一种基板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示面板领域，尤其涉及一种基板及显示装置。

背景技术：

随着触控技术不断更新，新材料研发及工艺能力的不断优化，触控性能(包括触控灵敏性)得到更大程度上提高，用户需求体验要求达到新的高度，各类触控电子产品采用的触控技术分为OGS/in-cell/on-cell三种主流技术，OGS因其触控灵敏性在大尺寸上占据优势，on-cell/In-cell在小尺寸产品上有成本优势。针对大尺寸OGS及其他高性能要求的触控模组，为了降低触控模组的成本，现有的制作工艺中，经常采用具有价格优势及低方阻特点的纯铝靶材，而由于旋转靶材设备的节拍时间短，每次镀膜的膜厚有一定的极限值，因而针对触控模组中低方阻的金属膜层，需要对其进行多次镀膜，但是将纯铝工艺应用到触控模组上时，采用纯铝多次镀膜的膜质较差，小丘出现的概率明显增大，容易导致屏幕不良的现象。

综上所述，目前现有的大尺寸OGS及其他高性能要求的触控模组中，针对触控模组中低方阻的金属膜层，采用多次镀膜的膜质较差，小丘现象出现的概率明显增大，容易导致屏幕不良的现象。

技术实现要素：

本发明实施例提供的一种基板及显示装置，用以解决现有的大尺寸OGS及其他高性能要求的触控模组中，针对触控模组中低方阻的金属膜层，采用多次镀膜的膜质较差，小丘现象出现的概率明显增大，容易导致屏幕不良现象的问题。

本发明实施例提供的一种基板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的信号线，所述信号线包括：至少两个主膜层，以及设置在每相邻的两个主膜层之间的第一附加膜层；其中，

所述主膜层的导电率大于所述第一附加膜层的导电率；所述主膜层的结晶度低于所述第一附加膜层的结晶度。

本发明实施例提供的基板中的信号线由至少两个主膜层构成，即低方阻的信号线需要多次镀膜时，在每相邻的两个主膜层之间，增加结晶度更高的第一附加膜层，可以减小待镀的主膜层上小丘出现的几率，提高屏幕的良率。

较佳的，所述信号线还包括：设置在所述信号线上靠近所述衬底基板一侧的第二附加膜层；和/或，设置在所述信号线上背离所述衬底基板一侧的第三附加膜层；其中，所述第二附加膜层和所述第三附加膜层为用于增加所述信号线附着力的膜层。

较佳的，所述主膜层的刻蚀速率均小于所述第一附加膜层、所述第二附加膜层和所述第三附加膜层的刻蚀速率。

较佳的，所述第二附加膜层和所述第三附加膜层的材料均与所述第一附加膜层的材料相同。

较佳的，所述第一附加膜层、所述第二附加膜层或所述第三附加膜层的材料为下列材料之一或组合：钼、铬或镍。

较佳的，所述主膜层的材料为下列材料之一或组合：铝、银或铜。

较佳的，所述第一附加膜层的厚度为150埃-350埃。

较佳的，所述信号线的方阻小于0.2欧姆。

较佳的，所述信号线包括以下之一或组合：数据线、栅极线、电路补偿调试线或其他连接线。

本发明实施例提供的一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例提供的上述基板。

附图说明

图1为本发明实施例提供的第一种信号线的膜层结构示意图；

图2为本发明实施例提供的第二种信号线的膜层结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

附图中各个膜层的厚度和区域大小形状不反映基板和信号线的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种基板，是在现有基板的基础上，对基板上的信号线进行重新设计优化，改变了现有的信号线的结构，本发明适用于任意类型的基板，如阵列基板、对向基板或触摸基板等。下面对其具体结构进行详细的说明。

如图1所示，为本发明实施例提供的第一种信号线的膜层结构示意图；本发明实施例提供的一种基板，包括衬底基板和设置在衬底基板上的信号线10，信号线10包括：至少两个主膜层101，以及设置在每相邻的两个主膜层之间的第一附加膜层102；其中，主膜层101的导电率大于第一附加膜层102的导电率；主膜层101的结晶度低于第一附加膜层102的结晶度。

在具体实施时，现有的大尺寸OGS及其他高性能要求的触控模组中，针对触控模组中低方阻的金属膜层，如多层镀膜的信号线包括至少两个主膜层101，由于采用多次镀膜的膜质较差，小丘现象出现的概率明显增大，容易导致屏幕不良的现象，因而本发明实施例在每相邻的两个主膜层101之间设置一个第一附加膜层102。为了保证主膜层为主要导电膜层，需要设置主膜层101的导电率远大于第一附加膜层102的导电率，而为了使镀的膜层更加平整，减少小丘的出现，需要选取结晶度比主膜层101的结晶高的材料作为第一附加膜层102。

如图1所示，在上下两个主膜层101的中间，设置一个第一附加膜层102，由于第一附加膜层102的结晶度比主膜层101的结晶度要高，因而可以减小待镀的主膜层上小丘出现的几率，提高屏幕的良率。例如，采用纯铝工艺制作的信号线，可以先镀一层铝作为主膜层101，再在铝层的上方镀一层结晶度较高的钼(即第一附加膜层102)，以增加膜层的平整性，再在钼层的上方镀一层铝(即上层的主膜层101)，相比于在铝层上直接镀铝的方式，可以大大减小小丘出现的几率。

由于本发明主要是针对基板上信号线结构的改进，因而本发明实施例中的附图都没有画出整个基板的结构示意图，因为信号线的具体类型、以及设置在基板上的位置等，都可以根据需要进行设置，在此可以不做限定，本发明实施例提供的信号线可以是基板上的任意需要多层镀膜的信号线，较佳的，信号线包括以下之一或组合：数据线、栅极线、电路补偿调试线或其他连接线。只要是设置在基板上，且需要多次镀膜的信号线，都可以采用本发明的方法。

在具体实施时，为了增加主膜层的附着力，可以在主膜层的上下两侧分别设置一层附加膜层，如图2所示，为本发明实施例提供的第二种信号线的膜层结构示意图；较佳的，信号线还包括：设置在信号线上靠近衬底基板一侧的第二附加膜层103；和/或，设置在信号线上背离衬底基板一侧的第三附加膜层104；其中，第二附加膜层103和第三附加膜层104为用于增加信号线附着力的膜层。

进一步的，针对如图2所示的信号线，中间的第一附加膜层除了能够减少主膜层出现小丘的几率外，还可以改善在设置第二附加膜层103和第三附加膜层104之后，进行各个膜层的刻蚀时，底层金属过度刻蚀的问题。

较佳的，主膜层的刻蚀速率均小于第一附加膜层、第二附加膜层和第三附加膜层的刻蚀速率。由于组成信号线的各个膜层中，主膜层的刻蚀速率最小，即增加的第一附加膜层的刻蚀速率比主膜层大，因而在进行刻蚀的过程中，第一附加膜层会比主膜层更快的刻蚀，增加了刻蚀液与主膜层接触的面积，进而提高了主膜层的刻蚀速度。

例如，钼-铝-铝-钼或钼-铝-铝-钼-氧化钼的结构，由于钼的刻蚀速率比铝要大，因而在刻蚀时，钼刻蚀速率较快，而铝被刻蚀的较慢，进而会出现底层金属过度刻蚀的问题；本发明实施例提供的信号线，是在现有的信号线结构的主膜层之间增加第一附加膜层，如将现有结构改善为钼-铝-钼-铝-钼或钼-铝-钼-铝-钼-氧化钼的结构，由于在两层刻蚀速率较慢的铝之间增加了一层刻蚀速率较快的钼，因而可以提高主膜层的刻蚀速度，减少底层金属被过度刻蚀的现象。

虽然增加第一附加膜层可以改善主膜层出现小丘现象的几率，以及改善底层金属被过度刻蚀的问题，但增加的第一附加膜层的厚度也需要根据需要进行设置，不能过厚，较佳的，第一附加膜层的厚度为150埃-350埃。优选的，第一附加膜层的厚度为350埃。由于第一附加膜层厚度太厚时，刻蚀的速度太快，因而可以设置在150埃-350埃，而设置在150埃-350埃时，改善小丘现象和底层金属过度刻蚀的效果最佳。

针对上述第一附加膜层、第二附加膜层和第三附加膜层的材料，可以根据需要进行选取，较佳的，第二附加膜层和第三附加膜层的材料均与第一附加膜层的材料相同。

在具体实施时，可以使第一附加膜层、第二附加膜层和第三附加膜层的材料相同，例如，全都采用钼，也可以根据需要选取不同的材料，较佳的，第一附加膜层、第二附加膜层或第三附加膜层的材料为下列材料之一或组合：钼、铬或镍。只要是保证，第一附加膜层、第二附加膜层和第三附加膜层的刻蚀速率比主膜层的刻蚀速率大，且导电率小即可。

而针对主膜层，只要是能够用于制作金属信号线的材料均可，例如用于制作栅极线和/或数据线的材料等，在此可以不做限定，较佳的，主膜层的材料为下列材料之一或组合：铝、银或铜。

由于本发明要解决的减少小丘现象，以及底层金属过度刻蚀的问题，都是针对两次或者多次镀膜、且膜层较厚的金属层，因而可以根据需要选择信号线方阻较小的，较佳的，信号线的方阻小于0.2欧姆。由于方阻大于0.2欧姆的金属膜层，一般厚度都较薄，采用本发明的方法改善效果不明显，因而一般适用于方阻小于0.2欧姆的信号线。

在具体实施时，上述信号线可以通过任意镀膜方法进行镀膜，较佳的，可以采用利用率较高的旋转靶材进行制作，同时，由于旋转靶材的节拍时间较短，因而镀膜的厚度有一定极限值，需要采用多次镀膜的方式，本发明实施例提供的信号线，可以在镀膜过程中设置附加膜层。

基于同一构思，本发明实施例中还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例中提供的上述任一基板。由于该显示装置解决问题的原理与本发明实施例一种基板相似，因此该显示装置的实施可以参见基板的实施，重复之处不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的基板中的信号线由至少两个主膜层构成，即低方阻的信号线需要多次镀膜时，在每相邻的两个主膜层之间，增加结晶度更高的第一附加膜层，可以减小待镀的主膜层上小丘出现的几率，提高屏幕的良率。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。