的电容性耦合变化量；
[0025]利用处理器判断是否有任一感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值；在一感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值的情况下，利用处理器对包含该感测点的相邻二条或二条以上的驱动线与相邻二条或二条以上的感测线交越所形成的复数感测点的第二时间电容性耦合量进行运算以得到一平整度值；以及利用处理器判断该平整度值是否小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，若该平整度值小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，则判断感测面板上该感测点确实有外部导电对象触碰。
[0026]所述的触控判断方法中，对该等感测点的第二时间电容性耦合量进行运算，以得到一平整度值的步骤包括:
[0027]经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第一驱动线的第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量；
[0028]对第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第一差值；
[0029]经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第二驱动线的第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量；
[0030]对第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第二差值；
[0031]将第一差值及第二差值沿第二轴向进行差动运算得到该平整度值。
[0032]本发明提供的触控装置，包括:
[0033]一感测面板，其设置有沿第一轴向排列的复数驱动线，以及沿第二轴向且分别与各复数驱动线交叉的复数感测线；
[0034]一驱动及感测电路，其电性连接于各驱动线及各感测线，用以取得第一二维感测信息及第二二维感测信息；
[0035]一处理器，其电性连接于驱动及感测电路，用以计算电容性耦合变化量信息及复数平整度值，以判断感测面板的触控状态。
[0036]本发明又提出一种触控装置，包含:
[0037]复数驱动线及复数感测线，各驱动线及各感测线构成复数电容性耦合量的感测占.
[0038]一驱动及感测电路，电连接至各驱动线及各感测线；
[0039]一处理器，电连接至驱动及感测电路，该处理器控制驱动及感测电路通过各感测线在不同时间点先后取得各感测点的第一时间电容性耦合量及第二时间电容性耦合量，并且将各感测点的第二时间电容性耦合量减去对应的第一时间电容性耦合量以得到各感测点的电容性耦合变化量，并且判断是否有任一感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值，并且在一电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值的情况下，对包含该感测点的相邻二条或二条以上的驱动线与所有相邻二条或二条以上的感测线交越所形成的复数感测点的第二时间电容性耦合量进行运算以得到一平整度值；并且判断该平整度值是否小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，若该平整度值小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，则判断感测面板上该感测点确实有外部导电对象触碰。
[0040]所述的触控面板装置中，该处理器经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第一驱动线的第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量，并对第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第一差值，并经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第二驱动线的第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量，并对第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第二差值，并将第一差值及第二差值沿第二轴向进行差动运算得到该平整度值。
[0041]本发明在于避免水溃或手指等外部对象造成对触控装置的感测面板产生错误的触控判断，尤其指于第二二维感测信息中各第二时间电容性耦合量分别减去基准二维感测信息中各相对应的第一时间电容性耦合量后，所得到的电容性耦合变化量信息中任一电容性耦合变化量大于预设正门槛值或小于预设负门槛值时，由平整度信息中各平整度值是否介于预设平整度正比对值及预设平整度负比对值之间，来辅助判断感测面板的触控状态。
【附图说明】
[0042]图1为本发明较佳实施例的电路示意图。
[0043]图2为本发明触控判断方法的流程图之一。
[0044]图3为本发明触控判断方法的流程图之二。
[0045]图4为本发明平整度信息的示意图。
[0046]图5为触控装置的电路示意图。
[0047]图6为具水溃覆盖信息的一维感测信息示意图。
[0048]图7为水平线状波形减去负峰波形后所得的波形图。
[0049]图8为具手指触碰信息的一维感测信息示意图。
[0050]图9为水平线状波形减去正峰波形后所得的波形图。
[0051]附图中符号说明:
[0052]I触控装置，11感测面板，111驱动线，1111第一驱动线，1112第二驱动线，112感测线，1121第一感测线，1122第二感测线，113感测点；
[0053]12驱动及感测电路；
[0054]13处理器；
[0055]14存储器；
[0056]C电容性耦合量，C11第一感测点电容性耦合量，C12第二感测点电容性耦合量，C21第三感测点电容性耦合量，C22第四感测点电容性耦合量，Ca 二维感测信息，ca°基准二维感测信息，Cp局部二维感测信息；
[0057]D电容性耦合变化量，Da电容性耦合变化量信息，Dn负门槛值，Dp正门槛值；
[0058]S平整度值，Sa平整度信息；
[0059]Zmin平整度负比对值，Zmax平整度正比对值；
[0060]Al触控装置,All感测面板,Alll驱动线,A112感测线,A113感测点,A12驱动及感测电路，A13处理器，A14存储器；
[0061]BI负峰波形，B2水平线状波形，B3正峰波形。
【具体实施方式】
[0062]为能实现本发明的的上述目的及功效，本发明所采用的技术手段及其构造，结合附图就本发明的较佳实施例详加说明其特征与功能如下，以利完全了解。
[0063]请参阅图1所示，为本发明较佳实施例的电路示意图，由图中可以清楚看出，本发明触控判断方法是应用于互电容式触控装置I，该触控装置I设有感测面板11，感测面板11上设有复数沿第一轴向(即第一方向，例如横轴方向)延伸且平行排列的驱动线111及复数沿第二轴向(即第二方向，例如纵轴方向)延伸且平行排列的感测面板11，且各感测线112交叉于各驱动线111以形成有复数感测点113，又各驱动线111及各感测线112再分别电性连接至驱动及感测电路12，且驱动及感测电路12电性连接至处理器13，又处理器13电性连接至存储器14。
[0064]请结合参阅图2、图3所示，为本发明触控判断方法的流程图之一及触控判断方法的流程图之二，由图1、图2及图3中可以清楚看出，本发明触控装置及其触控判断方法流程包括:
[0065](201)驱动及感测电路12通过所有感测线112于所有驱动线111上取得有所有感测点113的第一时间电容性耦合量C，而将各第一时间电容性耦合量C与其相对应的感测点113位置信息组成第一二维感测信息Ca。
[0066](202)处理器13将该第一二维感测信息Ca做为基准二维感测信息Ca°。
[0067](203)驱动及感测电路12通过所有感测线112于所有驱动线111上取得有所有感测点113的第二时间电容性耦