电极图案的形成方法及电极图案与流程

本发明涉及一种电极图案的形成方法及电极图案。更具体地，本发明涉及一种可用于形成触摸屏面板(tsp)所具备的触控传感器且可形成微小线宽的电极图案的形成方法及电极图案。

背景技术：

触摸屏面板通过按压显示于面板上的画面来输入对应于画面的信息。因为使用上的便利性，所以近来触摸屏面板越来越多地应用于所有显示装置。

通常，触摸屏面板利用电容方式、电阻方式、表面超声波方式、红外线方式等提取按压部分的坐标并输入信息。电容方式是在用户触摸画面时，利用人体的电容来识别电流变化量并检测出位置。

这种触摸屏面板基本上是通过在由玻璃或薄膜组成的基板的中央部分形成多个电极传感器来进行驱动，近来随着传感器区域扩展以及复杂化的趋势，对电极图案也要求形成为微小图案。

现有形成电极图案的方法有包括网印法(screenprintingmethod)或凹版胶印法(gravureoff-setprintingmethod)等的印刷式方法、压印方法(imprintingmethod)、及光刻法(photolithography)等。

在所述的印刷式方法中，网印法使用具有要形成的电极图案形状的丝网版将印刷型导电胶组合物按一定厚度印刷到基板表面上再进行固化，以形成电极图案。这种基于丝网印刷的方法与光刻法相比制造设备及工艺简单，从而可以减少设备及材料费用，但是难以实现80微米以下的电极布线微小图案。

凹版胶印法利用具有要形成的电极图案形状的阴刻凹版辊及平版硅酮橡皮布(siliconeblanket)将印刷型导电胶组合物按一定厚度印刷到基板表面上再进行固化，以形成电极图案。与光刻法相比制造设备及工艺简单，从而可以减少设备及材料费用，但是难以实现20μm以下的电极布线微小图案。

光刻法先通过溅射工艺在基板上形成导电膜且导电膜上涂布光刻胶，然后利用掩膜选择性地曝光光刻胶以暴露出导电膜的一部分。通过蚀刻移除暴露出的导电膜以形成电极图案并移除剩下的光刻胶，最终完成电极图案。这种光刻法虽然可以实现微小线宽，但在真空中沉积导电膜后，需要进行光刻胶涂布、曝光、显影、蚀刻及剥离工艺，因此要经过复杂的工艺，还要配备昂贵的设备，从而造成投资成本及生产成本增加。

韩国公开专利第2013-0109586号公开了一种导电图案的形成方法，其包括以下步骤：在基板上形成沟道，在喷射导电油墨的喷嘴和所述基板之间形成电场的状态下，向所沟道提供所述导电油墨。然而，由于所述方法利用电场，受到沟道需要使用带电特性的导电材料的限制，因而工艺复杂以及工艺特性上难以形成1μm以上的厚度。

技术实现要素：

技术问题

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种可以相对低成本及简单工艺实现微小图案的电极图案的形成方法及电极图案。

技术方案

本发明提供一种电极图案的形成方法，其包括：

在基底上形成光刻胶图案的步骤；

用导电胶填充所述光刻胶图案的阴刻部的步骤；以及

对所述导电胶进行固化的步骤。

此外，本发明提供一种电极图案，其包括：基底；以及形成在所述基底上的电极，所述电极形成为截面呈u字形、v字形、上面开放的梯形、上面开放的倒梯形、或者上面开放的矩形。

发明效果

本发明的电极图案的形成方法由于对图案的尺寸及形状的设计自由度高以及位置精度优异，因此可以形成具有高分辨率及均匀线宽的电极图案。

此外，光刻胶图案起到支撑电极图案的作用，因此清晰度(sharpness)、平坦度、平直度等优异，从而可以提高电极图案的质量，还可以实现微小的各种图案。

进一步地，可以选择性地剥离所述光刻胶图案，如此选择性地进行剥离时，能够移除可视区(viewarea)部分的光刻胶图案残留物，从而可以完成质量更高的产品，并且未剥离部分的光刻胶图案可以起到电极图案的支架及/或绝缘部的作用。

这种本发明的电极图案的形成方法可应用于要求微小电极图案的各种装置，特别是有利于形成触摸屏面板(tsp)所具备的触控传感器。

附图说明

图1是本发明实施例的电极图案的形成方法的示意性流程图。

图2是用光学显微镜观察根据实施例1至4形成的电极图案的图片。

图3是用光学显微镜观察根据实施例5形成的电极图案的图片。

图4是本发明一实施例的电极图案截面的模式图。

图5是本发明一实施例的电极图案截面的模式图。

图6是用光学显微镜观察本发明一实施例的电极图案表面的图片。

图7是用sem观察本发明一实施例的电极图案表面的图片。

图8是用sem观察本发明一实施例的电极图案截面的图片。图3表示

具体实施方式

本发明的电极图案的形成方法包括：在基底上形成光刻胶图案的步骤；用导电胶填充所述光刻胶图案的阴刻部的步骤；以及对所述导电胶进行固化的步骤。

另外，本发明的电极图案包括：基底；以及形成在所述基底上的电极，所述电极形成为截面呈u字形、v字形、上面开放的梯形、上面开放的倒梯形、或者上面开放的矩形。

在本发明中，术语“第一”、“第二”等用来说明各种组件，这些术语只是出于区分某一组件和另一组件的目的。

另外，本说明书中所使用的术语仅用于说明示例性实施例，而不意在限制本发明。除非上下文另外清楚地指出，否则这里所使用的单数形式也意在包括复数形式。

此外，在本发明中，关于各组件的形成，上下文中所使用的“在…上”或“在…上方”表示在各组件上直接附属形成或构成各组件，或者可在层间、主体、基底上追加形成或构成另一组件。

本发明可进行各种变更以及具有各种形式，因此下面列举特定实施例以进行详细说明。然而，本发明并不局限于特定的公开形式，应该理解涵盖本发明的思想及技术范围内的所有变更、等效替换。

下面参照附图详细说明本发明具体实施方案的电极图案的形成方法。

本发明的电极图案的形成方法包括：在基底上形成光刻胶图案的步骤；用导电胶填充所述光刻胶图案的阴刻部的步骤；以及对所述导电胶进行固化的步骤。

图1是本发明实施例的电极图案的形成方法的示意性流程图。

请参见图1，首先，准备要形成电极图案的基底10，在基底10上涂布光刻胶组合物20(步骤(a)及(b))。

随后，对涂布有光刻胶组合物20的区域利用掩膜图案等选择性地进行曝光及显影，以形成光刻胶图案30(步骤(c))。所述掩膜图案是鉴于最终要形成的电极图案而设计的，如此形成的光刻胶图案30随着选择性的曝光及显影而具有阴刻部30a和阳刻部30b。

所述光刻胶图案30的阴刻部30a用导电胶进行填充。此时，虽然未图示，但是还可以进行以下步骤：将光刻胶图案30的阴刻部30a都填充后，当存在过量涂布的导电胶时，将所涂布的导电胶的表面用刮刀(blade)等刮平，以均匀地调整所述导电胶的涂布高度使其与阳刻部30b的高度对齐使表面平坦。

然后，对填充于阴刻部30a的导电胶进行固化。所述导电胶的固化可通过加热至一定温度使所述导电胶烧结的方式来进行，通过所述导电胶的固化而形成电极图案40(步骤(d))。

在此之后，可移除所述光刻胶图案30(步骤(e))。虽然图1中示出形成电极图案40后将光刻胶图案30全部移除，但根据需要可以不移除或者部分移除。

下面进一步详细说明本发明的电极图案的形成方法。

根据本发明一实施例，形成所述光刻胶图案的基底可以是基板。所述基底例如可使用选自玻璃、强化玻璃、硅、铝、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、钼、二氧化硅、掺杂的二氧化硅、氮化硅、钽、铜、多晶硅、陶瓷、铝/铜混合物及聚合树脂中的基底，对此没有特别限制。优选地，所述基底可以是强化玻璃基板。

作为所述基底使用强化玻璃时，可以使用钠钙玻璃、铝硅酸盐玻璃。

所述光刻胶图案可直接形成在所述基底上，或者根据需要以夹带其他膜、层、薄膜、图案等的状态形成在所述基底上。

所述光刻胶图案可利用本发明所属技术领域中众所周知的光刻胶组合物及光刻胶图案的形成方法来形成。

此时，对组成所述光刻胶组合物的成分没有特别限制，可包括常规的聚合物树脂、光敏化合物、溶剂、其他添加剂。

所述聚合物树脂的典型例子有苯氧基树脂、聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂等。

具体地，所述酚醛树脂可以是将酚类化合物和醛类化合物或酮类化合物在酸性催化剂下进行缩聚反应而得到的树脂。例如，作为所述酚醛树脂可使用间甲酚单独合成的酚醛树脂、对甲酚单独合成的酚醛树脂、使用间苯二酚的酚醛树脂、将水杨醛和苯甲醛进行反应而制成的酚醛树脂、将间甲酚、对甲酚、间苯二酚等混合后进行反应而制成的酚醛树脂等。

作为所述酚类化合物的具体示例可举出苯酚、邻甲酚、间甲酚、对甲酚、2,3-二甲基苯酚、3,4-二甲基苯酚、3,5-二甲基苯酚、2,4-二甲基苯酚、2,6-二甲基苯酚、2,3,6-三甲基苯酚、2-叔丁基苯酚、3-叔丁基苯酚、4-叔丁基苯酚、2-甲基间苯二酚、4-甲基间苯二酚、5-甲基间苯二酚、4-叔丁基邻苯二酚、2-甲氧基苯酚、3-甲氧基苯酚、2-丙基苯酚、3-丙基苯酚、4-丙基苯酚、2-异丙基苯酚、2-甲氧基-5-甲基苯酚、2-叔丁基-5-甲基苯酚、百里香酚或异百里香酚(isothymol)等，它们分别可以单独使用或者混合使用。

作为所述醛类化合物的具体示例可举出甲醛、福尔马林、多聚甲醛、三聚甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、苯乙醛、α-苯基丙醛、β-苯基丙醛、邻羟基苯甲醛、间羟基苯甲醛、对羟基苯甲醛、邻氯苯甲醛、间氯苯甲醛、对氯苯甲醛、邻甲基苯甲醛、间甲基苯甲醛、对甲基苯甲醛、对乙基苯甲醛、对正丁基苯甲醛或对苯二甲酸醛(terephthalicacidaldehyde)等，它们分别可以单独使用或者混合使用。

作为所述酮类化合物的具体示例可举出丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、二苯基酮(diphenylketone)，它们分别可以单独使用或者混合使用。

在所述光刻胶组合物中，所述光敏化合物可使用二叠氮化合物，所述二叠氮光敏化合物可以是将多羟基二苯甲酮、1,2-二叠氮基萘醌及2-重氮-1-萘酚-5-磺酸等化合物进行反应而制成的化合物。例如，所述二叠氮光敏化合物可以是将三羟基二苯甲酮和2-重氮-1-萘酚-5-磺酸进行酯化反应而制成的2,3,4-三羟基二苯甲酮-1,2-二叠氮基萘醌-5-磺酸酯；或者将四羟基二苯甲酮和2-重氮-1-萘酚-5-磺酸进行酯化反应而制成的2,3,4,4’-四羟基二苯甲酮-1,2-二叠氮基萘醌-5-磺酸酯，它们可以单独使用或者混合使用。而且，当混合使用所例示的二叠氮化合物时，对混合比率没有特别限制，可按所属领域的技术人员众所周知的比例进行混合。

所述有机溶剂可使用现有光刻胶组合物中使用的普通有机溶剂。例如，可使用能够溶解所述光刻胶组合物的各成分且易于形成涂膜的乙二醇醚(glycolether)类、乙二醇烷基醚醋酸酯(ethyleneglycolalkyletheracetate)类或二乙二醇(diethyleneglycol)类等。优选地，所述有机溶剂可使用选自丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、2-甲氧基乙酸乙酯、丙二醇单甲醚、甲基乙基酮、甲基异丁基酮及1-甲基-2-吡咯烷酮中的一种以上溶剂。

此外，所述光刻胶组合物根据需要还可以包含常规添加剂，以提高光刻胶的光敏性。更具体地，所述光刻胶组合物根据需要还可以包含着色剂、染料、增塑剂、促粘剂、表面活性剂、抗条纹剂等添加剂。

另外，作为所述光刻胶组合物的组分所例示的化合物是可使用的一个例子而已，本发明的图案形成方法并不限于所例示的光刻胶组合物。

所述光刻胶组合物可通过常规涂布方法(包括浸涂、喷涂、旋涂)涂布在基底上。

然后，针对涂布有所述光刻胶组合物的区域，利用掩膜图案等选择性地进行曝光(exposure)。对于所述曝光工艺，将掩膜图案置于基底和光源之间，使来自光源的光线透射到没有图案的部分，从而使光刻胶组合物受光。

对所述曝光的光刻胶组合物进行显影(development)，以形成光刻胶图案。

更具体地，将所述曝光的基板充分地浸渍于碱性显影水溶液中，直至曝光部位的光刻胶膜全部或大部分被溶解。此时，所述显影水溶液优选使用含有碱性氢氧化物、氢氧化铵或氢氧化四甲基铵(tetramethylammoniumhydroxide)的水溶液。将曝光部位被溶解移除后的基板从显影液取出清洗及干燥，即可形成所要形状的光刻胶图案。

通过所述的过程形成的光刻胶图案随着选择性曝光及显影具有阴刻部和阳刻部。所述阴刻部是露出所述光刻胶图案下面的基底或膜的部分，而所述阳刻部是没有露出所述基底且具有一定高度的图案部分。

根据本发明的电极图案的形成方法，所述光刻胶图案的阴刻部中涂布填充导电胶后进行固化，从而按照所述光刻胶图案的阴刻部形状形成电极图案。

所述光刻胶图案的阴刻部中涂布导电胶的步骤可通过包括挤压涂布法(sqeezingcoating)、刮刀涂布法(刮刀coating)的刮涂法(bladecoating)、及旋涂法(spincoating)等方法来进行，但本发明不限于此。

另外，所述导电胶涂布后，还可以进行平坦化步骤，将所述光刻胶图案的阴刻部都填满后的余量导电胶移除，以均匀地调整所述导电胶的涂布高度使其与阳刻部的高度对齐使表面平坦。此时，对用于移除所述余量导电胶的手段或方法没有特别限制，可使用刮刀(blade)、挤压件(sqeeze)、清洗液等物理性、化学性手段。

对所述导电胶没有特别限制，只要是导电性优异且通过烧结或固化可形成电极的即可，但是根据本发明一实施例，可以是将银(ag)作为主成分包含的银胶(agpaste)。作为所述导电胶使用银胶时，所述银胶可包含银粉末、粘合剂、溶剂、玻璃粉(glassfrit)、其他添加剂等，但本发明不限于此，可使用本发明所属技术领域中已知的银胶。

所述银胶由于导电性优异，特别是在形成触摸屏用电极图案时被广泛应用。利用所述银胶来形成电极图案的方法有网印法(screenprintingmethod)、压印法(imprintingmethod)、光刻法(photolithography)等。

对于网印法，使用具有要形成的电极图案形状的丝网版将印刷型导电胶组合物按一定厚度印刷到基板表面上再进行固化，以形成电极图案。这种基于丝网印刷的方法与压印法及光刻法相比制造设备及工艺简单，从而可以减少设备及材料费用，但是难以实现80微米以下的电极布线微小图案。

对于凹版胶印法，用刮刀将印刷型导电胶组合物刮涂到阴刻凹版辊后，一次转印到平坦的基板上，以在基底上形成图案。这种基于凹版胶印的方法与光刻法相比制造设备及工艺简单，从而可以减少设备及材料费用，但是难以实现20微米以下的电极布线微小图案。

对于压印法，在光固化树脂或热固化树脂等固化树脂上用压印戳(stamp)形成电极图案。然而，难以形成需要对齐(alignment)的复杂图案以及不易移除残留物，因此难以形成高质量的图案。特别是，在所述压印法中，也可以利用聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,pdms)等聚合物模具(workingmold)来形成图案，但是应用于连续工艺时，模具上会留下残留物，有可能造成操作困难以及模具寿命缩短。

对于光刻法，首选，通过溅射工艺在基板上形成导电膜，再将光刻胶涂布在导电膜上，然后利用掩膜对光刻胶选择性地进行曝光，以暴露出导电膜的一部分。将露出的导电膜通过蚀刻移除以形成电极图案，而且移除余下光刻胶，最终完成电极图案。这种光刻法虽然可以实现微小线宽，但在真空中沉积导电膜后，需要进行光刻胶涂布、曝光、显影、蚀刻及剥离工艺，因此要经过复杂的工艺，还要配备昂贵的设备，从而造成投资成本及生产成本增加。

相比之下，本发明的电极图案的形成方法利用光刻胶图案来设计电极图案，因此电极图案的线宽、尺寸及形状的设计自由度高以及位置精度优异，从而可以形成具有高分辨率及均匀线宽的电极图案。而且，对导电膜不是通过光刻法进行图案化，而是通过常规光刻胶工艺先形成光刻胶图案后，仅在被图案化的部分上涂布导电胶进行固化，因此不需要进行蚀刻及水洗等工艺，从而可通过较为简单的工艺进行图案化，而且不会增加设备负担，还可以减少材料费用。

根据本发明一实施例，在对所述导电胶进行固化的步骤中，可在约60℃至约600℃的温度下进行约3分钟至约60分钟的干燥及/或烧结。具体地，在约60℃至约250℃下蒸发掉溶剂并进行固化，或者在基底的玻璃转移温度以上且约600℃以下的温度下进行烧结，从而可以形成电极图案，但是不限于此。

如上所述，将导电胶加热至一定温度进行烧结，就会按照所述光刻胶图案的阴刻部形状形成电极图案。

然后，所述光刻胶图案可根据需要不移除或者部分移除或者全部移除。如果不移除而留下所述光刻胶图案，则可以起到所述电极图案的支架及/或绝缘部的作用。

如果将所述光刻胶图案全部移除，则可以作为透明电极来使用，而且可以移除有可能留在所述光刻胶图案的阳刻部上的导电胶的部分残余物(residue)，从而会有助于提高电极图案的可靠性。另外，如果移除所述光刻胶图案的一部分，则未被移除的余下部分支撑所形成的图案，还可以起到减少电极金属的迁移(migration)及噪音的作用。

所述光刻胶图案的移除可采用本发明所属技术领域中众所周知的光刻胶图案的移除方法，如选择适当的剥离液以及调整暴露于剥离液的时间等。

如上所述，根据本发明的电极图案的形成方法，对图案的尺寸及形状的设计自由度高以及位置精度优异，因此可以形成具有高分辨率及均匀线宽的电极图案。特别是，亦可容易形成具有10微米以下的微小线宽的图案。

此外，在形成电极图案的期间，光刻胶图案起到支撑电极图案的作用，因此清晰度、平坦度、平直度等优异，从而可以提高电极图案的质量，还可以实现微小的各种图案。

进一步地，对所述光刻胶图案可以选择性地进行剥离或者不进行剥离，如果进行剥离，则可以移除有可能留在阳刻部的部分残余物，如果不进行剥离，则可以起到电极图案的支架及/或绝缘部的作用。

进一步地，由于通过填充光刻胶图案的阴刻部后进行固化的方式来形成电极图案，因此对用于形成电极图案的导电胶所要求的粘弹性、显影裕度等性能要求参考值会降低，从而用廉价的导电胶也可以形成微小线宽的高质量图案，有利于提高生产率。

此外，根据本发明的另一方面提供一种电极图案，其包括基底；以及形成在所述基底上的电极，所述电极形成为截面呈u字形、v字形、上面开放的梯形、上面开放的倒梯形、或者上面开放的矩形。

本发明的电极图案可通过所述的电极图案的形成方法来制造。

根据一个例子，所述电极图案可包括：基底；光刻胶图案，其以具有阴刻部及阳刻部的形式形成在所述基底上；以及电极，其以填充所述光刻胶图案的阴刻部的形式形成。

以填充所述光刻胶图案的阴刻部的形式形成电极是指以如下方式形成电极：在基底上涂布光刻胶组合物并选择性地进行曝光后，对曝光的光刻胶组合物进行显影，再填充所形成的光刻胶图案中高度低于周边的部分，即光刻胶被移除而变得高度低于周边的阴刻部的一部分或全部。

也就是说，对于所述电极图案的形成方法，如上所述可通过光刻胶的阴刻部中填充用于形成电极图案的导电胶进行固化来形成电极，当电极填满阴刻部时，形成有电极的部分的高度会与周边的光刻胶阳刻部相同。

与此不同的是，电极的高度也能以仅填充阴刻部的一部分的形式形成。即，在所述导电胶的干燥及固化过程中，所述导电胶中包含的溶剂被除去或者所述导电胶的体积会减少，从而能够以仅在阴刻部的一部分形成电极的形式形成电极图案。

仅在阴刻部的一部分形成电极的形式是指以如下形式：当观察所述电极的截面时，电极按一定厚度涂布在阴刻部的侧面及所述光刻胶被移除而露出的基底上，更具体地，所形成的电极其截面呈u字形、v字形、上面开放的梯形、上面开放的倒梯形、上面开放的矩形等。

图4是根据本发明一实施例的电极图案截面的模式图。

参见图4可以确认，电极图案包括：基底10；光刻胶图案30，其以具有阴刻部30a和阳刻部30b的形式形成在所述基底上；以及电极40，其以填充所述光刻胶图案的阴刻部的形式形成。

特别是图4的情形，当观察所述电极的截面时，电极40以涂布在光刻胶被移除的部分(阴刻部30a)的表面(侧面)及因所述光刻胶被移除的部分而露出的基底10上的形式形成，所形成的电极其截面呈u字形、v字形、上面开放的梯形、上面开放的倒梯形、上面开放的矩形等。

另外，在所述电极图案的形成方法中，如上所述在形成电极后，所述光刻胶图案的阳刻部30b其至少一部分或全部可被移除。

图5是本发明一实施例的电极图案截面的模式图。

参见图5可以确认，在基底10、以具有阴刻部30a和阳刻部30b的形式形成在所述基底上的光刻胶图案30、及以填充所述光刻胶图案的阴刻部的形式形成的电极40中，就连留在阳刻部30b的光刻胶图案30也被移除。

如上所述，对于以具有所述阴刻部及阳刻部的形式形成的光刻胶图案，根据需要可以不移除，或者可以部分移除，或者可以全部移除。当留下所述光刻胶图案不移除时，可以起到所述电极图案的支架及/或绝缘部的作用。

另外，当移除所述光刻胶图案的至少一部分时，可以移除有可能留在所述光刻胶图案的阳刻部上的导电胶的残余物(residue)，从而会有助于提高电极图案的可靠性，而且根据移除程度，未被移除的余下部分可以支撑所形成的图案以及起到可减少噪音的绝缘层的作用，这一点如上所述。

根据本发明一实施例的电极图案由于具有如上所述的特征，可以实现超微小线宽，电极的线宽为约10μm以下，优选为约1μm至约10。因此，可有效地应用于要求微小电极图案的各种装置，特别是有利于形成触摸屏面板(tsp)所具备的触控传感器等。

下面，对本发明的电极图案的形成方法在下述实施例中进一步详细地说明。但，下述实施例只是用于例示本发明，本发明的内容并不限于下述实施例。

<实施例>

电极图案的形成

实施例1

作为用于形成电极图案的基底准备了本发明所属技术领域中通常使用的钠钙玻璃基板。

将光刻胶组合物(dtfr-jc800，正型，制造商：东进世美肯)通过旋涂法按6μm的厚度涂布在所述基底上，再利用烤胶机(hotplate)在90℃下预烘烤120秒。预烘烤后测得的厚度为3μm。

然后，对涂布有光刻胶组合物的区域利用掩膜图案通过接近式曝光机(制造商：seiwa)以波长为365nm的光线进行曝光，所述掩膜图案为用于形成一条线的线宽为10μm的图案的掩膜图案，累积曝光量为40mj。

将所涂布的光刻胶组合物通过曝光被部分固化的基板于显影液(产品名称：dpd-200，碱性显影液，制造商：东进世美肯)中在25℃下浸渍60秒进行显影，从而形成光刻胶图案。所形成的光刻胶图案根据掩膜图案的形状会具有线宽为10μm的网状(meshpattern)的阴刻部和阳刻部。

在所形成的光刻胶图案的阴刻部中填充含银(ag)导电胶(产品名称：dni-100，制造商：东进世美肯，银颗粒大小为30nm至40nm)，并利用刮刀(squeegeeblade)使表面平坦化，以使被填充的导电胶的高度与光刻胶图案的阳刻部的高度对齐。

另外，用ir固化机(制造商：youngamindustrialco.,ltd.)在85℃下加热13分钟，对导电胶进行固化。

在确认导电胶被固化而形成电极后，将基板浸渍在用于移除光刻胶的溶液(产品名称：dps7300，胺类移除液，制造商：东进世美肯)中，从而将光刻胶全部移除。

实施例2

除了线宽为8μm之外，通过与所述实施例1相同的方法形成了电极图案。

实施例3

除了线宽为5μm之外，通过与所述实施例1相同的方法形成了电极图案。

实施例4

除了线宽为3μm之外，通过与所述实施例1相同的方法形成了电极图案。

实施例5

线宽为50μm，在其周围形成线宽为几百μm的大面积图案。除此之外，通过与所述实施例1相同的方法形成了电极图案。

图2是用光学显微镜(opticalmicroscope)观察根据所述实施例1至4按照各线宽形成的电极图案的图片。

从图2可以确认，形成了线宽分别为10μm、8μm、5μm、3μm的网状(meshpattern)的电极图案，而且良好地形成了各种线宽的图案。

图3是用光学显微镜观察根据所述实施例5形成的电极图案的图片。

从图3可以确认，50μm微小线宽和宽度为几百μm的大面积图案形成在一个基底上，通过本发明可以同时良好地形成各种形状的电极图案。

图6是用光学显微镜观察在通过所述实施例形成的电极图案中形成电极后移除光刻胶之前的表面的图片。

从图6可以确认，电极图案包括：基底、以具有阴刻部和阳刻部的形式形成在所述基底上的光刻胶图案、及以填充所述光刻胶图案的阴刻部的形式形成的电极。

具体地，在所述图6中，黑色阴暗部分是移除之前的光刻胶的阳刻部，明亮部分是所述光刻胶图案的阴刻部中形成金属成分电极的形状。所述电极其截面形成为v字形或倒梯形，其中心部相对较暗。

图7是用sem观察所述实施例3(线宽为5μm)中形成的电极图案的表面的图片，图8是用sem观察实施例3(线宽为5μm)中形成的电极图案的截面的图片。

从所述图7及图8可以确认，在以填充光刻胶图案的阴刻部的形式形成的电极中，留在阳刻部上的光刻胶图案被完全移除，从而电极在基底上形成为开放的倒梯形形状。

符号说明

10：基底

20：被涂布的光刻胶组合物

30：光刻胶图案

30a：阴刻部

30b：阳刻部

40：电极图案