具有交错设置迹线的双导电层挠曲件的磁盘驱动器悬浮组件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及具有交错设置迹线的双导电层挠曲件的磁盘驱动器悬浮组件。一种磁盘驱动器悬浮组件具有负载梁和附接到负载梁的层压挠曲件。层压挠曲件包括具有磁头安装舌形件的结构层以及第一和第二导电层。第一电介质层在结构层和第一导电层之间放置，并且第二电介质层在第一导电层和第二导电层之间放置。第一导电层包括第一多个交错迹线，其至少具有通过第一横向迹线间间隔隔开的第一导电迹线和第二导电迹线。第二导电层包括第二多个交错迹线，其至少具有通过第二横向迹线间间隔隔开的至少第三导电迹线和第四导电迹线。第四导电迹线覆盖在第一横向迹线间间隔之上且第一导电迹线位于第二横向迹线间间隔之下。
【专利说明】具有交错设置迹线的双导电层挠曲件的磁盘驱动器悬浮组件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2013年8月23日提交的美国临时专利申请序列号61/869，165 (律师卷号N0.T6623.P)的优先权，在此并入其全部内容。
【背景技术】
[0003]信息存储设备在计算机和其他消费者电子设备中用于检索和/或存储数据。磁硬盘驱动器为信息存储设备的实例，其包括能够读取和写入的一个或更多个磁头，但其他信息存储设备也包括磁头——有时包括不能进行写入操作的磁头。
[0004]在现代磁硬盘驱动器设备中，每个磁头为磁头万向架组件(HGA)的子部件，该磁头万向架组件通常包括悬浮组件，其具有层压挠曲件以携带到达和来自磁头的电信号。HGA为磁头堆叠组件(HSA)的子部件，该磁头堆叠组件通常包括多个HGA、致动器和柔性印刷电路。多个HGA附接到致动器的各种臂形件，并且HGA的层压挠曲件中的每个具有电连接到HSA的柔性印刷电路的挠曲件尾部。
[0005]现代层压挠曲件通常包括通过聚酰亚胺电介质层从不锈钢结构层隔离的导电铜迹线。使得来自/到达磁头的信号可到达致动器主体上的柔性电缆，每个HGA挠曲件包括挠曲件尾部，其沿着致动器臂形件延伸远离磁头并最终附接到相邻致动器主体的柔性印刷电路。也就是说，挠曲件包括从相邻磁头延伸并在柔性印刷电路处的电连接点处终止的迹线。柔性印刷电路包括对应于挠曲件尾部的电连接点的电导线管。
[0006]由于挠曲件的导电迹线通过电介质层从结构层隔开，因此在导电迹线和结构层之间存在电容。电容也在一条导电迹线和另一条相邻的导电迹线之间存在。该类电容影响导电迹线的电容性电抗和阻抗，并因此影响导电迹线的带宽。
[0007]热辅助磁记录(HAMR)使用脉冲激光二极管作为磁头上的热源。在HAMR应用中，连接磁头和HSA的柔性印刷电路的前置放大器的导电迹线要求至少两个高带宽传输路径:磁写入路径和脉冲激光路径。其他导电迹线可携带来自读取换能器(例如遂穿磁阻传感器)、到达基于磁头的微致动器，和/或到达电阻加热器的信号，以用于动态飞行高度控制。因此，本领域中需要一种挠曲件设计，其能够提供用于现代HAMR或非-HAMR应用中所需要的挠曲件尾部上的传输路径，而不需要挠曲件尾部变得太宽，且具有足够高带宽的传输路径而没有过多的串扰或过多的阻抗。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为能够包括本发明的一个实施例的磁盘驱动器的顶部透视图。
[0009]图2A和图2B分别示出根据本发明的一个实施例的悬浮组件的顶部和下侧透视图。
[0010]图2C为根据本发明的一个实施例的层压挠曲件的舌形件部分的特写底部透视图。
[0011]图2D为根据本发明的一个实施例的层压挠曲件尾部的特写平面图。
[0012]图3A和图3B分别示出根据本发明的一个实施例的层压挠曲件在中点和终止处的透视横截面视图。
[0013]图4为根据本发明的另一个实施例的层压挠曲件的横截面视图。
[0014]图5为根据本发明的另一个实施例的层压挠曲件的横截面视图。
[0015]图6为根据本发明的另一个实施例的层压挠曲件的横截面视图。
[0016]图7为根据本发明的另一个实施例的层压挠曲件的横截面视图。
【具体实施方式】
[0017]图1为能够包括本发明的一个实施例的磁盘驱动器100的顶部透视图。磁盘驱动器100包括磁盘驱动器基座102和两个环形磁盘104。磁盘驱动器100进一步包括主轴106，其转动地安装在磁盘驱动器基座102上，以用于转动磁盘104。磁盘104的转动引起空气流过再循环过滤器108。在其他实施例中，磁盘驱动器100可仅具有单个磁盘，或可选地，多于两个磁盘。
[0018]磁盘驱动器100进一步包括转动地安装在磁盘驱动器基座102上的致动器110。音圈电动机112转动致动器110通过有限角范围，以使至少一个磁头万向架组件(HGA) 114相对磁盘104中的相应一个上的一个或更多个信息磁轨理想地定位。在图1的实施例中，致动器110包括三个臂形件，其中四个HGA 114在其上附接，每个HGA对应于两个磁盘104中的一个的表面。然而在其他实施例中，可根据所包括的磁盘104数目和磁盘驱动器100是否减少而包括更少或更多HGA。每个HGA 114包括用于从磁盘104中的一个读取数据并将数据写入磁盘104中的一个的磁头150。致动器110有时可通过闩扣120被闩锁在有限角范围内的极限角位置处。到达/来自HGA 114的电信号经由包括柔性电缆122(优选地包括前置放大器电路)和柔性电缆支架124的柔性印刷电路被携带到其他驱动器电子装置。
[0019]图2A和图2B分别示出根据本发明的一个实施例的悬浮组件的顶部和下侧视图。现又参考图2A和图2B，悬浮组件200经设计以在其被组装到HGA之后支撑磁头(例如磁头150)。然而，在组装到HGA中之前，悬浮组件200不包括磁头，并且可在不包括磁头的情况下制造和出售悬浮组件。悬浮组件200包括负载梁202。负载梁202的目的是当悬浮组件202被包括在HGA中时，为磁头150提供垂直顺性，以在磁盘104转动时遵循磁盘104表面的垂直波动，以及在其转动时通过通常被称为“克负载(gram load) ”的预负载力将磁头150相对磁盘104的表面预加载。
[0020]悬浮组件200还包括附接到负载梁202的层压挠曲件204。例如，层压挠曲件204的结构层可被点焊到负载梁202。当悬浮组件220被包括在HGA中时，磁头150附接到层压挠曲件204的舌形件206的磁头安装表面。层压挠曲件204的第一目的是为磁头150提供顺性，以在磁盘104转动时遵循磁盘104表面的俯仰角和侧滚角波动，并限制磁头150和负载梁202之间在横向方向和关于偏航轴线的相对运动。层压挠曲件204的第二目的是提供多个电路径到磁头150,以便于到达/来自磁头150的信号的传输。
[0021]对于第二目的，层压挠曲件204可包括多个电导电(例如铜)迹线。使得来自/到达磁头150的信号能够到达相邻致动器110的柔性电缆122，层压挠曲件204可包括挠曲件尾部208，其沿着致动器110延伸远离磁头150并最终连接到相邻致动器110的柔性电缆122。也就是说，层压挠曲件204可包括导电迹线，其从相邻磁头150延伸并在挠曲件尾部208的终止区域212处的电连接点终止。如从图1、图2A和图2B看出，与柔性电缆122相t匕，挠曲件尾部208为不同的较小部件。挠曲件尾部208电连接到柔性电缆122的方法包括超声波焊接(tab)接合、焊料回流、各向异性导电膜接合或焊料喷射接合(SJB)。
[0022]图2C为在舌形件206的磁头安装表面区域中的HGA 200的一部分的特写透视图。现附加地参考图2C，层压挠曲件204可包括通过电介质层从下层电隔开的多个导电迹线230。层压挠曲件204也可包括多个导电通孔232，其中多个导电层可通过多个导电通孔232连接到下层中的迹线和/或连接到彼此。例如，导电迹线230可携带到磁头的写入信号并优选地交错(interleave)(例如,相邻迹线可以以顺序W+、W-、W+、W_交替)。例如，导电通孔232可包括诸如铜或金的导电金属。而且，可选择的绝缘覆盖层可覆盖导电迹线230的最上层，除了它们的末端必须暴露以电连接到磁头。
[0023]交错能够减小阻抗和增加传输线的带宽。在本发明上下文中，如果传输线包括被划分成第一组普通导体的第一导体，其中每个导体在传输线的近端和远端处都并联连接，并且如果传输线还包括被划分成第二组普通导体的第二导体，其中每个导体在传输线的近端和远端处都并联连接，以及如果那些第一组普通导体在那些第二组普通导体之间散置而不与那些第二组普通导体短接(直接连接)，则认为传输线是“交错的”。例如，如果导电迹线230是交错的并且携带写入信号，那么W+迹线将在W-迹线之间横向散置而不与W-迹线短接(接触或直接连接)。
[0024]图2D为挠曲件尾部208的终止区域212的特写平面图。请注意，导电迹线230可为交错的。例如，携带到磁头的写入信号的导电迹线230的子集可以交替顺序(例如，W+、W-、W+、W_)设置在挠曲件尾部208上，以使W-迹线在平面图中位于W+迹线之间，反之亦然。
[0025]图3A和图3B分别示出层压挠曲件300在中点和终止处的透视横截面视图。在图3A的示例实施例中，上部行的导电迹线310、311利用八条交错迹线(四条输出迹线310与四条返回迹线311交错)携带信号，以便驱动脉冲激光器。符号314表示提供信号以驱动脉冲激光器的电路。下部行的导电迹线320、321利用八条交错迹线(四条输出迹线320与四条返回迹线321交错)携带信号，以便驱动磁头的磁写入器。符号324表示提供信号以便驱动磁头的磁写入器的电路。
[0026]图3A和图3B示出上部行的交替导电迹线310、311(例如，脉冲激光器驱动信号传输迹线)可如何在层压挠曲件300的末端附近交错，以及下部行的交替导电迹线320、321 (例如，写入信号传输迹线)可如何在层压挠曲件300的末端附近交错的实例。这种交错布置可按照电性质提供实质优点，例如相对于结构层平衡每条迹线的电容、改变迹线间电容、增加带宽和屏蔽电磁噪音以及抑制或消除共模。
[0027]在图3A和图3B的实施例中，上部行的导电迹线310、311与下部行的导电迹线320,321交错设置(stagger)(即横向偏移)，以使上部导电迹线310,311之间的间隔或空隙覆盖下部导电迹线320、321中的相应导电迹线并与其对准。类似地，下部导电迹线320、321之间的间隔或空隙位于上部导电迹线310、311中的相应导电迹线之下并与其对准。
[0028]在前述上下文中，“与其对准”意味着导电迹线310、311或320、321的二等分纵向中心线在±5微米的容差范围内与其他层的迹线之间的间隔或空隙的二等分纵向中心线对准。而且，本文中的“覆盖”不意味着直接接触，而是上部导电迹线310、311的最大主要表面与下部行的导电迹线320、321的两个之间的横向间隔或空隙重叠，并且通过电介质材料垂直地间隔开。类似地，本文中的“位于…之下”不意味着直接接触，而是上部行的导电迹线310、311的两个之间的横向间隔或空隙与相应下部导电迹线320、321的最大主要表面重叠,并通过电介质材料垂直地间隔开。
[0029]作为图3A中所示的导电迹线的一层相对于另一层交错设置的结果，交错迹线的每个单层组看到另一层，其如槽形地平面横向偏移。在某些实施例中，这能够在不增加附加金属层的情况下有利地增加两个相应高带宽信号路径之间的隔离。因此，可以仅利用两个导电迹线层获得两个高带宽信号路径，而不必要具有附加地平面层。
[0030]在图3A和图3B的实施例中，第一和第二导电层例如可包含铜并具有2.5微米到18微米范围中的厚度，其中根据第一和第二导电层，第一和第二行导电迹线310、311和320,321被分别图案化。层压挠曲件300还可包括结构层306，其例如可包含不锈钢并具有10微米到20微米范围中的厚度。
[0031 ] 在图3A和图3B的实施例中，层压挠曲件300还包括在第一行导电迹线310、311和第二行导电迹线320、321之间放置的第一电介质层。层压挠曲件300还包括在结构层306和包括第二行导电迹线320、321的第二导电层之间放置的第二电介质层。例如，第一和第二电介质层每个可包含聚酰亚胺并具有5微米到25微米范围中的厚度。
[0032]图4示出根据本发明的另一个实施例的层压挠曲件400的横截面视图。在图4的示例实施例中，上部行的导电迹线410利用八条交错迹线(四条输出迹线与四条返回迹线交错)携带信号，以便驱动脉冲激光器。下部行的导电迹线420利用六条交错迹线(三条输出迹线与三条返回迹线交错)携带信号以便驱动磁头的磁写入器。层压挠曲件400还可包括结构层406，其可例如包含不锈钢并具有10微米到20微米范围中的厚度。如果结构层406包括导电材料，则可以根据需要将其窗口化以便减小与上覆导电迹线的电容。
[0033]在图4的实施例中，上部行的导电迹线410与下部行的导电迹线420交错设置(即横向偏移)，以使上部导电迹线410之间的间隔或空隙覆盖下部导电迹线420中的相应导电迹线并与其对准。类似地，下部导电迹线420之间的间隔或空隙位于上部导电迹线410中的相应导电迹线之下并与其对准。作为图4中所示的导电迹线的一层相对于另一层交错设置的结果，交错迹线的每个单层组看到另一层，其如槽形地平面横向偏移。在某些实施例中，这能够有利地增加两个相应高带宽信号路径之间的隔离，而不需要增加附加金属层。
[0034]在图4的示例实施例中，导电迹线410、420的每个的横向宽度W近似等于导电迹线410、420之间的间隔或空隙的横向宽度S。例如，W和S的每个可在5到30微米的范围中。在图4的实施例中，层压挠曲件400还包括在第一行导电迹线410和第二行导电迹线420之间放置的电介质层。在某些实施例中，上部行的导电迹线410和下部行的导电迹线420之间的电介质层的厚度H优选地在5微米到25微米的范围中。
[0035]在图4的实施例中，第一和第二导电层可包含铜,其中根据第一和第二导电层,第一和第二行导电迹线410、420被分别图案化。例如，第一导电层的厚度Tl可在2.5微米到18微米的范围中，根据其，第一行导电迹线410被图案化。在某些实施例中，第二导电层的厚度T2不必要等于Tl，但也可优选地在2.5微米到18微米的范围中，其中根据该第二导电层，第二行导电迹线420被图案化。在某些实施例中，Tl可有目的地与T2不同，以便管理信号路径的相对阻抗或带宽。
[0036]图5示出根据本发明的另一个实施例的层压挠曲件500的横截面视图。在图5的示例实施例中，上部行的导电迹线510利用通过间隔或空隙513隔开的八条交错迹线(四条输出迹线与四条返回迹线交错)携带信号，以便驱动脉冲激光器。下部行的导电迹线520利用通过间隔或空隙523隔开的八条交错迹线(四条输出迹线与四条返回迹线交错)携带信号，以便驱动磁头的磁写入器。层压挠曲件500还可包括结构层506，其例如可包含不锈钢并具有10微米到20微米范围中的厚度。如果结构层506包括导电材料，则根据需要其可被窗口化以便减小与上覆导电迹线的电容。
[0037]在图5的实施例中，上部行的导电迹线510与下部行的导电迹线520交错设置(即横向偏移)，以使上部导电迹线510之间的间隔或空隙513覆盖下部导电迹线520中的相应导电迹线并与其对准。类似地，下部导电迹线520之间的间隔或空隙523位于上部导电迹线510中的相应导电迹线之下并与其对准。作为图5中所示的导电迹线的一层相对于另一层交错设置的结果，交错迹线的每个单层组看到另一层，其如槽形地平面横向偏移。在某些实施例中，这能够有利地增加两个相应高带宽信号路径之间的隔离，而不需要增加附加金属层。
[0038]在图5的示例实施例中，导电迹线510、520中的每个的横向宽度W可选择地分别大于导电迹线510、520之间的间隔或空隙513、523的横向宽度S。例如，W可在5到30微米的范围中。请注意，尽管在图5中交错迹线的宽度被示为相等，但它们并不必相等。在某些实施例中，可优选不相等的宽度。例如，在图5的实施例中,第一和第二导电层例如可包含铜并具有2.5微米到18微米范围中的厚度T，其中根据第一和第二导电层，第一和第二行导电迹线510、520被分别图案化。在图5的实施例中，层压挠曲件500还包括在第一行导电迹线510和第二行导电迹线520之间放置的电介质层。在某些实施例中，电介质层的厚度H优选地在5微米到25微米的范围中。
[0039]图6示出根据本发明的另一个实施例的层压挠曲件600的横截面视图。在图6的示例实施例中，上部行的导电迹线610利用六条交错迹线(三条输出迹线与三条返回迹线交错)携带信号，以便驱动磁头的磁写入器。下部行的导电迹线620利用六条交错迹线(三条输出迹线与三条返回迹线交错)携带信号，以便驱动脉冲激光器。层压挠曲件600还可包括结构层606，其例如可包含不锈钢并具有10微米到20微米范围中的厚度。如果结构层606包括导电材料，则根据需要其可被窗口化以便减小与上覆导电迹线电容。
[0040]在图6的实施例中，上部行的导电迹线610与下部行的导电迹线620交错设置(即横向偏移)，以使上部导电迹线610之间的间隔或空隙覆盖下部导电迹线620中的相应导电迹线并与其对准。类似地，下部导电迹线620之间的间隔或空隙位于上部导电迹线610中的相应导电迹线之下并与其对准。作为图6中所示的导电迹线的一层相对于另一层交错设置的结果，交错迹线的每个单层组看到另一层，其如槽形地平面横向偏移。在某些实施例中，这能够有利地增加两个相应高带宽信号路径之间的隔离，而不需要增加附加金属层。
[0041]在图6的示例实施例中，导电迹线610、620中的每个的横向宽度W近似等于导电迹线610、620之间的间隔或空隙的横向宽度S。例如，W和S的每个可在5到30微米的范围中。在图6的实施例中，层压挠曲件600还包括在第一行导电迹线410和第二行导电迹线620之间放置的电介质层。在某些实施例中，上部行的导电迹线610和下部行的导电迹线620之间的电介质层的厚度H优选地在5微米到25微米的范围中。
[0042]在图6的实施例中，第一和第二导电层可包含铜,其中根据第一和第二导电层,第一和第二行导电迹线610、620被分别图案化。第一导电层的厚度Tl例如可在2.5微米到18微米的范围中，其中根据第一导电层，第一行导电迹线610被图案化。在某些实施例中，第二导电层的厚度T2不必要等于Tl，但也可优选地在2.5微米到18微米的范围中，其中根据第二导电层，第二行导电迹线620被图案化。在某些实施例中，Tl可有目的地与T2不同，以管理信号路径的相对阻抗或带宽。
[0043]图7示出根据本发明的另一个实施例的层压挠曲件700的横截面视图。在图7的示例实施例中，上部行的导电迹线710利用通过间隔或空隙713彼此隔开的六条交错迹线(三条输出迹线与三条返回迹线交错)携带信号，以便驱动脉冲激光器。下部行的导电迹线720利用通过间隔或空隙723彼此隔开的六条交错迹线(三条输出迹线与三条返回迹线交错)携带信号，以便驱动磁头的磁写入器。层压挠曲件700还可包括结构层706，例如其可包含不锈钢并具有10微米到20微米范围中的厚度。如果结构层706包括导电材料，则根据需要其可被窗口化以便减小与上覆盖导电迹线的电容。
[0044]在图7的实施例中，上部行的导电迹线710与下部行的导电迹线720交错设置(即横向偏移)，以使上部导电迹线710之间的间隔或空隙713覆盖下部导电迹线720中的相应导电迹线并与其对准。类似地，下部导电迹线720之间的间隔或空隙723位于上部导电迹线710中的相应导电迹线之下并与其对准。
[0045]在前述上下文下，“与其对准”意味着导电迹线710的二等分纵向中心线在±5微米的容差范围内与迹线720之间的间隔或空隙723的二等分纵向中心线对准。类似地，导电迹线720的二等分纵向中心线可在±5微米的容差范围内优选地与迹线710之间的间隔或空隙713的二等分纵向中心线对准。而且，本文中的“覆盖”不意味着直接接触，而是上部导电迹线710的最大主要表面与下部行的导电迹线720的两个之间的横向间隔或空隙重叠，并通过电介质材料垂直地间隔开。类似地，本文中的“位于间隔和空隙之下”不意味着直接接触，而是上部行的导电迹线710的两个之间的横向间隔或空隙713与相应下部导电迹线720的最大主要表面重叠，并通过电介质材料垂直地间隔开。
[0046]作为图7中所示的导电迹线的一层相对于另一层交错设置的结果，交错迹线的每个单层组看到另一层，其如槽形地平面横向偏移。在某些实施例中，这能够有利地增加两个相应高带宽信号路径之间的隔离，而不需要增加附加金属层。
[0047]在图7的示例实施例中，导电迹线710、720中的每个的横向宽度W可选择地分别大于导电迹线710、720之间的间隔或空隙713、723的横向宽度S。例如，W可在5到30微米的范围中。请注意，尽管在图7中交错迹线的宽度被示为相等，但它们并不必相等。在某些实施例中，可优选不相等的宽度。在图7的实施例中，第一和第二导电层例如可包含铜并具有2.5微米到18微米范围中的厚度T，其中根据第一和第二导电层，第一和第二行导电迹线710、720被分别图案化。在图7的实施例中，层压挠曲件700还包括在第一行导电迹线710和第二行导电迹线720之间放置的电介质层。在某些实施例中，电介质层的厚度H优选地在5微米到25微米的范围中。
[0048]在前述说明书中，参考具体示例性实施例描述了本发明，但是本领域技术人员将认识到本发明不限于那些示例。想到的本发明的各种特征和方面可独立或者联合使用，并且可能在不同环境或者应用中使用。因此，说明书和附图被视为图示性和示例性的，而不是限制性的。例如，词“优选地”和短语“优选地但不是必要的”在本文中被同义地用于一致地包括“非必要”的含义或可选地。“包含”、“包括”和“具有”意指开放式术语。
【权利要求】
1.一种磁盘驱动器，其包括: 磁盘驱动器基座， 致动器，其枢轴地附接到所述磁盘驱动器基座，所述致动器包括臂形件；以及磁头万向架组件，即HGA，其附接到所述致动器臂形件，所述HGA包括磁头，以及包括负载梁和附接到所述负载梁的层压挠曲件的悬浮组件，所述层压挠曲件包括: 具有磁头安装舌形件的结构层，其中所述磁头接合到所述磁头安装舌形件； 包括第一多个交错迹线的第一导电层和包括第二多个交错迹线的第二导电层； 第一电介质层，其放置在所述结构层和所述第一导电层之间；以及 第二电介质层，其放置在所述第一导电层和所述第二导电层之间； 其中所述第一多个交错迹线至少包括通过第一横向迹线间间隔隔开的第一导电迹线和第二导电迹线，并且所述第二多个交错迹线至少包括通过第二横向迹线间间隔隔开的第三导电迹线和第四导电迹线；并且 其中所述第四导电迹线覆盖在所述第一横向迹线间间隔之上且所述第一导电迹线位于所述第二横向迹线间间隔之下。
2.根据权利要求1所述的磁盘驱动器，其中所述第一、第二、第三和第四导电迹线中的每个，以及所述第一和第二横向迹线间间隔中的每个，具有5微米到30微米范围中的横向览度。
3.根据权利要求1所述的磁盘驱动器，其中所述第四导电迹线与所述第一横向迹线间间隔对准，并且所述第一导电迹线与所述第二横向迹线间间隔对准。
4.根据权利要求1所述的磁盘驱动器，其中所述第一导电迹线的横向宽度等于所述第二横向迹线间间隔的横向宽度。
5.根据权利要求1所述的磁盘驱动器，其中所述第一导电迹线的横向宽度超过所述第二横向迹线间间隔的横向宽度。
6.根据权利要求1所述的磁盘驱动器，其中所述第一和第二电介质层中的每个包含聚酰亚胺并具有5微米到25微米范围中的厚度。
7.根据权利要求1所述的磁盘驱动器，其中所述第一和第二导电迹线共同携带到所述磁头的写入信号，并且所述第三和第四导电迹线共同携带到所述磁头的激光二极管驱动信号。
8.根据权利要求1所述的磁盘驱动器，其中所述第一和第二导电层中的每个包含铜并具有2.5微米到18微米范围中的厚度。
9.一种磁头万向架组件，即HGA，其包括: 磁头；以及 悬浮组件，其包括: 负载梁； 附接到所述负载梁的层压挠曲件，所述层压挠曲件包括: 具有磁头安装舌形件的结构层，其中所述磁头接合到所述磁头安装舌形件； 包括第一多个交错迹线的第一导电层，以及包括第二多个交错迹线的第二导电层；第一电介质层，其放置在所述结构层和所述第一导电层之间；以及第二电介质层，其放置在所述第一导电层和所述第二导电层之间； 其中所述第一多个交错迹线至少包括通过第一横向迹线间间隔隔开的第一导电迹线和第二导电迹线，并且所述第二多个交错迹线至少包括通过第二横向迹线间间隔隔开的第三导电迹线和第四导电迹线；并且 其中所述第四导电迹线覆盖在所述第一横向迹线间间隔之上并与其对准，并且所述第一导电迹线位于所述第二横向迹线间间隔之下并与其对准。
10.根据权利要求9所述的HGA，其中所述第一、第二、第三和第四导电迹线中的每个具有5微米到30微米范围中的横向宽度。
11.根据权利要求9所述的HGA，其中所述第一和第二导电迹线共同携带到所述磁头的写入信号，并且所述第三和第四导电迹线共同携带到所述磁头的激光二极管驱动信号。
12.根据权利要求9所述的HGA，其中所述第一导电迹线的横向宽度等于所述第二横向迹线间间隔的横向宽度。
13.根据权利要求9所述的HGA，其中所述第一导电迹线的横向宽度超过所述第二横向迹线间间隔的横向宽度。
14.一种悬浮组件，其包括: 负载梁； 附接到所述负载梁的层压挠曲件，所述层压挠曲件包括: 包括磁头安装舌形件的结构层；包括第一多个交错迹线的第一导电层，和包括第二多个交错迹线的第二导电层；第一电介质层，其放置在所述结构层和所述第一导电层之间；以及第二电介质层，其放置在所述第一导电层和所述第二导电层之间； 其中所述第一多个交错迹线至少包括通过第一横向迹线间间隔隔开的第一导电迹线和第二导电迹线，并且所述第二多个交错迹线至少包括通过第二横向迹线间间隔隔开的第三导电迹线和第四导电迹线；并且 其中所述第四导电迹线覆盖在所述第一横向迹线间间隔之上，并且所述第一导电迹线位于所述第二横向迹线间间隔之下。
15.根据权利要求14所述的悬浮组件，其中所述第一、第二、第三和第四导电迹线中的每个以及所述第一和第二横向迹线间间隔中的每个，具有5微米到30微米范围中的横向宽度。
16.根据权利要求14所述的悬浮组件，其中所述第四导电迹线与所述第一横向迹线间间隔对准，并且所述第一导电迹线与所述第二横向迹线间间隔对准。
17.根据权利要求14所述的悬浮组件，其中所述第一导电迹线的横向宽度等于所述第二横向迹线间间隔的横向宽度。
18.根据权利要求14所述的悬浮组件，其中所述第一导电迹线的横向宽度超过所述第二横向迹线间间隔的横向宽度。
19.根据权利要求14所述的悬浮组件，其中所述第一和第二电介质层中的每个包含聚酰亚胺并具有5微米到25微米范围中的厚度。
20.根据权利要求14所述的悬浮组件，其中所述第一和第二导电层中的每个包含铜并具有2.5微米到18微米范围中的厚度。
【文档编号】G11B5/60GK104424963SQ201410420993
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年8月25日 优先权日:2013年8月23日
【发明者】W·D·休伯 申请人:西部数据技术公司