近像素电极442时所产生的电容。触控单元 481由储存电容连接线423或对向电极连接线424或保护电极连接线461对该电容网络执 行一 CDC操作以侦测是否有触控事件发生。
[0198] 另外，由将特定连接线接地使特定电容失去作用，本发明可进一步简化图8(b)的 电容网络，其实施例请参照图8(c)-8(e)。
[0199] 图8(c)为图8(a)架构所提供的自电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图8(c)中，触控单元481将源极连接线443、储存电容连接线423、和对向电极连接线424 接地，使C s、Cra、CF2、和CF3失去作用，并由保护电极连接线461对该电容网络执行一⑶C操 作，以侦测是否有触控事件发生。
[0200] 图8(d)为图8(a)架构所提供的自电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图8 (d)中，触控单元481将对向电极连接线424和保护电极连接线461接地，使(^3、CF1、 和C F2失去作用，并由储存电容连接线423对该电容网络执行一⑶C操作，以侦测是否有触 控事件发生。
[0201] 图8(e)为图8(a)架构所提供的自电容触控侦测模式的另一实施例的示意图。在 图8 (e)中，触控单元481将源极连接线443和保护电极连接线461接地，使(^2、CF1、和C F3 失去作用，并由对向电极连接线424对该电容网络执行一 CDC操作，以侦测是否有触控事件 发生。
[0202] 图8(f)为图8(a)架构所提供的互电容触控侦测模式之一实施例的示意图。在图 8(f)所示的一电容网络中，C S为由储存电容下电极422和储存电容上电极445所界定的电 容，为由对向电极421和像素电极442所界定的电容，（^为由像素电极442和保护电 极460所界定的电容，(^为由对向电极421和保护电极460所界定的电容，C t为由Cs、Cra、 心2、和所形成的等效电容，C F1为手指接近保护电极460时所产生的电容，CF2为手指接 近对向电极421时所产生的电容，以及C F3为手指接近像素电极442时所产生的电容。触控 单元481以储存电容连接线423作为一讯号传送端TX而以保护电极连接线461或对向电 极连接线424作为一讯号接收端RX ;或以对向电极连接线424作为一讯号传送端TX而以储 存电容连接线423或保护电极连接线461作为一讯号接收端RX ;或以保护电极连接线461 作为一讯号传送端TX而以储存电容连接线423或对向电极连接线424作为一讯号接收端 RX，以侦测是否有触控事件发生。
[0203] 图8(g)为图8(a)架构所提供的互电容触控侦测模式之一实施例的示意图。在图 8(g)所示的一电容网络中，C S为由储存电容下电极422和储存电容上电极445所界定的电 容，为由对向电极421和像素电极442所界定的电容，（^为由像素电极442和保护电 极460所界定的电容，(^为由对向电极421和保护电极460所界定的电容，C t为由Cs、Cra、 心2、和所形成的等效电容，C F1为手指接近保护电极460时所产生的电容，CF2为手指接 近对向电极421时所产生的电容，以及C F3为手指接近像素电极442时所产生的电容。触控 单元481以储存电容连接线423作为一讯号传送端TX而以保护电极连接线461或源极连 接线443或对向电极连接线424作为一讯号接收端RX ;或以对向电极连接线424作为一讯 号传送端TX而以储存电容连接线423或源极连接线443或保护电极连接线461作为一讯 号接收端RX ;或以保护电极连接线461作为一讯号传送端TX而以源极连接线443或储存 电容连接线423或对向电极连接线424作为一讯号接收端RX ;或以源极连接线443作为一 讯号传送端TX而以储存电容连接线423或对向电极连接线424或保护电极连接线461作 为一讯号接收端RX，以侦测是否有触控事件发生。
[0204] 请参照图9(a)，其为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的 示意图。如图9(a)所示，该触控显示器具有一像素阵列500、一栅极驱动单元510、一多工 器电路520、一源极驱动单元530、以及一触控单元540。
[0205] 像素阵列500具有复数条源极外接线S、复数条栅极外接线G、复数条储存电容外 接线C、及复数个像素单元100,其中各像素单元100 (请参照图1)具有：一第一基板110 ; 一对向电极121，位于第一基板110上方；一储存电容下电极122,位于第一基板110上方且 与对向电极121电气相接；一储存电容连接线123,与对向电极121和储存电容下电极122 电气相接，且与一所述储存电容外接线C耦接；一绝缘层130,位于对向电极121和储存电 容下电极122上方；一薄膜晶体管141，位于绝缘层130上方且具有一栅极、一源极、及一漏 极；一像素电极142,位于绝缘层130上方且与该漏极电气相接；一储存电容上电极145,位 于绝缘层130上方且与像素电极142电气相接；一栅极连接线144,与该栅极电气相接且与 一所述栅极外接线G耦接；一源极连接线143,与该源极电气相接且与一所述源极外接线S 耦接；一液晶层150,位于薄膜晶体管141、像素电极142、及储存电容上电极145上方；以及 一第二基板160,位于液晶层150上方。
[0206] 栅极驱动单元510与栅极外接线G耦接。
[0207] 多工器电路520与源极外接线S及储存电容外接线C耦接。
[0208] 源极驱动单元530与多工器电路520耦接。
[0209] 触控单元540与多工器电路520耦接。
[0210] 其中，多工器电路520会在一显示期间使源极外接线S及储存电容外接线C与源 极驱动单元530耦接，及在一触控侦测期间使源极外接线S及储存电容外接线C与触控单 元540耦接；且触控单元540在所述触控侦测期间会执行一触控侦测程序，其由自电容触控 侦测程序、互电容触控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组中所选择的一种控侦测 程序。
[0211] 图9(b)为图9(a)的细部示意图，其中一偏压选择电路550被加入以提供使特定 电容失去作用的功能。以储存电容为例，当偏压选择电路550提供给像素阵列500的电压等 于触控单元540提供给像素阵列500的电压时，就不会有电流流入储存电容，亦即，储存电 容就会失去作用。在触控侦测的过程中，由手指产生的电容量并不大，若能使像素阵列500 内部的电容量降低，将可提升触控侦测的可靠度。
[0212] 依照图9(a)和图9(b)所揭示的触控侦测原理（包括如何使像素阵列内部的电容 量降低的偏压技术），本发明进一步揭示如图10-12所示的其他实施例。
[0213] 请参照图10,其为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的示 意图。如图10所示，该触控显示器具有一像素阵列600、一栅极驱动单元610、一多工器电 路620、一源极驱动单元630、以及一触控单元640。
[0214] 像素阵列600具有复数条源极外接线S、复数条栅极外接线G、复数条储存电容外 接线C、复数条保护电极外接线E、及复数个像素单元200,其中各像素单元200 (请参照图 3)具有：一第一基板210 ;-对向电极221，位于第一基板210上方；一储存电容下电极222， 位于第一基板210上方且与对向电极221电气相接；一储存电容连接线223,与对向电极 221和储存电容下电极222电气相接，且与一所述储存电容外接线C耦接；一绝缘层230,位 于对向电极221和储存电容下电极222上方；一薄膜晶体管241，位于绝缘层230上方且具 有一栅极、一源极、及一漏极；一像素电极242,位于绝缘层230上方且与该漏极电气相接； 一储存电容上电极245,位于绝缘层230上方且与像素电极242电气相接；一栅极连接线 244,与该栅极电气相接且与一所述栅极外接线G耦接；一源极连接线243,与该源极电气相 接且与一所述源极外接线S耦接；一液晶层250,位于薄膜晶体管241、像素电极242、及储 存电容上电极245上方；一保护电极260,位于液晶层250上方；一保护电极连接线261，与 保护电极260电气相接且与一所述保护电极外接线E耦接；以及一第二基板270,位于保护 电极260上方。另外，保护电极260可沿列的方向或行的方向或任一歪斜的方向排列，且其 图形可为长条形、三角形、或其他任一形状。
[0215] 栅极驱动单元610与栅极外接线G耦接。
[0216] 多工器电路620与源极外接线S、储存电容外接线C、以及保护电极外接线E耦接。
[0217] 源极驱动单元630与多工器电路620耦接。
[0218] 触控单元640与多工器电路620耦接。
[0219] 其中，多工器电路620会使保护电极外接线E与触控单元640耦接；在一显示期间 使源极外接线S以及储存电容外接线C与源极驱动单元630耦接；以及在一触控侦测期间 使源极外接线S及储存电容外接线C与触控单元640耦接。触控单元640在所述触控侦测 期间会执行一触控侦测程序，其由自电容触控侦测程序、互电容触控侦测程序、和二者的任 一组合所组成的群组中所选择的一种控侦测程序。
[0220] 请参照图11，其为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的另一实施例的示 意图。如图11所示，该触控显示器具有一像素阵列700、一栅极驱动单元710、一多工器电 路720、一源极驱动单元730、以及一触控单元740。
[0221] 像素阵列700具有复数条源极外接线S、复数条栅极外接线G、复数条储存电容外 接线Cs、复数条对向电极外接线C、及复数个像素单元300,其中各像素单元300 (请参照图 5)具有：一第一基板310 ;-对向电极321，位于第一基板310上方；一储存电容下电极322， 位于第一基板310上方且与对向电极321分离；一储存电容连接线323,与储存电容下电 极322电气相接，且与一所述储存电容外接线Cs耦接；一绝缘层330,位于对向电极321和 储存电容下电极322上方；一薄膜晶体管341，位于绝缘层330上方且具有一栅极、一源极、 及一漏极；一像素电极342,位于绝缘层330上方且与该漏极电气相接；一储存电容上电极 345,位于绝缘层330上方且与像素电极342电气相接；一栅极连接线344,与该栅极电气相 接且与一所述栅极外接线G耦接；一源极连接线343,与该源极电气相接且与一所述源极外 接线S耦接；一液晶层350,位于薄膜晶体管341、像素电极342、及储存电容上电极345上 方；以及一第二基板360,位于液晶层350上方。
[0222] 栅极驱动单元710与栅极外接线G耦接。
[0223] 多工器电路720与源极外接线S、储存电容外接线Cs、以及对向电极外接线C耦 接。
[0224] 源极驱动单元730与多工器电路720耦接。
[0225] 触控单元740与多工器电路720耦接。
[0226] 其中，多工器电路720会在一显示期间使源极外接线S、储存电容外接线Cs、以及 对向电极外接线C与源极驱动单元730耦接，及在一触控侦测期间使源极外接线S、储存电 容外接线Cs、以及对向电极外接线C与触控单元740耦接；且触控单元740在所述触控侦 测期间会执行一触控侦测程序，其由自电容触控侦测程序、互电容触控侦测程序、和二者的 任一组合所组成的群组中所选择的一种控侦测程序。
[0227] 请参照图12,其为本发明具有面内转向液晶结构的触控显示器的又一实施例的示 意图。如图12所示，该触控显示器具有一像素阵列800、一栅极驱动单元810、一多工器电 路820、一源极驱动单元830、以及一触控单元840。
[0228] 像素阵列800具有复数条源极外接线S、复数条栅极外接线G、复数条储存电容外 接线Cs、复数条对向电极外接线C、复数条保护电极外接线E、及复数个像素单元400,其中 各像素单兀400 (请参照图7)具有：一第一基板410 ;-对向电极421，位于第一基板410上 方；一储存电容下电极422,位于第一基板410上方且与对向电极421分离；一储存电容连 接线423,与储存电容下电极422电气相接，且与一所述储存电容外接线Cs耦接；一绝缘层 430,位于对向电极421和储存电容下电极422上方；一薄膜晶体管441，位于绝缘层430上 方且具有一栅极、一源极、及一漏极；一像素电极442,位于绝缘层430上方且与该漏极电气 相接；一储存电容上电极445,位于绝缘层430上方且与像素电极442电气相接；一栅极连 接线444,与该栅极电气相接且与一所述栅极外接线G耦接；一源极连接线443,与该源极电 气相接且与一所述源极外接线S耦接；一液晶层450,位于薄膜晶体管441、像素电极442、 及储存电容上电极445上方；一保护电极460,位于液晶层450上方的一透明电极，可由ΙΤ0 制成；一保护电极连接线461，可由金属制成，其与保护电极460电气相接；以及一第二基板 470,位于保护电极460上方。
[0229] 栅极驱动单元810与栅极外接线G耦接。
[0230] 多工器电路820与源极外接线S、储存电容外接线Cs、对向电极外接线C、以及保护 电极外接线E耦接。
[0231] 源极驱动单元830与多工器电路820耦接。
[0232] 触控单元840与多工器电路820耦接。
[0233] 其中，多工器电路820会使保护电极外接线E与触控单元840耦接；在一显示期 间使源极外接线S、储存电容外接线Cs、以及对向电极外接线C与源极驱动单元830耦接； 及在一触控侦测期间使源极外接线S、储存电容外接线Cs、和对向电极外接线C与触控单元 840耦接。触控单元840在所述触控侦测期间会执行一触控侦测程序，其由自电容触控侦测 程序、互电容触控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组中所选择的一种控侦测程序。
[0234] 本发明因其新颖的设计而具有以下的优点：
[0235] 1、本发明的触控显示器可利用一面内转向液晶结构提供触控功能。
[0236] 2、本发明的触控显示器可利用一面内转向液晶结构的二电极层执行一自电容或 互电容触控侦测程序。
[0237] 3、本发明的触控显示器可利用一面内转向液晶结构的一像素电极层、一对向电极 层、及一保护电极层执行一自电容或互电容触控侦测程序。
[0238] 4、本发明的触控显示器可利用一偏压技术提高触控可靠度。
[0239] 5、本发明的触控显示器可提供双触控平面。
[0240] 6、本发明的触控显示器可简化触控屏幕的结构以降低产品厚度、提高良率、及降 低成本。
[0241] 本发明所描述的乃较佳实施例，举凡局部的变更或修饰而源于本发明的技术思想 而为本领域技术人员所易于推知的，俱不脱本发明的权利要求范畴。
【权利要求】
1. 一种具有面内转向液晶结构的触控显示器，其具有一像素单元及一多工器电路以提 供一显示功能及一触控感测功能，其中该像素单元具有： 一第一基板； 一对向电极，位于该第一基板上方； 一储存电容下电极，位于该第一基板上方且与该对向电极分离； 一储存电容连接线，与该储存电容下电极电气相接； 一对向电极连接线，与该对向电极电气相接； 一绝缘层，位于该对向电极和该储存电容下电极上方； 一薄膜晶体管，位于该绝缘层上方且具有一栅极、一源极、及一漏极； 一像素电极，位于该绝缘层上方且与该漏极电气相接； 一储存电容上电极，位于该绝缘层上方且与该像素电极电气相接； 一栅极连接线，与该栅极电气相接； 一源极连接线，与该源极电气相接；以及 一液晶层，位于该薄膜晶体管、该像素电极、及该储存电容上电极上方；以及 该多工器电路具有： 一第一多工器，其具有一第一接点、一第二接点、以及一第三接点，其中，该第一接点与 该源极连接线稱接，该第二接点与一源极驱动单元稱接，该第三接点与一触控单元稱接，该 第一接点在一显示期间与该第二接点电气相接，及该第一接点在一触控侦测期间与该第三 接点电气相接； 一第二多工器，其具有一第四接点、一第五接点、以及一第六接点，其中，该第四接点与 该储存电容连接线耦接，该第五接点与一共通电压耦接，该第六接点与该触控单元耦接，该 第四接点在所述的显示期间与该第五接点电气相接，及该第四接点在所述的触控侦测期间 与该第六接点电气相接；以及 一第三多工器，其具有一第七接点、一第八接点、以及一第九接点，其中，该第七接点与 该对向电极连接线耦接，该第八接点与该共通电压耦接，该第九接点与该触控单元耦接，该 第七接点在所述显示期间与该第八接点电气相接，及该第七接点在所述触控侦测期间与该 第九接点电气相接。
2. 如权利要求1所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，该像素单元具有： 一保护电极，位于该液晶层上方；以及 一保护电极连接线，与该保护电极电气相接且与该触控单元耦接。
3. 如权利要求1所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，该像素单元具有一 第二基板，其位于该液晶层上方。
4. 如权利要求2所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，该像素单元具有一 第二基板，其位于该保护电极上方。
5. -种具有面内转向液晶结构的触控显示器，其具有： 一像素阵列，其具有复数条源极外接线、复数条栅极外接线、复数条储存电容外接线、 及复数个像素单元，各所述像素单元具有： 一第一基板； 一对向电极，位于该第一基板上方； 一储存电容下电极，位于该第一基板上方且与该对向电极电气相接； 一储存电容连接线，与该对向电极和该储存电容下电极电气相接，且与一所述储存电 容外接线耦接； 一绝缘层，位于该对向电极和该储存电容下电极上方； 一薄膜晶体管，位于该绝缘层上方且具有一栅极、一源极、及一漏极； 一像素电极，位于该绝缘层上方且与该漏极电气相接； 一储存电容上电极，位于该绝缘层上方且与该像素电极电气相接； 一栅极连接线，与该栅极电气相接且与一所述栅极外接线耦接； 一源极连接线，与该源极电气相接且与一所述源极外接线耦接；以及 一液晶层，位于该薄膜晶体管、该像素电极、及该储存电容上电极上方； 一栅极驱动单元，与所述栅极外接线耦接； 一多工器电路，与所述源极外接线及所述储存电容外接线耦接； 一源极驱动单元，与该多工器电路耦接；以及 一触控单元，与该多工器电路耦接； 其中该多工器电路在一显示期间使所述源极外接线及所述储存电容外接线与该源极 驱动单元耦接，及在一触控侦测期间使所述源极外接线及所述储存电容外接线与该触控单 元奉禹接。
6. 如权利要求5所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，该触控单元在所述 触控侦测期间执行一触控侦测程序，且该触控侦测程序由自电容触控侦测程序、互电容触 控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组中所选择的一种控侦测程序。
7. 如权利要求5所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，各所述像素单元具 有： 复数个保护电极，位于该液晶层上方；以及 复数条保护电极外接线，各与一所述保护电极电气相接且与该多工器电路耦接； 其中所述保护电极外接线经由该多工器电路耦接至该触控单元。
8. 如权利要求7所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，该触控单元在所述 触控侦测期间执行一触控侦测程序，且该触控侦测程序由自电容触控侦测程序、互电容触 控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组中所选择的一种控侦测程序。
9. 如权利要求5所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，各所述像素单元具 有一第二基板，其位于所述液晶层上方。
10. 如权利要求7所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，各所述像素单元具 有一第二基板，其位于所述保护电极上方。
11. 一种具有面内转向液晶结构的触控显示器，其具有： 一像素阵列，其具有复数条源极外接线、复数条栅极外接线、复数条储存电容外接线、 复数条对向电极外接线、及复数个像素单元，各所述像素单元具有： 一第一基板； 一对向电极，位于该第一基板上方； 一储存电容下电极，位于该第一基板上方且与该对向电极分离； 一储存电容连接线，与该储存电容下电极电气相接，且与一所述储存电容外接线耦 接； 一对向电极连接线，与该对向电极电气相接，且与一所述对向电极外接线f禹接； 一绝缘层，位于该对向电极和该储存电容下电极上方； 一薄膜晶体管，位于该绝缘层上方且具有一栅极、一源极、及一漏极； 一像素电极，位于该绝缘层上方且与该漏极电气相接； 一储存电容上电极，位于该绝缘层上方且与该像素电极电气相接； 一栅极连接线，与该栅极电气相接且与一所述栅极外接线耦接； 一源极连接线，与该源极电气相接且与一所述源极外接线耦接；以及 一液晶层，位于该薄膜晶体管、该像素电极、及该储存电容上电极上方； 一栅极驱动单元，与所述栅极外接线耦接； 一多工器电路，与所述源极外接线、所述储存电容外接线、及所述对向电极外接线耦 接； 一源极驱动单元，与该多工器电路耦接；以及 一触控单元，与该多工器电路耦接； 其中该多工器电路在一显示期间使所述源极外接线、所述储存电容外接线、及所述对 向电极外接线与该源极驱动单元耦接，及在一触控侦测期间使所述源极外接线、所述储存 电容外接线、及所述对向电极外接线与该触控单元f禹接。
12. 如权利要求11所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，该触控单元在所 述触控侦测期间执行一触控侦测程序，且该触控侦测程序由自电容触控侦测程序、互电容 触控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组中所选择的一种侦测程序。
13. 如权利要求11所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，各所述像素单元 具有： 复数个保护电极，位于该液晶层上方；以及 复数条保护电极外接线，各与一所述保护电极电气相接且与该多工器电路耦接； 其中所述保护电极外接线经由该多工器电路耦接至该触控单元。
14. 如权利要求13所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，该触控单元在所 述触控侦测期间执行一触控侦测程序，且该触控侦测程序由自电容触控侦测程序、互电容 触控侦测程序、和二者的任一组合所组成的群组中所选择的一种侦测程序。
15. 如权利要求11所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，各所述像素单元 具有一第二基板，其位于所述液晶层上方。
16. 如权利要求13所述具有面内转向液晶结构的触控显示器，其中，各所述像素单元 具有一第二基板，其位于所述保护电极上方。
【文档编号】G06F3/044GK104122699SQ201410104448
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年3月19日 优先权日:2013年4月25日
【发明者】陈汉昌, 贾丛林, 邬志文, 杜彦宏, 张仁杰 申请人:丽智科技股份有限公司