专利名称：信息存储介质中的最优功率控制的方法
技术领域：
本发明涉及可记录的信息存储介质，更具体地讲，涉及这样一种信息存储介质，其将在OPC区域中执行的最优功率控制(OPC)处理对其它信息存储层的影响最小化，所述的OPC区域被包括在该信息存储介质的信息存储层的每个中。
背景技术：
一般的信息存储介质被广泛地用作用于以非接触方式记录/再现数据的光学拾取设备的信息记录介质。光盘被用作信息存储介质并根据它们的信息存储容量分为压缩盘(CD)或数字多功能盘(DVD)。可记录、可擦除和可再现的光盘的例子是650MB的CD-R、CD-RW、4.7GB的DVD+RW等。此外，具有25GB或更大的记录容量的高密度DVD(HD-DVD)正在研究之中。
如上所述，信息存储介质已经发展以具有较大的记录容量。可以以两种代表性的方法来增加信息存储介质的记录容量，这两种方法为1)降低从光源射出的记录光束的波长；和2)增加物镜的数值孔径。此外，还有形成多个信息存储层的方法。
图1A和1B示意性地示出具有第一和第二信息存储层L0和L1的双层信息存储介质。第一和第二信息存储层L0和L1分别包括分别用于获得最优写功率的第一和第二最优功率控制(OPC)区域111和121、以及第一和第二缺陷管理区域(DMA)115和125。第一和第二OPC区域111和121彼此面对(即，相对于信息存储介质的内侧和外侧边界以共同半径而设置)。
使用各种级别的写功率将数据记录在第一和第二OPC区域111和121中以查找最优写功率。于是，可以采用比最优写功率的级别要高的功率来记录数据。表1示出当采用不同级别的写功率将数据记录在OPC区域111和121中时的第一和第二信息存储层L0和L1中的每个的抖动特性的变化。
表1
根据表1，如果采用正常写功率记录数据，则第一和第二信息存储层L0或L1的抖动特性保持恒定。另一方面，如果采用比正常写功率大20％的写功率记录数据，则数据已经被记录其中的第一或第二信息存储层L0或L1的OPC区域的抖动特性被降低。如果采用比正常写功率大20％的写功率将数据记录在第一和第二信息存储层之一上，则可以期待其它信息存储层的抖动特性还可被进一步降低。
于是，如果第一和第二信息存储层L0和L1的第一和第二OPC区域111和121存在于如图1A和1B示出的相同半径内，则它们之一可不被使用。
第一和第二OPC区域111和121之一的记录状态可以影响其它OPC区域的记录特性。例如，如图1B所示，如果数据已经被记录在第一OPC区域111的部分111a上并且没有数据已经记录在第一OPC区域111的部分111b上，则与第一OPC区域111的已用部分111a相应的第二OPC区域121的一部分的记录性能与相应于第一OPC区域111的未用部分111b的第二OPC区域121的一部分的记录性能不同。换言之，由于激光对第一OPC区域111的已用部分111a的透射率与激光对第一OPC区域111的未用部分111b的透射率不同，所以第二OPC区域121的记录性能在该区域上是不规则的。
如上所述，如果第一和第二OPC区域位于相同半径内，则它们可能不正确地工作。
发明内容
本发明提供一种信息存储介质，其将在OPC区域中执行的最优功率控制(OPC)处理对其它信息存储层的影响最小化，所述的OPC区域被包括在信息存储层的每个中；一种将信息存储介质的OPC区域之间的干扰最小化的方法；以及一种记录和/或再现设备，用于将信息存储介质的OPC区域之间的干扰最小化。
根据本发明的一方面，提供了一种信息存储介质，包括多个信息存储层，其中的每个包括获得最优记录条件的最优功率控制区域，其中，在奇数和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的不同半径内，保留区域与最优功率控制区域相邻而置。
根据本发明的另一方面，提供了一种信息存储介质，包括多个信息存储层，其中的每个包括获得最优记录条件的最优功率控制区域，其中，在奇数和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被重叠设置，从而每个最优功率控制区域彼此部分重叠。
根据本发明的另一方面，提供了一种信息存储介质，包括多个信息存储层，其中的每个包括获得最优记录条件的最优功率控制区域，其中，从光入射在信息存储介质上的方向观看的在奇数和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的相同半径内，并且奇数和偶数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向是相反的。
根据本发明的另一方面，提供了一种将信息存储介质的第一信息存储层中的第一最优功率控制区域与第二信息存储层的第二最优功率控制区域之间的干扰最小化的方法，包括设置第一和第二最优功率控制区域使得每个最优功率控制区域与另一个最优功率控制区域部分重叠；以及以相反的方向记录第一最优功率控制区域和第二最优功率控制区域以最小化干扰。
在该方法中，第一和第二最优功率控制区域的记录包括将第一最优功率控制区域记录在与第二最优功率控制区域的第一未用部分相应的第一部分；以及将第二最优功率控制区域记录在与第二最优功率控制区域的第二未用部分相应的第二部分。
根据本发明的另一方面，提供了一种记录和/或再现设备，包括光学拾取器，其以光学功率将数据记录在信息存储介质的表面上或从信息存储介质的表面读取数据；以及控制器，其控制光学拾取器以记录和/或再现在信息存储介质的表面上的数据以及在记录期间确定用于设置光学功率的最优记录功率，其中，所述的信息存储介质包括第一信息存储层和第二信息存储层，所述的第一信息存储层包括第一最优功率控制区域和第一限制使用区域，所述的第二信息存储层包括第二最优功率控制区域和第二限制使用区域，以上所述的第一和第二信息存储层以这样方式被布置，即第一最优功率控制区域与第二限制使用区域和第二最优功率控制区域部分重叠，第二最优功率控制区域与第一限制使用区域和第一最优功率控制区域部分重叠，控制器根据由光学拾取器记录和/或再现的数据在与第一和第二最优功率控制区域中的一个的未用部分相应的第一和第二最优功率控制区域中的另一个的一部分中确定最优记录功率。
在该设备中，第一和第二最优功率控制区域可以相反方向由控制器记录。
将在接下来的描述中部分阐述本发明另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本发明的实施而得知。
通过以下对照附图详细描述本发明的实施例，本发明的以上和/或其它方面和优点将会变得更加清楚，其中图1A和1B是示出在传统双层信息存储介质中OPC区域对非该OPC区域的区域的影响的视图；图2示出根据本发明实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图3A和3B示出一种情况，在该情况下，数据以相同方向被记录在图2的信息存储介质的第一和第二信息存储层中；图4A和4B示出一种情况，在该情况下，数据以不同方向被记录在图2的信息存储介质的第一和第二信息存储层中；图5A和5B示出根据本发明的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；
图6示出根据本发明的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图7示出根据本发明的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图8示出根据本发明的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图9示出根据本发明的另一实施例的双层信息存储介质的数据区域的布局；图10是根据本发明实施例的用于将信息记录到信息存储介质或从信息存储介质再现信息的设备的框图；以及图11是图10的记录和/或再现设备的更加详细的框图。
具体实施例方式
现在将详细地描述本发明的实施例，其例子显示在附图中，其中，相同的标号始终表示相同的部件。以下，通过对照附图来描述实施例以解释本发明。
对照图2，根据本发明实施例的信息存储介质包括至少两个信息存储层L0和L1，该信息存储层L0和L1中的每个包括用于获得最优功率的最优功率控制(OPC)区域。信息存储层的OPC区域211和223被设置在不同半径内，从而OPC区域211和223不彼此面对。信息存储层L0和L1中的每个可包括保留区域213和221、以及缺陷管理区域(DMA)215和225。尽管没有示出，信息存储层中的每个可包括与OPC区域相邻的映射区域。
图2示出的信息存储介质包括第一和第二信息存储层L0和L1。第一信息存储层L0包括第一OPC区域211、第一保留区域213和第一缺陷管理区域(DMA)215，第二信息存储层L1包括第二保留区域221、第二OPC区域223和第二DMA 225。
在信息存储层L0和L1中的第一和第二OPC区域211和223布置在信息存储介质的不同半径内，从而避免彼此接触。更具体地讲，第二保留区域221位于与第一信息存储层L0的第一OPC区域211相对的第二信息存储层L1的区域内，第一保留区域213位于与第二信息存储层L1的第二OPC区域223相对的第一信息存储层L0的区域内。
第一和第二信息存储层L0和L1的第一和第二DMA 215和225分别最好被设置在信息存储介质的相同半径内。
在如图2所示的结构中，在信息存储层L0和L1中的每个中的OPC区域211和223的使用部分的地址被记录在导入区域的预定位置。
图3A和3B示出一种情况，在该情况中，数据以相同方向被记录在图2的信息存储介质的第一和第二信息存储层L0和L1中，即，第一和第二OPC区域211和223以相同顺序被访问。在图3A中，从图2的信息存储介质的内侧边界到外侧边界以相同方向将数据记录在第一和第二信息存储层L0和L1中，而不管信息存储介质的轨道螺旋方向。于是，从图2的信息存储介质的内侧边界到外侧边界以相同方向将数据记录在信息存储层L0和L1的OPC区域211和223中。
在图3B中，从图2的信息存储介质的外侧边界到内侧边界以相同方向将数据记录在第一和第二信息存储层L0和L1中，而不管信息存储介质的轨道螺旋方向。于是，从图2的信息存储介质的外侧边界到内侧边界以相同方向将数据记录在信息存储层L0和L1的OPC区域211和223中。
在图3A和3B中，应该明白OPC区域211和223以及布置在第一和第二信息存储层L0和L1中的每个中的保留区域的次序可被反置。
图4A和4B示出一种情况，在该情况中，以不同的方向将数据记录在图2的信息存储介质的信息存储层L0和L1中，即，以不同的顺序访问OPC区域211和223的情况。在图4A中，不管图2的信息存储介质的轨道螺旋方向，从图2的信息存储介质的内侧边界到外侧边界将数据记录在第一信息存储层L0，从信息存储介质的外侧边界到内侧边界将数据记录在第二信息存储层L1中。于是，从图2的信息存储介质的内侧边界到外侧边界将数据记录在第一信息存储层L0的OPC区域211中，从图2的信息存储介质的外侧边界到内侧边界将数据记录在第二信息存储层L1的第二OPC区域223中。
在图4B中，不管图2的信息存储介质的轨道螺旋方向，从图2的信息存储介质的外侧边界到内侧边界将数据记录在第一信息存储层L0，从信息存储介质的内侧边界到外侧边界将数据记录在第二信息存储层L1中。于是，从图2的信息存储介质的外侧边界到内侧边界将数据记录在第一信息存储层L0的OPC区域211中，从图2的信息存储介质的内侧边界到外侧边界将数据记录在第二信息存储层L1的第二OPC区域223中。
在图4A和4B中，应该明白OPC区域以及布置在第一和第二信息存储层L0和L1中的每个中的保留区域的次序可被反置。
图5A和5B示出根据本发明的另一实施例的信息存储介质，其中，在一个信息存储层中的OPC区域的位置与在另一个信息存储层中的OPC区域的位置部分重叠。在信息存储介质的这个方面中，具有低使用可能性的保留区域513、531、521和543的尺寸最好但不必须小于OPC区域511、533、523和541的尺寸。当在不同信息存储层L0和L1中的OPC区域533、541的位置彼此重叠时，第一和第二信息存储层L0和L1中的每个中的OPC区域511a、533a、523a、541a的使用部分的地址被记录在导入区域等以防止在不同信息存储层中具有相同半径的OPC区域一起被用于记录数据。OPC区域地址可被以各种形式记录，例如，以位图的形式。
在图5A中，从信息存储介质的内侧边界到外侧边界将数据记录在第一信息存储层L0中，从信息存储介质的外侧边界到内侧边界将数据记录在第二信息存储层L1中。第一信息存储层L0包括第一OPC区域511、第一保留区域513、和第一DMA 515，第二信息存储层L1包括第二OPC区域523、第二保留区域521、和第二DMA 525。
第一和第二信息存储层L0和L1的第一和第二OPC区域511和523分别被设置在信息存储介质的不同半径内以彼此重叠。更具体地讲，第二信息存储层L1的第二OPC区域523的第二部分523a和第二保留区域521与第一信息存储层L0的第一OPC区域511相对而置，第一信息存储层L0的第一保留区域513和第一OPC区域511的第一部分511a与第二信息存储层L1的OPC区域523相对而置。
在图5B中，从信息存储介质的外侧边界到内侧边界将数据记录在第一信息存储层L0中，从信息存储介质的内侧边界到外侧边界将数据记录在第二信息存储层L1中。第一信息存储层L0包括第一OPC区域533、第一保留区域531、和第一DMA 535，第二信息存储层L1包括第二OPC区域541、第二保留区域543、和第二DMA 545。
第一和第二信息存储层L0和L1的第一和第二OPC区域533和541分别被设置在信息存储介质的不同半径内以彼此重叠。更具体地讲，第二OPC区域541的第二部分541a和第二保留区域543与第一信息存储层L0的第一OPC区域533相对而置，第一保留区域531和第一OPC区域533的第一部分533a与第二信息存储层L1的第二OPC区域541相对而置。
在如图5A和5B所示的结构中，在每个信息存储层L0和L1中的OPC区域511、523、533和541的使用部分的地址被记录在导入区域的预定位置例如盘信息区域。
如图5A和5B所示的信息存储介质的每个不同信息存储层L0和L1中的OPC区域511、523、533和541的可用部分的尺寸根据信息存储层L0和L1中的每个的使用的频率和关于OPC区域511、523、533和541的使用部分的地址的信息而变化。
图6示出根据本发明的另一实施例的信息存储介质。在图6的第一和第二信息存储层L0和L1中，用于记录OPC区域的使用部分的地址的映射区域612和622与OPC区域611和623相邻而置。当在如上所述的每个信息存储层中这样的映射区域与OPC区域相邻而置时，在在每个信息存储层中执行OPC之前，OPC区域的可用部分可被快速地识别。因此，可以缩短执行OPC所需的时间。
在图6中，第一信息存储层L0包括第一OPC区域611、第一映射区域612、第一保留区域613和第一DMA 615，第二信息存储层L1包括第二保留区域621、第二映射区域622、第二OPC区域623和第二DMA 625。第一和第二映射区域612和622被设置在信息存储介质的相同半径内，同样，第一和第二DMA 615和625被设置在相同半径上。
在图6的信息存储介质中，数据被记录在信息存储层L0和L1的OPC区域611和623中的方向或者与如图3A和3B所示的方向相同，或者与如图4A和4B所示的方向不同。
图7示出根据本发明的另一实施例的信息存储介质。在图7中，第一和第二信息存储层L0和L1的第一和第二OPC区域711和721被设置在信息存储介质的相同半径内，数据被记录在第一和第二信息存储层L0和L1中的方向被设置不同。第一和第二信息存储层L0和L1还分别包括第一和第二DMA715和725。在图7中，将数据记录在第一和第二信息存储层L0和L1中的方向分别是从信息存储介质的内侧边界到外侧边界或者从外侧边界到内侧边界。然而，将数据记录在第一和第二信息存储层L0和L1中的方向可以分别是从信息存储介质的外侧边界到内侧边界或者从内侧边界到外侧边界。
当在信息存储层L0和L1中的OPC区域711和721被设置在信息存储介质的相同半径内时，信息存储层L0和L1中的OPC区域711和721的使用部分的地址被记录在导入区域等区域中以防止当数据记录时一起被使用。因此，如果数据被记录在第一和第二OPC区域711和721中的方向被设置不同，即使第一和第二OPC区域711和721被设置在图7的信息存储介质的相同半径内，则直到地址′a′的OPC区域711和721中的每个的一部分当数据记录时可被使用。地址′a′表示这样的地址，即在该地址处，在第一OPC区域711中的数据记录与在第二OPC区域721中的数据记录相符合。
如图7所示的信息存储介质的每个信息存储层L0和L1中的OPC区域711和721的实际可用部分的尺寸根据信息存储层L0和L1中的每个的使用的频率和关于OPC区域711和721的使用部分的地址的信息而变化。这种结构可被应用到记录大容量数据的小的移动信息存储介质。
图8示出根据本发明的另一实施例的信息存储介质。考虑到数据记录在信息存储介质的内侧和外侧边界的特征可能不同的事实，OPC区域被设置在图8的信息存储介质的导入区域和导出区域810和830中的至少一个中，所述的导入区域和导出区域810和830被设置在数据区域820的两侧。在图8的第一和第二信息存储层L0和L1中，导入区域810的第一和第二OPC区域811和817和导出区域830的第三和第四OPC区域831和837可以使用图2到图6所示的布置之一合并第一信息存储层L0的第一和第三保留区域813和833和数据区域821以及第二信息存储层L1的第二和第三保留区域817和835而被设置。
图9示出根据本发明的另一实施例的信息存储介质。如图7所示，数据以相反方向被记录的第一和第二OPC区域911和913被布置在导入区域910中，所述的导入区域910在信息存储介质的相同半径内，数据以相反方向被记录的第三和第四OPC区域931和933被设置在导出区域930中，所述的导出区域930在信息存储介质的相同半径内。导入区域910和导出区域930被设置在数据区域920的相对侧，所述的数据区域920分别包括第一和第二信息存储层L0和L1的第一和第二数据区域921和923。
图10是根据本发明实施例的光学记录和/或再现设备的框图。参考图10，该记录和/或再现设备包括写/读单元1000和控制单元1002。写/读单元1000根据来自控制单元1002的命令从信息存储介质130读取或写到信息存储介质130。这里，信息存储介质130包括图2到图9所示的几个实施例，控制单元1002控制写/读单元1000的数据写/读操作，从而将在信息存储介质130的第一信息存储层中的第一最优功率控制区域与第二信息存储层中的第二最优功率控制区域之间的干扰最小化。
参考图10，根据控制单元1002的控制，写/读单元1000将数据记录在作为根据本发明实施例的信息存储介质的盘130上，读出数据以再现记录的数据。控制单元1002控制写/读单元1000从而写/读单元1000将数据记录在预定的记录单元块中，或者处理由写/读单元1000读取的数据并且获得有效数据。再现是指通过最读取的数据执行纠错来获得有效数据，并且以预定单元来被执行。用于执行再现的单元被称作再现单元块。再现单元块相应于至少一个记录单元块。
图11是图10的光学记录和/或再现设备的更加详细的框图。参考图11，信息存储介质130被设置在写/读单元1000中。该记录和/或再现设备还包括从信息存储介质130读取和写到信息存储介质130的光学拾取器1100。控制单元1002包括PC I/F1101、DSP 1102、RF AMP 1103、伺服机构1104和系统控制器1105，所有这些组成了图10的控制单元1002。
在数据记录操作中，PC I/F 1101从主机接收命令和将被记录的数据。DSP1102为了从PC I/F 1101接收的数据的纠错加入附加数据如奇偶校验，执行纠错和检查(ECC)编码以产生作为纠错块的ECC块，并且根据预定方法来调制ECC块。RF AMP 1103将从DSP 1102输出的数据转换成RF信号。拾取器1100将从RF AMP 1103输出的RF信号记录在盘130上。伺服机构1104从系统控制器1105接收伺服控制所需的命令，并且伺服控制拾取器1000。
在数据的再现操作中，PC I/F 1101从主机(未示出)接收再现命令。系统控制器1105执行再现所需的初始化。拾取器1000将激光束发射到盘130上，通过从盘130接收反射光束获得光信号，并且输出该光信号。RF AMP 1103将从拾取器1000输出的光信号转换成RF信号并将从RF信号获得的调制的数据提供到DSP 1102，同时将从RF信号获得的用于拾取器的控制的伺服信号提供到伺服机构1104。DSP 1102解调该调制的数据，执行纠错并输出该结果数据。
同时，伺服机构1104通过使用从RF AMP 1103接收的伺服信号和从系统控制器1105接收的用于伺服控制所需的命令来执行拾取器1000的伺服控制。PC I/F 1101将从DSP 1102接收的数据传递到主机。
上述的OPC区域布置可应用到所有信息存储介质，而不管每个信息存储层的轨道是否从内侧边界到外侧边界或从外侧边界到内侧边界是螺旋的。上述的OPC区域布置还可应用到所有的具有多个信息存储层的多层信息存储介质，而不管将被首先再现的信息存储层是与拾取器最远的信息存储层还是与拾取器最近的信息存储层。例如，上述的本发明的多个方面可应用到CD-R、CD-RW、DVD+R、HD-DVD、蓝光以及先进光盘(AOD)型信息存储介质。
尽管已经参照具有两个信息存储层的双层信息存储介质描述了OPC区域布置，但是它们可被用于到具有至少三个彼此堆叠的信息存储层的信息存储介质。
如上所述，在具有多个信息存储层的信息存储介质中，根据本发明的一个方面，一个信息存储层的OPC区域可被设置在另一个信息存储层的OPC区域之上，如不彼此面对地设置。因此，当一个信息存储层的OPC区域执行OPC时，这个OPC不影响另一个信息存储层。
或者，一个信息存储层的OPC区域可被设置在另一个信息存储层的OPC区域以彼此部分重叠，根据本发明的一方面，OPC区域的使用的方向被设置不同。因此，当一个信息存储层的OPC区域执行OPC时，这个OPC不影响另一个信息存储层。
或者，一个信息存储层的OPC区域可被设置在另一个信息存储层的OPC区域以彼此面对，根据本发明的一方面，OPC区域的使用的方向被设置不同。因此，当一个信息存储层的OPC区域执行OPC时，这个OPC不影响另一个信息存储层。
尽管显示和描述本发明某些实施例，但本领域的技术人员应该理解，在不脱离本发明的原则、精神的情况下可以在这些实施例中做出改变，本发明的范围由所附权利要求和其等同物所限定。
权利要求
1.一种信息存储介质中的最优功率控制的方法，所述信息存储介质包括奇数信息存储层中的最优功率控制区域和与奇数信息存储层相邻的偶数信息存储层中的最优功率控制区域，奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的不同半径内，所述方法包括将奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层的最优功率控制区域被用来存储数据的方向设置为相反方向。
2.如权利要求1所述的方法，其中，奇数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向为从内侧边界到外侧边界，偶数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向为从外侧边界到内侧边界。
3.如权利要求1所述的方法，其中，奇数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向为从外侧边界到内侧边界，偶数信息存储层的最优功率控制区域被使用的方向为从内侧边界到外侧边界。
4.如权利要求1所述的方法，还包括与奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层的最优功率控制区域中的至少一个相邻而设置保留区域。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层的最优功率控制区域部分重叠。
6.如权利要求1所述的方法，还包括与各个最优功率控制区域相邻而设置存储关于各个信息存储层的各个最优功率控制区域的信息的映射区域，从而相邻信息存储层的映射区域被形成在信息存储介质的相同半径内。
7.如权利要求1所述的方法，还包括将关于信息存储层的最优功率控制区域的信息存储在记录有盘有关信息的导入区域中。
8.如权利要求5所述的方法，其中，奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层的最优功率控制区域的部分重叠部分被指定用于防止在最优功率记录确定过程中所述部分重叠部分被记录。
全文摘要
提供一种信息存储介质中的最优功率控制的方法，所述信息存储介质包括奇数信息存储层中的最优功率控制区域和与奇数信息存储层相邻的偶数信息存储层中的最优功率控制区域，奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的不同半径内，所述方法包括将奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层的最优功率控制区域被用来存储数据的方向设置为相反方向。
文档编号G11B7/125GK101030418SQ20071000438
公开日2007年9月5日 申请日期2004年6月26日 优先权日2003年6月28日
发明者李坰根 申请人:三星电子株式会社