用于非反相高效率降压-升压功率变换器的统一控制方案的制作方法_4

文档序号:9235011阅读:来源:国知局
以下各项中的一个或多个来确定最坏情况传递函数:一个或多个波特图的最小增益裕度和相位裕度。示例16包括示例13的方法,进一步包括基于状态空间平均和李亚普诺夫判据中的一个或多个来确定最坏情况传递函数。示例17包括示例10的方法,进一步包括一个或多个传感器检测以下各项中的一个或多个中的变化:温度、工作频率、工作电压以及功率消耗。
[0049]示例18包括系统,所述系统包括:具有一个或多个处理器核的处理器;补偿器逻辑,其用来使降压-升压功率变换器在该降压-升压功率变换器的升压操作模式下给输出电压提供比输入电压更高的电压电平并且以在该降压-升压功率变换器的降压操作模式下给输出电压提供比输入电压更低的电压电平,其中补偿器逻辑用以将N+1个比特提供给脉冲宽度调制(PWM)发生器逻辑以使降压-升压功率变换器提供输出电压,其中N+1个比特中的一个用以指示降压-升压功率变换器是否将提供降压操作或升压操作。示例19包括示例18的系统,其中降压操作模式或升压操作模式中的每一个都包括N个操作电压电平。示例20包括示例18的系统,其中降压-升压功率变换器将包括单开关式降压-升压功率变换器。示例21包括示例18的系统,其中补偿器逻辑将依照最坏情况传递函数操作。示例22包括示例21的系统,其中最坏情况传递函数将基于一个或多个波特图被确定。示例23包括示例21的系统,其中最坏情况传递函数将基于状态空间平均和李亚普诺夫判据中的一个或多个被确定。示例24包括示例18的系统,进一步包括親合到逻辑的一个或多个传感器,其中一个或多个传感器用以检测以下各项中的一个或多个中的变化:温度、工作频率、工作电压以及功率消耗。示例25包括示例18的系统,其中逻辑、处理器以及存储器中的一个或多个是在单个集成电路上。示例26包括示例18的系统,其中逻辑、处理器以及存储器中的一个或多个是在单个集成电路上。示例27包括示例18的系统,进一步包括一个或多个电池组以将功率供应给逻辑。
[0050]示例28包括包含代码的机器可读介质,所述代码当被执行时,使机器执行示例10至17中的任何一项的方法。
[0051]示例29包括包含用来执行如示例10至17中的任何一项所阐述的方法的装置的设备。
[0052]示例30包括包含用来执行如任何前述示例中所阐述的方法的装置的设备。
[0053]示例31包括包含机器可读指令的机器可读储存器,所述机器可读指令当被执行时,用来实现方法或者实现如任何前述权利中所阐述的设备。
[0054]在各种实施例中,例如参考图1-12本文中所讨论的操作可以被实现为硬件(例如,逻辑电路)、软件、固件或其组合,其可以被提供为计算机程序产品,例如,包括具有用来将计算机编程为执行本文中所讨论的过程的存储在其上的指令(或软件过程)的有形机器可读介质或计算机可读介质。机器可读介质可以包括诸如参考图1-12所讨论的那些之类的存储设备。
[0055]附加地,这样的计算机可读介质可以作为计算机程序产品被下载,其中程序可以经由通信链路(例如,总线、调制解调器或网络连接)通过在载波或其他传播介质中提供的数据信号的方式从远程计算机(例如,服务器)传递到请求计算机(例如,客户端)。
[0056]在本说明书中对“一个实施例”或“实施例”的参考意味着连同该实施例一起描述的特定特征、结构和/或特性可以被包括在至少一个实施方式中。短语“在一个实施例中”在本说明书里的各种地方中的出现可能或可能不全部参考同一实施例。
[0057]并且,在本说明书和权利要求中,可以使用术语“被耦合”和“被连接”及其衍生物。在一些实施例中,“被连接”可以被用来指示两个或更多个元件彼此直接物理或电接触。“被耦合”可能意味着两个或更多个元件直接物理或电接触。然而,“被耦合”还可以意味着两个或更多个元件可能不彼此直接接触,但是可以仍然彼此协作或交互。
[0058]因此,尽管已经用特定于结构特征和/或方法学行为的语言描述了实施例,但是应当理解,要求保护的主题可能不限于所描述的特定特征或行为。相反,特定特征和行为作为实现所要求保护的主题的采样形式被公开。
【主权项】
1.一种用来提供非反相高效率降压-升压功率变换器的统一控制方案的设备,所述设备包括: 补偿器逻辑,其至少一部分在硬件中,用来使降压-升压功率变换器在所述降压-升压功率变换器的升压操作模式下给输出电压提供比输入电压更高的电压电平并且用来在所述降压-升压功率变换器的降压操作模式下给所述输出电压提供比所述输入电压更低的电压电平, 其中所述补偿器逻辑用以将N+1个比特提供给脉冲宽度调制(PWM)发生器逻辑以使所述降压-升压功率变换器提供所述输出电压,其中所述N+1个比特中的一个用以指示所述降压-升压功率变换器是否将提供所述降压操作或所述升压操作。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述降压操作模式或所述升压操作模式中的每一个都包括N个操作电压电平。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述降压-升压功率变换器将包括单开关式降压-升压功率变换器。4.根据权利要求1所述的设备,其中所述补偿器逻辑将依照最坏情况传递函数操作。5.根据权利要求4所述的设备,其中所述最坏情况传递函数将基于一个或多个波特图被确定。6.根据权利要求5所述的设备,其中所述最坏情况传递函数将基于以下各项中的一个或多个被确定:所述一个或多个波特图的最小增益裕度和相位裕度。7.根据权利要求4所述的设备,其中所述最坏情况传递函数将基于状态空间平均和李亚普诺夫判据中的一个或多个被确定。8.根据权利要求1所述的设备,进一步包括耦合到所述逻辑的一个或多个传感器,其中所述一个或多个传感器用以检测以下各项中的一个或多个中的变化:温度、工作频率、工作电压以及功率消耗。9.根据权利要求1所述的设备,其中所述逻辑、处理器以及存储器中的一个或多个是在单个集成电路上。10.一种用来提供用于非反相高效率降压-升压功率变换器的统一控制方案的方法,所述方法包括: 在补偿器逻辑处使降压-升压功率变换器在所述降压-升压功率变换器的升压操作模式下给输出电压提供比输入电压更高的电压电平并且在所述降压-升压功率变换器的降压操作模式下给所述输出电压提供比所述输入电压更低的电压电平, 其中所述补偿器逻辑将N+1个比特提供给脉冲宽度调制(PWM)发生器逻辑以使所述降压-升压功率变换器提供所述输出电压,其中所述N+1个比特中的一个指示所述降压-升压功率变换器是否将提供所述降压操作或所述升压操作。11.根据权利要求10所述的方法,其中所述降压操作模式或所述升压操作模式中的每一个都包括N个操作电压电平。12.根据权利要求10所述的方法,其中所述降压-升压功率变换器是单开关式降压-升压功率变换器。13.根据权利要求10所述的方法,进一步包括依照最坏情况传递函数来操作所述补偿器逻辑。14.根据权利要求13所述的方法,进一步包括基于一个或多个波特图来确定所述最坏情况传递函数。15.根据权利要求14所述的方法,进一步包括基于以下各项中的一个或多个来确定所述最坏情况传递函数:所述一个或多个波特图的最小增益裕度和相位裕度。16.根据权利要求13所述的方法,进一步包括基于状态空间平均和李亚普诺夫判据中的一个或多个来确定所述最坏情况传递函数。17.根据权利要求10所述的方法,进一步包括一个或多个传感器检测以下各项中的一个或多个中的变化:温度、工作频率、工作电压以及功率消耗。18.一种用来提供用于非反相高效率降压-升压功率变换器的统一控制方案的系统,所述系统包括: 具有一个或多个处理器核的处理器; 补偿器逻辑,其用来使降压-升压功率变换器在所述降压-升压功率变换器的升压操作模式下给输出电压提供比输入电压更高的电压电平并且用来在所述降压-升压功率变换器的降压操作模式下给所述输出电压提供比所述输入电压更低的电压电平, 其中所述补偿器逻辑用以将N+1个比特提供给脉冲宽度调制(PWM)发生器逻辑以使所述降压-升压功率变换器提供所述输出电压,其中所述N+1个比特中的一个用以指示所述降压-升压功率变换器是否将提供所述降压操作或所述升压操作。19.根据权利要求18所述的系统,其中所述降压操作模式或所述升压操作模式中的每一个都包括N个操作电压电平。20.根据权利要求18所述的系统,其中所述降压-升压功率变换器将包括单开关式降压-升压功率变换器。21.根据权利要求18所述的系统,其中所述补偿器逻辑将依照最坏情况传递函数操作。22.根据权利要求21所述的系统,其中所述最坏情况传递函数将基于一个或多个波特图被确定。23.根据权利要求21所述的系统,其中所述最坏情况传递函数将基于状态空间平均和李亚普诺夫判据中的一个或多个被确定。24.一种包括代码的机器可读介质,所述代码当被执行时,用来使机器执行根据权利要求10至17中的任何一项所述的方法。25.—种包括用来执行如权利要求10至17中的任何一项所要求保护的方法的装置的设备。
【专利摘要】描述了涉及用于非反相高效率降压-升压功率变换器的统一控制方案的方法和设备。在实施例中,补偿器逻辑使降压-升压功率变换器在所述降压-升压功率变换器的升压操作模式下给输出电压提供比输入电压更高的电压电平并且在所述降压-升压功率变换器的降压操作模式下给所述输出电压提供比所述输入电压更低的电压电平。所述补偿器逻辑将N+1个比特提供给脉冲宽度调制(PWM)发生器逻辑以使所述降压-升压功率变换器提供所述输出电压。所述N+1个比特中的一个指示所述降压-升压功率变换器是否将提供所述降压操作或所述升压操作。还公开并且要求保护其他实施例。
【IPC分类】H02M3/156, G06F1/26
【公开号】CN104951032
【申请号】CN201510089277
【发明人】V.维亚, H.K.克里什纳墨菲, T.马哈简
【申请人】英特尔公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年2月27日
【公告号】DE102015102873A1, US20150280559
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