一种触控显示面板及触控显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板及触控显示装置。

背景技术：

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display，有源矩阵驱动有机发光二极管显示装置)具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。特别是柔性AMOLED，因其具有轻薄、可弯曲或折叠、能任意改变形状等优点，正越来越受到市场重视。

现有技术中，当AMOLED集成有触控功能时，如图1所示，该 AMOLED中的每一个触控电极10均需要延伸至显示面板的边缘，从而可以利用上述触控电极10的延伸部分与位于显示面板边缘的金属引线相连接，进而通过该金属引线，将触控电极10与IC端电连接。在此情况下，由于各个触控电极10与IC端的距离不同，导致IC端到各个触控电极10的电阻压降(IR Drop)不同，从而使得触控电极 10的延伸部分的长度不同。这样一来，各个触控电极10接收和输出的信号也不同，从而降低了触控均一性。

技术实现要素：

本实用新型的实施例提供一种触控显示面板及触控显示装置，用于解决IC端到各个触控电极的IR Drop不同的问题。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本实用新型实施例的一方面，提供一种触控显示面板，包括相对设置的TFT背板以及第一电极层；所述第一电极层包括多个绝缘且同层设置的触控电极；所述TFT背板包括像素定义层；所述像素定义层上设置有至少一个第一通孔；一个所述第一通孔与一个所述触控电极相对应；所述TFT背板还包括至少一条触控引线，一所述触控电极通过与其对应的所述第一通孔与一所述触控引线相连接。

可选的，所述触控显示面板包括多个亚像素；所述像素定义层上还设置有多个第二通孔；所述第二通孔与所述亚像素一一对应；所述第二通孔内设置有第二电极层；所述第二电极层与所述TFT背板上位于所述亚像素内的像素电路相连接。

可选的，所述第二通孔内还设置有有机材料功能层，所述有机材料功能层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间；其中，所述有机材料功能层至少包括有机发光层。

可选的，所述TFT背板包括栅线，所述触控引线与所述栅线同层同材料；所述触控引线与所述栅线平行。

可选的，所述TFT背板上的TFT为顶栅型TFT。

可选的，所述TFT背板包括数据线，所述触控引线与所述数据线同层同材料；所述触控引线与所述数据线平行。

可选的，所述TFT背板还包括平坦层；所述平坦层位于所述像素定义层靠近所述TFT背板衬底基板的一侧表面。

可选的，所述第一电极层中多个所述触控电极呈矩阵形式排列，且任意两个所述触控电极的面积相等。

可选的，所述TFT背板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述顶栅型TFT的有源层与所述TFT背板的衬底基板之间。

本实用新型实施例的另一方面，提供一种触控显示装置，包括如上所述的任意一种触控显示面板。

本实用新型提供一种触控显示面板及触控显示装置，该触控显示面板中各个触控电极通过位于像素定义层上的第一通孔直接与位于该触控电极下方的，且制作于TFT背板上的触控引线相连接。这样一来，各个触控电极可以通过上述触控引线连接到IC端，因此各个触控电极无需延伸至显示面板的边缘后再通过金属引线与IC端相连接，从而可以减小IC端到各个触控电极的IR Drop，以提高触控均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种触控电极的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种触控电极的连接方式示意图；

图3为本申请实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图；

图4为图2中触控电极与亚像素的对应结构示意图；

图5为本申请实施例提供的另一种触控显示面板的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的又一种触控显示面板的结构示意图；

图7为图6中有机材料功能层的具体结构示意图；

图8为本申请实施例提供的一种触控显示装置的结构示意图。

附图标记：

01-TFT背板；100-第一电极层；101-第二电极层；10-触控电极； 11-触控芯片；12-显示驱动芯片；20-亚像素；21-衬底基板；22-栅极绝缘层；23-缓冲层；24-有源层；30-像素定义层；31-平坦层；40-触控引线；41-第一通孔；42-第二通孔；43-有机材料功能层；431-有机发光层；432-空穴注入层；433-空穴传输层；434-电子传输层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本申请实施例提供一种触控显示面板，该触控显示面板包括如图 2所示的第一电极层100，该第一电极层100包括多个绝缘且同层设置的触控(Sensor)电极10。该触控电极10为自电容电极。

为了便于触控操作，该第一电极层100中多个触控电极10呈矩阵形式排列。此外，为了保证各个触控电极10电量的均一性，可选的，任意两个触控电极10的面积相等。

在此基础上，上述触控显示面板，如图3所示，还包括与该第一电极层100相对设置的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)背板01。该TFT背板01包括衬底基板21以及制作于该衬底基板21上的TFT阵列。

其中，上述衬底基板21可以为透明的玻璃基板，或者还可以由透明树脂材料制作而成的硬质的或柔性的基底。

此外，该TFT背板上划分有如图4所示的多个呈矩阵形式排列的亚像素20。每个亚像素20内设置有主要由TFT构成的像素电路。基于此，在上述第一电极层100中的多个触控电极10呈矩阵排列，且任意两个触控电极10的面积相等的情况下，每个触控电极10所覆盖的亚像素20的数量相同。

在此基础上，上述TFT背板01如图3所示，还包括像素定义层 (PDL)30。该像素定义层30上设置有至少一个第一通孔41。具体的，如图2所示，一个第一通孔41与一个触控电极10相对应。

在此情况下，该TFT背板还包括至少一条触控引线40。一个触控电极10通过与其对应的第一通孔41与一触控引线40相连接。该触控引线40直接与IC端相连接，从而使得触控电极10可以通过上述触控引线40将采集到的触控信号输出至IC端。

由上述可知，本申请实施例提供的触控显示面板中，各个触控电极10通过位于像素定义层30上的第一通孔41直接与位于该触控电极10下方的，且制作于TFT背板上的触控引线40相连接。这样一来，各个触控电极10可以通过上述触控引线40连接到IC端，因此各个触控电极10无需延伸至显示面板的边缘后再通过金属引线与IC 端相连接，从而可以减小IC端到各个触控电极10的IR Drop，以提高触控均一性。

上述触控引线40由金属材料构成。以下，对该触控引线40的设置方式进行举例说明。

例如，在TFT背板上设置有栅线的情况下，为了简化制作工艺，可选的，触控引线40与上述栅线同层同材料。

这样一来，可以通过一次构图工艺在制备栅线以及如图3所示的 TFT的栅极G的同时，完成上述触控引线40的制备。

需要说明的是，在本申请中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本实用新型中所形成的结构选择相应的构图工艺。

其中，本实用新型实施例中的一次构图工艺，是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。

此外，为了优化布线空间，使得显示区域内的布线整齐，可选的，上述触控引线40可以与上述栅线平行设置。

基于此，上述TFT背板01上的TFT可以如图3所示为底栅型 TFT，或者如图5所示为顶栅型TFT。本申请实施例对此不做限定。

其中，对于底栅型TFT是指，TFT中栅极G相对于栅极绝缘层 22而言，更靠近衬底基板21。而顶栅型TFT是指，TFT中栅极G相对于栅极绝缘层22而言更远离衬底基板21。

此外，当上述TFT背板01上的TFT为顶栅型TFT时，如图5 所示，该TFT背板01还包括缓冲层23，该缓冲层23位于上述顶栅型TFT的有源层24与TFT背板01的衬底基板21之间。其中，构成该缓冲层23的材料可以为氮化硅(SiN_X)或二氧化硅(SiO₂)中的至少一种。这样一来，通过上述缓冲层23可以减小衬底基板21中的杂质对有源层24的影响。

或者，当上述触控引线40由金属材料构成时，该触控引线40 的设置方式又例如：

在上述TFT背板包括数据线的情况下，该触控引线40可以与数据线同层同材料。在此情况下，可以通过一次构图工艺在制备数据线以及如图6所示的TFT的源极S或漏极D的同时，完成上述触控引线40的制备。

此外，为了优化布线空间，使得显示区域内的布线整齐，可选的，该触控引线40与数据线平行。

需要说明的是，TFT背板01上同一层金属线的布线空间有限，因此可选的，该触控显示面板的多条触控引线40中的一部分可以与栅线同层同材料，另一部分可以与数据线同层同材料。从而可以避免所有的触控引线40均设置在同一层，导致布线空间较小的问题。

在此基础上，如图6所示，上述像素定义层30上还设置有多个第二通孔42。该第二通孔42与亚像素20一一对应。

其中，该第二通孔42内设置有第二电极层101。该第二电极层 101与TFT背板01上位于该亚像素20内的像素电路相连接。具体的，该第二电极层101通过上述第二通孔42与该像素电路中的至少一个 TFT的源极S或漏极D相连接。

此外，上述第二通孔42内还设置有有机材料功能层43，该有机材料功能层43位于第一电极层100和第二电极层101之间。

其中，上述有机材料功能层43，如图7所示，包括有机发光层 431。此外，该有机材料功能层43还包括空穴注入层432、空穴传输层433以及电子传输层434等。

基于此，当该触控显示面板执行显示功能时，在第一电极层100 和第二电极层101的电场作用下，位于不同亚像素20中的有机发光层431可以激发出不同的颜色，例如红色(R)、绿色(G)以及蓝色(B)等。

此时，上述第一电极层100可以作为OLED器件的阴极，而第二电极层101可以作为该OLED器件阳极。

在此基础上，当该触控显示面板执行触控功能时，上述阴极中的各个块状电极可以被复用为触控电极10。以对用户的触控信号进行采集，并通过触控引线40传输至与该触控显示面板绑定的IC端。

由上述可知，该触控显示面板上的阴极被复用为触控电极10，因此该触控电极10设置于触控显示面板内部，所以该触控面板为内嵌式(Full In Cell)触控面板。

在此基础上，当上述第一电极层100位于该触控显示面板的显示侧时，为了避免对显示效果造成影响，可选的，构成该第一电极层100的材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide， ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)等。

此外，构成上述第二电极层101的材料可以为上述透明导电材料，或者还可以为金属材料，例如金属铝、金属钼以及金属钛中的至少一种。

进一步的，如图6所示，该TFT背板01还包括平坦层(PLN) 31，该平坦层31位于像素定义层30靠近该TFT背板01的衬底基板 21的一侧表面。

这样一来，上述平坦层31可以提高未制作像素定义层30的TFT 背板01表面的平坦度，从而在依次制作有第二电极层101、像素定义层30、位于该像素定义层30的第二通孔42中的有机材料功能层 43、以及第一电极层100后，使得整个触控显示面板的上表面平整，有利于封装和产品质量的提升。

本申请实施例提供一种触控显示装置，包括如上所述的任意一种触控显示面板。该触控显示装置具有与前述实施例提供的触控显示面板相同的技术效果，此处不再赘述。

此外，如图8所示，该触控显示装置还包括设置于触控显示面板非显示区的FPC、触控芯片11和以及显示驱动芯片12等驱动部件或驱动电路。

需要说明的是，在本申请中，触控显示装置可以为电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。