电容式触控面板的制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种电容式触控面板。
【【背景技术】】
[0002]触控设备因其便于操作、呈像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。
[0003]伴随近年来触摸屏在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触摸屏一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触摸屏主要是电阻式触摸屏和电容式触摸屏，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触摸屏作为其最佳首选设备。
[0004]在传统智能手机，如iphone等的电容式触摸屏中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ΙΤ0)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但ITO价格昂贵，ITO较脆，柔韧性差，弯曲时容易断裂造成功能不良，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，ITO导电率一般大于70欧姆/方阻，随着触摸屏尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，ITO已经无法满足目前触控产品对于电阻率的要求，无法保证大尺寸触摸屏良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。
[0005]另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。制程中ITO —般采用溅镀和黄光光阻涂布，曝光，显影，蚀刻，剥膜，高温烘烤等繁杂工序，成本高且耗时长。
[0006]请参阅图1与图2，传统的触控面板110中，在一个基板1101的上表面和下表面上分别形成ITO的第一导电层1103和第二导电层1105，或者是在两张基板上分别形成第一导电层1103和第二导电层1105，然后将第一导电层1103通过ITO走线或金属导电走线1109导通连接至第一 FPC1107上，第二导电层1105通过ITO走线或金属导电走线1109导通连接至第二 FPC1108上。这种结构的触控面板110需要经过两次溅镀，黄光，及压合制程且耗费两张FPCl 107和1108，耗时耗成本。
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【发明内容】
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[0007]为克服现有ITO触控面板制程中所存在的制程复杂，成本较高的技术问题，本发明提供了一种生产成本低，制程简单的电容式触控面板。
[0008]本发明解决技术问题的技术方案是提供一种电容式触控面板，包括一基板，第一纳米银线导电层和第二纳米银线导电层，第二纳米银线导电层成形于基板的其中一表面上，第一纳米银线导电层包括复数第一导电电极及复数第一走线，第二纳米银线导电层包括复数第二导电电极、复数第二走线、复数连接线及连接区域，所述电容式触控面板还包括复数通孔，第一走线和连接线通过通孔电性连接。
[0009]优选地,所述通孔的直径大小为Φ20ιιηι到1mm。
[0010]优选地,所述通孔的直径大小为Φ200ιιηι到600um。
[0011]优选地，所述通孔内设有导电材料。
[0012]优选地,第一走线和第二走线的宽度为5um_35um,相邻第一走线或相邻第二走线的线距为5um_35um。
[0013]优选地，所述的第一导电电极两端分别通过第一走线将电讯信号引出，所述的第二导电电极两端分别通过第二走线将电讯信号弓I出。
[0014]优选地，第一纳米银线导电层与第二纳米银线导电层分别设置于所述基板的两个表面上，通孔贯穿基板。
[0015]优选地,进一步包括一盖板,包括第一表面和第二表面，第一表面为触控操作面，第一纳米银线导电层成形于盖板的第二表面上，通孔贯穿所述基板。
[0016]优选地，进一步包括一第二基板，第一纳米银线导电层成形于第二基板上，通孔贯穿基板和/或第二基板。
[0017]优选地，所述的第一纳米银线导电层和所述的第二纳米银线导电层两侧可设置增粘层，平整层，光学匹配层之中的一层或多层，所述的增粘层，平整层，光学匹配层可以设置在所述的第一纳米银线导电层和所述的第二纳米银线导电层的同侧或不同侧，所述的增粘层，平整层，光学匹配层三者之间的位置可互换。
[0018]与现有技术相比，本发明电容式触控面板采用纳米银线导电层制作第一纳米银线导电层和第二纳米银线导电层。首先，纳米银线材料本身具有电阻低，光透过率在85%以上，方阻在12-120ohm/Sq的优越性，使得第一纳米银线导电层和第二纳米银线导电层具有良好的导电性，电容式触控面板的触控灵敏度高。因纳米银线的透光性好电阻低，如果使用纳米银线做走线无需使用遮蔽层遮蔽，从而实现电容式触控面板无边框设计，无边框电容式触控面板使得用户视觉上更开阔，增加用户体验。
[0019]其次，本发明在该电容式触控面板层状结构中，增加增粘层，平整层和光学匹配层，增粘层解决了纳米银线材料因可挠性基板的膨胀或收缩而引起的一系列问题。增加平整层并进行一定的工艺处理，使得纳米银线之间的搭接变得良好，从而使导电率得到有效保证，并使电容式触控面板的表面平整度得到极大提升。通过光学匹配层实现对电容式触控面板雾度的调节，而且对于光学匹配层的位置要求灵活多变，灵活有效的实现对电容式触控面板雾度的降低。
[0020]再次，本发明电容式触控面板走线采用纳米银线材料并采用双边走线设计可以加强传输信号，防止电容式触控面板走线在信号传输过程中可能出现的一边断路导致信号无法传输到触控IC上的情况，提高电容式触控面板的触控灵敏度。纳米银走线和电极一体成型，无搭接不良，搭接电阻偏高的问题。
[0021]另外，本发明电容式触控面板采用走线通孔设计，纳米银线的导电层和走线涂布制程中相对于传统ITO和金属溅镀制程对第一基板平整性要求不是很高，不会造成蚀刻不净，残留，裂纹等问题，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极和走线材料。
[0022]本发明的电容式触控面板制作方法中，采用纳米银线作为走线材料，第一导电电极及其走线可以在同一道制程中完成，第二导电电极及其走线也可以在同一道制程中完成，简化了工艺，耗时少，成本低。电容式触控面板的走线采用通孔设计，只需要使用一张柔性电路板，一次压合(bonding)制程，进一步简化了电容式触控面板O制作流程，耗时短，节省材料，降低成本。
【【附图说明】】
[0023]图1是现有技术触控面板的剖切结构示意图，其包括第一导电层和第二导电层。
[0024]图2是现有技术触控面板的导电图案平面结构示意图。
[0025]图3是本发明纳米银线薄膜的截面结构示意图。
[0026]图4是本发明纳米银线薄膜的平面示意图。
[0027]图5是本发明第一实施例触控面板剖切结构示意图。
[0028]图6是图5所示触控面板的第一纳米银线导电层的平面结构示意图。
[0029]图7是图5所示触控面板的第二纳米银线导电层的平面结构示意图。
[0030]图8是本发明第一实施例触控面板的无边框设计的平面示意图。
[0031]图9本发明第二实施例触控面板的第二纳米银线导电层及对应走线的平面结构示意图。
[0032]图10是本发明触控面板第三实施例的剖切结构示意图，在第一基板与第一纳米银线导电层和第二纳米银线导电层之间增加一增粘层。
[0033]图11是本发明触控面板第四实施例的剖切结构示意图，在第一纳米银线导电层和第二纳米银线导电层上增加一平整层。
[0034]图12是本发明触控面板第五实施例的爆炸结构图，在第一基板与第一纳米银线导电层和第二纳米银线导电层之间增加一光学匹配层。
[0035]图13是本发明第六实施例触控面板的制作方法流程图。
[0036]图14是本发明第七实施例触控面板剖切结构示意图。
[0037]图15是本发明第八实施例触控面板剖切结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0038]为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0039]请参阅图3与图4，系纳米银线导电薄膜800的剖切结构示意图，其包括衬底807和制作在衬底807上的纳米银线导电层805，纳米银线导电层805包括嵌入在基质803中的多根纳米银线801，衬底807 —般为透明绝缘材料，纳米银线排布其中相互搭接形成导电网络。纳米银线801线径越大电阻越低，线长越长越容易搭接形成导电网络，但同时纳米银线801表面积也随之增大，表面反射光漫射导致的雾度问题越明显，因此纳米银线801 (silvernano wires,简称SNW)的线长为10-300 μ m,优选20-100 μ m,最好其长度20-50 μ m,纳米银线801的线径小于500nm或小于200nm，lOOnm，优选为小于50nm，且其长宽比(线长与线径之比)大于10,优选大于50,更优选大于4