专利名称：相变存储单元的热隔绝的制作方法
技术领域：
本发明涉及存储器及其制造方法。
背景技术：
一种类型的非易失性存储器是电阻存储器。电阻存储器利用存储元件的电阻值来存储一位或多位数据。例如，被编程具有高电阻值的存储元件可以表示逻辑“1”数据位值，被编程具有低电阻值的存储元件可以表示逻辑“0”数据位值。通过向存储元件施加电压或电流可电性地切换存储元件的电阻值。一种类型的电阻存储器是磁性随机存取存储器(MRAM)。另一种类型的电阻存储器是相变存储器。尽管是关于相变存储器来描述本发明，但是本发明可应用于任何适当类型的电阻存储器。
相变存储器将相变材料用于电阻存储元件。相变材料表现出至少两种不同的状态。可将相变材料的状态称作非晶态和晶态。由于非晶态通常比晶态表现出较高的电阻系数，因此可以区分这些状态。通常，非晶态包括更无序的原子结构，而晶态特征在于更有序的晶格。一些相变材料表现出两种晶态，例如，面心立方(FCC)态和六边形最密堆积(HCP)态。这两种状态具有不同的电阻。
在相变材料中的相变是可逆地被诱发的。通过这种方式，相变材料根据温度的变化可以从非晶态变成晶态，也可从晶态变成非晶态。改变相变材料的温度可以有多种方式。例如，可直接把激光照射在相变材料上，可以驱动电流通过相变材料，或者可以将电流馈通给与相变材料相邻的电阻加热器。通过这些方法中的任何方法，控制相变材料的加热可以控制相变材料内的相变。
当在存储单元的写操作的过程中在相变存储单元或其他电阻存储单元中产生的热被热传递给相邻的存储单元时，会发生热串扰。在写操作的过程中，在选定的存储单元中会产生大量的热，但相邻的存储单元不应该有显著的温度上升。如果由于传递的热足够大使相邻存储单元的位置的温度上升，则相邻存储单元的状态会受到影响，并且会破坏存储在其中的数据。
在室温下工作的典型的相变存储器通常不会受到热串扰的影响。例如，对于用Ge2Sb2Te5作电阻元件的典型的相变存储器，在复位的过程中，相邻相变存储单元温度的增加通常是最多大约50摄氏度。因此，在室温下的相变存储操作通常具有低于110摄氏度的最高温度，该温度是对非晶位来说是抵抗结晶化超过10年的最高温度。因此，该最高温度将相变存储数据保持力限制为10年。但是，如果相变存储器在一个升高的温度下操作，例如70摄氏度，固有的热扩散不再能足以保证相邻的相变存储单元温度将保持在专用于10年的数据保持力的110摄氏度之下。
发明内容
本发明的一个实施例提供一种存储器。该存储器包括存储单元阵列，每个存储单元包括电阻材料、横向围绕在每个存储单元的电阻材料周围的第一绝缘材料、以及在存储单元之间用于热隔绝每个存储单元的散热装置。
所包含的附图用于进一步理解本发明，并包括在说明书中构成说明书的一部分。附图描述了本发明的具体实施例并和说明书一起用来解释本发明的原理。本发明的其他实施例和很多预期的优点将容易的被理解，因为通过参照下面的详细描述它们会更好理解。附图的元件相互之间不必按相对比例决定。相同的附图标记表示相应的类似部分。
图1是显示相变存储单元阵列的一个实施例的视图；图2是显示包括热隔绝的相变存储单元阵列的一个实施例的视图；图3是显示包括热隔绝的相变存储单元阵列的另一个实施例的视图；图4A给出了包括热隔绝的相变存储元件的一个实施例的剖面图；图4B给出了包括热隔绝的相变存储元件的另一个实施例的剖面图；图4C给出了包括热隔绝的相变存储元件的另一个实施例的剖面图；图5A给出了包括热隔绝的相变存储元件的另一个实施例的剖面图；图5B给出了包括热隔绝的相变存储元件的另一个实施例的剖面图；图6A给出了包括热隔绝的相变存储元件的另一个实施例的剖面图；
图6B给出了图6A所示的相变存储元件的侧剖面图；图7给出了包括热屏蔽或散热装置的相变存储单元的布图的一个实施例的侧视图；图8给出了相变存储单元的布图的另一个实施例的侧视图，相变存储单元使用有效的金属线作为散热装置；图9给出了包括伪地线的相变存储单元阵列的一个实施例的顶视图；图10A给出了包括伪地线的相变存储单元的布图的一个实施例的剖面图；图10B给出了包括伪地线的相变存储单元的布图的一个实施例的侧视图；图11是显示用于制造相变存储器的方法的一个实施例的流程图。
本发明的详细描述图1是显示相变存储单元100阵列的一个实施例的视图。存储阵列100包括在存储单元之间的热隔绝，用于防止热串扰影响存储单元的数据保持力。存储阵列100包括多个相变存储单元104a-104d(总称为相变存储单元104)、多条位线(BL)112a-112b(总称为位线112)、多条字线(WL)110a-110b(总称为字线110)、以及多条地线(GL)114a-114b(总称为地线114)。
每个相变存储单元104电性耦合到字线110、位线112、地线114。例如，相变存储单元104a电性耦合到位线112a、字线110a、地线114a，相变存储单元104b电性耦合到位线112b、字线110b、地线114b。相变存储单元104c电性耦合到位线112b、字线110a、地线114a，相变存储单元104d电性耦合到位线112b、字线110b、地线114b。
每个相变存储单元104包括相变元件106和晶体管108。尽管在给出的实施例中晶体管108是场效应晶体管(FET)，但是在其它的实施例中，晶体管108可以是其它适合的器件，例如双极晶体管或3D晶体管结构。相变存储单元104a包括相变元件106a和晶体管108a。相变元件106a的一侧电性耦合到位线112a，相变元件106a的另一侧电性耦合到晶体管108a的源极—漏极通路的一侧。晶体管108a的源极—漏极通路的另一侧电性耦合到地线114a。晶体管108a的栅极电性耦合到字线110a。相变存储单元104b包括相变元件106b和晶体管108b。相变元件106b的一侧电性耦合到位线112a，相变元件106b的另一侧电性耦合到晶体管108b的源极—漏极通路的一侧。晶体管108b的源极—漏极通路的另一侧电性耦合到地线114b。晶体管108b的栅极电性耦合到字线110b。
相变存储单元104c包括相变元件106c和晶体管108c。相变元件106c的一侧电性耦合到位线112b，相变元件106c的另一侧电性耦合到晶体管108c的源极—漏极通路的一侧。晶体管108c的源极—漏极通路的另一侧电性耦合到地线114a。晶体管108c的栅极电性耦合到字线110a。相变存储单元104d包括相变元件106d和晶体管108d。相变元件106d的一侧电性耦合到位线112b，相变元件106d的另一侧电性耦合到晶体管108d的源极—漏极通路的一侧。晶体管108d的源极—漏极通路的另一侧电性耦合到地线114b。晶体管108d的栅极电性耦合到字线110b。
在另一个实施例中，每个相变元件106电性耦合到地线114，每个晶体管108电性耦合到位线112。例如，对于相变存储单元104a，相变元件106a的一侧电性耦合到地线114a。相变元件106a的另一侧电性耦合到晶体管108a的源极—漏极通路的一侧。晶体管108a的源极—漏极通路的另一侧电性耦合到位线112a。通常，地线114比位线112具有更低的电势。
按照本发明，每个相变元件106包括可以由各种材料构成的相变材料。通常，使用含有选自于周期表的VI族的一种或多种元素的硫属化物合金作为这样的材料。在一个实施例中，相变元件106的相变材料由例如GeSbTe、SbTe、GeTe或AgInSbTe的硫属化物材料构成。在另一个实施例中，相变材料可以不含硫族，例如GeSb、GaSb、InSb或GeGaInSb。在其它的实施例中，相变材料可以由任何合适的材料构成，包括Ge、Sb、Te、Ga、As、In、Se和S的一种和多种元素。
存储阵列100包括在相邻相变存储单元104之间的热隔绝。在一个实施例中，每个相变存储元件106由提供热隔绝的材料包围，并且存储单元之间的空间至少部分地填充有提供热传导的材料。提供热传导的材料消散了通过每个相变元件106周围的提供热隔绝的材料而泄漏的任何热量。隔离与促进热扩散的组合保持了相邻相变存储单元104在设置以及特别是复位操作期间的冷却。因此，降低了热串扰，并提高了数据保持力。
在另一个实施例中，在相邻的相变存储单元104之间放置具有高导热系数的材料。在相邻的相变元件106之间放置额外的金属化或半导体热屏蔽或散热装置。散热装置快速地散布几个存储单元长度上的热量，因此有效地用于冷却相变元件106并防止相邻相变元件106受热。在一个实施例中，散热装置被形成为相变元件106之间的2D网络。在另一个实施例中，在存储阵列100中相邻相变元件最靠近的方向上，在相变元件106之间并行设置散热装置。
在另一个实施例中，在相邻相变元件106之间设置金属线。金属线可以是存储阵列100内的有效金属线，例如地线114或位线112。该实施例具有其它的优点，能够使用以一个角度(例如90度或其它适合的角度)对底下金属线的线光刻以及对底下金属线的选择蚀刻，形成相变存储单元104的底电极和相变元件106。对于给定的光刻节点的线光刻比接触孔图形具有更好的分辨率和线宽控制，因此提高了相变存储单元104的几何空间的稳定性，并因此提高了相变存储单元104的开关特性。
在相变存储单元104a的设置操作期间，设置电流或电压脉冲被选择地使能，并通过位线112a发送至相变元件106a，由此将其加热至结晶温度之上(但通常在其熔化温度之下)，通过选择的字线110a来激活晶体管108a。以此方式，相变元件106a在此设置操作期间到达其晶体状态。在相变存储单元104a的复位操作期间，复位电流或电压脉冲被选择地使能到位线112a，并发送至相变材料元件106a。复位电流或电压快速地将相变元件106a加热到其熔化温度之上。在电流或电压脉冲关闭之后，相变元件106a快速地冷却到非晶状态。使用类似的电流或电压脉冲，类似于相变存储单元104a来设置相变存储单元104b-104d以及存储阵列100中的其它的相变存储单元104。
图2是显示包括热隔绝的相变存储单元100a阵列的一个实施例的视图。存储阵列100a包括位线112、字线110、相变存储单元104、第一绝缘材料120和第二绝缘材料122。每个相变存储单元104或每个相变存储单元104内的每个存储元件106都被具有较低导热系数的第一绝缘材料包围，第一绝缘材料例如SiO2、低k材料、多孔SiO2、气凝胶、干凝胶或其它具有较低导热系数的适当的绝缘材料。第二绝缘材料122在存储单元104之间，并与第一绝缘材料120接触。第二绝缘材料122包括具有比第一绝缘材料120更高的导热系数的介电材料。第二绝缘材料122包括SiN、SiON、ALN、TiO2和Al2O3、或其它比第一绝缘材料120具有更高导热系数的适当的介电材料。
较低的导热系数的第一绝缘材料120热隔绝了存储单元104。高导热系数的第二绝缘材料122快速地消散了通过存储单元104周围的第一绝缘材料120泄漏的任何热量。第一绝缘材料120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元104在设置特别是复位操作期间的冷却。因此，降低了热串扰并提高了数据保持力。
图3是显示包括热隔绝的相变存储单元100b阵列的另一个实施例的视图。存储阵列100b包括位线112、字线110、相变存储单元104、第一散热装置或屏蔽线130和第二散热装置或屏蔽线132。在一个实施例中，第一散热装置或屏蔽线130平行穿过存储阵列100b的行，第二散热装置或屏蔽线132(只显示了一个)平行穿过存储阵列100b的列。在另一个实施例中，不包括第二散热装置或屏蔽线132。在一个实施例中，第一散热装置或屏蔽线130位于存储阵列100b中相邻相变元件最靠近的方向上。在另一个实施例中，第一散热装置或屏蔽线130和/或第二散热装置或屏蔽线132是有效的金属线，例如位线112或地线114。
第一散热装置或屏蔽线130和任选的第二散热装置或屏蔽线132包括具有高导热系数的材料，例如SiN、金属、多晶硅、或其它具有高导热系数的适合的材料。第一散热装置或屏蔽线130和任选的第二散热装置或屏蔽线132与存储单元104之间的空间134包括层间电介质，例如SiO2、硼磷硅玻璃(BPSG)、硼硅玻璃(BSG)、低k材料、或其它适合的介电材料。第一散热装置或屏蔽线130和任选的第二散热装置或屏蔽线132快速地消散几个存储单元104长度上的存储单元104的任何热量。因此第一散热装置或屏蔽线130和任选的第二散热装置或屏蔽线132有效地用于冷却相变元件106，并防止相邻相变元件106受热。因此，降低了热串扰并提高了数据保持力。
图4A给出了包括热隔绝的相变存储元件200a的一个实施例的剖面图。在一个实施例中，相变存储元件200a是柱状相变存储元件。在存储阵列100a(图2)的相变存储单元104中适于采用相变存储元件200a。相变存储元件200a包括第一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝缘材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变材料204提供用于存储一位、两位或几位数据的存储位置。
相变材料204接触第一电极202和第二电极206。相变材料204由第一绝缘材料120横向完全包围，其定义了电流通路以及相变区域在相变材料204中的位置。在此实施例中，相变材料204是圆柱形。第一绝缘材料120接触第二电极206的侧面212。第二绝缘材料122包围第一绝缘材料120。在另一个实施例中，第一绝缘材料120接触第一电极202和第二电极206的两侧。
低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二绝缘材料122快速消散通过第一绝缘材料120泄漏的任何热量。第一绝缘材料120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元在相变存储元件200a的设置特别是复位操作期间的冷却。
图4B给出了相变存储元件200b的另一个实施例的剖面图。在一个实施例中，相变存储元件200b是柱状相变存储元件。在存储阵列100a(图2)的相变存储单元104中适于采用相变存储元件200b。相变存储元件200b包括第一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝缘材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变材料204提供用于存储一位、两位或几位数据的存储位置。
相变材料204接触第一电极202和第二电极206。相变材料204由第一绝缘材料120横向完全包围，其定义了电流通路以及相变区域在相变材料204中的位置。在此实施例中，相变材料204是沙漏形。第一绝缘材料120接触第二电极206的侧面212。第二绝缘材料122包围第一绝缘材料120。
低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二绝缘材料122快速消散通过第一绝缘材料120泄漏的任何热量。第一绝缘材料120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元在相变存储元件200b的设置特别是复位操作期间的冷却。
图4C给出了相变存储元件200c的另一个实施例的剖面图。在一个实施例中，相变存储元件200c是柱状相变存储元件。在存储阵列100a(图2)的相变存储单元104中适于采用相变存储元件200c。相变存储元件200c包括第一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝缘材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变材料204提供用于存储一位、两位或几位数据的存储位置。
相变材料204接触第一电极202和第二电极206。相变材料204由第一绝缘材料120横向完全包围，其定义了电流通路以及相变区域在相变材料204中的位置。在此实施例中，相变材料204是沙漏形。第二绝缘材料122接触第二电极206的侧面212并包围第一绝缘材料120。
低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二绝缘材料122快速消散通过第一绝缘材料120泄漏的任何热量。第一绝缘材料120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元104在相变存储元件200c的设置特别是复位操作期间的冷却。
图5A给出了相变存储元件220a的另一个实施例的剖面图。在一个实施例中，相变存储元件220a是锥形贯通的相变存储元件。在存储阵列100a(图2)的相变存储单元104中适于采用相变存储元件220a。相变存储元件220a包括第一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝缘材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变材料204提供用于存储一位、两位或几位数据的存储位置。
相变材料204包括在226与第一电极202接触的第一部分222以及在228与第二电极206接触的第二部分224。向具有锥形侧壁的贯通开口填充相变材料204，以提供第一部分222。在第一部分222上填充相变材料204，以提供第二部分224。相变材料204的第一部分222具有锥形侧壁，并在230具有最大宽度或截面，在226具有最小宽度或截面。第一部分222在230的最大宽度可以小于第二部分224的宽度或截面。相变材料204的第一部分222由第一绝缘材料120横向完全包围，其定义了电流通路以及相变区域在相变材料204中的位置。第二绝缘材料122包围第一绝缘材料120以及相变材料204的第二部分224。
低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204的第一部分222。高导热系数的第二绝缘材料122快速消散通过第一绝缘材料120泄漏的任何热量。第一绝缘材料120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元在相变存储元件220a的设置特别是复位操作期间的冷却。
图5B给出了相变存储元件220b的另一个实施例的剖面图。在一个实施例中，相变存储元件220b是锥形贯通的相变存储元件。在存储阵列100a(图2)的相变存储单元104中适于采用相变存储元件220b。相变存储元件220b包括第一电极202、相变材料204、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝缘材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变材料204提供用于存储一位、两位或几位数据的存储位置。
相变材料204接触第一电极202和第二电极206。相变材料204由第一绝缘材料120横向完全包围，其定义了电流通路以及相变区域在相变材料204中的位置。在此实施例中，相变材料204具有锥形侧壁。第一绝缘材料120接触第一电极202的侧面210和第二电极206的侧面212。第二绝缘材料122包围第一绝缘材料120。
低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二绝缘材料122快速消散通过第一绝缘材料120泄漏的任何热量。第一绝缘材料120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元在相变存储元件220b的设置特别是复位操作期间的冷却。
图6A给出了相变存储元件250的另一个实施例的剖面图，图6B给出了相变存储元件250的侧剖面图。在一个实施例中，相变存储元件250是桥式的相变存储元件。在存储阵列100a(图2)的相变存储单元104中适于采用相变存储元件250。相变存储元件250包括第一电极202、第一接触252、相变材料204、间隔物256、第二接触254、第二电极206、第一绝缘材料120和第二绝缘材料122。第一绝缘材料120比第二绝缘材料122具有更低的导热系数。相变材料204提供用于存储一位、两位或几位数据的存储位置。
相变材料204接触由间隔物256分开的第一接触252和第二接触254。第一接触252接触第一电极202，第二接触254接触第二电极206。除了相变材料204接触第一和第二接触252和254以及间隔物256的地方之外，相变材料204由第一绝缘材料120包围。第二绝缘材料122包围第一绝缘材料120。
低导热系数的第一绝缘材料120热隔绝相变材料204。高导热系数的第二绝缘材料122快速消散通过第一绝缘材料120泄漏的任何热量。第一绝缘材料120的热隔绝与第二绝缘材料122的热扩散的组合保持了相邻相变存储单元在相变存储元件250的设置特别是复位操作期间的冷却。
图7给出了包括热屏蔽或散热装置的相变存储单元的布图300的一个实施例的侧视图。在存储阵列100b(图3)中适于采用相变存储单元的布图300。布图300包括衬底302、位线112、地线114、晶体管108、接触304、接触306、相变元件106和散热装置或屏蔽130。位线112和地线114是分开的金属化层。在一个实施例中，位线112包括W或其它适合的金属，并且是比地线114更低的金属化层，地线114包括Al、Cu或其它适合的金属。在另一个实施例中，位线112包括Al、Cu或其它适合的金属，并且是比地线114更高的金属化层，地线114包括W或其它适合的金属。
在一个实施例中，位线112垂直于地线114。每个晶体管108的源极—漏极通路的一侧通过接触306电性耦合到地线114，接触306包括Cu、W或其它适合的导电材料。每个晶体管108的源极—漏极通路的另一侧通过相变元件106和接触304电性耦合到位线112，接触304包括Cu、W或其它适合的导电材料。每个晶体管108的栅极电性耦合到字线110，字线110包括掺杂多晶硅、W、TiN、NiSi、CoSi、TiSi、WSix或其它适合的材料。在一个实施例中，存储元件106是加热器单元、通孔内有效(active-in-via)单元、柱状单元、或其它适合的相变存储元件。
在靠在一起并且没有通过地线114分开的相邻的相变元件106之间提供散热装置或屏蔽线130。散热装置或屏蔽线130包括具有高导热系数的材料，例如SiN、金属、多晶硅或其它具有高导热系数的适合的材料。散热装置或屏蔽线130与相变元件106之间的空间134填充了层间电介质，例如，SiO2、硼磷硅玻璃(BPSG)、硼硅玻璃(BSG)、低k材料、或其它适合的介电材料。散热装置或屏蔽线130快速地消散来自于几个存储单元长度上的相变元件106的任何热量。因此散热装置或屏蔽线130有效地用于冷却相变元件106，并防止相邻相变元件106受热。
图8给出了相变存储单元的布图320的另一个实施例的侧视图，相变存储单元使用有效的金属线作为散热装置。在存储阵列100b(图3)中适于采用相变存储单元的布图320。布图320包括衬底302、位线112、地线114、晶体管108、接触304、接触306、相变元件106。位线112和地线114是分开的金属化层。在一个实施例中，位线112包括W或其它适合的金属，并且是比地线114更低的金属化层，地线114包括Al、Cu或其它适合的金属。在另一个实施例中，位线112包括Al、Cu或其它适合的金属，并且是比地线114更高的金属化层，地线114包括W或其它适合的金属。在任何情况下，位线112垂直于字线110。
在一个实施例中，位线112垂直于地线114。每个晶体管108的源极—漏极通路的一侧通过接触306电性耦合到位线112，接触306包括Cu、W或其它适合的导电材料。每个晶体管108的源极—漏极通路的另一侧通过相变元件106和接触304电性耦合到地线114，接触304包括Cu、W或其它适合的导电材料。每个晶体管108的栅极电性耦合到字线110(没有显示)，字线110包括掺杂多晶硅、W、TiN、NiSi、CoSi、TiSi、WSix或其它适合的材料。在一个实施例中，存储元件106是加热器单元、通孔内有效(active-in-via)单元、柱状单元、或其它适合的相变存储元件。
在此实施例中，位线112是比地线114更低的金属化层。相变元件106与位线112共面地设置，使得位线112作为散热装置或屏蔽线130。在一个实施例中，位线112包括在位线112之间形成子光刻开口的绝缘侧壁间隔物。将相变材料填充在间隔物之间的子光刻开口中，以提供相变元件106。间隔物材料包括具有低导热系数的介电材料，用于热隔绝相变元件106。每条字线112提供散热装置。位线112快速地消散来自于几个存储单元长度上的相邻相变元件106的任何热量。因此位线112有效地用于冷却相变元件106，并防止相邻相变元件106受热。
图9给出了包括伪地线402的相变存储单元400阵列的一个实施例的顶视图。相变存储单元400的阵列包括位线112、地线114、伪地线402、字线110和浅沟渠隔离404。存储单元通过接触304耦合到位线112。存储单元通过接触306耦合到地线114。在位线112之间或与位线112平行地提供浅沟渠隔离404或其它适合的晶体管隔离。字线110垂直于位线112并平行于地线114和伪地线402。伪地线402在由存储单元接触304指示的存储单元的行之间提供热隔绝。地线114也在由存储单元接触304指示的相邻存储单元之间提供热隔绝。
图10A给出了包括伪地线402的相变存储单元的布图400的一个实施例的剖面图，图10B给出了通过相变元件106的布图400的一个实施例的侧视图。布图400包括衬底302、晶体管108、隔离栅极406、地线114、伪地线402、覆盖层410、间隔物408、相变元件106、相变元件接触304(每个包括一个电极)、地线接触306、电极416、位线112和介电材料412和414。
在衬底302上形成用于选择相变元件106的晶体管108。晶体管108的栅极电性耦合到字线110。在晶体管108之间的衬底302上形成隔离栅极406。在晶体管108和隔离栅极406上沉积介电材料414。相变元件接触304将每个晶体管108的源极—漏极通路的一侧电性耦合到相变元件106，地线接触306将每个晶体管108的源极—漏极通路的另一侧电性耦合到地线114。间隔物408包围相变元件106以及可选地包围相变元件接触304，以便为相变元件106提供子光刻宽度。
间隔物408热隔绝相变元件106。伪地线402在没有被地线114分开的相变元件106之间延伸。伪地线402和地线114提供散热装置，以便消散来自于相变元件106通过了间隔物408的热量。在一个实施例中，SiN或其它适合材料的覆盖层410覆盖地线114和伪地线402。可选地，也在地线114和伪地线402的侧壁形成覆盖材料410。覆盖层410也用作存储节点蚀刻期间的掩模层，并进一步隔离相变元件106，降低沉积了相变材料处的开口宽度。电极416将相变元件106电性耦合到位线112。
图11是显示用于制造相变存储器的方法500的一个实施例的流程图。在502，在预处理的晶片302上形成具有覆盖层410的金属线114和402以及可选的侧壁间隔物。在504，通过氧化物或介电材料412填充金属线之间的缝隙。在506，执行存储节点光刻，作为垂直于金属线114和402的线。在另一个实施例中，执行存储节点光刻，作为沿着垂直于金属线114和402的通路的孔。在另一个实施例中，以与金属线114和402成小于90度的角度沿着通路执行存储节点光刻。
在508，在氧化物或介电材料412中蚀刻自对准于金属线114和402的存储节点接触孔。在510，通过沉积和蚀刻形成低k介电材料或氧化物间隔物408，以便后来热隔绝相变元件。在512，在接触孔中沉积电极材料304并平坦化。在514，凹陷蚀刻电极材料304，以形成开口和第一电极。在516，在电极材料304上沉积相变材料106，以形成相变元件106。在一个实施例中，将步骤510移动到步骤514之后和步骤516之前。在518，在相变材料106上沉积电极材料416，以形成第二电极。在520，形成包括位线112的上部金属化层。
本发明的实施例提供了用于热隔绝相邻相变存储单元的相变存储阵列布图。通过热隔绝相邻相变存储单元，降低了热串扰并提高了数据保持力。本发明的实施例能够使相变存储器工作在80摄氏度之上，并提供了在较低温度下的提高的数据稳定性。
权利要求
1.一种存储器，包括存储单元阵列，每个存储单元包括电阻元件；横向围绕在每个存储单元的电阻元件周围的第一绝缘材料；和存储单元之间用于热隔绝每个存储单元的散热装置。
2.根据权利要求1所述的存储器，其中第一绝缘材料选自于由SiO2、多孔SiO2、气凝胶、干凝胶和低k电介质构成的组。
3.根据权利要求1所述的存储器，其中散热装置包括选自于由SiN、SiON、ALN、TiO2和Al2O3构成的组的第二绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的存储器，其中散热装置包括与第一绝缘材料接触的第二绝缘材料，以及其中第一绝缘材料比第二绝缘材料具有更低的导热系数。
5.根据权利要求1所述的存储器，其中电阻元件包括相变材料元件。
6.根据权利要求1所述的存储器，其中散热装置包括电绝缘材料和导电材料之一。
7.根据权利要求1所述的存储器，其中配置电阻元件用于响应写入操作来增加温度。
8.根据权利要求1所述的存储器，其中电阻元件包括磁性存储元件。
9.一种存储器，包括电阻存储单元的阵列；在存储单元周围的具有第一导热系数的绝缘材料；和在存储单元行之间用于热隔绝存储单元的材料线，该材料具有大于第一导热系数的第二导热系数。
10.根据权利要求9所述的存储器，其中线选自于由SiN、金属和多晶硅构成的组。
11.根据权利要求9所述的存储器，其中线包括电力线。
12.根据权利要求9所述的存储器，其中绝缘材料选自于由SiO2、BPSG、BSG和低k电介质构成的组。
13.根据权利要求9所述的存储器，其中存储单元包括相变存储单元。
14.一种半导体存储器件，包括电阻存储单元的阵列；和用于消散在写入操作期间来自每个存储单元的热量以防止相邻的存储单元受热的装置。
15.根据权利要求14所述的存储器，其中存储单元包括Ge、Sb、Te、Ga、As、In、Se和S中的至少一种。
16.一种用于制造存储器的方法，该方法包括提供电阻存储单元的阵列，每个电阻存储单元包括一电阻元件；通过具有第一导热系数的第一绝缘材料包围每个电阻元件；以及在电阻元件之间填充第二材料，第二材料具有大于第一导热系数的第二导热系数。
17.根据权利要求16所述的方法，其中提供电阻存储单元的阵列包括提供相变存储单元的阵列。
18.根据权利要求16所述的方法，其中通过第一绝缘材料包围每个电阻元件包括通过选自于由SiO2、多孔SiO2、气凝胶、干凝胶和低k电介质构成的组的第一绝缘材料包围每个电阻元件。
19.根据权利要求16所述的方法，其中在电阻元件之间填充第二绝缘材料包括在电阻元件之间填充选自于由SiN、SiON、ALN、TiO2和Al2O3构成的组的第二绝缘材料。
20.一种用于制造存储器的方法，该方法包括提供电阻存储单元的阵列，每个电阻存储单元包括一电阻元件；以及在存储单元的行之间提供材料线，用于热隔绝存储单元。
21.根据权利要求20所述的方法，其中提供材料线包括提供与电阻元件共面的金属线。
22.根据权利要求20所述的方法，其中提供材料线包括提供与电阻元件公面的地线和位线之一。
23.根据权利要求20所述的方法，其中提供电阻存储单元的阵列包括提供相变存储单元的阵列。
24.一种用于制造存储器的方法，该方法包括通过在预处理晶片上的覆盖层形成金属线；通过第一绝缘材料填充金属线之间的缝隙；与金属线成一个角度沿着通路执行存储节点光刻；在第一绝缘材料中蚀刻自对准于金属线的存储节点接触孔；形成凹陷在接触孔中的第一电极；在第一电极形成之前和之后，在接触孔的壁上形成第二绝缘材料；在第一电极上沉积电阻材料，以提供电阻材料元件；以及在电阻材料上形成第二电极。
25.根据权利要求24所述的方法，其中形成金属线包括形成地线和伪地线。
26.根据权利要求24所述的方法，其中形成金属线包括形成用于热隔绝相邻电阻材料元件的金属线。
全文摘要
一种存储器，包括存储单元阵列，每个存储单元包括电阻材料、横向围绕在每个存储单元的电阻材料周围的第一绝缘材料、以及在存储单元之间用于热隔绝每个存储单元的散热装置。
文档编号G11C11/56GK101068024SQ20071010161
公开日2007年11月7日 申请日期2007年2月7日 优先权日2006年2月7日
发明者U·G·冯施维林, T·哈普, J·B·菲利普 申请人:奇梦达股份公司